JPS63266842A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置とその製造方法に係り、特にサイズ
の大きいメモリ用途のチップを小型のノくッケージに搭
載、実装するのに好適な半導体装置・およびその製造方
法に関する。

〔従来の技術〕

従来、ＬＳＩチップをプラスチックパッケージに。

搭載する方法としては、パッケージの中央部にチ。

ツブを搭載するためのチップ寸法大のタブが配置。

され、４辺にボンディングパッド部が配置された。

チップを該タブ上に導電性ペーストで接着、搭載。

し、リードフレームの先端部を該チップの４送力。

向に配置して、該パッド部と該リード先端部とを。

金線で相互結線する構造をとってきた。　　　　Ｉ［ｌ
しかし、この構造では、チップとリード先端部との距離
を、金線が結線できる距離にまでとる必要があり、チッ
プの外端とパッケージの外端部ま。

での距離が大きくなり、大きなチップを小さなバ。

ッケージに収納するには不適であった。　　　　１５さ
らに、リードのパッケージへの埋込み長さがｄ＼さくな
り、リード成形時の機械的ストレスによる。

リードとレジンの界面の剥離が経験され、特にチ・ツブ
の短辺長さに対し、パッケージの短辺長さを大きく設計
する必要があった。　　　　　　　　２＋１また、さら
に、チップ寸法大のタブがパッケージ。

の中央部に配置されているために、熱応力による。

タブ下のレジンの界面剥離と、それにともなう、。

タブ下にむかうレジンのクラックがしばしば経欧され、
温度サイクルや耐リフロークラック試験の。

結果を満足させるために好適な構造とは云えなく。

なってきた。

上記、問題点に対処するために、特開昭６０−８１６７
４５４号に提案されているように、リードフレー。

ムの先端をすべ℃チップの短辺側に配置し、タフ；１、
をなくして、そのリード上に有機絶縁フィルムを。

接着剤にて張りつけ、そのフィルム上にチップを６グイ
ボンデイングして、該チップのボンディングパッド部と
リード先端部とを金線で相互結線す娠いわゆるタブレス
パッケージが提案されている。１８゜しかし、この方法
では、剛性のない絶縁フィルム。

を、閘性の小さいリード上に積置よく張りつける工程で
の難かしさと歩留り確保上の不都合点があった。さらに
、その張りつけはバッチ処理ではな（遂次処理のため、
工程時間が従来より増えるど１いう問題があった。さら
に、上記、提案技術では絶縁フィルムがリード上に張り
つけられており、。

その絶縁フィルム上のチップのボンディングパラ。

ドとリード先端部とをワイヤポンディングする方。

式のため、リード先端部はチップ長辺よりもワイ。

ヤボンデインクする距離だけ長く設計する必要が。

あり、モールド時にボンディングワイヤが変形する際に
ワイヤがチップ端部と接触しないように、。

チップ長辺端部とパッケージ長辺端部との距離を。

大きく設計する必要があり、真に大きなチップを。

小さなパッケージに搭載するのに適した構造と＆’Ｌ云
えなかった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記、従来技術は、チップ端とパッケージ端との距離は
少くとも１　＊　０−７Ｘ以上必要な構造であり、１５
犬きｒ、ＬＳＩチップを小さなパッケージに収納するに
は幾何学的な制約があった。さらに、大きな夕・プを使
っていたために、熱応力に弱（耐温度サイ・クルや劇リ
フロー性に弱い構造であった。

一方、上記したタブレスパッケージの提案技術１は、絶
縁フィルム張りつけ工程での積置の確保などプロセス上
の不都合点があるとともに、長辺側の寸法の大きなチッ
プに対して、さらにパッケー。

ジの長辺の寸法を太き（設計する必要があった。。

本発明の目的は、チップ端とパッケージ端との。

距離を長辺、短辺にかかわらず、１．０ｒＩＬｒＩＬ以
下にし。

℃、大きなチップを小さなパッケージに収納する。

とともに、リード埋込み長さを確保してリード成。

形時の機械的ストレスの影響を少なくできる構造。

を提供することにある。　　　　　　　　　　　］０さ
らに、もう一つの目的は、上記した提案技術のリードフ
レーム上への絶縁フィルム張りつげ工程にみられるよう
なプロセス上の不都合点のない生産性にすぐれるパッケ
ージ構造とその製造方法を提供することにある。　　　
　　　　　　　　１゜〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、ＬＳＩチップのボンディングパッド部が該
ＬＳＩチップの短辺２辺側に配置されており（該ＬＳＩ
チップのボンディングパッド部以外の表面が絶縁膜で被
覆されており、該絶縁膜上にリード□部が配置され、該
リード部と該ポンプイングツくツ。

ド部とがワイヤボンデインクされており、該ＬＳＩ。

チップの周囲をレジンで封止してなることを％鐵とする
半導体装置。並びにウェーノ・表面上に絶縁膜を張りつ
ける工程と、ボンディングパッド部お。

よびスクライブ領域をエツチングして露出させる工程と
、該ウェーノーをダイシングしてＬＳＩチップ。

化する工程と、該絶縁膜上にリードフレームを配置して
押圧する工程と、該リードフレームとボッディングパッ
ド部とをワイヤボンディングする工程と、該ＬＳＩチッ
プの周囲をレジンで封止する工程と、該リードフレーム
の切断と曲げ工程とを有することを特徴とする半導体装
置の製造方法によ。

り達成される。

〔作　用〕　　　　　　　　　　　　　　ｌう本発明に
よれば、チップ表面に絶縁膜を被覆し。

その上面にリードを配置するので、リード先端部をパッ
ケージの内側からチップの短辺側にむけ℃配列すること
ができ、チップの短辺の２辺に配置されたボンディング
パッドとリードとのワイヤボ・ンデインクがチップ上面
でできるため、チップ外端部とパッケージ外端部との距
離が、チップの長辺、短辺にかかわらず、穐那以下と短
か（設計家き、大きなＬＳＩチップを小さなパッケージ
に収納できる。さらに、リードのパッケージ内での埋込
。

み長さは長くなり、リード曲げ工程における機械的スト
レスに対して強い構造となる。また、ワイ。

ヤボンディングはレジンの流れ方向に沿って張ることが
でき、かつ、変形した場合でも、絶縁股上にあるため、
チップのスクライブ領域に接触す金（ことがな（、高粘
反レジンのモールドでも歩留り。

は低下しない。さらにまた、本発明によれば、絶縁膜な
ウェーハープロセスで、ドライフィルレム張りつげ工程
、エツチング工程な経℃形成するので厚膜で寸法積属が
よく、効率よく被覆できるとと。

もに、α線対策を兼ねることができて、生産効率に優れ
る。

さらに、タブを用いた場合にはタブの幅を小さく設計し
、絶縁膜、リードフレーム材、レジンの線膨張係数かそ
れぞれＬ２Ｘ１０−”　’Ｃ−１以下の材質の組合せと
し、絶縁膜とチップとの接着部および、絶縁膜とタブと
の接着部の材質を弾性率４００Ｋｌｆ／ｍｍ’以下の組
み合せにしたので、各異種材質の界面にかかる熱応力が
低減でき、耐温度サイクルや。

耐リフロー性に優れたパッケージとなる。さらに−タブ
の幅を小さくすると、タブの端部にかかる引。

張り応力の方向がタブの大きい場合と違い、タフニの幅
が大きい場合はクラックがパッケージの下面にむかうの
に対し、タブの幅を小さくするとパラ。

ケージの長手方向にむかうことを応力解析で確鮪した。

〔実施例〕

次に本発明に係る実施例の具体的構成について。

説明する。

チップとリードとの間に設ける絶縁膜は、ワイ、）ヤボ
ンディング時のストレスによってリード裏面がチップ表
面を損傷さぜないために被覆するのであり、２５μｍ膜
厚以上のポリイミド族が望ましい、・リードフレームの
裏面に有機絶縁膜を接漸剤で張りつげてもよいが、以下
に述べる手段が生産効率０および寸法精度にすぐれる。

すなわち、ボリイミ。

ドフィルムに弾性率１００’ｌｉｆ／ｍｒｗ’以下の軟
質接着剤。

をラミネートしたドライフィルムをウエーノ蔦−に。

接着。張りつけた後、レジスト塗布、露光し、ヒ４ドラ
ジンでエツチングしてポンプイングツくラド部。

およびスクライブ領域を露出させ、ダイシングし。

て各チップに切離すことにより、寸法精度に優れた絶縁
膜被覆ができる。従来、メモリ用途のＬＳＩ。

には、耐α線対策のためにポリイミド膜をウエツ。

ト、スピンコードして形成していた。この工程を１゜残
してもよいが、この工程を廃し、上記したドラ。

イフィルム張りっけの工程をとることにより、厚膜でか
つ寸法精度に優れた表面採掘とα線対策と・を兼ねた絶
縁膜被覆が従来の生産工数とかわらな・い工数でできる
。ドライフィルムの絶縁膜として。

は、ポリビフェニル系イミドが望ましく、線膨張。

係数が１．２Ｘ１０″−１１℃−１と小さく、ラミネー
トする接着剤の弾性率が１００ｈ／ｍｙｒ？以下であれ
ば、ウェーノ・−に接着した後にウェーハーをそらした
すせず、。

接着剥離しない。

リードフレームの中央部にチップを支持するのに必要最
小限の幅を持つタブを設けてもよい。タブを設ける場合
には、タブと上記の絶縁膜被覆したＬＳＩチップをフェ
イスアップの状態で接着する。

が、接着剤１１としては弾性率が４００Ｑｆ／ｍｄ以下
の一軟質の変性エポキシ系あるいはシリコーン樹脂系液
状熱硬化型接着剤が望ましい。リード先端はチ。

ツブの短辺側に配し、チップの絶縁膜上な通すの。

で、リードの埋込み長さは長く設計できる。この。

リード先端とチップのボンディングパッド部とを。

ワイヤボンディングするので、レジンモールド時のワイ
ヤ変形がたとえ生じても、ワイヤはレジＸの流れ方向に
沿って張っ℃おり有機絶縁膜の上なので、チップのスク
ライブ領域や隣接ワイヤと接触する可能性はほとんどな
い。ワイヤボンディイ。

グ後、レジンモールドを経て、タブをつっているタブフ
リリードはリード切断工程でパッケージの外端部で切り
離す。タブは、パッケージの４方向からつるのが望まし
い。

リードフレームの材質としては、チップの線駿張係数（
５，６Ｘ１０　　℃　）ＶＣできるだけ近い４゜５゜Ｘ
１０−６〜５．８Ｘ１０−５℃−８の範囲の鉄、ニッケ
ル合傘系を選ぶのが望ましい。さらに、モールドレジン
。

とじては、少くとも球状の石英フィラーを配合し。

てフィラー含有量を７０ｖｏｌ％以上高充填しても眞動
性が確保でき、線膨張係数が１．２Ｘ１０−”Ｃ−’以
下であることが必要である。すなわち、熱粘弾性解析し
た結果、チップ／ラミネート接着剤／絶縁フ。

イル入／ダイボンディング用接着剤／リード７し。

−入／モールドレジンのそれぞれの界面に生ずる０熱応
力は、上記した材質の組み合せが最も少ないことが判明
した。

タブ裏面にチップ表面を接着する方法としてはイ接着箇
所に対応する位置に整列したマルチヘッド・のマイクロ
シュリンジで上記液状の熱硬化性接イ剤をチップ上面に
多点、清缶塗布し、リードフレ。

−ムとリップとを精密位置整合した後、リードフ・レー
ム上面からヒータブロックヘッドで押圧し、・接着、硬
化させる。必要な接着力を確保できるだけの硬化時間で
よ（、その後、バッチで２次キー（′アをして完全硬化
することにより、従来のダイボンディング工程と変らな
いタクトタイムが得られる。

接着箇所とし℃はタブ裏面のみでよいが、リー。

ド先端部を除き、各リードの裏面を接着してもよ。

−ゝ０ 次に、本発明の第１の実施例を図面に基づいて。

説明する。

第１図に示すとと（、パッケージ内部にむかう。

リード１の先端をすべてチップの短辺側にむけ看。

屈曲させたフレームのパターンを設計した。フレ。

−ム材質としては、鉄、ニッケル合金である４２アロイ
フレームを選定した。

ＬＳＩチップ４のボンディングパッド部５はチッ。

プの短辺側の２辺ｖｃ−ｆべて配置するとともに、チ３
ツブの能動素子領域に有機絶縁族９を、後述する。

方法で形成した。このチップ４の表面に、軟質変性エポ
キシ系接沿剤（油化シェル（株）、商品名エビコー）８
０７／エピロキエアナ）（弾性￥５５０・”Ｉｆ／ｍｄ
　）をマルチマイクｐシェリンジで塗布し、２（Ｊチッ
プ４とリード１との位置を精密に整合させたのち、リー
ドフレームの上面からヒータブロックヘッドで押圧し、
リード１の裏面とチップ４とを。

接着、硬化させた。所定の２次キュアを施こした。

後、ボンディングパッド部５とリード１の先端部。

をボンディングワイヤ６、（金線）にて相互結線し、球
状の石英ンイラー７０ｖｏｌ％配合され℃なる。

シリコーン系ニジストマーを分散した海島構造の。

フェノール硬化型クレゾールノボラックエポキシ。

樹脂７（日立化成製、試作品、線膨張係数１．２Ｘ、。

１０−”Ｃ−’　）でトランスファーモールド法により
成形した。その後１通常のリード切断９曲げ工程を。

経℃、半導体装置を得た。

本実施例に係る半導体装置を透視したときの饅面図を第
２図に示す。チップ４は有機絶縁Ｍ９を３介してリード
１の下面に７エイスアツプの状態で搭載されており、ボ
ンディングワイヤ６は有機絶縁膜９上のり−ド１とパッ
ド５と結線されてすべてチップの長手方向に沿っている
。

ホンディング部の詳細を第５図に示す。　　　２゜チッ
プ４にはＭ膜のボンディングパッド５が形成され、パッ
ド部以外にはプラズマシリコンナイトライド（Ｐ−８ｉ
Ｎ）の無機パッシベーション膜８゜が施こされているも
のを用いた。チップの能動風子領域には、ポリビフェニ
ルイミド膜（宇部興輿（株）製、ユービレックスＳ商品
名）２５μ専膜厚Ｑフイルムに軟質のシリコーン系接着
剤１０（東しＺリコーン（株）製、試作品９弾性率５０
即≠−）を。

ラミネートしたものを用いた。該ポリビフェニルイミド
膜９上には軟質変性エポキシ系接着剤を介。

°　してリード１が接続されている。

本実施例においては、タブを設けておらず、す。

−ド１がタブの代わりにチップ４を支持している。

第５図に示したように、有機絶縁膜９の上に配置された
リード先端とボンディングパッド部５と力凡ボンディン
グワイヤ６で結線されるので、チップの長手方向にレジ
ンが流れ、ボンディングワイヤ６が変形して倒れても、
隣接するワイヤやチップ４のスクライブエリヤと接触し
ない。

第３図に示したチップ４は以下のプロセスを経］て得ら
れた。すなわち、無機パッシベーション８のプロセスま
で経たウェーハー全面に、上記したポリピフェニルイミ
ド膜にシリコーン系接着剤を約１０μｒｎ膜厚ラミネー
トしたドライフィルムをロー。

ルコーターにより押圧し接着した。

ポリイミド用のネガレジストを塗布し、通常のＵｙ露光
、現象工程をへて、ボンディングパット部５゜およびス
クライブエリヤのみをヒドラジンでエラ。

チップして露出させ、レジスト除去およびダイン。

ング工程をへて個々のチップ４を得た。　　　　１゜上
述した各プロセスを経て得たパッケージにつ。

いて、−５５℃〜１５０℃の耐温度サイクル（各５　ｏ
ｍｉル、保持）試験を実施した結果、１０００サイクル
後も金線断線やレジンクラックの不良が認められなかっ
た。さらに、６５℃９５％、ＲＨＫ放ｉｉｔ　ｔ、　１
９８Ａｒ吸湿さセナ−。

パッケージを、２１５℃のペーパーリフロー炉に　。

９０Ｓ放置してレジンクラックの発生状況を調べたが、
クラックの発生が認められながった。さらに６５℃９５
チ詣高温高湿放置試験、高温動作試１験、。

ンフトエラー試験の各信頼性試験結果ともに、従（・来
の大きなパッケージに実装したものと比較して。

損色がないことがわかった。

次に、本発明の第２の実施例を図面を用いて説。

明する。

第２の実施例は、基本的には、タブを有してい。

る点で第１の実施例と相異する。

第４図に示すごとく、パッケージ内部にむかう。

リード１の先端をすべてチップの短辺側にむけて。

屈曲させ、中央部にリード幅の２倍以下の幅をも、つタ
ブ２をタブフリリード５で支持するフレーム、。

のパターンを設計した。フレーム材質としては、。

鉄、ニッケル合金である４２アロイフレームを選定。

した。

ＬＳＩチップ４のボンディングパッド部５はチツ。

プの短辺側の２辺にすべて配置するとともに、チ１゜ツ
ブの能動素子領域に有機絶縁膜９を第１の実施。

例と同様に形成した。このチップ４の表面に、軟。

質変性エポキシ系接着剤（油化シェル（株）商品。

名エピコート８０７　／エビロキエアナ）（弾性率　。

５５　ｏＫ９ｆ／ｍｒｒｉ”　　）をマルチマイクロシ
二すンジで塗布・（。

し、チップ４とリード１との位置を精密に整合させた後
、リードフレームの上面からヒータブロックヘッドで押
圧し、タブ２の裏面とチップ４とを接着、硬化させた。

所定の２次キュアを施こした後、ボンディングパッド部
５とリード１の先端部−をボンディングワイヤ６、（金
線）にて相互結線。

し、球状の石英フィラー７０ＶＯｌ　％配合されてなる
。

シリコーン系エラストマーを分散した海島構造の。

フェノール硬化型クレゾールノボラックエボキシ。

樹脂７（日立化成製、試作品、線膨張係数Ｌ２Ｘ　、。

１０−１℃−１）でトランスファーモールド法により成
。

形した。その後、通常のリード切断１曲げ工程を。

経て、タブフリリード３をパッケージの外端部で。

切断して、パッケージを得た。

半導体装置を透視した側面図を第５図に示す。１゜チッ
プ４は有機絶縁膜９を介してリード１の下面。

ｌｃ７エイスアツプの状態で搭載されており、ボン。

ディングワイヤ６は有機絶縁膜９上のリード１と。

パッド５と結線すべてチップの長手方向に沿って。

いる。

ボンディング部の詳細を第６図に示す。

チップ４ｖｃはＭ膜のボンディングパッド５が形成され
、パッド部以外にはプラズマシリコンナイト５イ）’　
（Ｐ−８ｉＮ　）の無機パッジページ薯ン膜８が施され
ているものを用いた。チップの能動集子領域には、ポリ
ビフェニルイミド膜（宇部興産（。

株）製、ユーピレックスＳ商品名）２５μ諺膜厚のフ。

イルムに軟質のシリコーン系８着剤１ｏ　（％（ｖ　シ
リ。

コーン（株）製、試作品２弾性率５０Ｋｇｆ／ｒｎｄ）
をう。

ミネートしたものを用いた。第６図に示したよう、。

に、有機絶縁膜９の上に配置されたリード先端と。

ボンディングパッド部５とが、ポンディンクワイ。

ヤ６で結線されるので、チップの長手方向にレジ。

ンが流れ、ボンディングワイヤ６が変形して倒れ。

でも、隣接するワイヤやチップ４のスクライブエア５リ
ヤと接触しない。

第６図に示したチップ４は以下のプロセスを経。

て得られた。すなわち、無機パッジベージ冒ン８゜のプ
ロセスまで経たウェーハー全面に、上記した。

ポリピフェニルイミド膜にシリコーン系接着剤を２（。

、約１０ｐｍ膜厚ラミネートしたドライフィルムをロー
ルコータ−により押圧し接層した。

ポリイミド用のネガレジストを塗布し、通常のＵＶ露光
、現象工程をへて、ボンディングパッド部５およびスク
ライブエリヤのみをヒドラジンでエッーチッグして露出
させ、レジスト除去およびダイン。

ング工程をへて、個々のチップ４を得た。

上述した各プロセスを経て得たパッケージにっ。

いて、−５５℃〜１５０℃の耐温度サイクル（各５０　
。

ｍｉｎ保持）試験を実施した結果、１０００サイクル伐
。

も金線断線やレジンクラックの不良が認められな。

かった。さらに、６５℃９５％ＲＨｖｃ放ｔｌ　Ｌ　１
９８ｈｒＭ湿。

させたパッケージを、２１５℃のペーパーリフロー炉に
９ｏＳ放置してレジンクラックの発生状況を調。

べたが、クラックの発生が認められなかった。へ。

らに、６５℃９５チ冊高温高湿放置試験、高温動作試。

験、ソフトエラー試験の各信頼性試験結果ともに。

従来の大きなパッケージに実装したものと比較し。

で、損色がないことがわかった。第７図は、チッ。

プとタブとの接続部の詳細を示す図である。タブ（・・
　１９・ −の製部と有機絶縁膜９とは、軟質の変性エポキシ系あ
るいはシリコーン樹脂系液状熱硬化型接着剤１１で接着
されている。

〔発明の効果〕

本発明によれば、パッケージ内部のリードをチップ表面
の有機絶縁膜上に配置できるので、チッ。

プの長辺、短辺にかかわらずチップ端とパッケ二ジ端と
の距離を１ｍｍ以下と短か（設計でき、太き。

なチップを小さなパッケージに収納できる効果が。

ある。さらに、リードのパッケージ内部の埋込ろ。

長さが長く、リード曲げ工程における機械的スト。

レスの影響に対して強く、界面剥離に対する信頼性が向
上する効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例に係る半導体装置を透視
したときの上面図、第２図は第１の実施例に係る半導体
装置を透視したときの側面図であ。 る。第５図は第１の実施例に係る半導体装置に桓けるチ
ップとリードとの接続部の詳細を示す、ワ。 イヤボンデインク部の側面図、第４図は、本発明（２・
　２０・ の第２の実施例に係る半導体装置を透視したときの上面
図、第５図は、第２の実施例に係る半導体装置を透視し
たときの側面図、第６図は、第２の実施例に係る半導体
装置におけるチップとリードとの接続部の詳細を示す、
ワイヤボンディング部−の側面図、第７図は、第２の実
施例に係る半導体装置におけるタブとチップとの接続部
の詳細を示。 す側面図である。 １・・・リード ２　°Ｊ　７″　　　　　　　　　　　　　　　　　　
１゜３・・・タブフリリード ４・・、　ＬＳＩチップ ５・・・ボンディングパッド ６・・・ボンディングワイヤ ７・・・モールドレジン　　　　　　　　　　、。 ８・・・無機バッジベージｌン膜 ９・・・有機絶縁膜 １０・・・接着剤 孕 第３図 γ＋１ ／　　　リード′２１５′　フ゛３　タブ′フンリード
′牛　乙５１九ア　　５　ボ゛〕ガ呪借ンド　２　ボ゛
二犬′ニブワイヤ７　　　モールｐ’シジ゛〉　　３　
　無機ｌＸも込もシ凧　７　有零咲糸Ｏ■Ａ更１０　才
し層青１１

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ＬＳＩチップのボンディングパッド部が該ＬＳＩチ
   ップの短辺２辺側に配置されており、該ＬＳＩチップの
   ボンディングパッド部以外の表面が絶縁膜で被覆されて
   おり、該絶縁膜上にリード部が配置され、該リード部と
   該ボンディングパッド部とがワイヤボンディングされて
   おり、該ＬＳＩチップの周囲をレジンで封止してなるこ
   とを特徴とする半導体装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、該絶縁膜がポリビ
   フェニルイミド系のポリイミド樹脂であることを特徴と
   する半導体装置。 ３、特許請求の範囲第１項において、該ＬＳＩチツプが
   、該絶縁腕を介してタブと接着されていることを特徴と
   する半導体装置。 ４、ウェーハ表面上に絶縁膜を張りつける工程とボンデ
   ィングパッド部およびスクライブ領域をエッチングして
   露出させる工程と、該ウェーハをダイシングしてＬＳＩ
   チップ化する工程と、該絶縁膜上にリードフレームを配
   置して押圧する工程と、該リードフレームとボンディン
   グパッド部とをワイヤボンディングする工程と、該　Ｌ
   ＳＩチップの周囲をレジンで封止する工程と、該リード
   フレームの切断と曲げ工程とを有することを特徴とする
   半導体装置の製造方法。 ５、特許請求の範囲第４項において、該リードフレーム
   の線膨張係数が、４．０×１０＾−＾６〜６．０×１０
   ＾−＾６℃＾−＾１の範囲の鉄、ニッケル系合金であり
   、該レジンが球状の石英フィラーを含み、該フィラーの
   含有量が７０ｖｏｌ％以上配合されている線膨張係数が
   １．２×１０＾−＾５℃＾−＾１以下のレジンであるこ
   とを特徴とする半導体装置の製造方法。