JPS6326848A - 光学的情報記録部材 - Google Patents
光学的情報記録部材Info
- Publication number
- JPS6326848A JPS6326848A JP61169703A JP16970386A JPS6326848A JP S6326848 A JPS6326848 A JP S6326848A JP 61169703 A JP61169703 A JP 61169703A JP 16970386 A JP16970386 A JP 16970386A JP S6326848 A JPS6326848 A JP S6326848A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- fluororesin
- optical information
- information recording
- recording member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビデオディスク、デジタルオーディオディス
ク、コンピュータメモリ用ディスク等の光学的情報記録
部材に関し、特にレーザーパワーを効率的に使用し記録
または記録消去ができる光学的情報記録部材に関するも
のである。
ク、コンピュータメモリ用ディスク等の光学的情報記録
部材に関し、特にレーザーパワーを効率的に使用し記録
または記録消去ができる光学的情報記録部材に関するも
のである。
高密度１ｃ情報を記録する部材として、半導体レーザー
を用いた光ディスクの研究開発が活発に行なわれている
。記録膜としては、レーザービームの熱によって旧変化
を生じさせるものが多い。材質としては、ＴｅＯｘ 、
Ｔｅ −（Ｊ−Ｓ？Ｌ−Ｇｅ 、 ５ｙＬ−Ｔｅ −
８ｅ 、 ｓｂ −８ｅ−Ｈ＋ 、 Ｂ１−８ｅ−Ｇｅ
、 Ｔｃ−８ｅ−Ｃｊａ等が見い出されている。これら
の記録膜では、加熱による反射率等の光学特１％の変化
を利用して情報を記録し−こいる。
を用いた光ディスクの研究開発が活発に行なわれている
。記録膜としては、レーザービームの熱によって旧変化
を生じさせるものが多い。材質としては、ＴｅＯｘ 、
Ｔｅ −（Ｊ−Ｓ？Ｌ−Ｇｅ 、 ５ｙＬ−Ｔｅ −
８ｅ 、 ｓｂ −８ｅ−Ｈ＋ 、 Ｂ１−８ｅ−Ｇｅ
、 Ｔｃ−８ｅ−Ｃｊａ等が見い出されている。これら
の記録膜では、加熱による反射率等の光学特１％の変化
を利用して情報を記録し−こいる。
加熱に半導体レーザー等を利用した場合、レーザー出力
は限られているためレーザーパワーを効率的に使用する
ことが必要である。
は限られているためレーザーパワーを効率的に使用する
ことが必要である。
そのためには、記録媒体に隣接させて熱絶縁性が良好な
弗素樹脂を設けることが望ましく、例えば、特開昭５５
−１＜５３６３９号公報には、記録膜圧弗素樹脂を隣接
させてなる光学記録部材について記載されている。また
、上記弗素樹脂は、耐熱性が良いために記録時の記録膜
あるいは基板の変形を防止できる利点がある。
弗素樹脂を設けることが望ましく、例えば、特開昭５５
−１＜５３６３９号公報には、記録膜圧弗素樹脂を隣接
させてなる光学記録部材について記載されている。また
、上記弗素樹脂は、耐熱性が良いために記録時の記録膜
あるいは基板の変形を防止できる利点がある。
一方、このような光学記録部材をディスクとして用いる
場合、上記弗素樹脂は通常スパッタあるいは蒸着等のド
ライプロセスで形成するため膜厚を厚（することがむず
かしく、該樹脂の上部に紫外線硬化樹脂等のような有機
保護膜をスピン塗布法などにより３０μｍ以上の厚さに
形成する必要があった。
場合、上記弗素樹脂は通常スパッタあるいは蒸着等のド
ライプロセスで形成するため膜厚を厚（することがむず
かしく、該樹脂の上部に紫外線硬化樹脂等のような有機
保護膜をスピン塗布法などにより３０μｍ以上の厚さに
形成する必要があった。
しかし、上記従来技術は弗素樹脂の上に上記有機保護膜
を形成する手段については配慮されておらず、弗素樹脂
と有機保護膜とのぬれ件の悪さにより、均一に有機保護
膜を塗布形成することができないという問題があった。
を形成する手段については配慮されておらず、弗素樹脂
と有機保護膜とのぬれ件の悪さにより、均一に有機保護
膜を塗布形成することができないという問題があった。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決し、
弗素樹脂の上に均一に有機保僅膜を設けた光学的情報記
録部材を提供することにある。
弗素樹脂の上に均一に有機保僅膜を設けた光学的情報記
録部材を提供することにある。
ディスク基板上に記録膜および弗素樹脂を形成するが、
弗素樹脂は上述したように、膜厚を厚くすることがむず
かしいため、保ａ膜としては不十分である。そのため、
該弗素樹脂の上に紫外、線硬化樹脂等の塗布型保護膜を
形成する必要がある。
弗素樹脂は上述したように、膜厚を厚くすることがむず
かしいため、保ａ膜としては不十分である。そのため、
該弗素樹脂の上に紫外、線硬化樹脂等の塗布型保護膜を
形成する必要がある。
ところが、弗素樹脂と上記塗布型保護膜とはぬれ性が悪
（、該保′護膜を均一に塗布できない問題点があり、本
発明者等は弗素樹脂の上部に無機材料からなる薄膜を設
けることにより上記問題点を解決できることを見い出し
たものである。
（、該保′護膜を均一に塗布できない問題点があり、本
発明者等は弗素樹脂の上部に無機材料からなる薄膜を設
けることにより上記問題点を解決できることを見い出し
たものである。
すなわち、本発明では、上記した目的を達成するため知
、弗素樹脂膜上圧有機保護膜を形成する際、該弗素樹脂
膜上に予め無機材料からなる薄膜を形成しておき、その
上に前記有機保護膜を形成するようにしたものである。
、弗素樹脂膜上圧有機保護膜を形成する際、該弗素樹脂
膜上に予め無機材料からなる薄膜を形成しておき、その
上に前記有機保護膜を形成するようにしたものである。
無機材料であれば、どの材料でも基本的には適するが、
耐熱性を考慮すると融点が４０００以上のＳｉＯ２，８
ＩｓＮａ、 Ｇｅ、 Ｓｉ、 Ａｎ、 Ｓｂ等がより適
する。
耐熱性を考慮すると融点が４０００以上のＳｉＯ２，８
ＩｓＮａ、 Ｇｅ、 Ｓｉ、 Ａｎ、 Ｓｂ等がより適
する。
無機材料は、スパッタあるいは蒸着等で弗素樹脂の上部
に形成する。ｉ＋ｔ？機材料と紫外線硬化樹脂とのぬれ
件は良好であり、該紫外線硬化樹脂保ぎΦ膜を均°−に
形成することができる。
に形成する。ｉ＋ｔ？機材料と紫外線硬化樹脂とのぬれ
件は良好であり、該紫外線硬化樹脂保ぎΦ膜を均°−に
形成することができる。
無機材料の膜厚としては、１０Ｘ〜１００００Ｘである
ことか望ましい。
ことか望ましい。
膜厚が１００００Ａ以上になると、無機材料は高い熱伝
導率を持つためて、記録膜が０凍的に昇温されなくなり
、記鍔感度が低下する間ζ質点がある。また、膜厚が１
０Ａ未満である場合は紫外線硬化樹脂が均一に形成でき
ない。
導率を持つためて、記録膜が０凍的に昇温されなくなり
、記鍔感度が低下する間ζ質点がある。また、膜厚が１
０Ａ未満である場合は紫外線硬化樹脂が均一に形成でき
ない。
弗素樹脂および無機杓料？Ｇけたディスク２こおいて、
高いＳＮ比を侮るためには、基板側から入射した再生光
波長において反射率が極小になるように、弗素樹脂およ
び無機材料の膜厚を設定しなければならない。ディスク
のＳＮ比は、記録前後での反射率変化比圧よって決定さ
れ、反射率変化比が大きいほどＳＮ比は高い。従って、
記録前または記録後のどちらかの状態において、再生光
波長で反射率が極小になるように弗素樹脂および無機材
料の膜厚を設定することは、高ＳＮ比を得るためには不
可欠である。無機材料の膜厚規定は上記で述べた。再生
光波長が８３０７Ｌｍでｊｌ（（機材料の膜厚を固定し
た場合、光の干渉効果によって、弗素樹脂の膜厚が変化
するとディスクの反射率が鼓打つ如く変化する。弗素樹
脂の膜厚は、周期的に変化する反射率が極小値を示すと
きの）膜厚に設定する必要がある１、 無機材料層の上に保畿膜として紫外線硬化樹脂を厚さ１
０μｆｆｉ〜４０．ｕｍ形成する。主に外気による記録
膜の腐食を防ぐためである。
高いＳＮ比を侮るためには、基板側から入射した再生光
波長において反射率が極小になるように、弗素樹脂およ
び無機材料の膜厚を設定しなければならない。ディスク
のＳＮ比は、記録前後での反射率変化比圧よって決定さ
れ、反射率変化比が大きいほどＳＮ比は高い。従って、
記録前または記録後のどちらかの状態において、再生光
波長で反射率が極小になるように弗素樹脂および無機材
料の膜厚を設定することは、高ＳＮ比を得るためには不
可欠である。無機材料の膜厚規定は上記で述べた。再生
光波長が８３０７Ｌｍでｊｌ（（機材料の膜厚を固定し
た場合、光の干渉効果によって、弗素樹脂の膜厚が変化
するとディスクの反射率が鼓打つ如く変化する。弗素樹
脂の膜厚は、周期的に変化する反射率が極小値を示すと
きの）膜厚に設定する必要がある１、 無機材料層の上に保畿膜として紫外線硬化樹脂を厚さ１
０μｆｆｉ〜４０．ｕｍ形成する。主に外気による記録
膜の腐食を防ぐためである。
以下、本発明の実施例を図面を用（・て詳細に説明する
。
。
第１図は、本発明の一実施例として光学的情報記録部材
（ディスク）の断面を模式的に示した断面図である。
（ディスク）の断面を模式的に示した断面図である。
本実施例ではトラッキング用およびアドレスビット用の
溝（図示せず）が設けであるＰＭＭＡ基板１上に、ｓｂ
−８ｅ −Ｂ ｉ系記録膜２．弗素樹脂膜６゜Ｓ ｉ
ｏ２膜４．有機保護膜５を順次形成した。
溝（図示せず）が設けであるＰＭＭＡ基板１上に、ｓｂ
−８ｅ −Ｂ ｉ系記録膜２．弗素樹脂膜６゜Ｓ ｉ
ｏ２膜４．有機保護膜５を順次形成した。
その形成は、次の様に行なった。先ず、ＰＭＭＡ基板１
を回転数２Ｏｒｐｍの回転治具に取り付け、真空度２ｘ
１０ｐａまで真空に引いた。次にＡｒガスを８４８ＣＣ
Ｍ、ガス圧０．７ｐａまで導入し、スパッタを行ない、
記録膜２の膜形成を行なった。レーザ７）は、５ｂ５０
Ｓｅ、５０とＢｉを用い、同時スパッタすることにより
非晶質で５ｂ５０Ｓｅ ４０Ｂｉ １０の膜組成で膜厚
約８００Ｘ形成した。その後、真空度２ Ｘ １０−’
ｐａまで真空に引いた後に、Ａｒガスを上記と同様に
導入し、テフロン−ＴＦＥ（三井フロロケミカル社製）
をターゲットとして弗素樹脂膜３を約２０００１形成し
た。Ｒ，Ｆ、入射電力は３００Ｗで約２０分間スパッタ
を行なった。その後、真空度２Ｘ１０ ｐａまで真空
に引いた後に、Ａｒガスを上記と貝様に導入し、Ｓ ｉ
０２をターゲットとして５ｉＯ２Ｊｉ４を約５ＯＡ形成
した。
を回転数２Ｏｒｐｍの回転治具に取り付け、真空度２ｘ
１０ｐａまで真空に引いた。次にＡｒガスを８４８ＣＣ
Ｍ、ガス圧０．７ｐａまで導入し、スパッタを行ない、
記録膜２の膜形成を行なった。レーザ７）は、５ｂ５０
Ｓｅ、５０とＢｉを用い、同時スパッタすることにより
非晶質で５ｂ５０Ｓｅ ４０Ｂｉ １０の膜組成で膜厚
約８００Ｘ形成した。その後、真空度２ Ｘ １０−’
ｐａまで真空に引いた後に、Ａｒガスを上記と同様に
導入し、テフロン−ＴＦＥ（三井フロロケミカル社製）
をターゲットとして弗素樹脂膜３を約２０００１形成し
た。Ｒ，Ｆ、入射電力は３００Ｗで約２０分間スパッタ
を行なった。その後、真空度２Ｘ１０ ｐａまで真空
に引いた後に、Ａｒガスを上記と貝様に導入し、Ｓ ｉ
０２をターゲットとして５ｉＯ２Ｊｉ４を約５ＯＡ形成
した。
几、Ｆ、入射電力はＩＫＩＭで約２０秒間ン、バッタを
行なった。その後、Ｘ窒装行からディスクを敗り出し紫
外線硬化樹脂を約３０．αｍの厚さにスピン塗布し、紫
外線を３０秒照射することにより硬化させた。弗素樹脂
膜５上に５ｉｏ２膜４を形成すること（（より、均一に
有機保護膜５を形成できた３ 尚、本実施例との比較例として、５ｉＯｚ ＩＮ ４を
形成することなしに、記録膜３の上部にｍ接させて架外
線硬化街脂をスピン塗布罠より形成した場合、その比較
例においては、紫外線硬化樹脂が、スピン塗布終了後す
ぐに分離し始め、樹脂の有る所と無い所が生じて、保護
膜としての効果が？）られなかった。
行なった。その後、Ｘ窒装行からディスクを敗り出し紫
外線硬化樹脂を約３０．αｍの厚さにスピン塗布し、紫
外線を３０秒照射することにより硬化させた。弗素樹脂
膜５上に５ｉｏ２膜４を形成すること（（より、均一に
有機保護膜５を形成できた３ 尚、本実施例との比較例として、５ｉＯｚ ＩＮ ４を
形成することなしに、記録膜３の上部にｍ接させて架外
線硬化街脂をスピン塗布罠より形成した場合、その比較
例においては、紫外線硬化樹脂が、スピン塗布終了後す
ぐに分離し始め、樹脂の有る所と無い所が生じて、保護
膜としての効果が？）られなかった。
第２図は本発明の池の実施例としての光学的情報記録部
材（ディスク）の断面を模式的に示した断面図である。
材（ディスク）の断面を模式的に示した断面図である。
本実施例では、ＰＭＭＡ基板１上に、弗素樹・盾膜３、
５ｂ−８ｅ−Ｂｉ系記録膜２．弗素樹脂’Ａ６１３ 、
ｓｉ ５Ｎ４ ｇ４、有機保護膜５を順次形成した。
５ｂ−８ｅ−Ｂｉ系記録膜２．弗素樹脂’Ａ６１３ 、
ｓｉ ５Ｎ４ ｇ４、有機保護膜５を順次形成した。
前述の実施例と異なる点は、基板１と記録膜２との間に
弗素樹脂膜３を設けた点と、無機材料膜４としてＳ ｉ
３Ｎ４膜を設けた点である。
弗素樹脂膜３を設けた点と、無機材料膜４としてＳ ｉ
３Ｎ４膜を設けた点である。
５ｒｓＮ４１漠４は、５Ｉ３Ｎｓをターゲットとして、
スパッタにより約５ＯＡ形成した。アルゴンガス圧０．
７ｐａ、 Ｒ，Ｆ、入射電力９００Ｗで約３０秒間スパ
ッタを行なうことにより形成した。その他の膜は、前述
の実施例に示した方法および膜厚で形成した。基板１と
記録膜２との間に弗素樹脂膜３を形成することにより、
記録感度が向上すると同時に基板１に形成しであるグル
ープおよびアドレスの熱変形を防止することができる。
スパッタにより約５ＯＡ形成した。アルゴンガス圧０．
７ｐａ、 Ｒ，Ｆ、入射電力９００Ｗで約３０秒間スパ
ッタを行なうことにより形成した。その他の膜は、前述
の実施例に示した方法および膜厚で形成した。基板１と
記録膜２との間に弗素樹脂膜３を形成することにより、
記録感度が向上すると同時に基板１に形成しであるグル
ープおよびアドレスの熱変形を防止することができる。
無機材料Ｓｉ ３Ｎ４１ｐＪ ４を形成することにより
、均一に有膿床護膜５を形成できた。
、均一に有膿床護膜５を形成できた。
第３図は、第１図に示した膜構成において、無機材料５
Ｌ０２膜厚を変えたときの、記録に必要なレーザーパワ
ーを規格化して表わしたものである。
Ｌ０２膜厚を変えたときの、記録に必要なレーザーパワ
ーを規格化して表わしたものである。
尚、弗素樹力旨膜３は２００ＯＡ形成した。
第５図に示す様て、５ｉ０２暎厚１００００Ａ（４近か
ら記録に必要なレーザーパワーが増加している。ＳＩ０
膜厚１０Ａ未満のときは、有機保Ｊ膜５が均一に形成で
きないことを考え合わせると、無機材料の膜厚は、ＩＯ
Ａ〜１００００Ａが適する。
ら記録に必要なレーザーパワーが増加している。ＳＩ０
膜厚１０Ａ未満のときは、有機保Ｊ膜５が均一に形成で
きないことを考え合わせると、無機材料の膜厚は、ＩＯ
Ａ〜１００００Ａが適する。
第４図は、第１図に示した膜構成において、弗素樹脂膜
３の膜厚を変えたときの光の反射率を示す。尚、Ｓ ｉ
Ｏ２膜４は５０ｘ形成した。また、光の波長は８５０７
Ｌｍである。
３の膜厚を変えたときの光の反射率を示す。尚、Ｓ ｉ
Ｏ２膜４は５０ｘ形成した。また、光の波長は８５０７
Ｌｍである。
第４図に示す様↓て、弗累樹１１Ｗ膜厚が変化した場合
、光の干渉効果により、光の反射蹴は仮打っ様ｒｃ変化
する。そして、弗素樹脂膜３の膜１！；ｔｖｓｏ。
、光の干渉効果により、光の反射蹴は仮打っ様ｒｃ変化
する。そして、弗素樹脂膜３の膜１！；ｔｖｓｏ。
Ｘ、 ２ｏａｏＸにした時、反射率は１）小値を示す。
高ＳＮ比を得るためには、記録前または記、緑後のどち
らかの状態のときに、再生光波長において反射率を極小
にする必要があるため、弁内樹脂膜３の膜厚は、そのこ
とを考盟して設矩しなければならない。従って、上記各
実施例では、そのことを考慮して弗素間脂膜３の膜厚を
２０Ｌ］ＯＡ ＶＣ設定した。しかしながら、無機材叫
の膜厚または打順により弗素傅・Ｉ脂膜３の設定膜厚は
変化するため、不発明では、弗素樹脂膜３の膜厚を上記
した実施例の値のみに限定するものではない。
らかの状態のときに、再生光波長において反射率を極小
にする必要があるため、弁内樹脂膜３の膜厚は、そのこ
とを考盟して設矩しなければならない。従って、上記各
実施例では、そのことを考慮して弗素間脂膜３の膜厚を
２０Ｌ］ＯＡ ＶＣ設定した。しかしながら、無機材叫
の膜厚または打順により弗素傅・Ｉ脂膜３の設定膜厚は
変化するため、不発明では、弗素樹脂膜３の膜厚を上記
した実施例の値のみに限定するものではない。
以上の様に１本発明によれば、弗素樹脂膜の上に均一に
有機保護膜を設けた光学的情報記録部材を実現できると
いう効果がある。
有機保護膜を設けた光学的情報記録部材を実現できると
いう効果がある。
第１図は本発明の一実施例とじ℃の光学的情報記録部材
の断面を模式的に示した断面図、第２図（゛４４本発明
池の実施例としての光学的情報記録部材の断面を模式的
に示した断面図、第３図は第１図におげろ５１０２膜厚
と記録規格化レーザーパワーとの関係を示す説明図、第
４図は第１図における゛髪素樹脂渓厚と反射率との関係
を示す説明図、である。 １・・・基板、２・・・記録膜、３・・・弗素樹脂膜、
４・・・無機材料層、５・・・有機保護膜、６・・・記
録規格化レザーパワー、７・・・反射率曲線。
の断面を模式的に示した断面図、第２図（゛４４本発明
池の実施例としての光学的情報記録部材の断面を模式的
に示した断面図、第３図は第１図におげろ５１０２膜厚
と記録規格化レーザーパワーとの関係を示す説明図、第
４図は第１図における゛髪素樹脂渓厚と反射率との関係
を示す説明図、である。 １・・・基板、２・・・記録膜、３・・・弗素樹脂膜、
４・・・無機材料層、５・・・有機保護膜、６・・・記
録規格化レザーパワー、７・・・反射率曲線。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光学的に透明な基板上に、レーザービームの照射に
より光学特性が変化する記録膜を形成し、その記録膜の
上に弗素樹脂膜を形成し、更にその上に有機保護膜を形
成して成る光学的情報記録部材において、 前記弗素樹脂膜上に有機保護膜を形成する際、該弗素樹
脂膜上に予め無機材料から成る薄膜を形成しておき、そ
の上に前記有機保護膜を形成するようにしたことを特徴
とする光学的情報記録部材。 ２、特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録部材に
おいて、無機材料から成る前記薄膜の膜厚を１０Å〜１
００００Åの範囲に設定するようにしたことを特徴とす
る光学的情報記録部材。 ３、特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録部材に
おいて、情報再生時に照射される前記レーザービームの
光波長での反射率が、極小値に近い値になる様に、前記
弗素樹脂膜および無機材料から成る薄膜の膜厚を設定す
るようにしたことを特徴とする光学的情報記録部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169703A JPS6326848A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 光学的情報記録部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169703A JPS6326848A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 光学的情報記録部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326848A true JPS6326848A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15891313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61169703A Pending JPS6326848A (ja) | 1986-07-21 | 1986-07-21 | 光学的情報記録部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326848A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421939A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光ディスク |
-
1986
- 1986-07-21 JP JP61169703A patent/JPS6326848A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0421939A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 光ディスク |
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