JPS6326568B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6326568B2 JPS6326568B2 JP15659383A JP15659383A JPS6326568B2 JP S6326568 B2 JPS6326568 B2 JP S6326568B2 JP 15659383 A JP15659383 A JP 15659383A JP 15659383 A JP15659383 A JP 15659383A JP S6326568 B2 JPS6326568 B2 JP S6326568B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reactance element
- diode
- circuit
- frequency
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
- H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner
- H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
- H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
- H03J5/244—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection using electronic means
Landscapes
- Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)
- Noise Elimination (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は不要信号による妨害排除能力を向上さ
せた電子同調チユーナに関するものである。
せた電子同調チユーナに関するものである。
従来例の構成とその問題点
アメリカを中心とするケーブルテレビの普及増
に伴ない、テレビジヨン受像機またはビデオテー
プレコーダ用電子同調チユーナにおいても、ケー
ブルテレビ受信可能な電子同調チユーナが増加し
てきている。
に伴ない、テレビジヨン受像機またはビデオテー
プレコーダ用電子同調チユーナにおいても、ケー
ブルテレビ受信可能な電子同調チユーナが増加し
てきている。
しかしながら、ケーブルテレビ受信チヤンネル
数の増加に伴ない、テレビチユーナで発生する非
直線歪みによる混変調、ビート防害が従来以上に
増加することになる。
数の増加に伴ない、テレビチユーナで発生する非
直線歪みによる混変調、ビート防害が従来以上に
増加することになる。
第１図は、従来からの電子同調チユーナの入力
回路構成を示すものである。第１図において
HPFは電子同調チユーナの中間周波数減衰用の
低域遮断フイルタであり、IF妨害対策用フイル
タである。L1，L2は同調用インダクタンス、L3，
L4は入力整合用インダクタンス、C3，C5，C7，
C8，C9，C10は高周波接地用コンデンサ、C1，
C2，C4，C6は直流阻止用コンデンサ、Q1は高周
波増幅用素子、DTは同調用可変容量ダイオード、
DS1は高バンド及び低バンド切換用スイツチング
ダイオードである。R1，R2，R3，R4，R5，R6は
ダイオード及び高周波増幅素子への直流バイアス
用抵抗、AGCは高周波増幅用素子Q1への利得制
御電圧供給端子、BSは低バンド、高バンド切換
用のバンドスイツチ端子、BTは同調用可変容量
ダイオードへの電圧供給端子、B+は高周波増幅
用素子Q1の駆動用電源端子である。
回路構成を示すものである。第１図において
HPFは電子同調チユーナの中間周波数減衰用の
低域遮断フイルタであり、IF妨害対策用フイル
タである。L1，L2は同調用インダクタンス、L3，
L4は入力整合用インダクタンス、C3，C5，C7，
C8，C9，C10は高周波接地用コンデンサ、C1，
C2，C4，C6は直流阻止用コンデンサ、Q1は高周
波増幅用素子、DTは同調用可変容量ダイオード、
DS1は高バンド及び低バンド切換用スイツチング
ダイオードである。R1，R2，R3，R4，R5，R6は
ダイオード及び高周波増幅素子への直流バイアス
用抵抗、AGCは高周波増幅用素子Q1への利得制
御電圧供給端子、BSは低バンド、高バンド切換
用のバンドスイツチ端子、BTは同調用可変容量
ダイオードへの電圧供給端子、B+は高周波増幅
用素子Q1の駆動用電源端子である。
以上のような回路構成においては、例えば
CATVのような受信チヤンネルの多いチヤンネ
ルかつ受信周波数レンジの広いチヤンネルを同調
しようとすると、同調回路の負荷Ｑは従来のチユ
ーナより更に低くおさえられる。この場合、同調
回路のＱが低くなるため、帯域外選択度特性の悪
化をまねく。これは、入力同調回路のみならず、
高周波増幅用素子Q1の出力側に接続される同調
回路についても同様であり、チユーナ総合での帯
域外選択度特性としても充分とはいえない。
CATV受信の場合、受信チヤンネルの増加に伴
ない、増幅用素子及び混合用素子で発生する非直
線歪みによる混変調、ビート妨害が無視できな
く、帯域外選択度の悪化は、更にこの不要信号に
対する妨害を増加することになる。特にCATV
受信の場合は、低バンド受信の場合の受信チヤン
ネルより上の周波数による妨害を、特に考慮する
必要がある。
CATVのような受信チヤンネルの多いチヤンネ
ルかつ受信周波数レンジの広いチヤンネルを同調
しようとすると、同調回路の負荷Ｑは従来のチユ
ーナより更に低くおさえられる。この場合、同調
回路のＱが低くなるため、帯域外選択度特性の悪
化をまねく。これは、入力同調回路のみならず、
高周波増幅用素子Q1の出力側に接続される同調
回路についても同様であり、チユーナ総合での帯
域外選択度特性としても充分とはいえない。
CATV受信の場合、受信チヤンネルの増加に伴
ない、増幅用素子及び混合用素子で発生する非直
線歪みによる混変調、ビート妨害が無視できな
く、帯域外選択度の悪化は、更にこの不要信号に
対する妨害を増加することになる。特にCATV
受信の場合は、低バンド受信の場合の受信チヤン
ネルより上の周波数による妨害を、特に考慮する
必要がある。
発明の目的
本発明はこのような従来の欠点を解決するもの
で、帯域外選択度特性を改善することにより、不
要信号に対する妨害を低減させることを目的とす
るものである。
で、帯域外選択度特性を改善することにより、不
要信号に対する妨害を低減させることを目的とす
るものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明は、入力端子
と入力同調回路の間に直列に誘導性リアクタンス
素子を挿入接続し、その誘導性リアクタンス素子
の一方または両方の端子に容量性リアクタンス素
子と高周波スイツチング用ダイオードの直列回路
の一端を接続するとともに、他端を接地し、かつ
容量性リアクタンス素子と高周波スイツチング用
ダイオードの中点を直流電圧駆動用バイアス抵抗
素子を介してバンドスイツチ端子に接続したもの
である。
と入力同調回路の間に直列に誘導性リアクタンス
素子を挿入接続し、その誘導性リアクタンス素子
の一方または両方の端子に容量性リアクタンス素
子と高周波スイツチング用ダイオードの直列回路
の一端を接続するとともに、他端を接地し、かつ
容量性リアクタンス素子と高周波スイツチング用
ダイオードの中点を直流電圧駆動用バイアス抵抗
素子を介してバンドスイツチ端子に接続したもの
である。
実施例の説明
第２図に本発明の一実施例による電子同調チユ
ーナの回路構成を示す。アンテナ入力端子または
低域遮断フイルタHPFと入力同調回路の間に、
直列にインダクタンスL5を挿入接続し、入力同
調回路とインダクタンスL5の接続点からコンデ
ンサC11と高周波スイツチング用ダイオードDS2を
直列接続し、ダイオードDS2の他端を接地し、コ
ンデンサC11とダイオードDS2の中点より抵抗R7
を介して、バンドスイツチ端子BSに接続されて
いる。ダイオードDS2は、低バンド受信において、
バンドスイツチ端子BSからの直流電源によりオ
ン状態となり、高バンドにおいては、オフ状態に
なるようバンドスイツチ端子BCと常に連動され
るよう配慮されている。低バンド受信時は、ダイ
オードDS2はオンとなり、入力回路は、インダク
タンスL5とコンデンサC11よりなる低域波フイ
ルターを構成し、高域周波数領域の減衰特性を改
善することに寄与する。なお、この場合のインダ
クタンスL5とコンデンサC11の定数は、低バンド
受信チヤンネルより、やや高い周波数にカツトオ
フ周波数を決めるよう決定される。また、高バン
ド受信時は、ダイオードDS2はオフとなり、入力
同調回路は、インダクタンスL5のみが直列に入
り、インダクタンスL5は整合用コイルの一部と
して動作し、かつ誘導性リアクタンス素子の直列
接続により、受信周波数より高い周波数領域での
インピーダンス増加に伴ない、高域減衰特性を改
善することができる。
ーナの回路構成を示す。アンテナ入力端子または
低域遮断フイルタHPFと入力同調回路の間に、
直列にインダクタンスL5を挿入接続し、入力同
調回路とインダクタンスL5の接続点からコンデ
ンサC11と高周波スイツチング用ダイオードDS2を
直列接続し、ダイオードDS2の他端を接地し、コ
ンデンサC11とダイオードDS2の中点より抵抗R7
を介して、バンドスイツチ端子BSに接続されて
いる。ダイオードDS2は、低バンド受信において、
バンドスイツチ端子BSからの直流電源によりオ
ン状態となり、高バンドにおいては、オフ状態に
なるようバンドスイツチ端子BCと常に連動され
るよう配慮されている。低バンド受信時は、ダイ
オードDS2はオンとなり、入力回路は、インダク
タンスL5とコンデンサC11よりなる低域波フイ
ルターを構成し、高域周波数領域の減衰特性を改
善することに寄与する。なお、この場合のインダ
クタンスL5とコンデンサC11の定数は、低バンド
受信チヤンネルより、やや高い周波数にカツトオ
フ周波数を決めるよう決定される。また、高バン
ド受信時は、ダイオードDS2はオフとなり、入力
同調回路は、インダクタンスL5のみが直列に入
り、インダクタンスL5は整合用コイルの一部と
して動作し、かつ誘導性リアクタンス素子の直列
接続により、受信周波数より高い周波数領域での
インピーダンス増加に伴ない、高域減衰特性を改
善することができる。
以上のように比較的簡単な回路構成により、高
域選択度特性を改善することができる。
域選択度特性を改善することができる。
また、第３図のようにインダクタンスL5の両
方の端子にコンデンサC11，C12の一端をそれぞれ
接続し、他端を共通接続してダイオードDS2のカ
ソードに接続することにより、更に高域選択度特
性を改善することができる。
方の端子にコンデンサC11，C12の一端をそれぞれ
接続し、他端を共通接続してダイオードDS2のカ
ソードに接続することにより、更に高域選択度特
性を改善することができる。
また、コンデンサC11，C12の代りに、可変容量
ダイオードを用いてもよい。
ダイオードを用いてもよい。
発明の効果
以上のように本発明の電子同調チユーナによれ
ば、高域減衰特性を改善することができ、これに
より不要信号に対する妨害を低減させることがで
きるという効果が得られる。
ば、高域減衰特性を改善することができ、これに
より不要信号に対する妨害を低減させることがで
きるという効果が得られる。
第１図は従来の電子同調チユーナの入力回路を
示す回路図、第２図は本発明の一実施例による電
子同調チユーナの入力回路を示す回路図、第３図
は本発明の他の実施例による電子同調チユーナの
入力回路の要部の回路図である。 L5……インダクタンス、C11，C12……コンデン
サ、DS2……ダイオード、R7……抵抗、BS……バ
ンドスイツチ端子。
示す回路図、第２図は本発明の一実施例による電
子同調チユーナの入力回路を示す回路図、第３図
は本発明の他の実施例による電子同調チユーナの
入力回路の要部の回路図である。 L5……インダクタンス、C11，C12……コンデン
サ、DS2……ダイオード、R7……抵抗、BS……バ
ンドスイツチ端子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 入力端子と入力同調回路の間に直列に誘導性
リアクタンス素子を挿入接続し、その誘導性リア
クタンス素子の一方または両方の端子に容量性リ
アクタンス素子と高周波スイツチング用ダイオー
ドの直列回路の一端を接続するとともに、他端を
接地し、かつ容量性リアクタンス素子と高周波ス
イツチング用ダイオードの中点を直流電圧駆動用
バイアス抵抗素子を介してバンドスイツチ端子に
接続したことを特徴とする電子同調チユーナ。 ２ 容量性リアクタンス素子として、可変容量ダ
イオードを使用したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の電子同調チユーナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156593A JPS6047520A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 電子同調チュ−ナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156593A JPS6047520A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 電子同調チュ−ナ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047520A JPS6047520A (ja) | 1985-03-14 |
| JPS6326568B2 true JPS6326568B2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=15631148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58156593A Granted JPS6047520A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 電子同調チュ−ナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047520A (ja) |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58156593A patent/JPS6047520A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6047520A (ja) | 1985-03-14 |
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