JPH0373101B2

JPH0373101B2 -

Info

Publication number: JPH0373101B2
Application number: JP61012105A
Authority: JP
Inventors: Yasunao Saito; Ikuo Okada; Hideo Yoshihara
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: NTT Inc
Priority date: 1986-01-24
Filing date: 1986-01-24
Publication date: 1991-11-20
Also published as: JPS62172648A

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は真空中でプラズマを形成し、このプラ
ズマから発生する軟Ｘ線を所望の雰囲気中に取り
だすＸ線発生装置に関するものである。

［従来の技術］集積回路の高密度化に伴い、微細高精度な転写
技術が必要であり、その一方法としてＸ線露光法
がある。従来、Ｘ線露光装置のＸ線源としては、
アルミニウム、シリコン、パラジウム等の金属に
電子線を照射してＸ線を発生させる電子線励起方
式が使用されていたが、Ｘ線発生効率が10^-4台と
低く、高出力のＸ線が得られず、生産性が低いと
いう問題があつた。この問題を解決するＸ線源と
して、電子線励起方式に比べて、Ｘ線発生効率が
高く、高出力のＸ線を得ることが期待できるプラ
ズマＸ線発生装置がある。プラズマＸ線発生装置
には、ポリエチレン細管放電、プラズマフオーカ
ス、ガス注入放電等があるが、ポリエチレン細管
放電では、ポリエチレンが蒸発して高密度プラズ
マを形成し、長波長のＸ線しか発生しないので、
Ｘ線露光には適さない。また、プラズマフオーカ
スでは、沿面放電を用いているために沿面が汚染
し、Ｘ線出力安定性が悪いという問題がある。こ
れらのプラズマＸ線源に比べ、ガス注入型放電法
はＸ線露光に適した波長が得られ、Ｘ線出力安定
性が良い。

第１３図に従来のガス注入形プラズマＸ線発生
装置を用いたＸ線露光装置の一例を示す。図にお
いて、１は真空容器、２は真空室、３は真空ポン
プ、４は上部電極で電極部４Ａと電極支持部４Ｂ
とからなつている。電極部４Ａにはガス通路４Ｃ
が設けられている。また電極支持部４Ｂにはガス
溜め５Ａ、ピストン５Ｂを備えた高速開閉ガスバ
ルブ５が設けられている。ガス溜め５Ａと電極部
４Ａ内のガス通路４Ｃはガス通路５Ｃで連結され
ている。ピストン５Ｂの駆動装置は図示を省略し
てある。６は下部電極で、上部電極の電極部４Ａ
と対向する電極部６Ａ、電極支持部６Ｂからなつ
ている。電極部６Ａはメツシユまたは孔を有して
いる。支持部６Ｂは導電性材料からなり、排気の
ための孔６Ｃを有している。７はガス通路４Ｃか
ら噴出されたガス塊、８はピンチしたプラズマ、
９は発生したＸ線、１０は粒子群、１１はＸ線取
出し窓、１２はマスク、１３はウエハ、１４は２
個の永久磁石からなる荷電粒子除去器、１５は上
部電極４、下部電極６、真空容器１を絶縁する絶
縁体である。１６はコンデンサで下部電極６はリ
ード線１８を介してコンデンサ１６に接続されて
いる。１７は放電スイツチで、一端はコンデンサ
１６に、他端は上部電極４に接続されている。

ガス注入放電を起すには、真空室２を真空ポン
プ３により、10^-5〜10^-6Torr程度まで排気し、
ガスボンベ１９から、ネオンやクリプトン等の放
電ガスを高速開閉ガスバルブ５へ導入する。つぎ
に、充電電源２０によりコンデンサ１６を充電し
たあと、信号発生装置２１の信号により、高速開
閉ガスバルブ５の電源２２を動作させ、高速開閉
ガスバルブ５を駆動し、高電圧が印加される上部
電極４の電極部４Ａと対向する下部電極６の電極
部６Ａの間にガス塊７を形成する。同時に信号発
生装置２１の信号は、上部電極部４Ａと下部電極
部６Ａの間に放電用ガスが注入される時間と放電
開始の時間とが一致するように設定された遅延パ
ルサ２３を通つて、高電圧パルス発生装置２４に
入力され、高電圧パルスで放電スイツチ１７を動
作させ、絶縁体１５で絶縁されている上部電極４
と下部電極６の間に高電圧を印加し、ガス塊７を
電離して円柱状のプラズマを生成する。さらに、
円柱状プラズマの中心軸方向（以後、プラズマ軸
方向という）に沿つて流れる電流の作る磁場とプ
ラズマ中のイオン・電子の相互作用によりプラズ
マを収束させ、プラズマを圧縮し、高温高密度プ
ラズマ８を生成する。この高温高密度プラズマ８
中のイオンと電子の相互作用でＸ線９を発生させ
る。高温高密度プラズマ８からは、Ｘ線の他に光
等の電磁波やイオン、電子などの荷電粒子および
高温ガスからなる粒子群１０が放出され、とく
に、電極の中心軸方向には高エネルギの粒子群１
０が大量に放射される。

Ｘ線源径が小さく微細パタン転写に適するプラ
ズマ軸方向露光では、プラズマ軸方向に飛来する
大きなエネルギを持つた粒子、光等によるＸ線取
出し窓１１の損傷が大きくなる。プラズマ軸方向
露光に際して荷電粒子による損傷をさけるため
に、従来、第１３図に示すように、ピンチしたプ
ラズマ８とＸ線取出し窓１１の間に、荷電粒子除
去器１４を挿入し、荷電粒子除去器の磁場により
荷電粒子を除去する方法が用いられていた。しか
し、ガス注入路を有する上部電極に反射された荷
電粒子はほとんどＸ線取出し窓方向に放射される
ため、Ｘ線取出し窓方向の荷電粒子が極端に増大
し、荷電粒子除去器のみでは、荷電粒子を完全に
除去できない。そのため、膜厚の厚いベリリウム
等のＸ線取出し窓を用いることでＸ線取出し窓１
１の損傷を防止していた。そのため、Ｘ線取出し
効率が悪く、Ｘ線露光に要する時間が長くなつ
て、スループツトが低下する問題があつた。

１回の露光に際し、露光むらをさけるため、通
常10ないし20シヨツトの繰返し放電を行つてい
る。繰返し放電は排気、ガス注入、放電を繰返す
のであるが、従来の装置では放電の繰返し速度を
速くすると、放電電極部４Ａ，６Ａ付近のガス抜
きが不充分となり、電極部４Ａ，６Ａ以外の部分
で放電する異常放電が起り易く、Ｘ線出力が低下
するので、安定なＸ線出力を得るためには、１Hz
程度の繰返し速度で使用しなければならず、スル
ープツトの向上が望めなかつた。

またプラズマがピンチし崩壊したときに、上部
電極に衝突し反射されたガスがＸ線取出し窓方向
に放射されるため、高繰返し放電時には、Ｘ線取
出し窓方向のガスの排気が不充分となり、それら
のガスによりＸ線取出し窓方向のＸ線が減衰す
る。たとえば、第１４図に示すように、波長12Å
のＸ線では、下部電極中心付近に厚さ１〜２cm程
度で70Torrのネオンガスが存在すると、Ｘ線出
力は1/2程度に低下する。

さらに、プラズマ軸方向には、高温、高密度の
プラズマが放出されるため、上部電極の中心部
は、消耗が激しくなる等の問題があつた。

また、他の露光装置として、荷重粒子、高温ガ
スなどの粒子群の影響を避けるため、粒子群１０
のプラズマ径方向への放射が軸方向の1/100〜1/1
０００であるのを利用して、第１５図のようにＸ線
取出し窓１１、マスク１２、ウエハ１３等はピン
チしたプラズマ８の径方向に設置し、Ｘ線取出し
窓１１からＸ線を取出して露光させる装置があ
る。なお第１５図では放電用ガス供給系、放電の
ための電気系は図示を省略してある。第１６図は
Ｘ線マスクの設置されているＸ線源の径方向から
撮影したＸ線ピンホール写真によるＸ線源の形状
である。このような径方向露光では、マスク・ウ
エハ間隔を10〜20μｍとしてプロキシミテイ露光
を行つた場合には、第１７図に示すようにピンチ
したプラズマすなわちＸ線源の長さｄとＸ線源距
離Ｄ、ウエハ・マスク間隔ｓで決まる半影ぼけδ
＝ds／Ｄが大きくなるため、微細パタン転写は不
可能であつた。

［発明が解決しようとする問題点］本発明は、半影ぼけの少ないプラズマ軸方向取
出しのＸ線発生装置における上述した欠点、すな
わち荷電粒子、高温ガスなどの粒子群によるＸ
線取出し窓および上部電極の損傷、高速繰返し
放電時のＸ線出力の不安定性、ガスによるＸ線
出力の減衰、を改善し、Ｘ線取出し窓の薄膜化、
Ｘ線露光の高速化、高速繰返し露光の可能なＸ線
発生装置を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］このような目的を達成するために、本発明のＸ
線発生装置においては、プラズマ形成のための対
向する１組の電極の一方に放電用ガス注入のため
のガス通路が設けられており、１組の電極のそれ
ぞれには、一端が各電極の対向面に開口した他端
がそれぞれの電極の対向面以外の面に開口して真
空に連なる貫通孔が少なくとも１個設けられてい
る。

［作用］プラズマを形成させるための１組の放電電極
に、一端が両電極の対向面に開口し、他端が対向
面以外の面に開口して真空に連なる貫通孔を設け
ることにより、プラズマから発生するイオンや電
子、高温ガス等によるＸ線取出し窓の損傷を小さ
くでき、薄膜のＸ線取出し窓が使用できると同時
にＸ線源距離を小さくできるため、プラズマから
発生するＸ線を高効率で利用できる。また高速繰
返し露光が可能になる。

［実施例］以下に図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。

実施例１第１図に本発明のＸ線発生装置の実施例を用い
たＸ線露光装置の例を示す。図においては第１２
図に示した従来例と同一または類似の部分は同一
番号を付して説明を省略する。本実施例が従来例
と最も異なるのは、上部電極４に、一端が電極部
４Ａの下部電極６の電極部６Ａと対向する面に開
口し、他端が電極支持部４Ｂの側面に開口する貫
通孔３１が設けられている点である。貫通孔３１
の全ての端部が真空室内に開口するように、上部
電極４が真空室２内に深く挿入され、下部電極支
持部６Ｂの形状も上部電極４に合わせてある。上
部電極４と下部電極６との間の空間は孔６Ｃを通
して真空ポンプ３により排気される。第２図は第
１図の上部電極支持部４ＢのＸ−Ｘ線に沿つた断
面を示す図である。この図では貫通孔３１は電極
部４Ａの中心部から上方に延び、支持部４Ｂ内で
３方向に分岐して支持部４Ｂの側面の３個所に開
口している例を示してあるが、分岐は３方向には
限られず、また分岐を有しなくてもよい。５Ｃは
ガス溜め５Ａと電極部４Ａ内のガス通路４Ｃを結
ぶガス通路である。第２図ではガス通路５Ｃ，４
Ｃを多数の円管状通路で形成した例を示したが、
ガス通路５Ｃ，４Ｃは断面が円弧状の複数通路で
形成してもよく、貫通孔３１が分岐を有しない場
合は断面が円環状であつてもよい。

第１図に示した実施例を動作させるには、先に
述べた従来例を動作させるのと同様にして行う。
すなわち、真空室２内を10^-5〜10^-6Torr程度に
排気し、電極部４Ａ，６Ａ間にガスを注入してガ
ス塊７を形成し、両電極間に高電圧を印加して放
電を起させ、プラズマ８を形成してＸ線９を発生
させる。電極部４Ａ，６Ａには例えば、銅、銅−
タングステン合金などを使用する。１回の放電に
おけるＸ線の発生時間は1μ秒またはそれ以下で
ある。排気−ガス注入−放電−Ｘ線発生のサイク
ルを繰返して露光作業を行う。

電極間でピンチしたプラズマ８からＸ線９の他
に高密度プラズマの崩壊過程で生ずるイオンや電
子、高温ガス等の粒子群１０が放出される。Ｘ線
がプラズマの各点から周囲へほぼ等方的に放射さ
れるのに対し、イオン、電子、高温ガス等はプラ
ズマ軸方向を中心に放出させる。本発明では、プ
ラズマ軸方向のガス注入側の上部電極４にも貫通
孔３１を有しているため、ピンチしたプラズマ８
から発生する粒子群は、Ｘ線取出し窓１１方向だ
けでなく、上部電極４側にも吸収される。第３図
Ａ，Ｂはマスク１２の位置にフアラデーカツプを
置いて、Ｘ線取出し窓方向に放出されるイオンに
よる起電力を測定した結果を示す。第３図Ａは従
来の電極を用いた場合、同図Ｂは第１図の実施例
に示す貫通孔３１を有する本発明の上部電極４を
用いた場合の結果である。明らかに貫通孔３１を
有する電極の方が、粒子群の一部であるイオンが
減少していることがわかる。本発明では、第３図
に示すように、Ｘ線取出し窓方向への粒子群は減
少し、Ｘ線取出し窓１１の損傷も少なくなる。し
たがつて、Ｘ線取出し窓１１の薄膜化が可能にな
り、Ｘ線取出し効率がよくなるため、スループツ
トの向上に役立つ。

先に述べたように、Ｘ線露光のための繰返し放
電に際して、電極間に注入したガス急速に排気す
る必要がある。排気が不充分だと異常放電が起り
易くなり、Ｘ線の出力が低下する。第４図は繰返
し放電の速さとＸ線出力との関係を調べた結果で
あつて、曲線ａは従来の電極を用いた場合、曲線
ｂは貫通孔３１を有する上部電極を用いた本発明
のＸ線発生装置の場合である。従来のＸ線発生装
置では繰返し放電を３Hzで行うと、Ｘ線出力は１
Hzの時の約80％に低下する。これに対し、本実施
例の装置では、上部電極４に電極部４Ａの下部電
極との対向面に開口を有する貫通孔３１が設けら
れているので、ピンチしたプラズマが上部電極に
衝突し反射することがなく、そのまま排気される
ため、電極付近のガスの排気が速くなり、３Hz程
度の高速運転でも異常放電を起すことなく１Hzと
同様なＸ線出力が安定に得られる。

また本発明のＸ線発生装置では、上部電極の損
傷が少ない。第５図Ａ，Ｂは1000シヨツト放電後
の銅製の上部電極の断面図で、同図Ａが従来の装
置、Ｂが本発明の実施例である。従来の装置では
電極部４Ａの中心部が溶けて、４Ｄで示すように
消耗している。第５図Ｂに示す本発明の実施例で
は、電極中心部が開口しているので、高温、高密
度プラズマが電極に集中的に当ることがなく、電
極消耗も電極表面がわずかに減る程度である。

第６図に貫通孔３１の他の形態を示す。この例
では貫通孔３１の一端は電極部４Ａの電極部６Ａ
との対向面に開口し、他端は電極部４Ａの側面に
開口している。図示のように電極部４Ａを外筒４
Ｅと内筒４Ｆを組合せて形成すると作成が容易で
ある。

実施例２第７図は本発明の他の実施例を示す図である。
図において、放電用ガスの供給系、放電のための
電気系は図示を省略してある。この実施例は上部
電極４の貫通孔３１が他の排気装置に接続された
ものである。ここで、３２はターボ分子ポンプ等
の真空ポンプ、３３はポンプと上部電極の貫通孔
３１を結ぶ配管系である。プラズマがピンチした
ときにプラズマ軸方向に発生する粒子群１０は上
部電極４の貫通孔３１と配管系を通り真空ポンプ
３２で排気される。したがつて、Ｘ線取出し窓１
１方向の粒子群１０が少なくなり、Ｘ線取出し窓
の薄膜化が可能になつてＸ線取出し効率が向上す
る。

第８図は上部電極４の電極部４Ａの他の形態を
示す断面図である。電極部４Ａの外筒４Ｅの先端
部を内側へ湾曲させることによつて、注入ガスを
電極中心部に集中させ、貫通孔３１による排気を
一層効率よく行うことができる。

実施例３第９図に本発明の他の実施例を示す。この例で
はガスの注入が下部電極６側から行われる。なお
第９図において真空室外部のガス注入系、電気系
は図示を省略してある。放電用ガスは下部電極側
からガス通路６Ｅを通して注入されるが、放電に
よるプラズマの形成、Ｘ線の発生は、第１図およ
び第７図に示した実施例と全く同様に行うことが
できる。この実施例における上部電極４の電極部
４Ａは円筒状であり、その中央部は貫通孔３１と
なつている。粒子群１０は貫通孔３１を通つて真
空容器の上部へ排気されるので、Ｘ線取出し窓１
１方向への放射が少なくなる。真空容器１の貫通
孔３１の直上部に当る部分に耐熱性のブロツク３
４を設けて、粒子群１０を横方向に反射させると
真空容器の高さを低くしても損傷を少なくし、か
つ粒子群の排気にも都合がよい。

実施例４第１０図は本発明の他の実施例を示す図であ
る。本実施例においては、Ｘ線取出し窓１１が、
第１の膜１１Ａ、第２の膜１１Ｂ、第３の膜１１
Ｃからなつている。その他の構成は第１図に示し
た実施例と同様である。

粒子群１０の多くは貫通孔３１を通つて排気さ
れるが、Ｘ線取出し窓方向に放射される部分もあ
る。その中の荷電粒子は荷電粒子除去器１４によ
つて除去されるが、高温ガスや除去し切れなかつ
た荷電粒子の一部はＸ線取出し窓１１に到達す
る。第１の膜１１Ａは、残存して到達した粒子群
を除去するためのもので、比較的耐熱性が高く、
かつＸ線の透過のよいベリリウム、アルミニウ
ム、チタン等の金属薄膜、炭素、Si−Ｎ、SiN₄、
SiC、BN等の無機膜、ポリイミド等の有機膜、
あるいは、これらの複合膜であることが望まし
い。第２の膜１１Ｂは真空を保持するための膜で
ベリリウム、アルミニウム、チタン等の金属薄
膜、炭素、Si−Ｎ、SiN₄、SiC、BN等の無機膜、
ポリプロピレン、マイラー、ポリイミド等の有機
膜、あるいは、これらの複合膜であることが望ま
しく、またこれらの膜を金属メツシユ、炭素メツ
シユ、シリコンメツシユ等で補強したものでもよ
い。第３の膜１１ＣはＸ線取出し室３５と大気と
を隔る膜である。Ｘ線取出し室３５にはガス入口
３５Ａからヘリウム等のＸ線透過率の高いガスが
導入され、ガス出口３５Ｂから排出される。マス
ク、ウエハ等は第３の膜に近接して置かれる。第
１の膜と第２の膜の距離は短く、第２の膜と第３
の膜の間はヘリウムで満されるので、３重膜構造
としてもＸ線の減衰は少ない。第３の膜はＸ線の
透過率が高ければよく、ベリリウム、アルミニウ
ム、チタン等の金属薄膜、炭素、Si−Ｎ、SiN₄、
SiC、BN等の無機膜、ポリプロピレン、マイラ
ー、ポリイミド等の有機膜、あるいは、これらの
複合膜を用いることができ、また1μｍ以下の薄
膜を使用することができる。

このような３重膜構造のＸ線取出し窓１１は、
個々の膜を薄くすることができるので全体として
Ｘ線透過率を高めることができる。さらに、第１
０図に示すように、貫通孔３１をもつ上部電極に
よればＸ線取出し窓方向への粒子群の放出が少な
くなるので、第１の膜をより薄くすることがで
き、取出すＸ線の強度をより高いものとすること
ができる。

実施例５第１１図に本発明のさらに他の実施例を示す。
図には、放電電極部およびＸ線取出し窓部のみを
示してある。本実施例の特徴は、上部電極４に貫
通孔３１を設け、しかもＸ線取出し窓１１の法線
方向とプラズマ発生のための一組の電極の中心軸
とを傾け、かつＸ線取出し窓１１の中心位置が発
生されるプラズマ８の軸方向延長線からずらして
設けられていることである。貫通孔３１の効果に
ついては、これまでの実施例において説明したと
おりである。ピンチしたプラズマ８から発生する
Ｘ線９がプラズマの各点から周囲へほぼ等方的に
放射されるのに対し、イオン、電子、高温ガス等
の粒子群は、プラズマ軸方向を中心に放出され
る。第１１図に示した構成のＸ線発生装置では、
Ｘ線９はＸ線取出し窓１１を照射するが、貫通孔
３１から排気されず、下部電極６側に放射された
粒子群１０はほとんどＸ線取出し窓１１には衝突
しない。Ｘ線取出し窓の法線と上部電極、下部電
極の中心軸のなす角度は45°をこえると先に述べ
た径方向露光の欠点、すなわち半影ぼけが大きく
なるので好ましくない。有効な傾き角の下限は露
光装置の構成によつて異なるが、通常の装置構成
では2°〜3°で充分である。貫通孔３１の効果とあ
わせＸ線取出し窓の損傷を一層少なくすることが
できる。その結果、薄膜のＸ線取出し窓が使用で
きると同時にＸ線源距離を短くできるため、プラ
ズマから発生するＸ線を高効率で利用できる。

第１２図に示すように、上部電極４に貫通孔３
１を設け、電極の中心軸を１１Ａ，１１Ｂ，１１
Ｃの３重膜構造のＸ線取出し窓１１の法線方向と
傾けることも可能である。第１２図に示した実施
例の構成によれば、貫通孔３１の効果、３重膜構
造のＸ線取出し窓の効果、放電電極の中心軸とＸ
線取出し窓の傾きの効果が相乗されるので、プラ
ズマから発生するＸ線を高効率で利用でき、Ｘ線
露光のスループツトを向上させることができる。

なお、貫通孔を備えた放電電極と３重膜構造の
Ｘ線取出し窓を組合わせた場合および貫通孔を備
えた放電電極の中心軸がＸ線取出し窓の法線方向
と傾けて設けられている場合の貫通孔の形態は、
第１０図、第１１図、第１２図に図示した実施例
における形態に限られないことは言うまでもな
い。またガス注入のためのガス溜め５Ａ、ピスト
ン５Ｂは、放電電極内に設けることがガス注入の
急速化のためには好ましいが、それらを放電電極
の外部に設け、放電電極内にはガス通路のみを設
けることも可能である。

これまでＸ線露光装置を例として説明してきた
が、本発明による真空に通ずる貫通孔を設けた電
極を持つＸ線発生装置は、Ｘ線分析装置、Ｘ線顕
微鏡、Ｘ線励起による化学反応装置、Ｘ線励起を
利用する膜形成装置ならびにＸ線励起を利用する
エツチング装置に適用してそれら装置の小形化、
反応の促進等に用いることができる。

［発明の効果］以上説明したように、プラズマを形成させるた
めの１組の放電電極に、一端が両電極の対向面に
開口し、他端が対向面以外の面に開口して真空に
連なる貫通孔を設けることにより、プラズマから
発生するイオンや電子、高温ガス等によるＸ線取
出し窓の損傷を小さくでき、薄膜のＸ線取出し窓
が使用できると同時にＸ線源距離を小さくできる
ため、プラズマから発生するＸ線を高効率で利用
できる利点があり、また高繰返し速度でＸ線の発
生を行うことができる。高効率Ｘ線取出しにより
スループツトの向上が図れると同時に、Ｘ線源径
が径方向取出しに比べ小さいため、プロキシミテ
イ露光でサブミクロン転写が可能である。さら
に、ガス抜き構造の電極では、高密度プラズマが
集中するプラズマ軸方向に金属部がないため、電
極消耗が非常に少ない利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係るＸ線発生装置の一実施例
を適用したＸ線露光装置を示す構造図、第２図は
第１図における上部電極４のＸ−Ｘ線に沿う断面
図、第３図Ａ，Ｂは貫通孔の効果を説明するため
のイオンによる起電力を示す特性図、第４図はＸ
線出力比と放電繰返し数の関係を示す線図、第５
図Ａ，Ｂは1000シヨツト放電後の電極の状態を示
す断面図、第６図は放電電極に設けた貫通孔の他
の形態を示す断面図、第７図は本発明に係るＸ線
発生装置の他の実施例を適用したＸ線露光装置を
示す構造図、第８図は電極部の構造の一例を示す
断面図、第９図ないし第１２図は、それぞれ本発
明に係るＸ線発生装置のさらに他の実施例を適用
したＸ線露光装置を示す構造図で、第９図はガス
注入を下部電極側から行う実施例、第１０図は貫
通孔を設けた放電電極と３重窓構造のＸ線取出し
窓を組合わせた実施例、第１１図および第１２図
は放電電極の中心軸をＸ線取出し窓の法線方向と
傾けて設けた実施例である。第１３図は従来のＸ
線発生装置を用いたＸ線露光装置の構造図、第１
４図はＸ線がネオンガス中を透過する長さと波長
１２ＡでのＸ線透過率の関係をネオンガス圧をパ
ラメータとして示した図、第１５図は従来のＸ線
発生装置を用いた他のＸ線露光装置の構造図、第
１６図は第１５図に示した従来装置のＸ線取出し
方向から見たプラズマの形状を示す図、第１７図
は第１５図に示した従来装置における半影ぼけを
説明する図である。１……真空容器、２……真空室、４……上部電
極、４Ａ……電極部、４Ｂ……電極支持部、４Ｃ
……ガス通路、５……高速開閉ガスバルブ、５Ａ
……ガス溜、５Ｂ……ピストン、６……下部電
極、６Ａ……電極部、６Ｂ……電極支持部、６Ｃ
……孔、６Ｅ……ガス通路、７……ガス塊、８…
…プラズマ、９……Ｘ線、１０……粒子群、１１
……Ｘ線取出し窓、１１Ａ……第１の膜、１１Ｂ
……第２の膜、１１Ｃ……第３の膜、３１……貫
通孔、３２……排気装置。

Claims

【特許請求の範囲】１真空中でプラズマを形成し、このプラズマか
らＸ線を発生させ、Ｘ線取出し窓から取出すＸ線
発生装置において、プラズマ形成のための対向す
る１組の電極の一方に放電用ガス注入のためのガ
ス通路が設けられており、前記１組の電極のそれ
ぞれには一端が各電極の対向面に開口し他端がそ
れぞれの電極の該対向面以外の面に開口して真空
に連なる貫通孔が少なくとも１個設けられている
ことを特徴とするＸ線発生装置。２前記貫通孔の前記他端が前記対向面以外の面
の複数個所に開口していることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のＸ線発生装置。３前記貫通孔の前記他端が排気装置に接続され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のＸ線発生装置。４前記Ｘ線取出し窓の法線方向と前記一組の電
極の中心軸とを傾け、かつ前記Ｘ線取出し窓の中
心位置を形成されるプラズマの軸方向延長線から
ずらして設けたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第３項のいずれかに記載のＸ線発生
装置。５前記Ｘ線取出し窓が前記真空室中に設けられ
た第１の膜と、前記真空室とＸ線取出し室とを隔
てるように設けられた第２の膜と、前記Ｘ線取出
し室と使用雰囲気とを隔てるように設けられた第
３の膜とを有することを特徴とする特許請求の範
囲第１項ないし第４項のいずれかに記載のＸ線発
生装置。