JPS6023994Y2 - 半導体磁電変換装置 - Google Patents
半導体磁電変換装置Info
- Publication number
- JPS6023994Y2 JPS6023994Y2 JP1977053477U JP5347777U JPS6023994Y2 JP S6023994 Y2 JPS6023994 Y2 JP S6023994Y2 JP 1977053477 U JP1977053477 U JP 1977053477U JP 5347777 U JP5347777 U JP 5347777U JP S6023994 Y2 JPS6023994 Y2 JP S6023994Y2
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- JP
- Japan
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- conductive layer
- effect
- metal electrode
- semiconductor
- hall
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案はホール効果を応用した半導体磁電変換装置に関
するものである。
するものである。
従来周知の磁電変換装置、特にホール素子の構造は第１
図ａ、 ｂに示す如く半導体基板１に電圧端子２，３及
びホール電圧出力端子４，５を備えた構造となっている
。
図ａ、 ｂに示す如く半導体基板１に電圧端子２，３及
びホール電圧出力端子４，５を備えた構造となっている
。
この構造のホール素子においては、電流端子２．３及び
その付近において端子部分の短絡効果によって有効にホ
ール効果が得られないばかりか、磁界とホール出力電圧
の直線性が悪くなる原因ともなっている。
その付近において端子部分の短絡効果によって有効にホ
ール効果が得られないばかりか、磁界とホール出力電圧
の直線性が悪くなる原因ともなっている。
又ホール出力電圧端子４，５は理想的には基板１と点接
触し、接触抵抗が零であることが望ましい。
触し、接触抵抗が零であることが望ましい。
ところが実際につくる場合は有限な面接触となっている
ため、端子部において短絡効果による効率低下及び電流
分布をみだすという欠点があり、精度の良いホール素子
を得ることを難しくしている。
ため、端子部において短絡効果による効率低下及び電流
分布をみだすという欠点があり、精度の良いホール素子
を得ることを難しくしている。
本考案は上述の欠点を解消するもので、磁電効果を受け
る所定導電型の第１の導電層とこの層上の所定の人出用
金属電極との間に、前記第１の導電層の主面に対して垂
直方向になるように所定の抵抗値を有する第２の導電層
を猛威することにより、前記第１の導電層との接続部で
の短絡効果による磁電効果の効率低下を防ぐと共に、ホ
ール電圧出力の直線性を改善した半導体磁電変換装置を
提供することを目的とする。
る所定導電型の第１の導電層とこの層上の所定の人出用
金属電極との間に、前記第１の導電層の主面に対して垂
直方向になるように所定の抵抗値を有する第２の導電層
を猛威することにより、前記第１の導電層との接続部で
の短絡効果による磁電効果の効率低下を防ぐと共に、ホ
ール電圧出力の直線性を改善した半導体磁電変換装置を
提供することを目的とする。
以下本考案を図面に示す一実施例により具体的に説明す
る。
る。
第２図ａ、 ｂにおいて、１０はＰ型の半導体基板、１
１は拡散或はエピタキシャル成長等によるＮ型層の半導
体領域で、磁電効果（ホール効果）を有効に受ける部分
である。
１は拡散或はエピタキシャル成長等によるＮ型層の半導
体領域で、磁電効果（ホール効果）を有効に受ける部分
である。
１２，１３はＮ型層１１中へ電流を流入させるための第
１の金属電極をなす電流端子、１４．１５はホール電圧
を取出すための第２の金属電極をなす出力端子であり、
これらの端子１２〜１５は通常Ａ１蒸着等により形成さ
れる。
１の金属電極をなす電流端子、１４．１５はホール電圧
を取出すための第２の金属電極をなす出力端子であり、
これらの端子１２〜１５は通常Ａ１蒸着等により形成さ
れる。
またその端子１２〜１５の直下には所定の抵抗値を与え
るべくＮ型の半導体よりなる取出し部２０，２１，２２
，２３を有しており、とりわけこの基板１０の主面に対
して垂直方向に設は磁界と同方向になる様に形成しであ
る。
るべくＮ型の半導体よりなる取出し部２０，２１，２２
，２３を有しており、とりわけこの基板１０の主面に対
して垂直方向に設は磁界と同方向になる様に形成しであ
る。
また１６．１７．１８．１９はＮ型層１１をその一生面
において包囲するためのＰ型層の半導体領域であり、一
般に拡散等で形成されるものである。
において包囲するためのＰ型層の半導体領域であり、一
般に拡散等で形成されるものである。
そこでこの構成による作用を述べると、電流端子１２．
１３における取出し部分２０．２３の電流方向は基板１
０の主面に垂直で第２図ａ中に示す如く磁界方向Ｂと一
致するため、この部分２０．２３では磁電効果は起らず
、Ｎ型層１１の磁電効果に対して影響がなくなると共に
、端子１２．１３での短絡効果がＮ型層１１に直接加わ
らなくなる。
１３における取出し部分２０．２３の電流方向は基板１
０の主面に垂直で第２図ａ中に示す如く磁界方向Ｂと一
致するため、この部分２０．２３では磁電効果は起らず
、Ｎ型層１１の磁電効果に対して影響がなくなると共に
、端子１２．１３での短絡効果がＮ型層１１に直接加わ
らなくなる。
すなわち取出し部２０．２３の半導体分布抵抗による分
散効果が働き、Ｎ型層１１の入力端１１Ａ、ＩＩＢでの
短絡効果が緩和されることになる。
散効果が働き、Ｎ型層１１の入力端１１Ａ、ＩＩＢでの
短絡効果が緩和されることになる。
さらに、ホール電圧の出力端子１４．１５においても上
述と同様にＮ型半導体よりなる取出し部２１．２２を設
けており、Ｎ型層１１の入力端１１ｃ、ＩＩＤ付近での
短絡効果が緩和され、磁電効果を受けるＮ型層１１の電
流分布を改善している。
述と同様にＮ型半導体よりなる取出し部２１．２２を設
けており、Ｎ型層１１の入力端１１ｃ、ＩＩＤ付近での
短絡効果が緩和され、磁電効果を受けるＮ型層１１の電
流分布を改善している。
また、本装置は集積回路に使用することが可能であると
共に、Ｐ型層１０、および１６．１７゜１８．１９でも
って包囲した構造にしているから、Ｐ型層１０を接地す
ることにより電気的ノイズに対してシールドする効果が
得られる。
共に、Ｐ型層１０、および１６．１７゜１８．１９でも
って包囲した構造にしているから、Ｐ型層１０を接地す
ることにより電気的ノイズに対してシールドする効果が
得られる。
なお、本実施例では磁電効果を受けるＮ型層１１を半導
体基板１０上に拡散等により形成したものを用いたが、
第１図すに示す様な磁電効果を受ける半導体基板上に取
出し部分として所定抵抗値を有する所定の導電型の抵抗
層を設け、この抵抗層上に金属電極を形成する構成でも
よい。
体基板１０上に拡散等により形成したものを用いたが、
第１図すに示す様な磁電効果を受ける半導体基板上に取
出し部分として所定抵抗値を有する所定の導電型の抵抗
層を設け、この抵抗層上に金属電極を形成する構成でも
よい。
以上述べたように本考案装置においては、半導体基板の
一生面に形成され磁電効果を受ける所定導電型の第１の
導電層と、この第１の導電層上において一方向に対向配
置され電圧印加を受ける第１の金属電極と、前記第１の
導電層上において前記一方向とは直角関係にある他の方
向に対向配置されホール起電力を発生する第２の金属電
極と、前記第１の導電層と前記第１、第２の金属電極と
の間でかつ前記第１の導電層の主面に対して垂直方向に
配置され、所定の抵抗値を有する第２の導電層とを有し
ているから、入出力端子部分と第１の導電層との接続部
分において、半導体分布抵抗による分散効果が働らき短
絡効果を緩和させることができ、これにより磁電効果の
直線性及び感度をより一層改善することができるという
優れた効果がある。
一生面に形成され磁電効果を受ける所定導電型の第１の
導電層と、この第１の導電層上において一方向に対向配
置され電圧印加を受ける第１の金属電極と、前記第１の
導電層上において前記一方向とは直角関係にある他の方
向に対向配置されホール起電力を発生する第２の金属電
極と、前記第１の導電層と前記第１、第２の金属電極と
の間でかつ前記第１の導電層の主面に対して垂直方向に
配置され、所定の抵抗値を有する第２の導電層とを有し
ているから、入出力端子部分と第１の導電層との接続部
分において、半導体分布抵抗による分散効果が働らき短
絡効果を緩和させることができ、これにより磁電効果の
直線性及び感度をより一層改善することができるという
優れた効果がある。
第１図ａ、 ｂは従来装置の平面図、および側面図、第
２図ａ、 ｂは本考案になる半導体磁電変換装置の平面
図、および断面図である。 １０・・・・・・Ｐ型半導体基板、１１・・・・・・第
１の導電層をなすＮ型層、１２，１３・・・・・・第１
の金属電極をなす電流端子、１４．１５・・・・・・第
２の金属電極をなす出力端子、２０，２１，２２，２３
・・・・・・第２の導電層をなす取出し部。
２図ａ、 ｂは本考案になる半導体磁電変換装置の平面
図、および断面図である。 １０・・・・・・Ｐ型半導体基板、１１・・・・・・第
１の導電層をなすＮ型層、１２，１３・・・・・・第１
の金属電極をなす電流端子、１４．１５・・・・・・第
２の金属電極をなす出力端子、２０，２１，２２，２３
・・・・・・第２の導電層をなす取出し部。
Claims (1)
- 半導体基板の一生面に形成され磁電効果を受ける所定導
電型の第１の導電層と、きの第１の導電層上において一
方向に対向配置され電圧印加を受ける第１の金属電極と
、前記第１の導電層上において前記一方向とは直角関係
にある他の方向に対向配置されホール起電力を発生する
第２の金属電極と、前記第１の導電層と前記第１、第２
の金属電極との間でかつ前記第１の導電層の主面に対し
て垂直方向に配置され、所定の抵抗値を有する第２の導
電層とを有することを特徴とする半導体磁電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977053477U JPS6023994Y2 (ja) | 1977-04-27 | 1977-04-27 | 半導体磁電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1977053477U JPS6023994Y2 (ja) | 1977-04-27 | 1977-04-27 | 半導体磁電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS53147661U JPS53147661U (ja) | 1978-11-20 |
| JPS6023994Y2 true JPS6023994Y2 (ja) | 1985-07-17 |
Family
ID=28946493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1977053477U Expired JPS6023994Y2 (ja) | 1977-04-27 | 1977-04-27 | 半導体磁電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6023994Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0162165A3 (en) * | 1983-06-10 | 1986-07-16 | Texas Instruments Incorporated | A Hall effect device and method for fabricating such a device |
-
1977
- 1977-04-27 JP JP1977053477U patent/JPS6023994Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS53147661U (ja) | 1978-11-20 |
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