JPS6326498B2 - - Google Patents
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- JPS6326498B2 JPS6326498B2 JP9164979A JP9164979A JPS6326498B2 JP S6326498 B2 JPS6326498 B2 JP S6326498B2 JP 9164979 A JP9164979 A JP 9164979A JP 9164979 A JP9164979 A JP 9164979A JP S6326498 B2 JPS6326498 B2 JP S6326498B2
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- panel
- phosphor
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- black stripe
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Links
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Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
本発明は陰極線管用パネルに係り、特に螢光面
を形成する内壁面の表面粗さを改良した陰極線管
用パネルに関するものである。 例えばブラツクストライプ形カラー受像管のパ
ネルに内壁面はブラツクストライプ形成用の感光
性樹脂や螢光膜のパネル内壁面に対する付着力を
良好にするために適当な表面粗さ(凹凸)に形成
されている。そして良好なブラツクストライプを
得るためにパネル内壁面の表面粗さは経験的に
0.2μRz乃至5.0μRz程度が望ましいとされている
が、実際にはこの表面粗さのうちでも細かな粗さ
の方が良好なブラツクストライプが得られる。 然るに一方螢光膜を形成する立場からみると、
通常この螢光膜を形成する螢光体粒子の粒径は通
常平均で約5μ最小で1μ、最大で13μ乃至15μもあ
り、パネル内壁面を前述した0.2μRz乃至5.0μRz
程度の表面粗さにすると、螢光体粒子の粒径との
差が大きくなり、この様な状態でパネル内壁面に
螢光膜を形成させると、パネルの内壁面に対する
螢光膜の付着力が弱くなり、螢光膜の脱落などの
不所望な結果を招きやすい。 前述した様にパネルの内壁面の表面粗さはブラ
ツクストライプと螢光膜両方を考慮して決められ
なければならないが、通常ブラツクストライプの
形成に注目し、内壁面の粗さは螢光面に形成する
内壁面全面にわたり0.5μRz前後になされている。 然るに近年カラー受像管の螢光面の輝度向上を
目的として発光効率の良好な螢光体が開発され、
この螢光体として粒径の大きな所謂大粒子螢光体
が使用されるようになつてきた。次に従来の螢光
体と大粒子螢光体の粒径の1例を第1表に示す。
を形成する内壁面の表面粗さを改良した陰極線管
用パネルに関するものである。 例えばブラツクストライプ形カラー受像管のパ
ネルに内壁面はブラツクストライプ形成用の感光
性樹脂や螢光膜のパネル内壁面に対する付着力を
良好にするために適当な表面粗さ(凹凸)に形成
されている。そして良好なブラツクストライプを
得るためにパネル内壁面の表面粗さは経験的に
0.2μRz乃至5.0μRz程度が望ましいとされている
が、実際にはこの表面粗さのうちでも細かな粗さ
の方が良好なブラツクストライプが得られる。 然るに一方螢光膜を形成する立場からみると、
通常この螢光膜を形成する螢光体粒子の粒径は通
常平均で約5μ最小で1μ、最大で13μ乃至15μもあ
り、パネル内壁面を前述した0.2μRz乃至5.0μRz
程度の表面粗さにすると、螢光体粒子の粒径との
差が大きくなり、この様な状態でパネル内壁面に
螢光膜を形成させると、パネルの内壁面に対する
螢光膜の付着力が弱くなり、螢光膜の脱落などの
不所望な結果を招きやすい。 前述した様にパネルの内壁面の表面粗さはブラ
ツクストライプと螢光膜両方を考慮して決められ
なければならないが、通常ブラツクストライプの
形成に注目し、内壁面の粗さは螢光面に形成する
内壁面全面にわたり0.5μRz前後になされている。 然るに近年カラー受像管の螢光面の輝度向上を
目的として発光効率の良好な螢光体が開発され、
この螢光体として粒径の大きな所謂大粒子螢光体
が使用されるようになつてきた。次に従来の螢光
体と大粒子螢光体の粒径の1例を第1表に示す。
【表】
前表のような大粒子螢光体を使用すると、従来
の表面粗さ即ち0.5μRz前後では安定したスクリ
ーニングが出来にくくなつた。 そこで発明者らは種々な内壁面の粗さに対する
ブラツクストライプの品位と大粒子螢光体の付着
力の関係を試験し第2表に示すような結果を得
た。
の表面粗さ即ち0.5μRz前後では安定したスクリ
ーニングが出来にくくなつた。 そこで発明者らは種々な内壁面の粗さに対する
ブラツクストライプの品位と大粒子螢光体の付着
力の関係を試験し第2表に示すような結果を得
た。
【表】
但し試験はブラツクストライプのピツチ及び幅
を一定にして行なつた。 第2表中〇印は良、△印はやや良、×印は不良
を示し、粗さは10点平均粗さ(Rz)を示す。 この試験結果からわかる様に内壁面の表面粗さ
0.5μRz乃至2.0μRzの間、望ましくは0.5μRz乃至
1.5μRzでもブラツクストライプ品位と螢光体の
付着力、両方の妥協により生産を行なうことがで
きるが、これも満足出来る品位ではなく、安定し
た生産を行なうためには何らかの対策が必要であ
つた。 本発明は前述した諸欠点に鑑みなされたもので
あり、ブラツクストライプ品位も良好であり、螢
光体の付着力も安定するように内壁面に表面粗さ
を持たせた陰極線管用パネルを提供することを目
的としている。 即ち、本発明に於ては、螢光面を形成する内壁
面の中央部の表面粗さが周縁部の表面粗さに対し
連続的または不連続的に大となるようにし、その
表面粗さを中央部に於ては1.5μRz乃至10μRzと
し、周縁部に於ては0.5μRz乃至1.5μRzとするこ
とにより良品位のブラツクストライプが得られ且
つ、螢光体の安定したスクリーニングを行なうこ
とが可能となつた。 次にこの様にパネル内壁面の中央部の表面粗さ
と周縁部の表面粗さとをもたせることによつて良
好なブラツクストライプが得られ、かつ、安定し
たスクリーニングを行なうことが出来る理由を説
明する。 先ず最初にブラツクストライプについて述べ
る。 即ちブラツクストライプは偏向装置の調整余裕
度(ガードバンド)を取るため、通常パネルの周
縁部は中心部に比較して、ブラツクストライプの
幅を狭くする必要がある。1例として第1図に20
インチのブラツクストライプ、シヤドウマスク型
カラー受像管のブラツクストライプ幅を曲線1に
示す。 図からわかるように中央部に於てはブラツクス
トライプ幅は約0.17mm周縁部では約0.12mmとなつ
ている。この場合シヤドウマスクの開口部の幅は
中心部周縁部共に0.18mm乃至0.185mmであり、こ
の様な開口部から第1図のようなブラツクストラ
イプ幅を得ることは技術的に難かしい。 次にブラツクストライプの露光方法を第2図に
よつて説明する。 即ち球面状のパネル2に所定間隔をもつてほぼ
球面状シヤドウマスク3を配設し光源4より、図
示しない補正レンズなどを介してシヤドウマスク
3の開口部を介して露光する場合、パネル2の中
央部、即ち管軸Z上の光束5は第3図の曲線7に
示す様に幅の狭い光強度の強いものとなり、また
第1図に示す様にブラツクストライプ幅も比較的
広く、また感光性樹脂が充分に焼き付けられるた
め、この感孔性樹脂の成膜条件はあまり要求がき
びしくなく、内壁面の表面粗さはブラツクストラ
イプ品位の劣化とはあまり関係がない。 然るに周縁部の光束6は第4図の曲線8に示す
様に幅の広い光強度の弱いものとなり、更にパネ
ル内壁面に傾斜して当接するようになつているの
で、所望の狭いブラツクストライプ幅を得るため
の感光性樹脂に対しての焼きつけは光強度の弱い
位置で行なわなければならず、例えばパネル内壁
面の表面粗さを3.0μRz程度にし感光性樹脂の成
膜が悪い状態では第5図に斜線で示すブラツクス
トライプ9は形状が不完全となり良好なブラツク
ストライプ幅が得られない。 この場合勿論良好なブラツクストライプを得る
ために補正フイルタによる光強度の向上露光時間
の延長による露光量を増大すれば良好なブラツク
ストライプを得ることが出来るがこの場合シヤド
ウマスクの開口部の幅より狭いブラツクストライ
プ幅を得ることは出来ない。 そのため、現在はパネルの内壁面を均一に約
0.5μRz程度の表面粗さとして感光性樹脂の成膜
性を良くすることによつて第6図に斜線で示すブ
ラツクストライプ10を形成している。 即ち、従来経験的に良好なブラツクストライプ
を形成するにはパネル内壁面の表面粗さは
0.2μRz乃至5.0μRz程度が望ましいとされたが、
これは特に内壁面の周縁部に注目していた結果で
あり、内壁面の中央部に注目した場合は1.5μRz
乃至10μRzの間でも良好なブラツクストライプを
得ることが可能である。 次に本発明のパネルにより、安定したストライ
プ状螢光体膜塗布工程所謂スクリーニングが出来
る理由を説明する。 即ち0.1μRz乃至0.5μRz位の表面粗さを有する
パネルに大粒子螢光体を使用した時に、パネル内
壁面に螢光体が付着しにくい位置はブラツクスト
ライプ幅の広い位置、即ち、中央部であり、この
中央部のみ表面粗さを大きくすれば安定したスク
リーニングが可能となる。 またパネルの内壁面の中央部に螢光体が付着し
にくい理由は次の通りである。即ち、螢光体層の
形成は例えばポリビニールアルコールと重クロム
酸塩を混合した感光性樹脂に螢光体を混合して螢
光体スラリーを作り、この螢光体スラリーをパネ
ルの内壁面に回転塗布法を用いて均一に塗布後乾
燥させる。次にブラツクストライプの時と同様に
シヤドウマスクを介して露光し、次に温水現像
し、未露光部を除去し第1色目の螢光体層を形成
させる。この様な工程を3色の螢光体層について
繰り返し行ない3色に発光する螢光面を形成す
る。前記工程の中でパネル内壁面に螢光体スラリ
ーを注入し回転塗布する所謂スクリーニングに於
て粒径の大きい螢光体は粒径の小さい螢光体より
も先に沈殿すると同時に回転塗布されるので粒径
の大きい螢光体はパネルの中央部に、粒径の小さ
な螢光体はパネルの周縁部に多く塗布されること
になるがパネルの中央部の表面粗さが小の場合螢
光体とパネルの内壁面との付着力が弱く、現像中
に温水により露光された螢光体スラリーが落ちる
という現象が起る。しかし、この場合パネルの中
央部のみ表面粗さを大とし、例えば平均螢光体の
粒径と同程度にするとパネルと大粒子螢光体との
付着力が向上し安定したスクリーニングが行え
る。 前述したパネル内壁面の表面粗さの一例として
は第7図に曲線11で示すように中央部を約
8μRzとし、次第に粗さを小としながら、周縁部
に於ては2μRzから1μRz位に連続的に変化させて
もよいし、また中央部と周縁部に於ける表面粗さ
を不連続的に変化させてもよい。 この様にパネル内壁面の表面粗さを中央部に於
て大とし周縁部に於て小とすることにより従来の
約0.5μRzの粗さのパネルと比較しほぼ同様なブ
ラツクストライプ品位を得ることが出来るしまた
大粒子螢光体のドツト落ち不良を約90%も減少す
ることが出来た。このことは、即ち、中央部の成
膜品位が向上したことを意味している。また、中
央部の表面粗さを大とすることにより中央部に大
粒子螢光体が良く被着するため、輝度向上にもな
る利点がある。 勿論、本発明の陰極線管用パネルは従来の螢光
体を使用しても、ドツト落ちに対して良好な結果
を得ることが可能である。また本発明はカラー受
像管のパネルに限定されるものではなく、他の螢
光面を被着形成する陰極線管用パネルとしてもほ
ぼ同様な効果が期待される。 前述の説明に於ては、パネル中央部の粗さは螢
光体の粒径程度が望ましいと説明したが、これは
露光時の光強度、螢光体粒径、スラリー回転塗布
条件などの組合せを検討し、パネル内壁面の表面
粗さを特許請求の範囲内で選択することが出来る
ことは勿論であり、中央部から周縁部にかけての
表面粗さの変化は1次関数、2次関数その他の曲
線に沿つて連続的に変化させることも可能であ
る。 本発明の陰極線管用パネルの製造方法は所定の
表面粗さを有するプレス用ダイをパネル成形時に
用いるかまたはパネルが所定の凹面をもつている
のを利用して弗酸などのケミカルエツチングによ
つても形成することが出来る。 尚以上述べたパネル内面の表面粗さは隣接する
粗さの凸部と凹部の高低差で定義する。 前述のように本発明の陰極線管用パネルは、そ
の内壁面の表面粗さを中央部と周縁部で変化させ
ることにより種々な利点が得られるのでその工業
的価値は極めて大である。
を一定にして行なつた。 第2表中〇印は良、△印はやや良、×印は不良
を示し、粗さは10点平均粗さ(Rz)を示す。 この試験結果からわかる様に内壁面の表面粗さ
0.5μRz乃至2.0μRzの間、望ましくは0.5μRz乃至
1.5μRzでもブラツクストライプ品位と螢光体の
付着力、両方の妥協により生産を行なうことがで
きるが、これも満足出来る品位ではなく、安定し
た生産を行なうためには何らかの対策が必要であ
つた。 本発明は前述した諸欠点に鑑みなされたもので
あり、ブラツクストライプ品位も良好であり、螢
光体の付着力も安定するように内壁面に表面粗さ
を持たせた陰極線管用パネルを提供することを目
的としている。 即ち、本発明に於ては、螢光面を形成する内壁
面の中央部の表面粗さが周縁部の表面粗さに対し
連続的または不連続的に大となるようにし、その
表面粗さを中央部に於ては1.5μRz乃至10μRzと
し、周縁部に於ては0.5μRz乃至1.5μRzとするこ
とにより良品位のブラツクストライプが得られ且
つ、螢光体の安定したスクリーニングを行なうこ
とが可能となつた。 次にこの様にパネル内壁面の中央部の表面粗さ
と周縁部の表面粗さとをもたせることによつて良
好なブラツクストライプが得られ、かつ、安定し
たスクリーニングを行なうことが出来る理由を説
明する。 先ず最初にブラツクストライプについて述べ
る。 即ちブラツクストライプは偏向装置の調整余裕
度(ガードバンド)を取るため、通常パネルの周
縁部は中心部に比較して、ブラツクストライプの
幅を狭くする必要がある。1例として第1図に20
インチのブラツクストライプ、シヤドウマスク型
カラー受像管のブラツクストライプ幅を曲線1に
示す。 図からわかるように中央部に於てはブラツクス
トライプ幅は約0.17mm周縁部では約0.12mmとなつ
ている。この場合シヤドウマスクの開口部の幅は
中心部周縁部共に0.18mm乃至0.185mmであり、こ
の様な開口部から第1図のようなブラツクストラ
イプ幅を得ることは技術的に難かしい。 次にブラツクストライプの露光方法を第2図に
よつて説明する。 即ち球面状のパネル2に所定間隔をもつてほぼ
球面状シヤドウマスク3を配設し光源4より、図
示しない補正レンズなどを介してシヤドウマスク
3の開口部を介して露光する場合、パネル2の中
央部、即ち管軸Z上の光束5は第3図の曲線7に
示す様に幅の狭い光強度の強いものとなり、また
第1図に示す様にブラツクストライプ幅も比較的
広く、また感光性樹脂が充分に焼き付けられるた
め、この感孔性樹脂の成膜条件はあまり要求がき
びしくなく、内壁面の表面粗さはブラツクストラ
イプ品位の劣化とはあまり関係がない。 然るに周縁部の光束6は第4図の曲線8に示す
様に幅の広い光強度の弱いものとなり、更にパネ
ル内壁面に傾斜して当接するようになつているの
で、所望の狭いブラツクストライプ幅を得るため
の感光性樹脂に対しての焼きつけは光強度の弱い
位置で行なわなければならず、例えばパネル内壁
面の表面粗さを3.0μRz程度にし感光性樹脂の成
膜が悪い状態では第5図に斜線で示すブラツクス
トライプ9は形状が不完全となり良好なブラツク
ストライプ幅が得られない。 この場合勿論良好なブラツクストライプを得る
ために補正フイルタによる光強度の向上露光時間
の延長による露光量を増大すれば良好なブラツク
ストライプを得ることが出来るがこの場合シヤド
ウマスクの開口部の幅より狭いブラツクストライ
プ幅を得ることは出来ない。 そのため、現在はパネルの内壁面を均一に約
0.5μRz程度の表面粗さとして感光性樹脂の成膜
性を良くすることによつて第6図に斜線で示すブ
ラツクストライプ10を形成している。 即ち、従来経験的に良好なブラツクストライプ
を形成するにはパネル内壁面の表面粗さは
0.2μRz乃至5.0μRz程度が望ましいとされたが、
これは特に内壁面の周縁部に注目していた結果で
あり、内壁面の中央部に注目した場合は1.5μRz
乃至10μRzの間でも良好なブラツクストライプを
得ることが可能である。 次に本発明のパネルにより、安定したストライ
プ状螢光体膜塗布工程所謂スクリーニングが出来
る理由を説明する。 即ち0.1μRz乃至0.5μRz位の表面粗さを有する
パネルに大粒子螢光体を使用した時に、パネル内
壁面に螢光体が付着しにくい位置はブラツクスト
ライプ幅の広い位置、即ち、中央部であり、この
中央部のみ表面粗さを大きくすれば安定したスク
リーニングが可能となる。 またパネルの内壁面の中央部に螢光体が付着し
にくい理由は次の通りである。即ち、螢光体層の
形成は例えばポリビニールアルコールと重クロム
酸塩を混合した感光性樹脂に螢光体を混合して螢
光体スラリーを作り、この螢光体スラリーをパネ
ルの内壁面に回転塗布法を用いて均一に塗布後乾
燥させる。次にブラツクストライプの時と同様に
シヤドウマスクを介して露光し、次に温水現像
し、未露光部を除去し第1色目の螢光体層を形成
させる。この様な工程を3色の螢光体層について
繰り返し行ない3色に発光する螢光面を形成す
る。前記工程の中でパネル内壁面に螢光体スラリ
ーを注入し回転塗布する所謂スクリーニングに於
て粒径の大きい螢光体は粒径の小さい螢光体より
も先に沈殿すると同時に回転塗布されるので粒径
の大きい螢光体はパネルの中央部に、粒径の小さ
な螢光体はパネルの周縁部に多く塗布されること
になるがパネルの中央部の表面粗さが小の場合螢
光体とパネルの内壁面との付着力が弱く、現像中
に温水により露光された螢光体スラリーが落ちる
という現象が起る。しかし、この場合パネルの中
央部のみ表面粗さを大とし、例えば平均螢光体の
粒径と同程度にするとパネルと大粒子螢光体との
付着力が向上し安定したスクリーニングが行え
る。 前述したパネル内壁面の表面粗さの一例として
は第7図に曲線11で示すように中央部を約
8μRzとし、次第に粗さを小としながら、周縁部
に於ては2μRzから1μRz位に連続的に変化させて
もよいし、また中央部と周縁部に於ける表面粗さ
を不連続的に変化させてもよい。 この様にパネル内壁面の表面粗さを中央部に於
て大とし周縁部に於て小とすることにより従来の
約0.5μRzの粗さのパネルと比較しほぼ同様なブ
ラツクストライプ品位を得ることが出来るしまた
大粒子螢光体のドツト落ち不良を約90%も減少す
ることが出来た。このことは、即ち、中央部の成
膜品位が向上したことを意味している。また、中
央部の表面粗さを大とすることにより中央部に大
粒子螢光体が良く被着するため、輝度向上にもな
る利点がある。 勿論、本発明の陰極線管用パネルは従来の螢光
体を使用しても、ドツト落ちに対して良好な結果
を得ることが可能である。また本発明はカラー受
像管のパネルに限定されるものではなく、他の螢
光面を被着形成する陰極線管用パネルとしてもほ
ぼ同様な効果が期待される。 前述の説明に於ては、パネル中央部の粗さは螢
光体の粒径程度が望ましいと説明したが、これは
露光時の光強度、螢光体粒径、スラリー回転塗布
条件などの組合せを検討し、パネル内壁面の表面
粗さを特許請求の範囲内で選択することが出来る
ことは勿論であり、中央部から周縁部にかけての
表面粗さの変化は1次関数、2次関数その他の曲
線に沿つて連続的に変化させることも可能であ
る。 本発明の陰極線管用パネルの製造方法は所定の
表面粗さを有するプレス用ダイをパネル成形時に
用いるかまたはパネルが所定の凹面をもつている
のを利用して弗酸などのケミカルエツチングによ
つても形成することが出来る。 尚以上述べたパネル内面の表面粗さは隣接する
粗さの凸部と凹部の高低差で定義する。 前述のように本発明の陰極線管用パネルは、そ
の内壁面の表面粗さを中央部と周縁部で変化させ
ることにより種々な利点が得られるのでその工業
的価値は極めて大である。
第1図はパネル中心からの距離によるストライ
プ幅の変化を示す曲線図、第2図は露光工程に於
ける中央部及び周縁部の光束を示す説明図、第3
図は第2図の中央部に於ける光強度を示す曲線
図、第4図は第2図の周縁部に於ける光強度を示
す曲線図、第5図は成膜性の悪い周縁部に形成さ
れたブラツクストライプの形状を示す説明図、第
6図は成膜性の良い周縁部に形成されたブラツク
ストライプの形状を示す説明図、第7図は本発明
の陰極線管用パネル一実施例のパネル中心からの
距離と表面粗さの関係を示す曲線図である。 2……パネル、3……シヤドウマスク、4……
光源、5,6……光束。
プ幅の変化を示す曲線図、第2図は露光工程に於
ける中央部及び周縁部の光束を示す説明図、第3
図は第2図の中央部に於ける光強度を示す曲線
図、第4図は第2図の周縁部に於ける光強度を示
す曲線図、第5図は成膜性の悪い周縁部に形成さ
れたブラツクストライプの形状を示す説明図、第
6図は成膜性の良い周縁部に形成されたブラツク
ストライプの形状を示す説明図、第7図は本発明
の陰極線管用パネル一実施例のパネル中心からの
距離と表面粗さの関係を示す曲線図である。 2……パネル、3……シヤドウマスク、4……
光源、5,6……光束。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 螢光面を形成する内壁面の中央部の表面粗さ
が周縁部の表面粗さに対し連続的または不連続的
に大となるようになされていることを特徴とする
陰極線用パネル。 2 中央部の表面粗さが1.5μRz乃至10μRzであり
周縁部の表面粗さが0.5μRz乃至1.5μRzであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の陰極
線管用パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9164979A JPS5618345A (en) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | Panel for cathode-ray tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9164979A JPS5618345A (en) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | Panel for cathode-ray tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5618345A JPS5618345A (en) | 1981-02-21 |
| JPS6326498B2 true JPS6326498B2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=14032357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9164979A Granted JPS5618345A (en) | 1979-07-20 | 1979-07-20 | Panel for cathode-ray tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5618345A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS577158U (ja) * | 1980-06-14 | 1982-01-14 |
-
1979
- 1979-07-20 JP JP9164979A patent/JPS5618345A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5618345A (en) | 1981-02-21 |
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