JPS6326501A - 位置センサ・アセンブリとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｌ発明の分野 本発明は一般に位置センサとこのような位置センナの製
造方法に関するものである。特に本発明は集積回路技術
を使用し、内燃機関等の不利な環境に適した堅固な構造
を用いた位置センサの構成に関するものである。

位置センナは内燃機関に関連した用途等の多様な用途で
用いられる。たとえば、通常のジーゼルエンジンには二
ードル弁またはボ被ット弁が用いられ、これらの弁は定
期的に開閉して所望の量の燃料をシリンダに注入して燃
焼させる。燃料効率を最大限にし、望ましくない排気放
出を最小限にするため、エンジンのクランク軸の位置に
関連した燃料注入素子の動作を検出することが望ましい
。

このとき燃料注入素子（すなわち二ードル弁、ポペット
弁等）の開放をエンジンのクランク軸に対して定期的な
関係で設定または制御することができる。これについて
は燃料注入素子とそれに対応するシートとの間の初期変
位によシ注大の開始が決定される。したがって燃料効率
を最大限にして望ましくない放出を低減するため、エン
ジンのクランク軸の回転位置に対するシートからのニー
ドルの初期変位を時間制御する必要がある。同様に、エ
ンジン効率を向上するためギヤ歯センサを使つことがで
きる。

米国特許第４１．３左ｚｇタワ号，第名３ｇＵーユ号，
および第乞３タ７，ｌｇＯ号でウォルフ（Ｗｏ　１　ｆ
　ｆ　）とジーマツキ（Ｚｉｅｍａｅｋｉ）は二ードル
弁またはポペット弁とともに配置された磁石の動きを検
出するためにホール効果センナを用いた二ードル弁とポ
ペット弁のための種々の弁位置センナを開示している。

他の関連する従来技術としては下記の米国特許がある。

すなわち、ジーシエ（Ｚｉａｓｃｈｅ　）他の第、７．
９　／　３．ｊ　、？　７号、モールズ（Ｍｏｕｌｄｓ
）の第３．６０５７０３号、バイク（Ｐｙｋｅ　）他の
第、ｉ、Ａｏｓｉ≠７号、デツカード（１）ｅｅｋａｒ
ｄ）の泥分０’１１．．／／２号。

バステンホフ（Ｂｉａｔｅｎｈｏｆ）の第％　／　４　
／、　／乙／号。

ナカヤマ（Ｎａｋａｙａｍａ）の第１Ｉ、０３１．／デ
ツ号、カンダ（Ｋａｎｄａ）他の第６０乙’ｙ、ｇｏｏ
号、キンパリ（Ｋｉｍｂｅｒｌｅｙ）他の第３．９左、
ｌ、７／／号、リンクス（Ｌｉｎｋｓ）の第３．９２１
６０４１号、ジャクツ（Ｊａｃｋｓｏ）の第４’、　０
　！ｒ　Ｏ，’ｌ　３　／号、リンクス（Ｌｉｎｋｓ　
）の第３．７９１，２０６号、ドレイジン（Ｄｒｅｉａ
ｉｎ）他の第、７１，３弘ｔ１．乙乙３号、キンダーマ
ン（Ｋｉｎｄｅｒｍａｎｎ）他の第弱Ｏヲムｇグ／号、
シュタイガ（Ｓｔｅｌｇｅｔ）の第３．４　／　＆　５
０６号である。更に、下記の外国特許も関連がある。す
なわちドイツ特許第１０４ｔ９，４３！号、英国特許第
ｇ←艷０二号および第４４ｔ３．　／　２　’Ａ号、な
らびにフランス特許第ユ≠弘久ｇ／二号である。

上記のウオルフ（Ｗｏ　１　ｆ　ｆ　）とシーマツキ（
Ｚｉｅｍａｃｋｉ）の特許では、ニードル弁またはポイ
ット弁とともに動く磁石による磁界の動的な変化を測定
するためのホール効果センサを用いた電子回路用の多数
のパッケージ構成が開示されている。関連する他の従来
技術としては下記のものがある。上記の環境に於ける集
積回路については、スロットブーム（Ｓｌｏｔｂｏｏｍ
　）他の論文（”Ｉｍｐａｃｔ　ｏｆ　５ｉｌｉｃｏｎ
Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｏｎ　Ｌｅａｋａｇｅ　Ｃｕｒ
ｒｅｎｔｓ、＝　ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｅｖｉ
ｃｅ　Ｌｅｔｔｅｒｓ、　Ｖｏｌ　、　ＥＤＬ　−４１
ｍ　／／　ｒＮｏｖｅｍｂｅｒｓ　／　ｑｇ　３　）　
ｐデレソク・プレイ（ＤｅｒｅｋＢｒａｙ）の論文（”
ＬＯＷ　Ｖｏｌｔａｇｅ　Ｂｉｐｏｌａｒ　（ｊｒｃｕ
ｉｔｓ、’Ｍｏｎｏｃｈｉｐ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ
　Ｎｏｔｅ　ＡＰＮ　−２３，ａｐｕｂｌｉｃａｔｉｏ
ｎ　ｏｆ　Ｉｎｔｅｒｄｅｓｉｇｎ、Ｉｎｃ、）、また
ホール効果センナについてはシー・エル−チェイン（Ｃ
，Ｌ、Ｃｈｅｉｎ）他藩の書籍（Ｔｈｅ　Ｈａｌｌ−Ｅ
ｆｆｅｃｔ　ａｎｄｉｔｓ　Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ
、　Ｐｌｅｎｕｍ　　Ｐｒｅａａ、Ｎｅｗ　Ｙｏｒｋ　
。

１９ｇ０）、特にその中のジエー・ティー・モーピン（
Ｊ、Ｔ、Ｍａｕｐｉｎ）他の論文（’Ｔｈｅ　Ｈａｌｌ
−Ｅｆｆｅｃｔｉｎ　５ｉｌｉｃｏｎ　Ｃ１ｒｃｕｉｔ
ｓ、”）に記載されている。

発明の要約 位置センサ・アセンブリのための構造、およびこのよう
なアセンブリの製造方法が開示される。

位置センサ・アセンブリはマルチワイヤ導線の一端に接
続され、一対のリードをそなえたリードフレームを含む
ように設計される。この一対のリードはマルチワイヤ・
リードの一端のそれぞれのワイヤに電気的に接続される
。センサ・アセンブリの構造とその製造方法は回路の外
側の磁界の変化を検知し、その変化を表わす出力を送出
するのに有用な２端子ホール効果センサ集積回路と一緒
に使うのに特に適している。この集積回路にはどんな背
景磁界または背景雑音の影響を零にするための手段が含
まれている。一実施例では、マルチワイヤ・リードの一
端の近傍、かつリードフレームとマルチワイヤ・リード
のワイヤとの間の電気的接続の近傍でチューブがはめ込
まれ、チューブ内がカプセル封じされる。・ ここで説明し、本発明の位置センサ・アセンブリの２端
子構成と関連して使用される集積電子回路は米国特許出
願第６３３．２３５号でも説明されている。この米国特
許出願第、４３３．２３５号は本発明および前記米国特
許出願第７０１７３左号および第７７１．．３３３号と
同じ出願人によるものである。

本発明の装置と方法についての実施例の詳細な説明第１
図には二つの接触表面１０および／２、ならびにそれぞ
れに対応する一つのリード／グおよび／乙をそなえたリ
ードフレーム・アセンブリが示されている。集積回路素
子／ｇ、好ましくはホール効果センナが接触表面１０お
よび／２の上にとう載されるが、それらから電気的に絶
縁される。

集積回路（ＩＣ）チップには接触ｌぐラド２０および２
２が含まれており、これらはＩＣチップ上の電気回路の
電気入力端子および電気出力端子としての役目を果す。

接触・マッド２０およびλ２はそれぞれリードフレーム
・アセンブリの接触表面１０および／２の対応する一方
に電気的にボンディングされる。接触パツドと接触表面
を電気的に接続するためのワイヤダンディング技術は当
業者には周知である。

チップ／どのリードフレーム・アセンブリに対する機械
的および電気的ボンディングを容易にするため接触表面
１０および／ユ、ならびに対応するリード／ｑおよび／
乙がメッキされる。このメッキはリードフレーム・アセ
ンブリの完全なメッキの形式であってもよいし、あるい
はそのかわシに機械的または電気的な接触が行なわれる
リードフレーム・アセンブリの領域に限ってメッキを行
なってもよい。注意しなければならないのはワイヤビン
ディングのためリードフレーム表面の充分な部分を露出
するためチップ／ｇのとう載位置を接触表面１０および
／２の中心から機械的にずらしていることである。

チップ／ｇを機械的および電気的に接触表面１０および
／２にボンディングした後、実質的に破線２ｇで表わさ
れるような形状のモールド金型の中にアセンブリが置か
れる。次に、好ましくはトランスファモールドの絶縁材
料を使ってアセンブリをカプセル封じする。第一図およ
び第３図の説明で明らかになるようＫ、モールド金型に
は第１および第２のくぼみがあり、その中心は接触ワイ
ヤ２’！および２乙の上にある。その結果、カプセル封
じ材料の円錐状の突起がこれらの接触ワイヤの上に形成
され、ワイヤを保護する。

カプセル封じ材料が固まった後、モールド金型からリー
ドフレーム・アセンブリとチップ／ｇが除去され、リー
ドフレーム・アセンブリの余分な部分が当業者には周知
の方法で取り除かれる。

第一図にはカプセル封じの第１ステツプの後に得られる
カプセル封じされたセンサ・アセンブリの上面図が示さ
れている。カプセル封じされたアセンブリには半径方向
の角３０があり、これらの角は仮想円３．２の円周上に
ある。仮想円３ユは直径がセンサ・アセンブリに接続す
べきマルチリード・ワイヤの外径にほぼ等しい円を表わ
す。第２図には接触ワイヤコ弘およびコ乙の上に形成さ
れる突起３４１および３／：、も示されている。破線３
ｇおよび１１０はそれぞれリード／グおよび／乙のエツ
チングされた表面または孔を表わす。これらのエツチン
グされた線はリード／４ｔおよび／乙を曲げることがで
きる点を決める際に有用である。このようなエツチング
または孔形成はカプセル封じの前のリードフレーム製造
の一部としてリードに加えてもよい。

第３図は第２図に示された第１のカプセル封じプロセス
の後の本発明によるセンナの側面図である。第３図は突
起３弘および３乙をより良く示している。これらの突起
はカプセル封じされたセンサの表面の上の円錐状の突起
とすることが好ましい。破線４ｔ２および弘弘はエツチ
ングされた線３ｇおよび弘０で曲げた後のリード／弘お
よび／乙の位置を表わす。円錐状の突起３４ｔおよび３
乙は取扱い中にチップ／ｇに至るワイヤ？ンドを保護し
、また第２のカプセル封じプロセスのための最終モール
ド金型に於けるアセンブリの位置に対する確実な停止機
構となるという二重の機能を果す。

第７図には最終カプセル封じプロセスのタメノモールド
金型弘乙の中の本発明によるセンサ・アセンブリの部分
横断面図が示されて込る。リード／４および／乙はカプ
セル封じされたチップ／ｇの平面に垂直な方向に曲げら
れている。リードワイヤｉｔｇおよび３０はマルチリー
ド・ワイヤまたはケーブル左コから伸びている。ワイヤ
ＩＩｇおよび！ｒＯは確実な電気接続を行なうため溶接
、ろう付け、はんだ付け、または当業者に周知の他の手
段によってリード／ｌＩおよび／乙に取付けられる。

円錐状の突起３ダおよび３乙はセンサ・アセンブリをカ
プセル封じモールド金型４Ｌ乙の中で位置ぎめするため
のガイドの役目を果す。突起３弘および３乙により、検
知素子／ｇは最終的にカプセル封じされたセンサ・アセ
ンブリの端面がら所定の距離だけ離される。第２のカプ
セル封じのため、ワイヤケーブルＳ２の端が入っている
モールド金型グ６がトランスファモールド絶縁材料でみ
たされ、この絶縁材料はカプセル封じされたアセンブリ
を除く前に固まる。注意しなければならないのは、第１
のカプセル封じされたセンサを正確に第２のカプセル封
じのためのくぼみの中に配置するため半径方向の角３０
がモールド金型のくぼみ５りの側面に接触することであ
る。第２のそして最後のカプセル封じの後、センサ素子
とワイヤ３二が一体となる。

最終的にカプセル封じされたセンサ・アセンブリは燃料
注入ノズルの通路に対応する通路にはまる寸法になって
おり（たとえば米国特許第’１．３ｇ１．．−！Ｓ２２
号の参照番号タラ）、ステンレス銅等の非磁性材料のホ
ルダの中の通路の底部に配置される。センサはやはり燃
料注入システムの中に配置された永久磁石と共同動作し
、磁石のセンナに対する相対運動によって燃料注入ノズ
ルの開放または閉成を検出することができる。

集積化センサの第２の実施例と関連の製造法を第３図乃
至第ｇ図を参照して説明する。

まず第３図では対応するリードフレームの上の集積回路
チップ／／ｇが示されている。二つのリード／／４ｔお
よび／／乙がそのリードフレームに接続されており、こ
の接続は第１図を参照して前に説明したのと同様に第１
のカプセル封じの後、切断される。第３図は接触ノ９ツ
ド／２０および／２２から接触表面／１０および／／、
２へワイヤデンディングすることによる集積回路チップ
／／ｇの電気的接続も示している。第３図乃至第７０図
の実施例では第７０図に明瞭に示されているように、伸
長部／乙Ｏが含まれている。この伸長部７６０はチュー
ブ／乙／の端に挿入され、リードフレームからマルチワ
イヤ・リードの端の中に伸びている。第７０図に示すよ
うに、チューブ／乙／はマルチワイヤ・リード／６１Ｉ
の外側に沿って軸方向にとう載される。伸長部／乙０に
はマルチワイヤ・リードの絶縁されたリードワイヤを入
れるように第１のカプセル封じの間に形成された縦方向
のコつのくぼみ／６コおよび／乙３がある。このような
リードワイヤの１つが第７図および第１０図では参照番
号／６弘によって表わされている。

リードワイヤ／乙りのワイヤ部分／乙左は曲ったリード
／／’Ｉに溶接される。他方の曲ったリードワイヤも同
様に他方のリードワイヤ（説明のため図示していない）
。〈ぼみ／乙；および／Ａ３はともにリードワイヤ／乙
ｔの絶縁体によってチューブ／乙／の内側に向って閉じ
られるような形状になっているので、第２のカプセル封
じの間にカプセル封じ物がチューブの中に入ることが防
止される。

第７０図に示すように、チューブ／乙／には半径方向の
孔／６乙および／乙７がある。これらの孔は丸いことが
好ましいが、他のどんな形状も適している。第１図乃至
第７図を参照して前に説明した第２のカプセル封〜じの
間に、カプセル封じ物がリード／／りおよび／／乙を含
む曲ったリードフレームの近傍で領域／乙ｇに流入した
後、〈ぼみ／乙コおよび／乙３に入り、それから孔／乙
６および／乙７に流入する。これによりチューブ／６／
は第ユのカプセル封じに固定される。

第７のカプセル封じの伸長部／乙０の外径はチューブ／
乙／の内径に等しく、また伸長部／乙０はチューブ／乙
／に容易に挿入できるように面取りした端／７２をそな
えていることが好ましい。

第１のカプセル封じにはストップ／７３および／クダが
設けられるので、第７のカプセル封じがチューブ／Ａ／
の中に余り深く押し込まれない。

これにより、流れ領域が不充分でカプセル封じ物がくぼ
み／７０および／７／ならびに孔／６乙および／６７を
充分にみたせないという問題が解消する。

本発明のもう７つの実施例を第１／図乃至第１グ図を参
照して説明する。

まず第１／図には２つの接触表面λ１０および２７２力
らびにそれぞれこれらに対応する２つのリードワイヤお
よび２／乙が示されている。集積回路素子／ｇ、好まし
くは第１左〜コ０図を参照して前に説明したようなホー
ル効果センサが接触表面２１０および２／２の上にとり
載されるが、電気的にはそれらから絶縁されている。集
積回路（ＩＣ）チップにｄＩｃチップ上の電気回路に対
する電気的入出力端子としての役目を果す接触ノ４ツド
２２０および２２２が含まれている。接触パッド２１０
および２２２はそれぞれ接触表面、２１０および２／２
のうち対応する一方の表面にワイヤボンドによって電気
的に接続される。接触パッドと接触表面とを電気的に接
続するためのワイヤボンディング技術は当業者は周知で
ある。

チップ、２７どのリードフレームへの機械的および電気
的デンディングを容易にするため、接触表面２１０およ
び２／２ならびに結合されたリード！／４および２／６
がメッキされる。このメッキはリードフレームの完全な
メッキの形式であってもよいし、あるいはそのかわシに
機械的または電気的に接触を行なわなければならな込リ
ードフレームの領域だけにメッキを限定してもよい。注
意しなければならないのはリードフレーム表面の充分な
部分をワイヤデンディング用に露出するためチップ２７
ｇが接触表面コ１０および２／２の中心からずらして機
構的にとう載されるということである。

チップ２７ｇを機械的および電気的に接触表面２１０お
よび２７２に接続した後、形状がほぼ／・ツチングした
ようになっており、線、、２２ｇを輪郭とするモールド
金型の中にアセンブリが置かれる。

次にアセンブリはカプセル封じされる。トランスファモ
ールド絶縁材料を使用するのが好ましい。

磁石２３２のデンディングのため絶縁材料はチップ２７
ｇの近傍に平らな表面２３０を形成する。

磁石２３２は表面にデンディングされるので、ギヤ歯２
３ダの接近によって生じる磁束線はチップ２７ｇの中の
ホール効果センナを通過する。

磁石の発生する磁界強度の選択にあたっては。

チップ２７ｇの電子回路が残留磁界の影響を零にし、し
かもギヤ歯の動きによる磁界の変化を測定できるように
行なわれる。チップ、２７どのホール効果セルによるギ
ヤ歯の動きの移動磁気応答性材料により、セルの検知す
る磁界の磁束が増加する。

磁気応答性という用語は空気より磁束導通率が高く、磁
石によって吸引される材料を表わすために使用される。

ホール効果センナは磁界の変化を検知する。変化がチッ
プ２７ｇのしきい値を超え次場合、チップ２／ｇＶｉス
イッチングして、その抵抗値を変える。これによりチッ
プ２７にの電流が変化し、この変化がセンサ出力応答回
路によって検出される。

センサ出力応答回路はマイクロプロセッサ・システムの
一部とするか、またはマイクロプロセッサ・システムに
接続することが好ましい。

ギヤ歯が動き続けると、磁界が減少し、センナが再びス
イッチングしてもとの抵抗値に戻る。この変化は再び出
力応答回路によって検出される。

このようにして、ギヤ歯の瞬時位置を判定することがで
きる。

連続した各ギヤ歯がセンサを通り過ぎるとき同じ事象が
発生し、一連の電気ノンルスが生じる。こＯとき電気・
ぐルスの周波数はギヤの周囲速度を表わす。したがって
、ギヤの周囲速度も当業者には周知の方法で測定するこ
とができる。

リード２７グおよび２／乙はカプセル封じされたチップ
２／ｇの平面に垂直な方向に曲げられる。

リードワイヤ２グｇおよび２５０は第１２図に示すよう
なマルチリード・ワイヤま７？ｆｌケーブル２５２から
ｆ申びる。ワイヤ２’１ｇおよび２左０は確実な電気接
続を行なうため溶接、ろう付け、はんだ付け、まｆｃは
当業者には周知の他の手段によってリード２７グおよび
２／乙に取付けられる。

第２のカプセル封じのため、後で説明するようにワイヤ
ケーブル２３２の端はコネクタブレードに接続される。

第１のカプセル封じはチップ２７ｇ、接触パッド２２０
．２２２　、およびリードフレームの一部をおおい、検
知素子を形成する。第２のカプセル封じは検知素子、リ
ード２／ｌＪｔおよびコ／乙、磁石２３２、および接続
リード２４１ｇおよび２５０の一部を囲み、検知素子と
磁石のアセンブＩＪ　２’、Ｌ２を形成する。第７２図
で説明したように接続リードはマルチリード・ワイヤに
接続される。空隙２．３ｇも示されており、これｈｓ知
素子および磁石のアセンブリュグユとギヤ歯２３弘との
間の距離である。

磁束集中器／３乙も示されている。これは当業者には周
知の方法で磁界を集中する磁極片として動作する。

第７２図はくぼんだ円筒形のねじ山付き部材、２タグの
中に挿入された第１／図で説明した検知素子および磁石
のアセンブリを示す。部材２’１４１は非磁性材料で作
られる。マルチリード・ワイヤケーブル２タコはくぼん
だ円筒形部材を通過し、それぞれのコネクタブレードに
接続される。ワイヤケーブルは接続リード２’ｌ−ｇお
よび２！；０、ならびに対応するコネクタブレードに溶
接、ろう付け、またははんだ付けによって接続される。

検知素子と磁石のアセンブＩＪ　Ｕ円筒形部材２’ｌ’
Ａの端に固定され、チップ内のホール効果センサは円筒
形部材２’ｌｌｌの縦軸の上にあり、くぼんだ部材の端
と隣接する。この位置では、円筒形部材１りの回転がホ
ール効果センサの位置に影響を及ぼさない。円筒形部材
２弘グはホール効果センサを中心として位置ぎめの間回
転できるので、円筒形部材２’ｌ’！−の回転運動はギ
ヤ歯センサ・アセンブリの磁束の測定に影響を及ぼさな
い。ホール効果センサの位置は非常に重要である。位置
変化によってギヤ歯の瞬時位置の測定が不正確になるこ
とが多いからである。

第３のカプセル封じがハツチングした領域によって示す
ようにユニットを形成する。ユニットハ円筒形部材、２
１Ａｌｌの一部とコネクタブレード２１Ｉ乙を囲んで、
堅固に一体化する。材料はコネクタブレードに結合され
た脱着の早いコネクタを充分に支持できるように弾性が
ある。モールドされたユニット２グクは当業者には周知
の方法で雄の速脱着ユニットを形成する。

再び第７２図を参照して、３つの連続したモールド動作
が必要なセンサ・アセンブリについて説明する。代案と
して、ホール効果ＩＣをリードフレームに取付けるとき
に磁石をリードフレームに取付けること、またはホール
効果ＩＣをリードフレームに取付けるときにリードフレ
ームの前に磁石をモールド金型に挿入すること、および
７つの動作でホール効果ＩＣチツナ・アセンブリと磁石
をカプセル封じすることによって第１および第２の成形
動作を組合わせることができる。第１弘図に示すような
カプセル封じされた検知素子と磁石のアセンブリには突
出部２ｊＡを形成することが好ましい。これらの突出部
２左ＡＦｉ連続した射出成形動作に対してモールド金型
の中に検知素子を配置し、中心設定する。

第７３図に於いて、射出成形動作はねじ山付き円筒部２
３ｇを含む完全なギヤ歯センサ・アセンブリを形成する
。マルチリード・ワイヤ２ｓ２は前に述べたようにコネ
クタブレードに電気的に接続される。そしてギヤ歯セン
サ・アセンブリＪ弘は検知素子と磁石のアセンブリ、２
４ｔ、２、マルチリード・ワイヤ２３２、およびコネク
タブレードｕ４乙で構成される。カプセル封じプロセス
によって、一端に検知素子があり、他端に速脱着コネク
タのある堅固な一体化されたものが形成される。

本発明のこの実施例は大量生産についてコスト効率がよ
り高い。

検知素子と磁石のアセンブリ、円筒形部材、および第３
のカプセル封じが内燃機関用のギヤ歯センサ・アセンブ
リとしての役目を果し得る単一ユニットを形成する。タ
イミング・ギヤ・ハウジングにねじ込む等の適当な手段
によってギヤ歯センサ・アセンブリを内燃機関に挿入す
ることができる。コネクタブレードはオシロスコープ、
マイクロプロセッサ・システム等の適機な信号処理回路
に接続される。

ギヤｍまたは他の磁気応答性材料がホール効果集積回路
の前を通過するとき、歯は磁束集中器として動作し、磁
界が「歯なし」状態に比べて大きくなる。集積回路は磁
界の変化に敏感であるので、ギヤ歯の先端と後端に応動
する。したがって、信号の周波数を検知することにより
現在の位置を容易に判定することができる。

集積回路は回路外部の磁界の変化を検知し、磁界の変化
を表わす出力を送出するホール効果センナを含む。適当
な集積化ホール効果センサが米国特許出願第Ａ　３３．
２３左号（／’＃ケ年７月２３日出Ｂ）Ｋ充分に開示さ
れている。これは本願および前記米国特許出願第７０１
９３５号および第７７１、！；３３号と同じ出願人によ
るものでおる。

ホール効果センサは以下、第１．５−−２０図を参照し
て充分に開示する。しかし要約すれば、回路手段は磁界
変化の存在を示す出力を送出するための検知手段の出力
と電子的に結合される。低電流回路は検知手段の出力と
結合され、また検知手段出力に応答する電子回路を無効
にするための表示回路手段の両端間に結合される。これ
により、永久磁石の発生する靜磁界および外部磁界の影
響が除去される。

零位回路は低電流零位回路の出力に結合されたコンデン
サ、ならびに表示回路手段入力の不平衡に応動してコン
デンサを充放電するための手段と共同して、コ乃至３ナ
ノアンペアのオーダーの非常に低電流の範囲で動作する
。

電子回路は背景磁界は無視しながら磁気パルス検知の機
能を果すように設計され、広い温度範囲にわたり二端子
構成で外付部品なしに動作する。

この機能に関連して、非常に低電流の特性を得るため回
路は非常に低漏洩のトランジスタの幾何学的形状を用い
てモノリシック半導体に集積化される。表示回路と低電
流零位回路はともに７つのモノリシック半導体のプレー
ナトランジスタによって形成される比較器を含む。そし
て特定の半導体領域構成ならびに外側に伸びてペース領
域の少なくとも一部のペース−コレクタ接合に重なり合
う高ドーピング・ペース領域を使５ことによって低接合
漏洩特性が得られる。この特徴を高ドーピング基板とと
もに用いることにより低接合漏洩特性が達成される。

磁気検知手段は電子回路とともにモノリシック半導体と
して集積化されたホール効果センサを含む。その出力は
増幅器と結合され、増幅器はセンサの検出した磁界の変
化に応動する出力を送出する。この出力は表示回路に与
えられて、零位回路が機能する。

次に第１左〜２０図には二端子の集積化ホール効果セン
サ回路が開示されている。この回路は第１〜ｌｌＩ図お
よび前記米国特許出願筒７０１９．３Ｓ号および第７７
１．！ｆ；、３３号のセンサ構成、ならびにウオルフ（
Ｗｏｌｆｆ）もしくはウオルフ（Ｗｏ　１　ｆ　ｆ　）
とシーマツキ（Ｚｉ６ｍａｅｋｉ）による米国特許第り
３左ｑ、ｇｑｓ号、第各３６４７０乙号、第１１．３ｇ
ｌ、３２２号および第１１．３９’１１ｇ０号ニ示され
ているヘッダ、リードおよびｉ４ツヶ−ジ構成のセンサ
構成で有用である。

まず第１Ｓ図には磁界の変化を表わす信号を動的に検知
し処理する電子回路が示されている。第７３図の回路３
１０は個別回路部品の形式をとり得るが、以下に詳細に
述べるようにいくつかの外付部品を除いて回路全体を７
つのモノリシック半導体に集積化することが好ましい。

本発明による回路３１０にはウォルフ（Ｗｏ　１　ｆ　
ｆ　）とシーマツキ（Ｚｉｅｍａｃｋｉ）による前記米
国特許第１７．３３９．ｇＹｊ号（その特許の第２図お
よび第３図）に開示されたホール効果センサ３弘グに類
似の機能を持つホール効果センサ３／２が含まれている
。温度補償ダイオード／ダがホール・センサ３／２に直
列に接続されている。

ホール効果センサ３／２の二端子出力の間には増幅器３
／乙が結合され、正負の出力ＡおよびＢをそなえている
。増幅器、３／Ａの出力ＡおよびＢは比較回路３／ｇお
よび３２０の入力を形成する。

比較回路３／ｇおよび、３２０Ｖｉ第１５図に示すよう
にそれぞれの出力に並列に結合される。比較器３／ｇが
比較器３．２０および増幅器３／Ａに対してインピーダ
ンス負荷とならないように比較器３７ｇの各入力にイン
ピーダンス整合回路３２．２が結合される。後で詳細に
説明するように、比較器３２０は電子システム３１０全
体の零位回路として動作するため非常に低電流の特性に
依存している。

比較器３／ｇの出力は出力トランジスタ３２４Ｌのペー
スに結合されている。出力トランジスタ３２弘は高周波
ロールオーバ制限コンデンサ３ユ乙によって分路されて
いる。負荷インピーダンス３２ｇはトランジスタ３２１
！と直列に出力端子３３２と３３０の間に結合されてい
る。後で更に詳しく説明するように、端子３３２および
３３０（それぞれ電源と地気）だけが回路３１０の入出
力端子接続を構成しているので、回路３１０の動作は非
常に簡単になる。回路３１０の動作と関連して外付けの
電流検知抵抗３．３４１も設けられて込る。

再び比較器Ｊ／ｇの入力Ａを見ると、インピーダンス整
合回路３２２と比較器３７ｇの入力ととの間にオフセッ
ト・インピーダンス３３乙が示されている。このオフセ
ット抵抗３３乙が磁界の変化に対するしきい値を決定す
る。しきい値は３０乃至２００ガウスのオーダーの磁界
の変化を検知できるように調整されるのが普通である。

電流理工／および１．２が比較器３７どの入力側の増幅
器のそれぞれの出力ＡとＢの間に分路されている。

これらの電流理工／およびＩ２の機能および構成は後で
第７６図および第１７図を参照して更に詳しく説明する
が、この説明の目的から電流理工／および工λは負の温
度係数を必要とするということに注意しなければならな
い。

次に増幅器３／乙の出力Ａの電圧を制御するため比較器
３２０の出力に接続された零位回路に注目する。零位回
路出力の機能は増幅器３／乙の出力Ａの電圧出力を絶え
ず零にしようとする帰還ループを形成することである。

これにより、第１ｇ図乃至第２０図に図示し、後で詳し
く説明するこの回路を組込んだ集積回路の処理に於いて
周囲磁界、温度変動およびずれによって生ずる影響が避
けられる。零位回路には比較器３２０の出力と地気との
間に分路されたコンデンサ３３ｇが含まれている。直列
接続されたトランジスタ３グツと零位インピーダンス３
’ｌ’／−は出力Ａと地気の間に分路されている。トラ
ンジスタ３１ＩＬツのペースは零位インピーダンス整合
回路３４１−０を介して比較器３２０の出力に結合され
ている。動作については、零位速度は一定であるが、零
位回路を形成する種種の部品の値と特性によって左右さ
れる。零位回路は電流がトランジスタ３’１２を流れる
とき、増幅器３／乙の出力Ａと地気との間の帰還ループ
を制御する役目を果すことは明らかである。本発明によ
れば、比較器３２０の出力に於ける電流レベルＦ１２乃
至３ナノアンペアのオーダーであるので、比較器３２０
を構成するトランジスタの特性は損めて低い接合漏洩特
性でなければならない。

第７Ａ図および第７７図は第７５図の電子回路を更に詳
しく示す。

第１乙図の左中央部にホール効果上ンサ３／２と温度補
償ダイオード３／４ｔが示されている。第７５図の増幅
器、３／ｌ、ｎ以下の回路部品で構成されている。すな
わちトランジスタＱ／およびＱ、２、抵抗Ｒ／〜Ｒ４，
および電流理工３である。第１３図に示すように電流理
工３はトランジスタＱ、２および抵抗Ｒ／乙で構成され
ている。通常、電流理工３は／’１７マイクロアンペア
のオーダーの電流を供給する。

第７６図の右中央部に示すように、比較器３７ｇはトラ
ンジスタＱ７．Ｑｌ！：、Ｑ１０３およびＱ１０’ｌで
構成される。第１７図に示すように電流理工／および１
．２はトランジスタＱ／２およびＱ／３、抵抗Ｒ／ｌお
よびＲ／３、ならびにダイオードＤ１０およびＤ／／で
構成される。通常、電流理工／およびＩ、２は３０マイ
クロアンペアのオーダの電流を供給する。

第１Ｓ図のインピーダンス整合回路３２ツは第７６図の
右上中央部のトランジスタＱ３およびＱＩＩｔＫよって
形成される。

第７３図の電子回路３１０の出力ドライバ部にはトラン
ジスタＱ／ｌおよびＱ／左（第７６図の右端部）とコン
デンサ３２乙および抵抗Ｒ７が含まれている。トランジ
スタ３グツおよびＱ／ｊは第１左図のトランジスタＱ３
．２グの形成する回路を構成していることがわかる。電
流源ＩｐはトランジスタＱ／ｌｌとＱ／ｌの間の回路の
ドライバ部に接続されており、第７７図に更に詳しく示
されている。第１７図では、電流源Ｉ４はトランジスタ
Ｑ３／およびＱ３コによって形成される。

次に第１乙図の中心に着目する。第７５図の比較器３．
２０はトランジスタＱ左、Ｑ乙、Ｑ１０／およびＱ１０
２と電流源ｌ３によって構成される。

第７７図に示すように、電流源ｌ５Ｈ）ランジスタＱ２
左Ｃベータ補償用の複コレクタトランジスタ）およびＱ
２３によって形成される。通常、電流源Ｉ５は前記の理
由により約ユナノアンペアのオーダの電流入力を比較器
３２０に与える。電流理工３に対する温度と電源の補償
は第１り図に示すようにトランジスタＱ／！、Ｑ２２．
！イオ−ドＤ、２／、および結合された抵抗によって行
なわれる。トランジスタロ２左のベータ補償は同一の複
コレクタトランジスタＱ２０によって行なわれる。

第１乙図の左端部分には零位回路が示されている。零位
回路にはコンデンサＣ／が含まれており、これは第１左
図の零位コンデンサ３３ｇである。

増幅器３／６の出力は第１乙図でも同じ表示、すなわち
点ＡおよびＢで表わされている。零位回路にはトランジ
スタＱ　？　、　Ｑ　／　／　、　Ｑ　／　２　、Ｑ／
３およびＱ１０３、ならびにダイオードＤ／２および抵
抗Ｒ，ｔが含まれている。零位回路にはツつの電流源ｌ
６およびエフが含まれており、これらは第７７図に更に
詳しく示されている。電流源ｌ６にはトランジスタＱ２
’ｌが含まれている。トランジスタＱ２４ｔの４−スは
トランジスタＱ２２とそれに結合された抵抗の両端間に
接続される。通常、電流源Ｉ乙は３ナノアンペアのオー
ダである。

電流源エフは第７７図に示すようベトランジスタＱ／７
およびＱ／Ｉによって形成され、通常０．７マイクロア
ンペアのオーダの電流を供給する。

電流源エタは比較器３２０のトランジスタＱ１０／およ
びＱ１０．２の上側に結合される（第１乙図の中央上部
）。同様に、電流理工ｆはトランジスタＱ１０３および
Ｑ１０４Ｌの比較器３７どの上側に結合され、第１７図
のトランジスタＱ７によって形成される。通常、電流理
工には約１０マイクロアンペアのオーダの電流入力を供
給する。

集積回路構成の第１よ図乃至第７７図の電気回路３１０
の構成を第１ｆ図乃至第２０図を参照して説明する。

第１ざ図に示すように、最初の材料は通常、≠０±０．
ｊ６ずれた／−／−／の配向で、厚さが７０ミルのオー
ダのモノリシック・シリコン・ウェーハである。図に示
すように、モノリシック・ウェーハ３ｊＯ’ｌＣは上側
と下側の表面３ｊ／および３ｊ３があり、約０．０ｇ−
０，２ｊオーム−副のオーダで高ドーピングされている
。比較的高ドーピングされたＮ埋込みコレクタ領域３！
；が約７０２０のドーピング・レベルのモノ汚り・チッ
プ３ｊ０の上側表面３ｊ３の中に拡散される。

次Ｋ、モノリシック・チップ３よ０の上側表面３！３の
中にシリコンのエピタキシャル層ヲ成長させる。本発明
によれば、エピタキシャル層３よ乙は濃度が２×１０　
のオーダの軽ドーピングされたＮ領域で構成される。層
３ｊ乙のデポジションによシ、３ｊ≠で示すようにコレ
クタ領域３！ｒ２の埋込み部が上側に拡がる。

第１夕図では、エピタキシャル層３ｊ乙の上側表面から
その層の中ＫＰ＋分離リング３ｊＫおよびＮ＋コレクタ
接触領域３乙０が拡散される。通常、コレクタ・リング
３乙０は下に埋込みＮ＋領域３夕≠まで拡散される。次
に、中程度にドーピングされたペース領域３４２がエピ
タキシャル層の上側表面からコレクタの比較的督くドー
ピングされたＮ領域３ｊ乙の中に拡散される。本発明に
よれば、中程度にドーピングされた戸領域３乙！の界面
３乙３はコレクタ・リング３乙Ｏと重なり、その中に伸
びる。通知、中程度にドーピングされたｃペース接触領
域３６２のドーピング濃度は１０１８のオーダであシ、
シート比抵抗は１ｓｏ−４７，ｏｏオーム／スクエアの
オーダである。

次に第２０図では、比較的高ドーピングされたエミッタ
領域３６≠はエピタキシャル層３！乙の上側表面からベ
ース接触領域３乙１の中に拡散される、通常、エミッタ
領域３乙≠のドーピング・レベルは１０２０のオーダで
ある。図示していないが、上記の種々の拡散技術ではエ
ピタキシャル層３ｊ乙の上側表面の二酸化シリコン層の
中に拡散通路の開口が必要でちること、またそれらの通
路の開口が種々のプレーナ領域３よ１，３６０，３乙２
および３乙≠の位置を制御することがわかる。更に図示
はしないが、最終ステップとして最後の二酸化シリコン
層を開いてメタライズ・・やターンのジポジションを行
なうことＫより所望の通り種々の領域に接触させること
ができる。第／了−，２０図の拡散プロフィルと長句学
的配置に従って比較器３／ｇおよび３．！２ならびに零
位回路の種々のトランジスタをモノリシック集積回路で
作ったとき、得られたトラン・ゾスタの接合漏洩電流特
性は非動作状態および最大動作温度（１２３℃のオーダ
）に於いて最大値が約０．２ナノアンペアのオーダにな
っている。この特性により、第１夕図の零位回路は極め
て低電流の特性で増幅器３／乙の点Ａの電流出力を零に
することができる。これによυ、第１夕図の全体回路３
１０は前記のような約７０乃至２′００ガウスのオーダ
の周囲磁界の比較的小さな変化を検出することができる
。

更に詳しく述べると、第１ｊ図の回路３１０は背景磁界
を無視しつつ上記のオーダの磁気パルスの検知機能を果
すことができる。更に、回路３１０は広い温度範囲にわ
たって２端子構成で、目立つ外付部品なしに動作する。

しかも所要電流は非常に小さく（ナノアンペア）、回路
３１０はモノリシック集積回路に収容され、オンテッグ
金属酸化物半導体コンデンサを零位コンデンサ３３にと
して使うことができる。

第１ｊ図の比較器３．２０と結合された零位段の電流源
は低電力感度、温度補償、電源に対する低トランジスタ
・ベータ感度が達成される。これらと零位回路および比
較器３／Ｉおよび３コ０と結合されたトランジスタの特
徴によう、比較器３２０ば２乃至３ナノアン４アの範囲
で動作することができる。

端子３３２が電源、端子３３０が地気の、第１夕図の回
路３１０の２端子構成では外付は抵抗３３４ｔを用いて
ホール効果センサ３／２に正帰還を加えることによシヒ
ステリシスを与える。これは回路が動作すると信号が大
きくなシ、ホール効果センサ３／２の両端間の電圧が大
きくなることで両端間の電圧に比例した出力が大きくな
ることで行なわれる。動作については、ホール効果セン
サ３／２からの信号はまず、線形温度補償差動モードで
動作する増幅器３／乙によって増幅される。比較器３／
♂と増幅器３／乙の出力との間のスイッチングしきい値
は増幅器３／乙と出力比較器３／ｇ（第１乙図）との間
のエミッタホロワと増幅器３／乙の黒人出力に結合され
たオフセット発生抵抗３３乙を使って達成される。温度
補償は結合された電流源によって行なわれる。

このように、詳細を第１乙図および第７７図に示した第
１！図の電子回路３１０は磁界の変化を表わす信号を動
的に検知し処理する手段を提供する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例によるリードフレームば
とう載された集積化センサの上面図である。第２図は第
１のカプセル封じ後の第１図のセンナの上面図である。 第３図は第２図のセンサの側面図である。第≠図は第２
のカプセル封じプロセスのためモールド金型の中に配置
された第１−３図によるセンサの部分横断面図である。 第５図は本発明の第１の実施例によるリードフレームに
とり載された集積化センサの上面図である。第６−７０
図は第！−≠図と同様の図面でちシ、第２の実施例の製
造工程を示す。第１／図は本発明のもう７つの実施例に
よる集積化運動センサの横断面図である。第１．！図は
第１／図の実施例による速脱着レセプタクルの中に収容
されたセンサと磁石のアセンブリ、くぼんだ円筒形部材
、およびコネクタブレードの横断面図である。第７３図
は２つの連続した成形動作で得られるギヤ歯センサ・ア
センブリの横断面図である。第１１Ａ図は製造プロセス
中に射出成形のためモールド金型の中央に第１ｉ−ｉ３
図の検知素子と磁石のアセンブリを配置するため上記ア
センブリから伸びる突出部を示す。第７５図は本発明に
よる電子検知回路を示すブロック図である。第１乙図お
よび第７７図は本発明の電子回路の詳細を示す回路図で
ちる。第ｉｆ、ｉｙおよび２０図は本発明による電子集
積回路部品の一部の逐次処理ステップを示す。 符号の説明 １０　、　／２・・・接触表面、／≠、／乙リード、／
ｆ・・・ホール効果センサ。

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. （１）位置センサの製造方法に於いて、所定パターンの
   接触表面をそなえ、選択された１つの表面が対応するリ
   ードに接続されるリードフレームを設けるステツプ、 集積回路検知素子を接触表面でリードフレームに機械的
   に取付けるステツプ、 選択された１つの接触表面から集積回路検知素子上の対
   応する接触パツドへ接触ワイヤを曲げるステツプ、 集積回路検知素子と接触表面を第１のカプセル封じモー
   ルド型の中にカプセル封じする事により各接触パツド上
   の隆起部分を含む所定の形状のカプセル封じされたアセ
   ンブリを形成するステツプ、所定の長さに各リードを切
   断するステツプ、カプセル封じされたアセンブリの各リ
   ードをマルチリード・ワイヤの対応するリードに取付け
   るステツプ、 各隆起部分が第２のモールド型の端から所定距離のとこ
   ろにアセンブリを位置ぎめするようにカプセル封じされ
   たアセンブリと取付けられたワイヤを第２のカプセル封
   じモールド型の中に配置するステツプ、および アセンブリとマルチリード・ワイヤをカプセル封じする
   事によりセンサ面から所定距離のところに配置された検
   知素子をそなえたカプセル封じされたセンサを形成する
   ステツプ を含む事を特徴とする位置センサの製造方法。
2. （２）マルチリード・ワイヤを取付けるステツプに、 集積回路検知素子の表面の平面にほぼ垂直にカプセル封
   じされたアセンブリの各リードを曲げるステツプ、およ
   び 各リードをマルチリード・ワイヤの対応するリードに溶
   接するステツプ が含まれる事を特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
   載の方法。
3. （３）更に 上記マルチリード・ワイヤの端でそのまわりにチューブ
   を設けるステツプ。 上記リードフレームに隣接して上記マルチリード・ワイ
   ヤの一端に縦方向の空間を設け、上記空間の中に上記溶
   接リードの少なくとも一方を配置するステツプ、および 上記第２のカプセル封じステツプの間に上記空間の中に
   、そして上記溶接リードを中心として上記カプセル封じ
   物を流し込むステツプをも含む事を特徴とする特許請求
   の範囲第（２）項記載の方法。
4. （４）更に 上記空間に隣接してそれと流れが通じるように上記チュ
   ーブの一端で上記チューブの中に半径方向に少なくとも
   １つの孔を形成するステツプ、および 上記第２カプセル封じステツプの間に上記カプセル封じ
   物を上記孔の中に流入させるステツプをも含む事を特徴
   とする特許請求の範囲第（３）項記載の方法。
5. （５）位置アセンブリに於いて、 集積回路検知素子、 所定の長さの複数のリードをそなえたリードフレーム・
   アセンブリ、 上記集積回路検知素子上の接触パツドを上記リードのう
   ち対応する１つのリードに取付ける導電手段、 複数のリードワイヤをそなえたマルチリード・ワイヤで
   あつて、上記各リードワイヤの一端が上記リードフレー
   ム・アセンブリの上記リードのうち対応する１つのリー
   ドに取付けられ、上記マルチリード・ワイヤは上記端の
   近傍にチューブをそなえているようなマルチリード・ワ
   イヤ、および上記検知素子、上記リードフレーム・アセ
   ンブリの近傍で、上記マルチリード・ワイヤの上記端で
   上記チューブの中のカプセル封じ手段を含む事を特徴と
   する位置センサ・アセンブリ、
6. （６）上記検知素子がホール効果センサを含む事を特徴
   とする特許請求の範囲第（５）項記載のセンサ・アセン
   ブリ。
7. （７）上記リードフレーム・アセンブリの上記各リード
   が上記検知素子の表面の平面に垂直である事を特徴とす
   る特許請求の範囲第（６）項記載のセンサ・アセンブリ
   。
8. （８）磁気応答性の物体の位置を検出するためのセンサ
   ・アセンブリに於いて、 （ａ）上記物体からの磁束の変化を検知するための集積
   化ホール効果センサをそなえた２端子集積回路、 （ｂ）複数のリードをそなえたリードフレーム、（ｃ）
   上記回路の上記２つの端子を上記リードフレームの対応
   するリードに電気的に接続するための手段、および （ｄ）上記検知手段と上記リードの少なくとも一部の近
   傍のカプセル封じ手段 を含む事を特徴とするセンサ・アセンブリ。
9. （９）磁界を発生するため上記回路と上記リードフレー
   ムを接続する手段をも含む事を特徴とする特許請求の範
   囲第（８）項記載のアセンブリ。
10. （１０）マルチワイヤ・リードも含まれ、上記リードの
    各ワイヤの一端が上記リードフレームからの対応するリ
    ードに取付けられる事を特徴とする特許請求の範囲第（
    ８）項記載のアセンブリ。
11. （１１）磁気応答性の物体をそなえた部材の位置を検知
    する方法に於いて、 （ａ）上記部材と上記回路の間の磁界の変化を測定し得
    る零位回路とホール効果検知素子をそなえた電子回路を
    位置ぎめするステツプ、 （ｂ）部材とホール効果センサとの間に変化する磁界を
    発生するステツプ、 （ｃ）上記零位回路の手段により背景残留磁界の影響を
    除去するステツプ、および （ｄ）上記部材の運動による磁界の変化を検知するステ
    ツプ を含む事を特徴とする位置検知方法。
12. （１２）更に、 上記電子回路に２端子を設けるステツプ、 ２端子をそなえたリードフレームを設け、上記２つのリ
    ードに上記２つの回路端子を電気的に取付けるステツプ
    、および 上記リードフレームと上記リードがマルチワイヤ・リー
    ドの端で曲げられるようにすることにより上記センサ・
    アセンブリを狭い空間内に配置できるようにするステツ
    プ をも含む事を特徴とする特許請求の範囲第（１１）項記
    載の方法。
13. （１３）センサ・アセンブリに対して動く磁気応答性の
    物体の位置を検出するための電子回路をそなえたセンサ
    ・アセンブリに於いて、 （ａ）上記回路外部の磁界の変化を検知するための集積
    化ホール効果センサをそなえ、上記変化を表わす出力を
    送出する２端子の集積回路、 （ｂ）上記回路の上記２端子と電子的に結合された２つ
    のリードをそなえたリードフレーム、（ｃ）静磁界を発
    生し、上記リードおよび上記回路と一緒にとう載された
    永久磁石、 （ｄ）上記リードフレームがその一端にとう載されたマ
    ルチワイヤ・リードであつて、上記リードフレームの上
    記各リードが上記マルチワイヤ・リードの１つのワイヤ
    に電気的に接続されたマルチワイヤ・リード、および （ｅ）上記検知手段、上記リード、および上記永久磁石
    をカプセル封じして取り囲み、検知素子と磁石のアセン
    ブリを形成する手段 を含み、かつ （ｆ）上記回路は背景雑音の影響を零にする手段を含む 事を特徴とするセンサ・アセンブリ。
14. （１４）上記マルチワイヤ・リードの上記一端で上記マ
    ルチワイヤ・リードの外周のまわりに軸方向に配置され
    たチューブ、ならびに上記チューブ内にあつて上記リー
    ドフレームの上記リードと上記ワイヤとの間の上記接続
    を囲むカプセル封じ物をも含む事を特徴とする特許請求
    の範囲第（１３）項記載のセンサ・アセンブリ。
15. （１５）上記リードフレームから上記マルチワイヤ・リ
    ードの上記一端の中に軸方向に伸びる伸長部も含まれて
    おり、上記カプセル封じ物が上記伸長部を取り囲む事を
    特徴とする特許請求の範囲第（１４）項記載のセンサ・
    アセンブリ。
16. （１６）上記マルチワイヤ・リードの上記一端を超えた
    上記チューブの中に半径方向の孔も設けられ、上記カプ
    セル封じ物が上記孔を通つて伸び、上記孔の中で固定さ
    れる事を特徴とする特許請求の範囲第（１５）項記載の
    センサ・アセンブリ。