JPS6326931A - ガスプラズマｘ線発生装置 - Google Patents
ガスプラズマｘ線発生装置Info
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- JPS6326931A JPS6326931A JP61169043A JP16904386A JPS6326931A JP S6326931 A JPS6326931 A JP S6326931A JP 61169043 A JP61169043 A JP 61169043A JP 16904386 A JP16904386 A JP 16904386A JP S6326931 A JPS6326931 A JP S6326931A
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- electrode
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の概要〕
本発明は！ａ積回路製造時のりソグラフィ技術に利用さ
れるガスプラズマＸ線発生装置に於いて、Ｘ線と共に発
生する中性粒子、荷電粒子によってＸ線取り出し窓を構
成するベリリウム薄膜の破壊を防止するために、Ｘ線放
出方向と直交する方向からＸ線を吸収することのない高
速ガスを放出して中性粒子や荷電粒子を放散させること
でＸ線のみＸ線取り出し窓に向かわせるようにしたガス
プラズマＸ線発生装置を提供するものである。
れるガスプラズマＸ線発生装置に於いて、Ｘ線と共に発
生する中性粒子、荷電粒子によってＸ線取り出し窓を構
成するベリリウム薄膜の破壊を防止するために、Ｘ線放
出方向と直交する方向からＸ線を吸収することのない高
速ガスを放出して中性粒子や荷電粒子を放散させること
でＸ線のみＸ線取り出し窓に向かわせるようにしたガス
プラズマＸ線発生装置を提供するものである。
本発明はガスプラズマＸ線発生装置に係り、特に集積回
路用の露光装置に用いられるＸ線発生装置のＸ線取り出
し窓のダメージを防止する高速ガス放出手段に関する。
路用の露光装置に用いられるＸ線発生装置のＸ線取り出
し窓のダメージを防止する高速ガス放出手段に関する。
半導体築積回路の高集積化、高速化に伴って投影露光限
界が１〜２μｍとなり、軟Ｘ線の波長４〜１２人は紫外
線の波長などに比べて短いため回折、干渉の点で優れ、
Ｘ線露光技術の提案がなされているが、Ｘ線源、マスク
、レジスト等の開発が必要とされ、Ｘ線露光を用いたプ
ロセス技術の確立が要望されている。
界が１〜２μｍとなり、軟Ｘ線の波長４〜１２人は紫外
線の波長などに比べて短いため回折、干渉の点で優れ、
Ｘ線露光技術の提案がなされているが、Ｘ線源、マスク
、レジスト等の開発が必要とされ、Ｘ線露光を用いたプ
ロセス技術の確立が要望されている。
ガスプラズマＸ線発生装置に利用されるプラズマ線源は
高温、高密度のプラズマから制動放射、再結合放射等で
発生する軟Ｘ線を利用するものでプラズマ形成方法には
レーザ励起、ワ・イー・アレイ等の外にガスプラズマが
用いられている。
高温、高密度のプラズマから制動放射、再結合放射等で
発生する軟Ｘ線を利用するものでプラズマ形成方法には
レーザ励起、ワ・イー・アレイ等の外にガスプラズマが
用いられている。
このようなガスプラズマＸ線発生装置の従来の構成を第
４図について詳記する。第４図は従来のガスプラズマＸ
線発生装置の模式的側断面図であり、１は全体としてガ
スプラズマＸ線発生装置を示し、真空容ｒ５２は通常の
チャンバーと呼ばれるもので円筒状に構成され、上部に
は真空容器２と一体化された低圧電圧が印加される第２
の電極３が真空容器２と同心的に設けられ、リング状の
インシュレータ５を介して第２の電極３の内側に第１の
電極４が気密に′配設されている。該第１の電極は円柱
状部材で構成され、その内部にはガス通路８が設けられ
、ガス導入管６と第１の高速ガスバルブ７を介して円筒
状に形成したガス通路８から第２の主題３内にガスを放
出させる。９は円筒状の第１の電極と中空ノズル４を兼
用したガス通路８から放出されたガスを示し、１０は後
述するがピンチプラズマを示している。第２の電（雇３
の底部にはＸ線１１を通過させるためのアパチャー１２
が設けられ、更に第２の電極３の下端にはプラズマ反射
手段１３が設けられ、該プラズマ反射手段は第２の電極
３の底部に対して傾斜した傾斜部材１４が設けられ、同
じくアパチャー１５が傾斜部材に穿たれている。プラズ
マ反射手１１３のアパチャー１５を通過したＸ線１１は
真空容器２′の底部に形成されたＸ線取り出し窓１７を
通過し、Ｘ線マスク２０を通して試：＋”−１２１を露
光する。Ｘ線取り出し窓１７にはＸ線を通過する約２５
μｍ以下の薄膜からなるベリリウム膜１８が架張され、
Ｘ線取り出し窓の入口には荷電粒子除去用の偏向手段１
６が配設されている。
４図について詳記する。第４図は従来のガスプラズマＸ
線発生装置の模式的側断面図であり、１は全体としてガ
スプラズマＸ線発生装置を示し、真空容ｒ５２は通常の
チャンバーと呼ばれるもので円筒状に構成され、上部に
は真空容器２と一体化された低圧電圧が印加される第２
の電極３が真空容器２と同心的に設けられ、リング状の
インシュレータ５を介して第２の電極３の内側に第１の
電極４が気密に′配設されている。該第１の電極は円柱
状部材で構成され、その内部にはガス通路８が設けられ
、ガス導入管６と第１の高速ガスバルブ７を介して円筒
状に形成したガス通路８から第２の主題３内にガスを放
出させる。９は円筒状の第１の電極と中空ノズル４を兼
用したガス通路８から放出されたガスを示し、１０は後
述するがピンチプラズマを示している。第２の電（雇３
の底部にはＸ線１１を通過させるためのアパチャー１２
が設けられ、更に第２の電極３の下端にはプラズマ反射
手段１３が設けられ、該プラズマ反射手段は第２の電極
３の底部に対して傾斜した傾斜部材１４が設けられ、同
じくアパチャー１５が傾斜部材に穿たれている。プラズ
マ反射手１１３のアパチャー１５を通過したＸ線１１は
真空容器２′の底部に形成されたＸ線取り出し窓１７を
通過し、Ｘ線マスク２０を通して試：＋”−１２１を露
光する。Ｘ線取り出し窓１７にはＸ線を通過する約２５
μｍ以下の薄膜からなるベリリウム膜１８が架張され、
Ｘ線取り出し窓の入口には荷電粒子除去用の偏向手段１
６が配設されている。
なお、１９は真空容器２内を最適な真空状態に保つため
の真空ポンプである。
の真空ポンプである。
上記の真空容器構造に於いて、第１及び第２の電極４．
３間にはコンデンサ２６と放電スイッチ２７の直列回路
が接続され、該コンデンサ２６は主放電用のキ中バシタ
で放電スイッチ２７を閉じることによって第１の電１Ｎ
＋４と第２の電極３間で放電を起こさせて放電電流を流
すようにする。
３間にはコンデンサ２６と放電スイッチ２７の直列回路
が接続され、該コンデンサ２６は主放電用のキ中バシタ
で放電スイッチ２７を閉じることによって第１の電１Ｎ
＋４と第２の電極３間で放電を起こさせて放電電流を流
すようにする。
トリガ源２２からの電源によってパルプ電源２４が動作
し、第１の高速ガスバルブ７が開かれて矢印Ａで示す方
向から導入されたネオン（Ｎｅ）ガスの如きガスは第１
の高速ガスバルブ７を通って第１の電極４のガス通路８
から第２の電極３内部にガスを放出する。
し、第１の高速ガスバルブ７が開かれて矢印Ａで示す方
向から導入されたネオン（Ｎｅ）ガスの如きガスは第１
の高速ガスバルブ７を通って第１の電極４のガス通路８
から第２の電極３内部にガスを放出する。
このガス放出と同期してトリガ源２２からのトリガが第
１の遅延回路２３を介して高電圧トリガ源２５に与えら
れた電流に基づいて放電が行われる。すなわち、ガスの
放出と第１及び第２の電極に印加される放電電圧とは間
歇的な動作をおこなう−ごどになる。
１の遅延回路２３を介して高電圧トリガ源２５に与えら
れた電流に基づいて放電が行われる。すなわち、ガスの
放出と第１及び第２の電極に印加される放電電圧とは間
歇的な動作をおこなう−ごどになる。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記した構成によって第１の？Ｉｉ＋Ｍのガス通路８か
ら間歇的に放出されるＮｅガスは円筒状に放出されるが
、この時の放電電流によってガスはフレーミングの法則
による運動で中央に収束し、ピンチプラズマ１０を形成
する。このピンチプラズマ１０は流入するガスや波長に
よって異なるが直径１龍のプラズマでＮｅガスを用いて
波長１２人で出力１５０ＪＫｒガスを使用し波長７人で
出力２５Ｊ程度である。ピンチプラズマ１０からの制動
あるいは再結合放射でＸ線１１が放出されるが、ピンチ
プラズマ１０からのプラズマ飛沫や電極飛散物からなる
中性粒子２８及び荷電粒子２９が薄膜からなるベリリウ
ム膜１８に衝突してダメージを与え、破壊にいたる問題
がある。荷電粒子２９についてはＸ線取り出し窓１７の
入口に設けられた偏向手段１６によってベリリウム膜１
８に達する前にＸ線取り出し窓１７の側壁に衝突させて
吸収させることで、ある程度荷電粒子除去が可能である
。然し、中性粒子についてはプラズマ反射手段１３の傾
斜部材１４によって中性粒子２８を反射させて吸収させ
ているがアパチャー１５を通過した中性粒子２８は完全
にベリリウム膜１８に当たって充分な除去を行うことが
出来ない欠点があった。
ら間歇的に放出されるＮｅガスは円筒状に放出されるが
、この時の放電電流によってガスはフレーミングの法則
による運動で中央に収束し、ピンチプラズマ１０を形成
する。このピンチプラズマ１０は流入するガスや波長に
よって異なるが直径１龍のプラズマでＮｅガスを用いて
波長１２人で出力１５０ＪＫｒガスを使用し波長７人で
出力２５Ｊ程度である。ピンチプラズマ１０からの制動
あるいは再結合放射でＸ線１１が放出されるが、ピンチ
プラズマ１０からのプラズマ飛沫や電極飛散物からなる
中性粒子２８及び荷電粒子２９が薄膜からなるベリリウ
ム膜１８に衝突してダメージを与え、破壊にいたる問題
がある。荷電粒子２９についてはＸ線取り出し窓１７の
入口に設けられた偏向手段１６によってベリリウム膜１
８に達する前にＸ線取り出し窓１７の側壁に衝突させて
吸収させることで、ある程度荷電粒子除去が可能である
。然し、中性粒子についてはプラズマ反射手段１３の傾
斜部材１４によって中性粒子２８を反射させて吸収させ
ているがアパチャー１５を通過した中性粒子２８は完全
にベリリウム膜１８に当たって充分な除去を行うことが
出来ない欠点があった。
本発明は上記従来の欠点に鑑みなされたものであり、そ
の目的とするところは中性粒子がＸ線取り出し窓に設け
たベリリウム膜を傷つけることのない高速ガス流放出手
段を設け、中性粒子及び荷電粒子をガス流によって飛散
させるようにしたものであり、その手段は真空容器中に
配されたガス注入ノズル兼用の第１の電極と、該第１の
電極と対向配置された第２の電極と、上記第１の電極に
間歇的にガスを注入するガス注入手段と、上記第１と第
２の、電極間に放電を起こす放電手段とを有、シ（゛上
記第１及び第２の電極間にピンチプラズマを生成し、該
ピンチプラズマからの放出Ｘ線を上社真空容器に設けた
Ｘ線取り出し窓から取り出すＸ線発生装置に於いて、上
記第２の電極とＸ線取り出し窓間に配された高速ガス流
発生手段を有し、上記ピンチプラズマからのＸ線放出方
向と直交する方向に上記ガス流発生手段からガスを放出
させてなることを特徴とするガスプラズマＸ線発生装置
によって達成される。
の目的とするところは中性粒子がＸ線取り出し窓に設け
たベリリウム膜を傷つけることのない高速ガス流放出手
段を設け、中性粒子及び荷電粒子をガス流によって飛散
させるようにしたものであり、その手段は真空容器中に
配されたガス注入ノズル兼用の第１の電極と、該第１の
電極と対向配置された第２の電極と、上記第１の電極に
間歇的にガスを注入するガス注入手段と、上記第１と第
２の、電極間に放電を起こす放電手段とを有、シ（゛上
記第１及び第２の電極間にピンチプラズマを生成し、該
ピンチプラズマからの放出Ｘ線を上社真空容器に設けた
Ｘ線取り出し窓から取り出すＸ線発生装置に於いて、上
記第２の電極とＸ線取り出し窓間に配された高速ガス流
発生手段を有し、上記ピンチプラズマからのＸ線放出方
向と直交する方向に上記ガス流発生手段からガスを放出
させてなることを特徴とするガスプラズマＸ線発生装置
によって達成される。
本発明のガスプラズマＸ線発生装置はピンチプラズマか
ら発生するＸ線以外の中性粒子、荷電粒子のみを飛散さ
せ、Ｘ線は放出ガスによって吸収されないようなヘリウ
ムガス等を選択しであるのでＸ線はＸ線取り出し窓から
取り出され、中性粒子や荷電粒子によってベリリウム膜
にダメージを与えることはない。
ら発生するＸ線以外の中性粒子、荷電粒子のみを飛散さ
せ、Ｘ線は放出ガスによって吸収されないようなヘリウ
ムガス等を選択しであるのでＸ線はＸ線取り出し窓から
取り出され、中性粒子や荷電粒子によってベリリウム膜
にダメージを与えることはない。
以下、本発明の一実施例を第１図乃至第３図について詳
記する。第１図は本発明のガスプラズマＸ線発生装置の
模式図、第２図はイー発明に用いられる高速ガスバルブ
の一実施例を示す原理的側断面図、第３図は本発明のガ
スプラズマＸ線発生装置の高速バルブと放電スイッチに
与えるトリガパルスのタイミングを示すタイミング波形
図である。
記する。第１図は本発明のガスプラズマＸ線発生装置の
模式図、第２図はイー発明に用いられる高速ガスバルブ
の一実施例を示す原理的側断面図、第３図は本発明のガ
スプラズマＸ線発生装置の高速バルブと放電スイッチに
与えるトリガパルスのタイミングを示すタイミング波形
図である。
第１図の構成で第４図と同一部分には同一符号を付して
重複説明を省略するが、真空容２″Ｊ２の側壁部に高速
ガス流発生手段３ｏを設ける。
重複説明を省略するが、真空容２″Ｊ２の側壁部に高速
ガス流発生手段３ｏを設ける。
該高速ガス流発生手段３０は第２の電１へ３の底部と真
空容器２の底部に形成されたＸ線取り出し窓１７との間
に配設される。該高速ガス流発生１段３０はガス槽３１
からの例えばＨｅ （ヘリウム）ガスのようにＸ線を
吸収しないガスがガス導入管３５を通じて第２の高速ガ
スバルブ３２を通じてノズル３３の透孔３４がら放出さ
れる。ノズル３３は真空容器２のＸ線放出通路近傍迄延
設されピンチプラズマ１０から飛散する中性粒子２８、
荷電粒子２つ、プラズマ飛沫３８等を矢印で示すように
吹き飛ばす。このために第２の高速ガスバルブ３２を「
オン」させるため第２の遅延回路３Ｇとバルブ電源３゛
７を通じてトリガ源２２の電圧を印加させる。
空容器２の底部に形成されたＸ線取り出し窓１７との間
に配設される。該高速ガス流発生１段３０はガス槽３１
からの例えばＨｅ （ヘリウム）ガスのようにＸ線を
吸収しないガスがガス導入管３５を通じて第２の高速ガ
スバルブ３２を通じてノズル３３の透孔３４がら放出さ
れる。ノズル３３は真空容器２のＸ線放出通路近傍迄延
設されピンチプラズマ１０から飛散する中性粒子２８、
荷電粒子２つ、プラズマ飛沫３８等を矢印で示すように
吹き飛ばす。このために第２の高速ガスバルブ３２を「
オン」させるため第２の遅延回路３Ｇとバルブ電源３゛
７を通じてトリガ源２２の電圧を印加させる。
第２の高速ガスバルブ３２ば第２図に示すようにガス導
入管３５とノズル３３間にトラップ部３９を有し、該ト
ラップ部内には非磁性体のアルミニウム等からなる円盤
状の弁４２が配設されスプリング４１によってガス導入
管３５を閉塞するような偏倚力が与えられている。パル
プｆｆ１Ｎ３’ｙからソレノイド４０に電流を流ずこと
で生ずる磁界によって円盤状の弁４２に渦電流を生じス
プリング４１の偏倚力に抗して一点鎖線で示す方向に弁
４２を押圧し、ガス槽３１からのＨｅガスをノズル３３
の透孔３４から真空容器２内に放出する。
入管３５とノズル３３間にトラップ部３９を有し、該ト
ラップ部内には非磁性体のアルミニウム等からなる円盤
状の弁４２が配設されスプリング４１によってガス導入
管３５を閉塞するような偏倚力が与えられている。パル
プｆｆ１Ｎ３’ｙからソレノイド４０に電流を流ずこと
で生ずる磁界によって円盤状の弁４２に渦電流を生じス
プリング４１の偏倚力に抗して一点鎖線で示す方向に弁
４２を押圧し、ガス槽３１からのＨｅガスをノズル３３
の透孔３４から真空容器２内に放出する。
第２の高速ガスバルブ３２を開（ためにはピンチプラズ
マ１０が生成された時点に同期してガスを放出させるを
可とするすなわち、トリガ源２２からバルブ電源２４に
第３図（ａｌに示すパルス電流Ｐ１を流して第１の高速
ガスバルブ７が開きＮｅガスが第１の電極４のガス通路
８から放出されるまでの例えば１００μ３程度の時間を
第１の遅延回路２３でとった後に高電圧トリガ源２５か
ら放電スイッチ２７の放電極に第３図（ｂ）に示すパル
スＰ２を加えて放電状態とし放電スイッチの抵抗を零と
することで第１及び第２の電極４．３間にコンデンサ２
６に充電されていた電荷が放電し、円筒状のガス９はピ
ンチプラズマ１０となっ°ζＸ線１１を放出する。この
放出された瞬間に第２の高速ガスバルブ３２を開くよう
に第２の遅延回路３６の遅延量を定める。これらの値は
実験的に求めることになるが１００ｎａ程度の時間であ
る。すなわち第３図（Ｃ）の電流パルスＰ３によって第
２の高速ガスバルブ３２は開かれることになる。
マ１０が生成された時点に同期してガスを放出させるを
可とするすなわち、トリガ源２２からバルブ電源２４に
第３図（ａｌに示すパルス電流Ｐ１を流して第１の高速
ガスバルブ７が開きＮｅガスが第１の電極４のガス通路
８から放出されるまでの例えば１００μ３程度の時間を
第１の遅延回路２３でとった後に高電圧トリガ源２５か
ら放電スイッチ２７の放電極に第３図（ｂ）に示すパル
スＰ２を加えて放電状態とし放電スイッチの抵抗を零と
することで第１及び第２の電極４．３間にコンデンサ２
６に充電されていた電荷が放電し、円筒状のガス９はピ
ンチプラズマ１０となっ°ζＸ線１１を放出する。この
放出された瞬間に第２の高速ガスバルブ３２を開くよう
に第２の遅延回路３６の遅延量を定める。これらの値は
実験的に求めることになるが１００ｎａ程度の時間であ
る。すなわち第３図（Ｃ）の電流パルスＰ３によって第
２の高速ガスバルブ３２は開かれることになる。
なお、上記第１図の実施例では第４図に示したプラズマ
反射手段１３を設けない場合を説明したが、この手段は
本発明の高速ガス流発生手段と共に必要に応じて設ける
ことも出来る。
反射手段１３を設けない場合を説明したが、この手段は
本発明の高速ガス流発生手段と共に必要に応じて設ける
ことも出来る。
本発明は上記の如く構成し、且つ動作させたのでＸ線発
生時に生ずる中性粒子や荷電粒子或いはフーラ、ズ４７
飛沫を吹き飛ばして、Ｘ線取り出し窓のベリリウム膜に
ダメージを与えることのないガスプラズマＸ線発生装置
が得られる。
生時に生ずる中性粒子や荷電粒子或いはフーラ、ズ４７
飛沫を吹き飛ばして、Ｘ線取り出し窓のベリリウム膜に
ダメージを与えることのないガスプラズマＸ線発生装置
が得られる。
第１図は本発明のガスプラズマＸ線発生装置の１莫弐図
、 第２図は本発明に用いられている高速ガスノ＜ルブ側断
面図、 第３図（ａｌ、 （ｂ）、 （Ｃ）は本発明の高速ガス
ノ＜）レブと放電スイッチパルスのタイミングを示す波
形図、第４図は従来のガスプラズマＸ線発生装置の模式
図である。 １・・・ガスプラズマ発生装置、 ２・・・真空容器、 ３・・・第２の電極、 ４・・・第１の電極、 ５・・・インシュレータ、 ６・・・ガス導入管、 ７・・・第１の高速ガスバルブ、 ８・・・ガス通路、 ９・・・ガス、 １０・・・ピンチプラズマ、 １１・・・Ｘ線、 １２・・・アパチャー、７ １３・・・プラズマ反射手段、 １４・・・１頃斜部材、 １５・・・アパチャー、 １６・・・偏向手段、 １７・・・Ｘ線取り出し窓、 １８・・・ベリリウム膜、 １９・・・真空ポンプ、 ２０・・・マスク、 ２１・・・試料、 ２２・ ・・トリガ源、 ２３・・・第１の遅延回路、 ２４・・・パルプ電源、 ２５・・・高電圧トリガ源、 ２６・・・コンデンサ、 ２７・・・放電スイッチ、 ２８・・・中性粒子、 ２９・・・荷電粒子、 ３０・・・高速ガス流発生手段、 ３１・・・ガス槽、 ３２・・・第２の高速ガスバルブ、 ３３・・・ノズル、 ３４・・・透孔、 ３５・・・ガス導入管、 ３６・・・第２の遅延回路、 ３７・・・パルプ電源、 ３８・・・プラズマ飛沫、 ３９・・・トラップ部、 ４０・・・ソレノイド。 特許出願人 富士通株式会社 ホそ日月の＃ｌ遠つ゛スバル７′報′１虐蛸゛命図第２
図
、 第２図は本発明に用いられている高速ガスノ＜ルブ側断
面図、 第３図（ａｌ、 （ｂ）、 （Ｃ）は本発明の高速ガス
ノ＜）レブと放電スイッチパルスのタイミングを示す波
形図、第４図は従来のガスプラズマＸ線発生装置の模式
図である。 １・・・ガスプラズマ発生装置、 ２・・・真空容器、 ３・・・第２の電極、 ４・・・第１の電極、 ５・・・インシュレータ、 ６・・・ガス導入管、 ７・・・第１の高速ガスバルブ、 ８・・・ガス通路、 ９・・・ガス、 １０・・・ピンチプラズマ、 １１・・・Ｘ線、 １２・・・アパチャー、７ １３・・・プラズマ反射手段、 １４・・・１頃斜部材、 １５・・・アパチャー、 １６・・・偏向手段、 １７・・・Ｘ線取り出し窓、 １８・・・ベリリウム膜、 １９・・・真空ポンプ、 ２０・・・マスク、 ２１・・・試料、 ２２・ ・・トリガ源、 ２３・・・第１の遅延回路、 ２４・・・パルプ電源、 ２５・・・高電圧トリガ源、 ２６・・・コンデンサ、 ２７・・・放電スイッチ、 ２８・・・中性粒子、 ２９・・・荷電粒子、 ３０・・・高速ガス流発生手段、 ３１・・・ガス槽、 ３２・・・第２の高速ガスバルブ、 ３３・・・ノズル、 ３４・・・透孔、 ３５・・・ガス導入管、 ３６・・・第２の遅延回路、 ３７・・・パルプ電源、 ３８・・・プラズマ飛沫、 ３９・・・トラップ部、 ４０・・・ソレノイド。 特許出願人 富士通株式会社 ホそ日月の＃ｌ遠つ゛スバル７′報′１虐蛸゛命図第２
図
Claims (4)
- （１）真空容器２中に配されたガス注入ノズル兼用の第
１の電極４と、 該第１の電極と対向配置された第２の電極３と、上記第
１の電極４に間歇的にガスを注入するガス注入手段と、 上記第１と第２の電極間に放電を起こす放電手段とを有
し、 上記第１及び第２の電極間にピンチプラズマ１０を生成
し、 該ピンチプラズマ１０からの放出Ｘ線１１を上記真空容
器２に設けたＸ線取り出し窓１７から取り出すＸ線発生
装置に於いて、 上記第２の電極３とＸ線取り出し窓１７間に配された高
速ガス流発生手段３０を有し、上記ピンチプラズマ１０
からのＸ線放出方向と直交する方向に上記ガス流発生手
段３０からガスを放出させてなることを特徴とするガス
プラズマＸ線発生装置。 - （２）前記高速ガス流発生手段３０から放出させるガス
と前記第１の電極４に間歇的に注入するガスを同期して
流す同期手段を有することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のガスプラズマＸ線発生装置。 - （３）前記高速ガス流発生手段３０から放出するガスは
前記ピンチプラズマ１０から発生するＸ線１１を吸収し
ないガスであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載のガスプラズマＸ線発生装置。 - （４）前記Ｘ線１１を吸収しないガスがヘリウムガスで
あることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載のガス
プラズマＸ線発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169043A JPS6326931A (ja) | 1986-07-19 | 1986-07-19 | ガスプラズマｘ線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61169043A JPS6326931A (ja) | 1986-07-19 | 1986-07-19 | ガスプラズマｘ線発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6326931A true JPS6326931A (ja) | 1988-02-04 |
Family
ID=15879259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61169043A Pending JPS6326931A (ja) | 1986-07-19 | 1986-07-19 | ガスプラズマｘ線発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6326931A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112859547A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-05-28 | 芶富均 | 一种强脉冲极紫外光源系统 |
| JP2021189454A (ja) * | 2020-06-03 | 2021-12-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ放射線源、ｅｕｖ放射線源のためのインサート、および、ｅｕｖ放射線源のためのインサートのためのインサート |
-
1986
- 1986-07-19 JP JP61169043A patent/JPS6326931A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2021189454A (ja) * | 2020-06-03 | 2021-12-13 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Ｅｕｖ放射線源、ｅｕｖ放射線源のためのインサート、および、ｅｕｖ放射線源のためのインサートのためのインサート |
| US11550225B2 (en) | 2020-06-03 | 2023-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV radiation source, insert for an EUV radiation source and insert for an insert for an EUV radiation source |
| CN112859547A (zh) * | 2021-03-22 | 2021-05-28 | 芶富均 | 一种强脉冲极紫外光源系统 |
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