JPS6327017A - ホログラフィ法を用いた集積回路製造法 - Google Patents
ホログラフィ法を用いた集積回路製造法Info
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- JPS6327017A JPS6327017A JP62165125A JP16512587A JPS6327017A JP S6327017 A JPS6327017 A JP S6327017A JP 62165125 A JP62165125 A JP 62165125A JP 16512587 A JP16512587 A JP 16512587A JP S6327017 A JPS6327017 A JP S6327017A
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- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
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- H10P76/2041—Photolithographic processes
- H10P76/2042—Photolithographic processes using lasers
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/0005—Adaptation of holography to specific applications
- G03H2001/0094—Adaptation of holography to specific applications for patterning or machining using the holobject as input light distribution
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Holo Graphy (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ホログラフィ技術を用いた集積回路の製造法
に関する。
に関する。
（従来の技術）
集積回路は、シリコンウェハを感光剤で塗布し、マスク
と呼ばれる回路パターンのネガティブ像を通してウェハ
にフラッシュを浴びせ、この像を現像し、微視的な回路
線を金属導体の薄い層で被うという工程を繰り返して、
層に形成される。回路線の幅が広かった１５年前には、
像は、ウェハ上にマスクを置いて印刷された。しかし、
集積回路の線がより細くなることが要求されるにつれ、
より精巧な投映技術が使用されてきている。装置は、マ
スクの像をウェハに焦点を合わせる鏡を使用し、かつ、
ウェハの直接の取扱いと接触の必要をなくす。
と呼ばれる回路パターンのネガティブ像を通してウェハ
にフラッシュを浴びせ、この像を現像し、微視的な回路
線を金属導体の薄い層で被うという工程を繰り返して、
層に形成される。回路線の幅が広かった１５年前には、
像は、ウェハ上にマスクを置いて印刷された。しかし、
集積回路の線がより細くなることが要求されるにつれ、
より精巧な投映技術が使用されてきている。装置は、マ
スクの像をウェハに焦点を合わせる鏡を使用し、かつ、
ウェハの直接の取扱いと接触の必要をなくす。
投映システムは生産性が高いことがわかったけれども、
なお、集積回路と同じ大きさのマスクをウェハの上に使
用している。線幅を減少するため、ステッパアラインメ
ント装置が発展した。この装置は、チップの大きさの５
〜１０倍のマスクを使用する。したがって、マスクの性
質は、投映スクリーンにおけるほど重要ではない。マス
クの像は、高価な高分解能レンズにより縮小され、シリ
コン上に結像する。しかし、チップの全直径である１０
０〜１２５ｍｍをおおうほど大きなレンズは存在しない
。そこで、装置は、−度に１つのチップだけウェハを照
射し、チップからチップへと移動していく。
なお、集積回路と同じ大きさのマスクをウェハの上に使
用している。線幅を減少するため、ステッパアラインメ
ント装置が発展した。この装置は、チップの大きさの５
〜１０倍のマスクを使用する。したがって、マスクの性
質は、投映スクリーンにおけるほど重要ではない。マス
クの像は、高価な高分解能レンズにより縮小され、シリ
コン上に結像する。しかし、チップの全直径である１０
０〜１２５ｍｍをおおうほど大きなレンズは存在しない
。そこで、装置は、−度に１つのチップだけウェハを照
射し、チップからチップへと移動していく。
ステッパシステムの長所は、マスク像の縮小の際に、マ
スクの欠陥も縮小されることである。しかし、集積回路
の線の大きさを縮小するほど、重大な問題が生じ、はこ
り、微小なきず、指紋などの小さなきすがチップの欠陥
を生じさせる。
スクの欠陥も縮小されることである。しかし、集積回路
の線の大きさを縮小するほど、重大な問題が生じ、はこ
り、微小なきず、指紋などの小さなきすがチップの欠陥
を生じさせる。
したがって、純粋に光学的なシステムにおける重大な制
限のために、研究者は、他の技術の発展を試みている。
限のために、研究者は、他の技術の発展を試みている。
この他の技術は、それぞれ、固有の問題をかかえている
。たとえば、Ｘ線アライナは、通常の投映ギヤのように
作用するが、マスクを通るのは光ではなくＸ線である。
。たとえば、Ｘ線アライナは、通常の投映ギヤのように
作用するが、マスクを通るのは光ではなくＸ線である。
Ｘ線の波長は光の波長よりかなり小さいので、より微細
な図形を区画できる。
な図形を区画できる。
しかし、像を記録するために必要な化学薬品は、現在は
適当な価格で得られない。さらに、Ｘ線を止めることが
可能な特別なマスクが必要であるが、この特別なマスク
は、もろく、かつ、高価である。
適当な価格で得られない。さらに、Ｘ線を止めることが
可能な特別なマスクが必要であるが、この特別なマスク
は、もろく、かつ、高価である。
すでに試みられた他の技術には、電子ビーム露光システ
ムを用いるものがある。しかし、この種のシステムは、
非常に生産性が悪い。なぜなら、システムは各回路線を
別々に重複する点の列として「書く」ので、全パターン
を瞬間的に書き込むフラッシュを大面積に浴びせる従来
法に比べて、はるかに労力を要する。このように、電子
ビームシステムは、高性能のマスクを生産できる一方、
必要な製造技術は、若干の特別な分野を除くと、実際に
使用するには遅すぎる。
ムを用いるものがある。しかし、この種のシステムは、
非常に生産性が悪い。なぜなら、システムは各回路線を
別々に重複する点の列として「書く」ので、全パターン
を瞬間的に書き込むフラッシュを大面積に浴びせる従来
法に比べて、はるかに労力を要する。このように、電子
ビームシステムは、高性能のマスクを生産できる一方、
必要な製造技術は、若干の特別な分野を除くと、実際に
使用するには遅すぎる。
このように、Ｘ線システムと電子ビームシステムは、光
システムより特別な長所を有するが、他方では、限界を
有する。たとえば、Ｘ線システムの一つの長所は、利用
できる波長が短かいので高分解能が達成できることであ
り、別の長所はソフトな欠陥に対して敏感でないことで
ある。しかし、他方では、新しいレジストシステムが必
要であり、また、Ｘ線は、近接効果に敏感である。さら
に、「ステッパ」工程は、効率や機械的位置決めといつ
た現在のシステムのすべての問題を有する。Ｘ線マスク
も、特別なマスク十才科と金被覆が必要なので、新しい
マスク技術が必要である。
システムより特別な長所を有するが、他方では、限界を
有する。たとえば、Ｘ線システムの一つの長所は、利用
できる波長が短かいので高分解能が達成できることであ
り、別の長所はソフトな欠陥に対して敏感でないことで
ある。しかし、他方では、新しいレジストシステムが必
要であり、また、Ｘ線は、近接効果に敏感である。さら
に、「ステッパ」工程は、効率や機械的位置決めといつ
た現在のシステムのすべての問題を有する。Ｘ線マスク
も、特別なマスク十才科と金被覆が必要なので、新しい
マスク技術が必要である。
近年、研究者は、ホログラフィシステムを変形して利用
する可能性を再び検討している。通常の光システムの問
題は、１ミクロン（Ｉ Ｘ １０−８ｍ）より小さい幅
の集積回路線の場合に、光の波長によってシステムに課
される基本的な物理的限界である。以上に述べた問題の
うちの若干の間層はホログラフィ技術の使用により克服
できることが提言されているけれども、ホログラフィシ
ステムを実際に使用できるようにするには、まだ解決す
べき問題がある。
する可能性を再び検討している。通常の光システムの問
題は、１ミクロン（Ｉ Ｘ １０−８ｍ）より小さい幅
の集積回路線の場合に、光の波長によってシステムに課
される基本的な物理的限界である。以上に述べた問題の
うちの若干の間層はホログラフィ技術の使用により克服
できることが提言されているけれども、ホログラフィシ
ステムを実際に使用できるようにするには、まだ解決す
べき問題がある。
（発明が解決しようとする問題点）
１つの問題は、ホログラフィ印刷技術におけるレーザの
使用に関する。レーザは、一定の波長のコヒーレントな
光を発生する。一方、通常の光は、通常は赤外から紫外
までの波長範囲のランダムな位相の光からなり、「イン
コヒーレント」である。
使用に関する。レーザは、一定の波長のコヒーレントな
光を発生する。一方、通常の光は、通常は赤外から紫外
までの波長範囲のランダムな位相の光からなり、「イン
コヒーレント」である。
集積回路構造がレーザビーム中に置かれると、生じた像
がスペックルを有することが観測されている。この問題
は、ホログラフィ技術によって作られる回路像が許容で
きない欠陥を有する可能性があることを意味する。
がスペックルを有することが観測されている。この問題
は、ホログラフィ技術によって作られる回路像が許容で
きない欠陥を有する可能性があることを意味する。
別の問題は、任意のホログラフィ技術に使用できる透明
記録部材の材料の選択に関する。試験されたホログラフ
ィ媒体は、極細粒のハロゲン化銀からなる。このような
媒体は、残念ながら、粒構造により光の散乱を生じ、こ
の現象は、印刷された像の分解能の損失をほとんど確実
に生じる。最も好ましい記録媒体は、散乱と吸収が少な
く、また、粒がないものであろう。光ポリマ媒体は、写
真には感度はないけれども、散乱と吸収により生じる困
難が大きく避けられるであろう。位相ホログラムの記録
の処理に適したポリマ物質の多数の例が、英国特許明細
書第１，４７１，７６４号にロピラード（Ｊ 、Ｊ 、
Ａ、 Ｒｏｂｉｌｌａｒｄ）教授により開示されている
。
記録部材の材料の選択に関する。試験されたホログラフ
ィ媒体は、極細粒のハロゲン化銀からなる。このような
媒体は、残念ながら、粒構造により光の散乱を生じ、こ
の現象は、印刷された像の分解能の損失をほとんど確実
に生じる。最も好ましい記録媒体は、散乱と吸収が少な
く、また、粒がないものであろう。光ポリマ媒体は、写
真には感度はないけれども、散乱と吸収により生じる困
難が大きく避けられるであろう。位相ホログラムの記録
の処理に適したポリマ物質の多数の例が、英国特許明細
書第１，４７１，７６４号にロピラード（Ｊ 、Ｊ 、
Ａ、 Ｒｏｂｉｌｌａｒｄ）教授により開示されている
。
もし以上の議論により適当な記録材料が選択できたとし
ても、ホログラフィの基本的な光の限界により、印刷さ
れた像の分解能の絶対的な最大値を達成できない。
ても、ホログラフィの基本的な光の限界により、印刷さ
れた像の分解能の絶対的な最大値を達成できない。
ホログラム板の空気と乳剤との境界で全反射された参照
光束を用いてホログラムを作る新技術が、ステットソン
氏（Ｋ、Ａ、 ５ｔｅｔｓｏｎ）により、「内側へ全反
射された光を用いたホログラフィ」という題のアプライ
ドフィジックスレター（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒ）（１９６７年ｌＯ月１日）の論文に
開示された。この種の記録は、対象物とホログラムの非
常に密接な間隔を可能にする。したがって、記録工程に
おける分解能の限界を大きく改善できる。添付した図面
の第４図は、空気乳剤境界で全反射される参照光束を確
立するために使用される機構を図式的に示す。ホログラ
フィ■を形成するための記録媒体は、集束された参照光
束を第１のガラス板を通して通過させるために、ガラス
の表面の間に浦を用いて、プリズムＰの表面に置かれる
。ホログラフィで記録されるべき対象物０は、第２のガ
ラス板の上に置かれ、スペーサＱにより第１のガラス板
と隔てられる。図において、Ｒは参照光束であり、Ｓは
主光束である。ここに注意すべきことに、参照光束Ｒは
、空気乳剤境界から全反射されるような角度で、ホログ
ラム板を構成する第１ガラス仮に入射する。主光束Ｓは
、ホログラム板にほとんど垂直に入射し、プリズムＰの
小さい面を通って出ていく。プリズムＰと、ホログラム
Ｈがその上に形成されるべき第１ガラス板との間の油の
量は、この境界面を通って光を透過させる。参照光束Ｒ
は、プリズムＰの１つの側面にほとんど垂直に入射し、
反射の前と後の両方での主光束Ｓとの干渉により、第１
ガラス板の上側の表面上の乳剤にホログラムＨを形成す
る。
光束を用いてホログラムを作る新技術が、ステットソン
氏（Ｋ、Ａ、 ５ｔｅｔｓｏｎ）により、「内側へ全反
射された光を用いたホログラフィ」という題のアプライ
ドフィジックスレター（ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ
Ｌｅｔｔｅｒ）（１９６７年ｌＯ月１日）の論文に
開示された。この種の記録は、対象物とホログラムの非
常に密接な間隔を可能にする。したがって、記録工程に
おける分解能の限界を大きく改善できる。添付した図面
の第４図は、空気乳剤境界で全反射される参照光束を確
立するために使用される機構を図式的に示す。ホログラ
フィ■を形成するための記録媒体は、集束された参照光
束を第１のガラス板を通して通過させるために、ガラス
の表面の間に浦を用いて、プリズムＰの表面に置かれる
。ホログラフィで記録されるべき対象物０は、第２のガ
ラス板の上に置かれ、スペーサＱにより第１のガラス板
と隔てられる。図において、Ｒは参照光束であり、Ｓは
主光束である。ここに注意すべきことに、参照光束Ｒは
、空気乳剤境界から全反射されるような角度で、ホログ
ラム板を構成する第１ガラス仮に入射する。主光束Ｓは
、ホログラム板にほとんど垂直に入射し、プリズムＰの
小さい面を通って出ていく。プリズムＰと、ホログラム
Ｈがその上に形成されるべき第１ガラス板との間の油の
量は、この境界面を通って光を透過させる。参照光束Ｒ
は、プリズムＰの１つの側面にほとんど垂直に入射し、
反射の前と後の両方での主光束Ｓとの干渉により、第１
ガラス板の上側の表面上の乳剤にホログラムＨを形成す
る。
注意すべきことに、以上の構成において、ホログラムの
記録は、「接触印刷」ではなく、実際には波面を再生す
る。主光束Ｓは、実際には、球状収束光束であり、参照
光束の共役を用いた再生において、主光束の共役は、願
主光束の半径に等しい距離で焦点に収束する。白色光の
再生において、色のスペクトルが、焦点で観測され、再
生の回折される性質を示す。
記録は、「接触印刷」ではなく、実際には波面を再生す
る。主光束Ｓは、実際には、球状収束光束であり、参照
光束の共役を用いた再生において、主光束の共役は、願
主光束の半径に等しい距離で焦点に収束する。白色光の
再生において、色のスペクトルが、焦点で観測され、再
生の回折される性質を示す。
さらに注意すべきことに、ホログラム自身は、再生より
も一桁小さいオーダーの分解能を示す。
も一桁小さいオーダーの分解能を示す。
再生は、ホログラムのようなネガティブ像ではなく、対
象物のポジティブ像である。すなわち、ホログラム上の
暗い領域は、再生では明るい領域になり、ホログラム上
の明るい領域は、再生では暗い領域になる。
象物のポジティブ像である。すなわち、ホログラム上の
暗い領域は、再生では明るい領域になり、ホログラム上
の明るい領域は、再生では暗い領域になる。
ステットソン氏（Ｋ、Ａ、５ｔｅｔｓｏｎ）によるアプ
ライドフィジックスレター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒＸｌ ９６８年６月１日）の別の
論文では、全内部反射ホログラムにおける分解能と信号
雑音比の改善を論じている。全内部反射ホログラムは、
主光束とホログラム板の空気乳剤表面から全反射された
参照光束の一方又は双方で作られろホログラムである。
ライドフィジックスレター（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙ
ｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒＸｌ ９６８年６月１日）の別の
論文では、全内部反射ホログラムにおける分解能と信号
雑音比の改善を論じている。全内部反射ホログラムは、
主光束とホログラム板の空気乳剤表面から全反射された
参照光束の一方又は双方で作られろホログラムである。
参照光束が全反射され主光束が垂直に透過するとき、参
照光束を妨げることなく、透明な対象物をホログラムの
非常に近くに位置することが可能である。この論文で、
ステットソン氏は、全内部反射ホログラムが高性能顕微
鏡レンズに比較できる分解能で像を作ることができると
結論した。さらに、全内部反射ホログラムの像の劣化の
制限因子は、像に対する雑音となる写真乳剤からの散乱
光のコヒーレントなバックグラウンドである。
照光束を妨げることなく、透明な対象物をホログラムの
非常に近くに位置することが可能である。この論文で、
ステットソン氏は、全内部反射ホログラムが高性能顕微
鏡レンズに比較できる分解能で像を作ることができると
結論した。さらに、全内部反射ホログラムの像の劣化の
制限因子は、像に対する雑音となる写真乳剤からの散乱
光のコヒーレントなバックグラウンドである。
ホログラムをフォトエツチング技術と結合して使用する
ことによる半導体部品の製造法は、英国特許明細書第１
，３３１，０７６号に開示されている。この発明は、使
用したホログラム、または、ホログラムから再生された
エツチングマスクの実像を、すでに土台の上に位置され
たエツチングパターンを用いて調整する方法を特に記載
する。この方法では、半導体材料の物体はフォトラッカ
ーで被覆され、露光されて、各処理工程の前にエツチン
グパターンを作る。各エツチングパターンは、それぞれ
のホログラムから投映される。第１のエツチングマスク
の製造に用いたホログラムには、３つの調整マークが中
に記録されている。このホログラムの投映は、物体に結
像し、各ホログラムの逐次の投映において再設定に利用
される参照マークを生じる。参照マークは、物体の表面
に反射領域として残る。調整マークの実像は再生され、
それぞれの参照マークと一致させられる。このような技
術は、遅く、単調であり、非常には正確でなく、またや
や高価である。
ことによる半導体部品の製造法は、英国特許明細書第１
，３３１，０７６号に開示されている。この発明は、使
用したホログラム、または、ホログラムから再生された
エツチングマスクの実像を、すでに土台の上に位置され
たエツチングパターンを用いて調整する方法を特に記載
する。この方法では、半導体材料の物体はフォトラッカ
ーで被覆され、露光されて、各処理工程の前にエツチン
グパターンを作る。各エツチングパターンは、それぞれ
のホログラムから投映される。第１のエツチングマスク
の製造に用いたホログラムには、３つの調整マークが中
に記録されている。このホログラムの投映は、物体に結
像し、各ホログラムの逐次の投映において再設定に利用
される参照マークを生じる。参照マークは、物体の表面
に反射領域として残る。調整マークの実像は再生され、
それぞれの参照マークと一致させられる。このような技
術は、遅く、単調であり、非常には正確でなく、またや
や高価である。
したがって、本発明の目的は、上記の従来技術の欠点を
克服し、安価で高分解能のウェハ印刷を可能にする集積
回路製造のホログラフィ技術を提供することである。
克服し、安価で高分解能のウェハ印刷を可能にする集積
回路製造のホログラフィ技術を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
本発明に係るホログラフィ法を用いた集積回路製造法は
、集積回路の設計図を含むマスク窓を通るコヒーレント
な光の入力光束と、記録材料を載置する表面で内部へ全
反射されるコヒーレントな光の参照光束との干渉により
記録材料上に集積回路のホログラフィ像を形成するホロ
グラフィ法を用いる集積回路製造法において、 （ａ）散乱が無視でき高分解能を有し収縮または変形を
生じない記録材料を備える工程と、（ｂ）コヒーレント
な光の少なくとも１つの光源から入力光束と参照光束と
を発生する工程と、（ｃ）入射する参照光束と反射され
る参照光束との相互の干渉により上記の記録材料上に体
積ホログラフィ像を形成する工程と、 （ｄ）マスク窓を取り除き、形成したホログラフィ像を
再生する位置にマスク窓の代わりにシリコン薄板を位置
させる工程と、 （ｅ）ホログラムを形成する第１参照光束と逆の方向に
進むコヒーレントな光の第２参照光束と入力光束との間
の干渉によりシリコン薄板上にホログラムの像を形成す
る工程とからなり、かつ、（Ｄ集積回路の像を有する複
数のシリコン薄板を製造するために必要な回数だけ、シ
リコン薄板上にホログラムの像を形成する上記の工程を
さらに繰り返すことを特徴とする。
、集積回路の設計図を含むマスク窓を通るコヒーレント
な光の入力光束と、記録材料を載置する表面で内部へ全
反射されるコヒーレントな光の参照光束との干渉により
記録材料上に集積回路のホログラフィ像を形成するホロ
グラフィ法を用いる集積回路製造法において、 （ａ）散乱が無視でき高分解能を有し収縮または変形を
生じない記録材料を備える工程と、（ｂ）コヒーレント
な光の少なくとも１つの光源から入力光束と参照光束と
を発生する工程と、（ｃ）入射する参照光束と反射され
る参照光束との相互の干渉により上記の記録材料上に体
積ホログラフィ像を形成する工程と、 （ｄ）マスク窓を取り除き、形成したホログラフィ像を
再生する位置にマスク窓の代わりにシリコン薄板を位置
させる工程と、 （ｅ）ホログラムを形成する第１参照光束と逆の方向に
進むコヒーレントな光の第２参照光束と入力光束との間
の干渉によりシリコン薄板上にホログラムの像を形成す
る工程とからなり、かつ、（Ｄ集積回路の像を有する複
数のシリコン薄板を製造するために必要な回数だけ、シ
リコン薄板上にホログラムの像を形成する上記の工程を
さらに繰り返すことを特徴とする。
第２の参照光束は、別の光源で発生してもよいし、同じ
光源を用いて向きを逆にしてもよい。同じ参照光源を用
いる場合は、両弁照光束は同じレーザ光源から得られる
。しかし、別の第２の参照光源を再生のために用いる場
合は、この光源はレーザ光源でなくてもよく、強いスペ
クトル線が用いられる光源でもよい。この場合、本発明
に係る製造法は、スペクトル線の両方の側で不要な放射
を除く工程をさらに含む。
光源を用いて向きを逆にしてもよい。同じ参照光源を用
いる場合は、両弁照光束は同じレーザ光源から得られる
。しかし、別の第２の参照光源を再生のために用いる場
合は、この光源はレーザ光源でなくてもよく、強いスペ
クトル線が用いられる光源でもよい。この場合、本発明
に係る製造法は、スペクトル線の両方の側で不要な放射
を除く工程をさらに含む。
アルゴンレーザが入力光束および参照光束として使用さ
れる場合は、水銀ランプが上記の再生工程（ｃ）のため
の第２参照光源として使用できる。
れる場合は、水銀ランプが上記の再生工程（ｃ）のため
の第２参照光源として使用できる。
シリコン薄板にホログラムの像を形成するときに正しい
焦点深度を確実に得るために、シリコン薄板を露光中に
縦に移動する工程をさらに設ける。
焦点深度を確実に得るために、シリコン薄板を露光中に
縦に移動する工程をさらに設ける。
シリコン薄板のこの縦移動は、好ましくは、電圧を加え
ると厚さが変る圧電スペーサにより達成できる。
ると厚さが変る圧電スペーサにより達成できる。
（作 用）
コヒーレントな光の光源から入ってくる参照光束がホロ
グラフィ層の表面で内部に反射され、集積回路の設計図
（対象物）を含むマスク窓を通ってくる光が入射する参
照光束と内部に反射された参照光束の双方と事実上干渉
して透過ホログラムを形成する。マスク窓の代りにシリ
コン薄板を置いてこのホログラムが後に再生されたとき
、マスク窓に位置する対象物の実像をシリコン薄板上に
作る。
グラフィ層の表面で内部に反射され、集積回路の設計図
（対象物）を含むマスク窓を通ってくる光が入射する参
照光束と内部に反射された参照光束の双方と事実上干渉
して透過ホログラムを形成する。マスク窓の代りにシリ
コン薄板を置いてこのホログラムが後に再生されたとき
、マスク窓に位置する対象物の実像をシリコン薄板上に
作る。
（実施例）
以下、添付の図面を参照して実施例を用いて本発明をよ
り詳細に説明する。
り詳細に説明する。
第１図に示すように、この装置は、頂点ミラー１０、拡
大レンズ１２）ピンホールフィルタ１３、集束レンズ！
４、ガラス板１６、マスク１８、スペーサ２０およびプ
リズム２２からなる。ガラス板１６の上には、記録乳剤
が被覆されていて、体積ホログラムの形成を可能にする
。マスク１８は、ガラス板１６の上に位置する。スペー
サ２０は、マスク１８をガラス板１６から隔てる。体積
ホログラムとは、表面レリーフホログラムと異なり、ホ
ログラムの材料の全体から像を形成する性質を示すホロ
グラムである。プリズム２２の屈折率は、ガラス板１６
と同じである。マスク１８は、対象物たとえば再生すべ
き集積回路の形状（設計図）をデコードしたマスク窓１
９を有する。実際には、レーザ光源２４と２５は同じ光
源であるが、簡単のため分けである。しかし、もし周波
数が同じにしであるならば、２つの別のレーザ光源を用
いることは全く可能である。
大レンズ１２）ピンホールフィルタ１３、集束レンズ！
４、ガラス板１６、マスク１８、スペーサ２０およびプ
リズム２２からなる。ガラス板１６の上には、記録乳剤
が被覆されていて、体積ホログラムの形成を可能にする
。マスク１８は、ガラス板１６の上に位置する。スペー
サ２０は、マスク１８をガラス板１６から隔てる。体積
ホログラムとは、表面レリーフホログラムと異なり、ホ
ログラムの材料の全体から像を形成する性質を示すホロ
グラムである。プリズム２２の屈折率は、ガラス板１６
と同じである。マスク１８は、対象物たとえば再生すべ
き集積回路の形状（設計図）をデコードしたマスク窓１
９を有する。実際には、レーザ光源２４と２５は同じ光
源であるが、簡単のため分けである。しかし、もし周波
数が同じにしであるならば、２つの別のレーザ光源を用
いることは全く可能である。
入力光束（上では主光束と呼んでいた）Ｓは、レーザ光
源２４により発生されたコヒーレントな光の光束である
。参照光束Ｒは、別の光源２５により発生され集束レン
ズ２７を通った別のレーザ光束である。光束の強度が断
面で十分均一であるように、アンチガウシアン素子がレ
ーザ光源２４゜２５からの１次光束に結合される。参照
光束Ｒは、プリズム２２の短い面の一方Ｚに実質的に垂
直に投映される。参照光束Ｒは、ガラス板１６とプリズ
ム２２の最長面Ｘとの接合部を通る。参照光束Ｒは、ガ
ラス板１６の上側の面で内部へ反射され、プリズム２２
の他の短い面Ｙを実質的に垂直に出ていく。参照光束Ｒ
が反射される角度θ （ガラス板１６の上側の面の垂直
線に関して）は、全内部反射の臨界角θ。より大きい。
源２４により発生されたコヒーレントな光の光束である
。参照光束Ｒは、別の光源２５により発生され集束レン
ズ２７を通った別のレーザ光束である。光束の強度が断
面で十分均一であるように、アンチガウシアン素子がレ
ーザ光源２４゜２５からの１次光束に結合される。参照
光束Ｒは、プリズム２２の短い面の一方Ｚに実質的に垂
直に投映される。参照光束Ｒは、ガラス板１６とプリズ
ム２２の最長面Ｘとの接合部を通る。参照光束Ｒは、ガ
ラス板１６の上側の面で内部へ反射され、プリズム２２
の他の短い面Ｙを実質的に垂直に出ていく。参照光束Ｒ
が反射される角度θ （ガラス板１６の上側の面の垂直
線に関して）は、全内部反射の臨界角θ。より大きい。
この臨界角θ。は、ｓｉｎ −’（１／ｎ）で定義され
る。ここに、ｎはプリズム２２の屈折率である。
る。ここに、ｎはプリズム２２の屈折率である。
入力光束すなわち主光束Ｓは、レーザ光源２４からの発
光の際に頂角ミラー１０で反射され、拡大レンズ１２に
縦軸に実質的に垂直に入る。拡大レンズ１２の出口に位
置するピンホールフィルタ！３は、拡大されたレーザ光
束がコヒーレントな光の対称円錐として広がることを確
実にする。次に、コヒーレントな光の広がる光線は、集
束レンズ１４と上記のアンチガウシアン素子とを通る。
光の際に頂角ミラー１０で反射され、拡大レンズ１２に
縦軸に実質的に垂直に入る。拡大レンズ１２の出口に位
置するピンホールフィルタ！３は、拡大されたレーザ光
束がコヒーレントな光の対称円錐として広がることを確
実にする。次に、コヒーレントな光の広がる光線は、集
束レンズ１４と上記のアンチガウシアン素子とを通る。
こうして、光線は、そこから相互に平行に出°て、−様
に分布する。次に、光線は、マスク窓１９を通り、ガラ
ス板１６の上の記録乳剤を通り、こうして、入射された
参照光束および反射された参照光束と干渉して、マスク
窓１９上の対象物の記録乳剤中のホログラフ像を形成す
る。
に分布する。次に、光線は、マスク窓１９を通り、ガラ
ス板１６の上の記録乳剤を通り、こうして、入射された
参照光束および反射された参照光束と干渉して、マスク
窓１９上の対象物の記録乳剤中のホログラフ像を形成す
る。
以上で、マスク窓１９内の対象物のホログラフ像がガラ
ス板の記録乳剤に記録（コード化）されることが説明さ
れた。
ス板の記録乳剤に記録（コード化）されることが説明さ
れた。
記録乳剤は、ホログラム表面での光の全内部反射を妨げ
るため最小のレベルを示すものでなければならないこと
がわかる。たとえば、重クロム酸ゼラチン技術の進歩に
よりこの媒体がほぼ適当である。現在利用できるように
なった疎水性ポリマ化合物を本発明法に用いることもで
きる。さらに、これらの材料は、必要な分解能を与える
だけでなく、非常に少ない散乱を生じることが認められ
る。
るため最小のレベルを示すものでなければならないこと
がわかる。たとえば、重クロム酸ゼラチン技術の進歩に
よりこの媒体がほぼ適当である。現在利用できるように
なった疎水性ポリマ化合物を本発明法に用いることもで
きる。さらに、これらの材料は、必要な分解能を与える
だけでなく、非常に少ない散乱を生じることが認められ
る。
これらの材料が収縮も膨張しせず、また、ホログラフィ
像の製造の間に非平面性を示さないことも重要である。
像の製造の間に非平面性を示さないことも重要である。
ホログラフィ像から複数のシリコン薄板を再生するため
、マスク窓１９が取り除かれ、シリコン薄板がその場所
に導入される。こうして、レーザ光源２４と２５は再生
に切り替えられ、ホログラムからの像は、参照光束の方
向が逆にされるならば、シリコン薄板に実像として生成
できる。このため、参照光束は、プリズム２２の面Ｙに
入り、ガラス板１６の上側の面で全体に内部に反射され
、面Ｚで出ていく。第３図に示すように、参照光束Ｒは
、レーザ光源２５を再生操作のため９０°動かすことに
よって（別々のレーザ光源を用いる場合）、または、一
つのレーザ光源を用いる場合にビーム分離機構を９０°
動かすことによって、位置２５′から発する。
、マスク窓１９が取り除かれ、シリコン薄板がその場所
に導入される。こうして、レーザ光源２４と２５は再生
に切り替えられ、ホログラムからの像は、参照光束の方
向が逆にされるならば、シリコン薄板に実像として生成
できる。このため、参照光束は、プリズム２２の面Ｙに
入り、ガラス板１６の上側の面で全体に内部に反射され
、面Ｚで出ていく。第３図に示すように、参照光束Ｒは
、レーザ光源２５を再生操作のため９０°動かすことに
よって（別々のレーザ光源を用いる場合）、または、一
つのレーザ光源を用いる場合にビーム分離機構を９０°
動かすことによって、位置２５′から発する。
製造技術において、シリコン薄板は、スペーサ上に自動
的に位置決めされ、所定の露光時間の間おかれ、次に、
そこから格納位置へ移動される。
的に位置決めされ、所定の露光時間の間おかれ、次に、
そこから格納位置へ移動される。
ホログラフィ像をシリコン薄板上に正確に結像すること
を確実にするために、スペーサは、電圧を加えることに
より厚さが変わる圧電スペーサのような能動型の素子で
置きかえることができる。
を確実にするために、スペーサは、電圧を加えることに
より厚さが変わる圧電スペーサのような能動型の素子で
置きかえることができる。
圧電スペーサは、手動で０〜１５０ボルトの間で変化で
きる可変電圧源により駆動される。圧電素子は、加えら
れる電圧が大きいほど、拡大する。
きる可変電圧源により駆動される。圧電素子は、加えら
れる電圧が大きいほど、拡大する。
これにより、シリコン薄板の表面におけるある程度の非
平面性を生じる、焦点における可動性が生じる。
平面性を生じる、焦点における可動性が生じる。
第２図に示すように、シリコン薄板３０を再生産するた
めの再生操作において、１つのレーザ光源または一対の
同じ周波数のレーザ光源を使用する代りに、水銀ランプ
３２を用いてもよい。このとき、スペクトルにおける１
本の強い線を用い、フィルタ３４を用いてその上下の他
の全周波数を除く。選ばれたスペクトル線は、記録媒体
上にホログラムを形成するときに、光源２４．２５とし
て使用されたアルゴンレーザ光源とほぼ同じ周波数でな
ければならない。たとえば、水銀放電ランプの３６５ｎ
ｍ線と対応するアルゴンレーザの３６３ 、８ ｎｍ線
を使用できる。この紫外の線は、ホログラフィ記録材料
の感度にとって利点となる。また、光の波長の減少によ
り分解能が改善され、レジスト感度が改善される。さら
に、適当なポリマ材料に増感剤を使用する必要かない。
めの再生操作において、１つのレーザ光源または一対の
同じ周波数のレーザ光源を使用する代りに、水銀ランプ
３２を用いてもよい。このとき、スペクトルにおける１
本の強い線を用い、フィルタ３４を用いてその上下の他
の全周波数を除く。選ばれたスペクトル線は、記録媒体
上にホログラムを形成するときに、光源２４．２５とし
て使用されたアルゴンレーザ光源とほぼ同じ周波数でな
ければならない。たとえば、水銀放電ランプの３６５ｎ
ｍ線と対応するアルゴンレーザの３６３ 、８ ｎｍ線
を使用できる。この紫外の線は、ホログラフィ記録材料
の感度にとって利点となる。また、光の波長の減少によ
り分解能が改善され、レジスト感度が改善される。さら
に、適当なポリマ材料に増感剤を使用する必要かない。
ホログラムの記録につづくシリコン薄板への像の印刷に
おいて、印刷段階で圧電移動素子を用いてシリコン薄板
を単に縦方向に移動するだけで、そのような正確さの像
の焦点深度問題を克服できる。印刷とホログラム形成の
幾何学に対しステットソン氏により提案された構造を考
えると、スペーサを原像の生成の間にマスク窓とホログ
ラムとの間に置くことは理想からはずれていることがわ
かる。そこで、上に述、べたように、電圧を加えて厚さ
を変えることができる圧電スペーサのような能動型の素
子をスペーサの代りに用いることができる。これにより
、続く露光工程において縦に移動できるようにシリコン
薄板をホログラムの上の位置に位置できる。記録の際に
開口が非常に大きい一方、焦点が像の正確さとともに光
の波長のオーダであるということを留意して、圧電素子
の使用により像の結像の問題を解決できる。第１図に概
略を示した構成において、光システムの重要な特徴は、
レーザ光源２５から入ってくる参照光束がホログラフィ
層の表面で内部に反射され、マスク窓１９を通ってくる
光が入射する参照光束と内部に反射された参照光束の双
方と事実上干渉して透過ホログラムを形成し、このホロ
グラムが後に再生されたとき、マスク窓に位置する対象
物の実像を作ることである。こうして、問題のホログラ
フィ像を形成するために役立たない本質的にすべての光
は、ホログラフィ材料の表面からの反射により単に減衰
する。
おいて、印刷段階で圧電移動素子を用いてシリコン薄板
を単に縦方向に移動するだけで、そのような正確さの像
の焦点深度問題を克服できる。印刷とホログラム形成の
幾何学に対しステットソン氏により提案された構造を考
えると、スペーサを原像の生成の間にマスク窓とホログ
ラムとの間に置くことは理想からはずれていることがわ
かる。そこで、上に述、べたように、電圧を加えて厚さ
を変えることができる圧電スペーサのような能動型の素
子をスペーサの代りに用いることができる。これにより
、続く露光工程において縦に移動できるようにシリコン
薄板をホログラムの上の位置に位置できる。記録の際に
開口が非常に大きい一方、焦点が像の正確さとともに光
の波長のオーダであるということを留意して、圧電素子
の使用により像の結像の問題を解決できる。第１図に概
略を示した構成において、光システムの重要な特徴は、
レーザ光源２５から入ってくる参照光束がホログラフィ
層の表面で内部に反射され、マスク窓１９を通ってくる
光が入射する参照光束と内部に反射された参照光束の双
方と事実上干渉して透過ホログラムを形成し、このホロ
グラムが後に再生されたとき、マスク窓に位置する対象
物の実像を作ることである。こうして、問題のホログラ
フィ像を形成するために役立たない本質的にすべての光
は、ホログラフィ材料の表面からの反射により単に減衰
する。
上記のシステムの変形例では、第１図と第２図に関連し
て説明したように、再生操作が露光操作においてシリコ
ン薄板上にホログラフィ像を作る間、走査技術を用いて
、ノリコン薄板上に印す１１された回路のホログラフィ
像を順次形成できる。これにより、シリコン薄板での露
光の一様性の問題。
て説明したように、再生操作が露光操作においてシリコ
ン薄板上にホログラフィ像を作る間、走査技術を用いて
、ノリコン薄板上に印す１１された回路のホログラフィ
像を順次形成できる。これにより、シリコン薄板での露
光の一様性の問題。
を克服できる。また、ガラス仮からシリコン薄板を分離
する際に連続的に調整でき、こうして、シリコン薄板の
非平面性に対して許容される投映像の焦点の円滑で連続
的な調整が可能になる。自動的な結像は、走査の間に、
シリコン薄板の下側から操作するゾーン板のような光モ
ニタシステムを用いて達成される。また、走査は、処理
の間のシリコン薄板の縮小のために許容される像の大き
さの局所的な調整が可能になる。また、共役参照光束の
形状の調整の別の方法が、処理の間の縮小の問題を克服
するために使用できる。この問題は、第２図の実施例の
フィルタ３４または後に説明する第３図の場合の位相共
役ミラー４８をとりまく磁気的素子を用いて達成できる
。
する際に連続的に調整でき、こうして、シリコン薄板の
非平面性に対して許容される投映像の焦点の円滑で連続
的な調整が可能になる。自動的な結像は、走査の間に、
シリコン薄板の下側から操作するゾーン板のような光モ
ニタシステムを用いて達成される。また、走査は、処理
の間のシリコン薄板の縮小のために許容される像の大き
さの局所的な調整が可能になる。また、共役参照光束の
形状の調整の別の方法が、処理の間の縮小の問題を克服
するために使用できる。この問題は、第２図の実施例の
フィルタ３４または後に説明する第３図の場合の位相共
役ミラー４８をとりまく磁気的素子を用いて達成できる
。
第３図に示す装置は、１つのレーザ光源だけが使用され
る別の構成を示す。レーザ光源２４は、人力ビームＳと
参照ビームＲとの双方を光束スプリッタ４０を用いて発
生する。入力光束Ｓは、光束スプリッタ４０を通り、第
１図の実施例の場合のように、頂点ミラー１０へ進む。
る別の構成を示す。レーザ光源２４は、人力ビームＳと
参照ビームＲとの双方を光束スプリッタ４０を用いて発
生する。入力光束Ｓは、光束スプリッタ４０を通り、第
１図の実施例の場合のように、頂点ミラー１０へ進む。
参照光束Ｒは、光束スプリッタ４０の前面で反射され、
可動ミラー４２に進む。レーザ光源２４の分極のために
、参照光束Ｒは、最大値から０まで連続的に変わる透過
を示す。ミラー４２は、実線で示す位置から破線で示す
位置まで、図示しない手段によりピボット点４４の回り
で回転して移動できる。実線で示される位置では、参照
光束Ｒは拡大レンズ４６に進み、次に、集束レンズ２７
を通って、プリズム２２の面Ｚに実質的に垂直に投映さ
れる。破線で示された再生位置では、参照光束Ｒは、ミ
ラー４２゜４８を経て拡大レンズ５０へ進み、プリズム
２２の面Ｙに実質的に垂直に投映される。
可動ミラー４２に進む。レーザ光源２４の分極のために
、参照光束Ｒは、最大値から０まで連続的に変わる透過
を示す。ミラー４２は、実線で示す位置から破線で示す
位置まで、図示しない手段によりピボット点４４の回り
で回転して移動できる。実線で示される位置では、参照
光束Ｒは拡大レンズ４６に進み、次に、集束レンズ２７
を通って、プリズム２２の面Ｚに実質的に垂直に投映さ
れる。破線で示された再生位置では、参照光束Ｒは、ミ
ラー４２゜４８を経て拡大レンズ５０へ進み、プリズム
２２の面Ｙに実質的に垂直に投映される。
（発明の効果）
集積回路のホログラフィ再生のための上記の構成により
、以下の重要な点と長所が実現できる。
、以下の重要な点と長所が実現できる。
（ａ）十分サブミクロン範囲までの分解能を有する非常
に正確なホログラムを再生できる。
に正確なホログラムを再生できる。
（ｂ）作られたホログラフィ像は、実質的にスペックル
がない。（従来は、スペックルによりサブミクロン範囲
での集積回路のホログラフィ像の再生ができなかった６
） （ｃ）参照光束の全内部反射における主光束と参照光束
との干渉の技術を用いることにより、他の技術ではホロ
グラフィ像の印刷において当惑させられた光を、文字通
り投げすてることができる。
がない。（従来は、スペックルによりサブミクロン範囲
での集積回路のホログラフィ像の再生ができなかった６
） （ｃ）参照光束の全内部反射における主光束と参照光束
との干渉の技術を用いることにより、他の技術ではホロ
グラフィ像の印刷において当惑させられた光を、文字通
り投げすてることができる。
（ｄ）縦の方向にホログラフィで印刷されるべきシリコ
ン薄板を移動して、７１；ログラフィ像の正確な結像が
確実に行える。
ン薄板を移動して、７１；ログラフィ像の正確な結像が
確実に行える。
（ｅ）記録材料にホログラフィ像を一度形成すると、ホ
ログラムからシリコン薄板を実際に印刷することは比較
的容易な作業であり、必要な数の生産品の生産が本技術
による正確な再生により確実に行える。
ログラムからシリコン薄板を実際に印刷することは比較
的容易な作業であり、必要な数の生産品の生産が本技術
による正確な再生により確実に行える。
（４）従来のコヒーレントでない光の結像を用いた通常
の方法では、かなり高価なレンズと厳しい光についての
制限があった。本発明に係るホログラフィ法では、この
高価な物を使用しなくてもよい。 ・
の方法では、かなり高価なレンズと厳しい光についての
制限があった。本発明に係るホログラフィ法では、この
高価な物を使用しなくてもよい。 ・
＄１１Ｚは、ホログラム技術を用いた集積回路の製造の
ための好ましい構成の図式的な配置の図である。 第２図は、再生操作において第２参照光束を用いる別の
構成の図式的な配置の一部の図である。 第３図は、一つだけのレーザ光源を用いる別の構成の図
式的な配置の一部の図である。 第４図は、主光束と内部で全反射される参照光束とによ
りホログラムを生じる機構の図式的な図である。 Ｓ・・・入力光束、 Ｒ・・・参照光束、１６・・・
記録媒体、 １９・・・マスク窓、２４・・・コヒー
レントな光の光源、 ３０・・・シリコン薄板。 特許出願人 ウィリアム・ベル・ヒユーグル代 理 人
弁理士 青 山 葆ほか２名第１図 第４図 第２図 第３図
ための好ましい構成の図式的な配置の図である。 第２図は、再生操作において第２参照光束を用いる別の
構成の図式的な配置の一部の図である。 第３図は、一つだけのレーザ光源を用いる別の構成の図
式的な配置の一部の図である。 第４図は、主光束と内部で全反射される参照光束とによ
りホログラムを生じる機構の図式的な図である。 Ｓ・・・入力光束、 Ｒ・・・参照光束、１６・・・
記録媒体、 １９・・・マスク窓、２４・・・コヒー
レントな光の光源、 ３０・・・シリコン薄板。 特許出願人 ウィリアム・ベル・ヒユーグル代 理 人
弁理士 青 山 葆ほか２名第１図 第４図 第２図 第３図
Claims (8)
- （１）集積回路の設計図を含むマスク窓を通るコヒーレ
ントな光の入力光束と、記録材料を載置する表面で内部
へ全反射されるコヒーレントな光の参照光束との干渉に
より記録材料上に集積回路のホログラフィ像を形成する
ホログラフィ法を用いる集積回路製造法において、 （ａ）散乱が無視でき高分解能を有し収縮または変形を
生じない記録材料を備える工程と、 （ｂ）コヒーレントな光の少くとも１つの光源から入力
光束と参照光束とを発生する工程と、 （ｃ）入射する参照光束と反射される参照光束との相互
の干渉により上記の記録材料上に体積ホログラフィ像を
形成する工程と、 （ｄ）マスク窓を取り除き、形成したホログラフィ像を
再生する位置にマスク窓の代わりにシリコン薄板を位置
させる工程と、 （ｅ）ホログラムを形成する第１参照光束と逆の方向に
進むコヒーレントな光の第２参照光束と入力光束との間
の干渉によりシリコン薄板上にホログラムの像を形成す
る工程とからなり、かつ、 （ｆ）集積回路の像を有する複数のシリコン薄板を製造
するために必要な回数だけ、シリコン薄板上にホログラ
ムの像を形成する上記の工程をさらに繰り返すことを特
徴とするホログラフ法を用いた集積回路製造法。 - （２）特許請求の範囲第１項に記載された集積回路製造
法において、 必要な焦点深度に達するために、露光の間にシリコン薄
板を縦に移動する工程をさらに含むことを特徴とする集
積回路製造法。 - （３）特許請求の範囲第２項に記載された集積回路製造
法において、 上記の工程における縦移動が圧電素子手段により行われ
、かつ、圧電素子手段の厚さを変えるために圧電素子手
段に電圧を加える工程をさらに有することを特徴とする
集積回路製造法。 - （４）特許請求の範囲第１項に記載された集積回路製造
法において、 第２参照光束が、第１参照光束を発生する光源と同じ光
源によって発生されること、および、第１参照光束と逆
の方向に進むように参照光束を向け直す工程をさらに含
むことを特徴とする集積回路製造法。 - （５）特許請求の範囲第１項に記載された集積回路製造
法において、 入力光束と参照光束とが同じ光源により発生されること
、および、入射光束から参照光束を分ける工程をさらに
含むことを特徴とする集積回路製造法。 - （６）特許請求の範囲第１項に記載された集積回路製造
法において、 第２参照光束が第１参照光束を発生した光源と同じ光源
により発生されることを特徴とする集積回路製造法。 - （７）特許請求の範囲第１項に記載された集積回路製造
法において、 第１参照光束がレーザーにより発生されること、第２参
照光束が強いスペクトル線が使用される光源によって発
生されること、および、このスペクトル線の両方の側で
不要な放射をフィルタ手段により除去する工程をさらに
含むことを特徴とする集積回路製造法。 - （８）特許請求の範囲第７項に記載された集積回路製造
方法において、 上記の第１参照光束が電磁気的スペクトルの紫外領域に
おいてアルゴン光源の発生する放射により発生されるこ
と、および、上記の第２参照光束が紫外領域においてア
ルゴンレーザの数ｎｍ以内でスペクトル線を有する水銀
ランプによって発生されることを特徴とする集積回路製
造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8615908 | 1986-06-30 | ||
| GB868615908A GB8615908D0 (en) | 1986-06-30 | 1986-06-30 | Integrated circuits |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6327017A true JPS6327017A (ja) | 1988-02-04 |
| JPH0362299B2 JPH0362299B2 (ja) | 1991-09-25 |
Family
ID=10600315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62165125A Granted JPS6327017A (ja) | 1986-06-30 | 1987-06-29 | ホログラフィ法を用いた集積回路製造法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4857425A (ja) |
| EP (1) | EP0251681A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6327017A (ja) |
| KR (1) | KR880001041A (ja) |
| CA (1) | CA1273129A (ja) |
| GB (2) | GB8615908D0 (ja) |
| IN (1) | IN169623B (ja) |
| MY (1) | MY101569A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004235241A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ型表示装置、薄膜素子の製造方法、薄膜トランジスタ回路基板、電気光学装置および電子機器 |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8802333D0 (en) * | 1988-02-03 | 1988-03-02 | Holtronic Technologies Ltd | Improvements in manufacture of integrated circuits using holographic techniques |
| US5322747A (en) * | 1989-03-22 | 1994-06-21 | Hugle William B | Method of manufacturing an optical disc |
| GB8908871D0 (en) | 1989-04-19 | 1989-06-07 | Hugle William B | Manufacture of flat panel displays |
| GB8922341D0 (en) * | 1989-10-04 | 1989-11-22 | Holtronic Technologies Ltd | Apparatus for and method of optical inspection in a total internal reflection holographic imaging system |
| US5083219A (en) * | 1989-12-26 | 1992-01-21 | Physical Optics Corporation | Method and apparatus for recording lippman holographic mirrors |
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