JPS63263773A - 半導体式圧力センサ - Google Patents
半導体式圧力センサInfo
- Publication number
- JPS63263773A JPS63263773A JP10054687A JP10054687A JPS63263773A JP S63263773 A JPS63263773 A JP S63263773A JP 10054687 A JP10054687 A JP 10054687A JP 10054687 A JP10054687 A JP 10054687A JP S63263773 A JPS63263773 A JP S63263773A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- circuit
- pressure
- pressure sensor
- detecting circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体式圧力センサに関する。
従来の半導体式圧力センサは、ピエゾ抵抗効果を利用し
たもので、第５図の側断面図に示すように、ダイアフラ
ム２に固着した酸化硅素膜１２上に拡散抵抗７〜１０を
形成してアルミ配線で接続し、第４図の回路図に示すよ
うなブリッジ回路を構成して、形成されている。このよ
うなセンサの拡散抵抗やゲージ率の温度係数は零で無い
ので、従来の半導体式圧力センサの感度特性は温度依存
性を有する。
たもので、第５図の側断面図に示すように、ダイアフラ
ム２に固着した酸化硅素膜１２上に拡散抵抗７〜１０を
形成してアルミ配線で接続し、第４図の回路図に示すよ
うなブリッジ回路を構成して、形成されている。このよ
うなセンサの拡散抵抗やゲージ率の温度係数は零で無い
ので、従来の半導体式圧力センサの感度特性は温度依存
性を有する。
このため、製作時に拡散抵抗の不純物濃度を調整すると
共に使用時に定電流源１３で駆動をすることにより、感
度の温度特性を改善したり、オフセットの温度保証を行
うための温度補償抵抗１９．２０を厚膜抵抗体等により
外付は回路として付加し、所望の値となるようにレーザ
トリミング等を行って抵抗調整するなどして、温度補償
を行っている。
共に使用時に定電流源１３で駆動をすることにより、感
度の温度特性を改善したり、オフセットの温度保証を行
うための温度補償抵抗１９．２０を厚膜抵抗体等により
外付は回路として付加し、所望の値となるようにレーザ
トリミング等を行って抵抗調整するなどして、温度補償
を行っている。
上述したように厚膜抵抗体による温度補償を施した従来
の半導体式圧力では、所望の抵抗値を算出してレーザト
リミングを行なっているので抵抗調性に時間がかかり過
ぎ、又、オフセット温度特性が非線形の場合には十分な
温度補償ができないという欠点がある。又、感度の温度
補償についても、拡散抵抗の温度係数に多少の非直線性
があるので、温度範囲が広い場合には温度補償が不十分
となる欠点がある。
の半導体式圧力では、所望の抵抗値を算出してレーザト
リミングを行なっているので抵抗調性に時間がかかり過
ぎ、又、オフセット温度特性が非線形の場合には十分な
温度補償ができないという欠点がある。又、感度の温度
補償についても、拡散抵抗の温度係数に多少の非直線性
があるので、温度範囲が広い場合には温度補償が不十分
となる欠点がある。
本発明の圧力センサは、圧力検出用の回路を受圧用のダ
イヤフラムに連接して配設してある半導体チップを有す
る半導体式圧力センサにおいて、前記半導体チップに温
度検出用の回路を併設してある。
イヤフラムに連接して配設してある半導体チップを有す
る半導体式圧力センサにおいて、前記半導体チップに温
度検出用の回路を併設してある。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例を
示す平面図及び側断面図である。本実施例の圧力センサ
は、ダイヤフラム２上の酸化硅素＋ｓ／Ａ１２に拡散抵
抗７〜１０を形成しブリッジ回路配線を施してリード接
続用のパッド３〜６に接続した従来構成のほか、ダイヤ
フラム２から離れていて圧力による歪みの影響を受けな
い個所に温度検出回路１１を付加して、形成してある。
示す平面図及び側断面図である。本実施例の圧力センサ
は、ダイヤフラム２上の酸化硅素＋ｓ／Ａ１２に拡散抵
抗７〜１０を形成しブリッジ回路配線を施してリード接
続用のパッド３〜６に接続した従来構成のほか、ダイヤ
フラム２から離れていて圧力による歪みの影響を受けな
い個所に温度検出回路１１を付加して、形成してある。
第２図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本実施例中の温度検
出回路１１の構成例を示す回路図及びその回路中のトラ
ンジスタ２１のペースエミッタ間電圧Ｅ、ＲＥとコレク
タ電流ＩＣの温度依存性を示す特性図であり、約−２，
３ｍｖ／’Ｃの温度係数を有する。このようなトランジ
スタ２１の温度特性を利用することによって、第２図（
ａ）の温度検出回路で０．ＩＶ／℃の出力を得ることが
できる。
出回路１１の構成例を示す回路図及びその回路中のトラ
ンジスタ２１のペースエミッタ間電圧Ｅ、ＲＥとコレク
タ電流ＩＣの温度依存性を示す特性図であり、約−２，
３ｍｖ／’Ｃの温度係数を有する。このようなトランジ
スタ２１の温度特性を利用することによって、第２図（
ａ）の温度検出回路で０．ＩＶ／℃の出力を得ることが
できる。
第３図は本実施例の圧力センサの一使用例を示すブロッ
ク図であり、圧力検出用のブリッジ回路の出力と温度検
出回路１１の出力とがマイクロコンピュータ１７に入力
されるようになっている。
ク図であり、圧力検出用のブリッジ回路の出力と温度検
出回路１１の出力とがマイクロコンピュータ１７に入力
されるようになっている。
あらかじめ圧力検出用の回路の温度依存性をマイクロコ
ンピュータのメモリ上に記憶させておくことにより、圧
力検出用の回路の出力と温度検出回路１１と出力とをマ
イクロコンピュータ１７で照合演算して、温度依存性を
除去した圧力出力が１′）られる。
ンピュータのメモリ上に記憶させておくことにより、圧
力検出用の回路の出力と温度検出回路１１と出力とをマ
イクロコンピュータ１７で照合演算して、温度依存性を
除去した圧力出力が１′）られる。
なお、本使用例では、マイクロコンピュータ１７の別の
回路とした例を示しているが、圧力センサと同一のシリ
コンチップ上に集積化しても同様の効果が得られること
は言うまでもないい。又、本使用例では、デジタル信号
処理による方法を示したが、温度検出回路の出力を回路
構成を適当にすることにより、アナログ的に処理し、圧
力検出回路の温度依存性を除去することができることも
又、言うまでもない。
回路とした例を示しているが、圧力センサと同一のシリ
コンチップ上に集積化しても同様の効果が得られること
は言うまでもないい。又、本使用例では、デジタル信号
処理による方法を示したが、温度検出回路の出力を回路
構成を適当にすることにより、アナログ的に処理し、圧
力検出回路の温度依存性を除去することができることも
又、言うまでもない。
以上説明したように本発明は、半導体式圧力センサの同
一チップ上に温度検出回路を組み込むことにより、温度
補償用抵抗体をレーザトリミングする手間を省き且つオ
フセットや感度の温度依存性が非線形の場合でも正確に
温度補償ができる効果がある。
一チップ上に温度検出回路を組み込むことにより、温度
補償用抵抗体をレーザトリミングする手間を省き且つオ
フセットや感度の温度依存性が非線形の場合でも正確に
温度補償ができる効果がある。
第１図（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ本発明の一実施例を
示す平面図及び側断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）はそ
れぞれ本発明の詳細な説明するための回路図及び特性図
、第３図は本発明の圧力センサの使用例を示すブロック
図、第４図及び第５図はそれぞれ従来の半導体式圧力セ
ンサの温度補償方法を示す回路図及び圧力センサのチッ
プの側断面図である。 ■・・・圧力センサ、２・・・ダイアフラム、３〜６・
・・パッド、７〜１０・・・拡散抵抗、１１・・・温度
検出回路、１２・・・酸化硅素膜、１３・・・定電流源
、１６・・・増幅器、１７・・・マイクロコンピュータ
、１９゜２０・・・温度補償抵抗、２１・・・トランジ
スタ。 （しノ 万１図 ｆ／！；Ｖ 演算増幅器 Ｍ２．回 石 ３ 図 ｒｉ ４ 図 ご 箔 ５ 回
示す平面図及び側断面図、第２図（ａ）及び（ｂ）はそ
れぞれ本発明の詳細な説明するための回路図及び特性図
、第３図は本発明の圧力センサの使用例を示すブロック
図、第４図及び第５図はそれぞれ従来の半導体式圧力セ
ンサの温度補償方法を示す回路図及び圧力センサのチッ
プの側断面図である。 ■・・・圧力センサ、２・・・ダイアフラム、３〜６・
・・パッド、７〜１０・・・拡散抵抗、１１・・・温度
検出回路、１２・・・酸化硅素膜、１３・・・定電流源
、１６・・・増幅器、１７・・・マイクロコンピュータ
、１９゜２０・・・温度補償抵抗、２１・・・トランジ
スタ。 （しノ 万１図 ｆ／！；Ｖ 演算増幅器 Ｍ２．回 石 ３ 図 ｒｉ ４ 図 ご 箔 ５ 回
Claims (1)
- 圧力検出用の回路を受圧用のダイヤフラムに連接して配
設してある半導体チップを有する半導体式圧力センサに
おいて、前記半導体チップに温度検出用の回路を併設し
てあることを特徴とする半導体式圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10054687A JPS63263773A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体式圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10054687A JPS63263773A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体式圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63263773A true JPS63263773A (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=14276945
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10054687A Pending JPS63263773A (ja) | 1987-04-22 | 1987-04-22 | 半導体式圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63263773A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02242121A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Nippondenso Co Ltd | 圧力・温度複合検出装置 |
| JP2011099678A (ja) * | 2009-11-03 | 2011-05-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 圧力検出装置 |
-
1987
- 1987-04-22 JP JP10054687A patent/JPS63263773A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02242121A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Nippondenso Co Ltd | 圧力・温度複合検出装置 |
| JP2011099678A (ja) * | 2009-11-03 | 2011-05-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 圧力検出装置 |
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