JPS63262433A - 半導体用高純度金及びその製造方法 - Google Patents

半導体用高純度金及びその製造方法

Info

Publication number
JPS63262433A
JPS63262433A JP62098289A JP9828987A JPS63262433A JP S63262433 A JPS63262433 A JP S63262433A JP 62098289 A JP62098289 A JP 62098289A JP 9828987 A JP9828987 A JP 9828987A JP S63262433 A JPS63262433 A JP S63262433A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gold
purity
isobutyl ketone
methyl isobutyl
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62098289A
Other languages
English (en)
Inventor
Suketo Iga
祐人 伊賀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Denshi Kogyo KK filed Critical Tanaka Denshi Kogyo KK
Priority to JP62098289A priority Critical patent/JPS63262433A/ja
Publication of JPS63262433A publication Critical patent/JPS63262433A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/011—Apparatus therefor
    • H10W72/0115—Apparatus for manufacturing bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/011—Apparatus therefor
    • H10W72/0116—Apparatus for manufacturing strap connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/01—Manufacture or treatment
    • H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/551—Materials of bond wires
    • H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
    • H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P10/00—Technologies related to metal processing
    • Y02P10/20—Recycling

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はＩＣ，大容量メモリ素子である６４ＫＲＡＭや
２６５ＫＲＡＭ％超大容量メモリーであるＩＭＲＡＭや
４ＭＲＡＭ等のメモリー及び各種のＶＬＳＩ等の半導体
装置のアセンブリーとし【使用されるボンディング用金
線や金ろうに適し１低放射性の半導体用高純度金及びそ
の製造方法に関するものである。
（従来の技術とその問題点） 一般に半導体装置のアセンブリーとしては、高純度の全
素材が使用されているが、該全素材は近年の半導体装置
の著しい進歩発展に伴いより不純物の少ない高純度のも
のが望まれ【いる。
しかし、この全素材には数ＰＰｂ程度のウラン（Ｕ）及
びトリウム（Ｔｈ）が含まれており、　純度を高めた全
素材を超大容量メそり−のアセンブリーとして使用し九
場合、これら数ｐＰｂ程度の含有量でもソフトエラーを
引き起すひとつの原因である。
従来は、乾式精製、湿式Ｍ製及び電解精製又はこれらを
併用した精製法により高純度の全素材が製造されていた
。
しかしながら、これらの精製法ではウラン（Ｕ）及びト
リウム（Ｔｈ）等の放射性不純物はわずかじか除去でき
ないのが現状であった。
（発明が解決しようとする技術的課題）以上の問題を解
決しようとする本発明の技術的課題は、半導体装置のア
センブリーとして使用されている全素材の高純度化に伴
い、核金素材中のウラン及びトリウム等の放射性不純物
を除去して全素材の高純度化を図ることである。
（技術的課題を達成するための技術釣手１９．）以上の
技術的課題を達成するための本発明の第１の技術的手段
は、９９．９９　ｗｔ　Ｘ以上の高純度金中のウラン（
Ｕ）及びトリウム（Ｔｈ）が０．１１）Ｐｂ以下でかつ
放射性のα粒子カウント数がパックグランドレベル（検
出限界以下）の特性をもつ半導体用高純度金を提供する
ことであり、第２の技術的手段は９９．９９　ｗｔＸ以
上の高純度金の金地金を溶解液で溶解した後、該溶解液
中の金をメチルイソブチルケトンにより抽出する抽出工
程と、該金を抽出したメチルイソブチルケトンを洗浄液
で洗浄してウラン及びトリウムを除去する洗浄工程と、
該洗浄されたメチルイソブチルケトンに還元剤が溶解さ
れた逆抽出液を混合し、かつこれらを加熱して金を還元
精製する還元工程とにより半導体用高純度金を製造する
ことである。
（発明の効果） 本発明は以上の様な方法により高純度の金素材中のウラ
ン（Ｕ）及びトリウム（Ｔｈ）を０．１ｐｐｂ以下まで
除去することができ、かつ放射性のα粒子カウント数が
パックグランドレベル（検出限界以下）の特性をもたす
ことができたので半導体装置におけるソフトエラーの発
生を防止することができる。
（実施例） 以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
図に示す様にまず９９．９９ｗｔＸ以上の金地金（Ａ）
を塩酸２に対して過酸化水素１を混合して製造した溶解
液（ｍ）又は王水に溶解する。
そして、この際金地金（Ａ）に含まれているウラン（Ｕ
）及びトリウム（Ｔｈ）も同時に溶解される（第１図）
。
そして、この溶解液（メをメチルイソブチルケトンと混
合し攪拌することにより、該メチルインブチルケトンに
金（Ａ）を抽出分離させる。
この際溶解液（富）中のウラン（Ｕ）及びトリウム（Ｔ
ｈ）は、わずかにメチルイソブチルケトン（Ｍ）に抽出
される（第２図）。
以上のような抽出工程によジメチルイソブチルケトン（
Ｍ）中のウラン（［Ｊ）の含有量は前記溶解液（ｍ）中
の約１０００分の１に、トリウム（Ｔｈ　）の含有量は
前記溶解液（ｍ′）中の約８００分の１に減少する（第
３図）。
次にメチルイソブチルケトン（Ｍ）を洗浄液（ｎ）（希
塩酸等）で数回洗浄しウラン（Ｕ）及びトリウム（Ｔｈ
）を除去する（第４図）。
この洗浄工程における１回の洗浄によりメチルイソブチ
ルケトン（Ｍ）中のウラン（Ｕ）及びトリウム（Ｔｈ　
）の含有量は約１０００分のＩＫ低下する。
そして以上の様な洗浄操作によりララン（Ｕ）及びトリ
ウム（Ｔｈ）が検出限界（０，１ｐｐｂ　）以下に低下
する。
次に、この金（Ａ）及びメチルイソブチルケトン（Ｍ）
に塩酸ヒドラジン等の還元剤を溶解した逆抽出液（０）
を混合し、かつこれらを加熱することにより該メチルイ
ソブチルケトン（Ｍ）と水とが蒸発し、水中に金（Ａ）
が還元する第５図（第６図）。
以下の表は本発明の製造方法により製造される高純度金
のウラン（Ｕ）及びトリウム（Ｔｈ）の含有量を測定し
た結果を示したものである。
以上の様な結果から本発明の前記効果を確認することが
できた。
【図面の簡単な説明】
第１図〜第７・図は本発明の半導体用高純度金の製造方
法の工程断面図である。 尚図中 （Ａ）：金地金　　　　（ｍ）、　（ｍ）　：溶解液（
ｎ）：洗浄液　　　　　　（０）：逆抽出液を夫々示す
。 図面の浄書 第５図　第６図　第７図 手ｊ先ネｆｌｊ正匹ｔ（方式） 昭和６２年　７月２２日 １、事件の表示 昭和６２年　特許願　第９８２８９号 ２、発明の名称 半導体用高純度金及びその製造方法 ３　補正をする者 事件との関係　　　　　特　許　出　願　人氏名（名称
）　　１）中　電　子　工　業　株式会社４、代理人 住　所　　東京都文京区白山５丁目１４番７号５、補正
命令の日付（ｆｅ送日） 昭和６２年　６７］３０日 ６、補正の対象 別紙の通り

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）９９．９９ｗｔ％以上の高純度金中のウラン（Ｕ）
    及びトリウム（Ｔｈ）が０．１ｐｐｂ以下でかつ放射性
    のα粒子カウント数がバックグランドレベル（検出限界
    以下）の特性をもつ半導体用高純度金。 ２）９９．９９ｗｔ％以上の高純度金の金地金を溶解液
    で溶解した後、該溶解液中の金をメチルイソブチルケト
    ンにより抽出する抽出工程と、該金を抽出したメチルイ
    ソブチルケトンを洗浄液で洗浄してウラン及びトリウム
    を除去する洗浄工程と、該洗浄されたメチルイソブチル
    ケトンに還元剤が溶解された逆抽出液を混合し、かつこ
    れらを加熱して金を還元精製する還元工程とにより製造
    される半導体用高純度金の製造方法。
JP62098289A 1987-04-20 1987-04-20 半導体用高純度金及びその製造方法 Pending JPS63262433A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62098289A JPS63262433A (ja) 1987-04-20 1987-04-20 半導体用高純度金及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62098289A JPS63262433A (ja) 1987-04-20 1987-04-20 半導体用高純度金及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS63262433A true JPS63262433A (ja) 1988-10-28

Family

ID=14215768

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62098289A Pending JPS63262433A (ja) 1987-04-20 1987-04-20 半導体用高純度金及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63262433A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001271159A (ja) * 2000-03-24 2001-10-02 Vacuum Metallurgical Co Ltd 導電薄膜形成材料

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5693836A (en) * 1979-12-27 1981-07-29 Asaka Riken Kogyo Kk Gold recovering method
JPS6030158A (ja) * 1983-07-29 1985-02-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ボンデイングワイヤ−

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5693836A (en) * 1979-12-27 1981-07-29 Asaka Riken Kogyo Kk Gold recovering method
JPS6030158A (ja) * 1983-07-29 1985-02-15 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ボンデイングワイヤ−

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001271159A (ja) * 2000-03-24 2001-10-02 Vacuum Metallurgical Co Ltd 導電薄膜形成材料

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9394590B2 (en) Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same
JP5690917B2 (ja) 銅又は銅合金、ボンディングワイヤ、銅の製造方法、銅合金の製造方法及びボンディングワイヤの製造方法
JP2013185214A (ja) α線量が少ないビスマス又はビスマス合金及びその製造方法
JP2011214040A (ja) α線量が少ない銀又は銀を含有する合金及びその製造方法
CN110387563A (zh) 一种5n高纯银的工业制备方法
US2778730A (en) Plutonium alloy and method of separating it from uranium
CN109825707A (zh) 一种从废弃线路板中回收金的方法
JPH01283398A (ja) 錫およびその製造方法
JPS63262433A (ja) 半導体用高純度金及びその製造方法
CN105886785A (zh) 一种从含高硒碲富银渣中制取高纯银粉的方法
US3034889A (en) Decontamination of uranium
TWI482247B (zh) 半導體包裝，含鉛之焊料及陽極，及自材料移除α－放射物之方法
JP5903497B2 (ja) 低α線ビスマスの製造方法並びに低α線ビスマス及びビスマス合金
JPH02283614A (ja) ラフィネートからトリウムを除去する方法
JP3206432B2 (ja) 低α低酸素金属スカンジウムとその製造方法
JP6271642B2 (ja) 低α線ビスマスの製造方法及び低α線ビスマス
JPWO2015098191A1 (ja) 低α線ビスマス及び低α線ビスマスの製造方法
JP5941596B2 (ja) 低α線ビスマスの製造方法及び低α線ビスマス
JPS63128136A (ja) Ａｕの精製方法
TWI841095B (zh) 從含銀銅的錫泥中回收含金屬元素物質的方法、回收金屬的方法，以及金屬複合材料及其製備方法
US2785046A (en) Separation of uranium from other metals by hydriding
CN119410918A (zh) 一种金属镓靶中68Ge的溶解浸出方法
CN117164024B (zh) 一种铑粉快速溶解的方法
JPS583937A (ja) 溶液中のカルシウムの選択的除去方法
JPS5967384A (ja) 希土類元素含有合金からの有価金属の回収法