JPS6327320B2 - - Google Patents
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- JPS6327320B2 JPS6327320B2 JP59058047A JP5804784A JPS6327320B2 JP S6327320 B2 JPS6327320 B2 JP S6327320B2 JP 59058047 A JP59058047 A JP 59058047A JP 5804784 A JP5804784 A JP 5804784A JP S6327320 B2 JPS6327320 B2 JP S6327320B2
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- Japan
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- chamber
- reduced pressure
- lower chamber
- reaction vessel
- treated
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、人工ダイヤモンドの析出生成装置
に関するものである。
に関するものである。
従来、人工ダイヤモンドの析出生成方法として
は多数の方法が提案され、中でも例えば特開昭58
−91100号公報に記載されるような熱電子放射材
を用いる方法は、比較的簡単な装置で安定した操
業ができることから注目されている。
は多数の方法が提案され、中でも例えば特開昭58
−91100号公報に記載されるような熱電子放射材
を用いる方法は、比較的簡単な装置で安定した操
業ができることから注目されている。
この熱電子放射材を用いる方法は、例えば第１
図に概略断面図で示される装置を用い、石英製反
応容器ａ内の上部に開口する反応ガス導入管ｂに
よつて流入された、主として炭化水素と水素で構
成された反応混合ガスを、熱電子放射材として
の、例えば金属タングステン製フイラメントｃお
よび支持体ｄ上に保持された被処理材ｅを通して
下方に流し、反応ガス排出管ｆから排気し、この
間反応容器ａ内の雰囲気圧力を１〜300torrに保
持すると共に、フイラメントｃを1500〜2500℃に
加熱して、反応混合ガスの加熱活性化と、所定間
隔下方に配置された被処理材の表面の300〜1300
℃の範囲内の温度への加熱をはかり、この状態で
所定時間の反応を行なわしめることにより被処理
材５の表面に人工ダイヤモンドを析出生成せしめ
るものである。
図に概略断面図で示される装置を用い、石英製反
応容器ａ内の上部に開口する反応ガス導入管ｂに
よつて流入された、主として炭化水素と水素で構
成された反応混合ガスを、熱電子放射材として
の、例えば金属タングステン製フイラメントｃお
よび支持体ｄ上に保持された被処理材ｅを通して
下方に流し、反応ガス排出管ｆから排気し、この
間反応容器ａ内の雰囲気圧力を１〜300torrに保
持すると共に、フイラメントｃを1500〜2500℃に
加熱して、反応混合ガスの加熱活性化と、所定間
隔下方に配置された被処理材の表面の300〜1300
℃の範囲内の温度への加熱をはかり、この状態で
所定時間の反応を行なわしめることにより被処理
材５の表面に人工ダイヤモンドを析出生成せしめ
るものである。
しかし、この熱電子放射材を用いる方法は、反
応初期に被処理材の表面に析出するダイヤモンド
結晶核の数が少なく、一方ダイヤモンドはこの結
晶核を中心に成長し、膜状を呈するようになるも
のであるため、所定の膜厚を有する人工ダイヤモ
ンド皮膜を析出形成するには、かなりの反応時間
を必要とするものであつた。
応初期に被処理材の表面に析出するダイヤモンド
結晶核の数が少なく、一方ダイヤモンドはこの結
晶核を中心に成長し、膜状を呈するようになるも
のであるため、所定の膜厚を有する人工ダイヤモ
ンド皮膜を析出形成するには、かなりの反応時間
を必要とするものであつた。
そこで、本発明者等は、上述のような観点か
ら、反応初期に被処理材の表面に析出するダイヤ
モンド結晶核の増大をはかるべく研究を行なつた
結果、被処理材の表面に、人工ダイヤモンドを析
出生成せしめるに先だつて、前記表面にイオンエ
ツチング処理を施して、これを活性化してやる
と、反応初期に析出するダイヤモンド結晶核の形
成が著しく促進されるようになり、この結果とし
て速い析出生成速度での人工ダイヤモンドの析出
生成が可能となるという知見を得たのである。
ら、反応初期に被処理材の表面に析出するダイヤ
モンド結晶核の増大をはかるべく研究を行なつた
結果、被処理材の表面に、人工ダイヤモンドを析
出生成せしめるに先だつて、前記表面にイオンエ
ツチング処理を施して、これを活性化してやる
と、反応初期に析出するダイヤモンド結晶核の形
成が著しく促進されるようになり、この結果とし
て速い析出生成速度での人工ダイヤモンドの析出
生成が可能となるという知見を得たのである。
この発明は、上記の知見にもとづいて開発され
た人工ダイヤモンドの析出生成装置を提供するも
のであつて、 ダイヤモンドの析出生成を行なう上部室とイオ
ンエツチング処理を行なう下部室に仕切られた減
圧反応容器と、 前記上部室は反応ガス導入管を備え、かつ前記
下部室は反応ガス排出管を備え、 減圧反応容器を上部室と下部室に仕切るための
開閉自在のシヤツタと、 減圧反応容器の上部室および下部室に亘つて被
処理材を上下移動させる昇降装置と、 前記下部室内にある被処理材を加熱するための
加熱装置と、 前記下部室内にある被処理材の表面をイオンエ
ツチングするのに必要なグロー放電発生装置と、 減圧反応容器の上部室内に移動した被処理材の
表面と対向する位置に設けられた熱電子放射材
と、 減圧反応容器の下部室外周にそつてゲートバル
ブを介して連設された減圧装入室および減圧取出
室と、 を具備してなる人工ダイヤモンドの析出生成装置
に特徴を有するものである。
た人工ダイヤモンドの析出生成装置を提供するも
のであつて、 ダイヤモンドの析出生成を行なう上部室とイオ
ンエツチング処理を行なう下部室に仕切られた減
圧反応容器と、 前記上部室は反応ガス導入管を備え、かつ前記
下部室は反応ガス排出管を備え、 減圧反応容器を上部室と下部室に仕切るための
開閉自在のシヤツタと、 減圧反応容器の上部室および下部室に亘つて被
処理材を上下移動させる昇降装置と、 前記下部室内にある被処理材を加熱するための
加熱装置と、 前記下部室内にある被処理材の表面をイオンエ
ツチングするのに必要なグロー放電発生装置と、 減圧反応容器の上部室内に移動した被処理材の
表面と対向する位置に設けられた熱電子放射材
と、 減圧反応容器の下部室外周にそつてゲートバル
ブを介して連設された減圧装入室および減圧取出
室と、 を具備してなる人工ダイヤモンドの析出生成装置
に特徴を有するものである。
つぎに、この発明の装置を実施例により図面を
参照しながら具体的に説明する。
参照しながら具体的に説明する。
実施例
第２図にはこの発明の装置が概略断面図で示さ
れている。図示されるように、石英製減圧反応容
器１は、被処理材Ｓの表面にダイヤモンドを析出
生成させるための上部室１Ａと、被処理材Ｓの表
面をイオンエツチング処理するための下部室１Ｂ
とに開閉自在のシヤツタ２によつて仕切られてお
り、前記上部室１Ａには、ダイヤモンド析出生成
用の主として炭化水素と水素からなる反応混合ガ
ス、並びにイオンエツチング処理用のArガスを
減圧反応容器１内に導入するための反応ガス導入
管３が設けられ、上記下部室には、これらの反応
ガスを排出するための反応ガス排出管４が設けら
れている。
れている。図示されるように、石英製減圧反応容
器１は、被処理材Ｓの表面にダイヤモンドを析出
生成させるための上部室１Ａと、被処理材Ｓの表
面をイオンエツチング処理するための下部室１Ｂ
とに開閉自在のシヤツタ２によつて仕切られてお
り、前記上部室１Ａには、ダイヤモンド析出生成
用の主として炭化水素と水素からなる反応混合ガ
ス、並びにイオンエツチング処理用のArガスを
減圧反応容器１内に導入するための反応ガス導入
管３が設けられ、上記下部室には、これらの反応
ガスを排出するための反応ガス排出管４が設けら
れている。
また、減圧反応容器１の下部室１Ｂには、板材
や格子材、あるいは網材で構成された支持材５上
に載置された被処理材Ｓを加熱するための加熱装
置６と、被処理材Ｓを前記支持材と共に前記上部
室１Ａ（図中２点鎖線位置）および下部室１Ｂ（図
中実線位置）に亘つて上下移動させるための昇降
装置７が設けられており、さらに加熱装置６に
は、被処理材Ｓの表面をイオンエツチングするの
に必要なグロー放電を発生させる装置としての高
周波電源あるいは直流電源８が連結されている。
なお、反応の均一化をはかるために必要に応じて
昇降装置７が回転する機構を備えてもよい。
や格子材、あるいは網材で構成された支持材５上
に載置された被処理材Ｓを加熱するための加熱装
置６と、被処理材Ｓを前記支持材と共に前記上部
室１Ａ（図中２点鎖線位置）および下部室１Ｂ（図
中実線位置）に亘つて上下移動させるための昇降
装置７が設けられており、さらに加熱装置６に
は、被処理材Ｓの表面をイオンエツチングするの
に必要なグロー放電を発生させる装置としての高
周波電源あるいは直流電源８が連結されている。
なお、反応の均一化をはかるために必要に応じて
昇降装置７が回転する機構を備えてもよい。
さらに、減圧反応容器１の上部室１Ａには、ダ
イヤモンドの析出生成のために前記上部室内に移
動した支持材上の被処理材Ｓの表面と所定距離隔
つた位置に対向して、例えば金属タングステン製
フイラメントなどで構成された熱電子放射材９が
設けられている。
イヤモンドの析出生成のために前記上部室内に移
動した支持材上の被処理材Ｓの表面と所定距離隔
つた位置に対向して、例えば金属タングステン製
フイラメントなどで構成された熱電子放射材９が
設けられている。
さらに、また上記減圧反応容器１には、下部室
１Ｂの外周に沿つて、支持材５上に載置された被
処理材Ｓの減圧反応容器１内への装入、およびこ
れよりの取出しの際に、前記減圧反応容器内を常
に減圧状態に保持するための減圧装入室１０およ
び減圧取出室１１がゲートバルブ１２，１３を介
して連設されており、かつ前記減圧装入室１０お
よび減圧取出室１１はそれぞれガス排気管１４，
１５、並びに密閉蓋１０Ａ，１１Ａを備え、さら
に前記密閉蓋１０Ａ，１１Ａには、それぞれ支持
材５上の被処理材Ｓを減圧反応容器内に移動させ
るための装入棒１６、減圧反応容器から、これを
取出すための取出棒１７が設けられている。
１Ｂの外周に沿つて、支持材５上に載置された被
処理材Ｓの減圧反応容器１内への装入、およびこ
れよりの取出しの際に、前記減圧反応容器内を常
に減圧状態に保持するための減圧装入室１０およ
び減圧取出室１１がゲートバルブ１２，１３を介
して連設されており、かつ前記減圧装入室１０お
よび減圧取出室１１はそれぞれガス排気管１４，
１５、並びに密閉蓋１０Ａ，１１Ａを備え、さら
に前記密閉蓋１０Ａ，１１Ａには、それぞれ支持
材５上の被処理材Ｓを減圧反応容器内に移動させ
るための装入棒１６、減圧反応容器から、これを
取出すための取出棒１７が設けられている。
この発明の装置は、上記の構造を有するので、
まず、減圧装入室１０の密閉蓋１０Ａを開けて、
被処理材Ｓを載せた支持材５をこれに装入し、前
記密閉蓋１０Ａを閉じ、ガス排気管１４より排気
して前記の減圧装入室内を１×10-2torr以下の減
圧状態とした後、ゲートバルブ１２を開け、すで
に減圧状態となつている減圧反応容器１の下部室
内に設けた加熱装置６上に、被処理材Ｓを載せた
支持材５を装入棒１６により移動させ、ゲートバ
ルブ１２およびシヤツタ２を閉じた状態で、反応
ガス導入管３よりArガスを減圧反応容器１内に
導入し、一方反応ガス排出管４より排気して、そ
の雰囲気圧力を0.1〜300torrの減圧状態とすると
共に、支持材５上の被処理材Ｓを、加熱装置６に
よつて400〜500℃に加熱した状態で、グロー放電
発生装置８に印加して被処理材Ｓの表面に直流グ
ロー放電を発生させると、この直流グロー放電に
よつて被処理材Ｓの表面がイオンエツチングされ
て著しく活性化するようになり、ついでシヤツタ
２を開け、昇降装置７により前記被処理材Ｓを支
持材５と共に上部室１Ａ内に移動させ、熱電子放
射材９と被処理材Ｓの表面との間隔を30〜50mmと
した位置に止め、熱電子放射材９の温度を1500〜
2500℃に加熱した状態で、反応ガス導入管３より
主として炭化水素と水素からなる反応混合ガスを
導入し、この間熱電子放射材９によつて前記反応
混合ガスは活性化されると共に、被処理材Ｓの表
面は300〜1300℃の温度に加熱されるから、被処
理材Ｓの表面には著しく速い析出生成速度で人工
ダイヤモンドが析出生成するようになり、所定の
人工ダイヤモンドを被処理材Ｓの表面に析出生成
せしめた後、被処理材Ｓを下部室１Ｂ内の初期搬
入位置まで下げ、シヤツタ２を閉じ、ゲートバル
ブ１３を開け、被処理材Ｓを支持材５と共に、減
圧取出室１１の密閉蓋１１Ａに取付けた取出棒１
７にて減圧反応容器１から予めガス排気管１５に
より排気されて減圧状態となつている減圧取出室
11に移動させ、ゲートバルブ１３を閉じた状態で
前記密閉蓋１１Ａを開けて、表面に人工ダイヤモ
ンドを析出生成せしめた被処理材Ｓを支持材５と
共に取出すことからなる一連の操作が連続的に行
なわれるのである。
まず、減圧装入室１０の密閉蓋１０Ａを開けて、
被処理材Ｓを載せた支持材５をこれに装入し、前
記密閉蓋１０Ａを閉じ、ガス排気管１４より排気
して前記の減圧装入室内を１×10-2torr以下の減
圧状態とした後、ゲートバルブ１２を開け、すで
に減圧状態となつている減圧反応容器１の下部室
内に設けた加熱装置６上に、被処理材Ｓを載せた
支持材５を装入棒１６により移動させ、ゲートバ
ルブ１２およびシヤツタ２を閉じた状態で、反応
ガス導入管３よりArガスを減圧反応容器１内に
導入し、一方反応ガス排出管４より排気して、そ
の雰囲気圧力を0.1〜300torrの減圧状態とすると
共に、支持材５上の被処理材Ｓを、加熱装置６に
よつて400〜500℃に加熱した状態で、グロー放電
発生装置８に印加して被処理材Ｓの表面に直流グ
ロー放電を発生させると、この直流グロー放電に
よつて被処理材Ｓの表面がイオンエツチングされ
て著しく活性化するようになり、ついでシヤツタ
２を開け、昇降装置７により前記被処理材Ｓを支
持材５と共に上部室１Ａ内に移動させ、熱電子放
射材９と被処理材Ｓの表面との間隔を30〜50mmと
した位置に止め、熱電子放射材９の温度を1500〜
2500℃に加熱した状態で、反応ガス導入管３より
主として炭化水素と水素からなる反応混合ガスを
導入し、この間熱電子放射材９によつて前記反応
混合ガスは活性化されると共に、被処理材Ｓの表
面は300〜1300℃の温度に加熱されるから、被処
理材Ｓの表面には著しく速い析出生成速度で人工
ダイヤモンドが析出生成するようになり、所定の
人工ダイヤモンドを被処理材Ｓの表面に析出生成
せしめた後、被処理材Ｓを下部室１Ｂ内の初期搬
入位置まで下げ、シヤツタ２を閉じ、ゲートバル
ブ１３を開け、被処理材Ｓを支持材５と共に、減
圧取出室１１の密閉蓋１１Ａに取付けた取出棒１
７にて減圧反応容器１から予めガス排気管１５に
より排気されて減圧状態となつている減圧取出室
11に移動させ、ゲートバルブ１３を閉じた状態で
前記密閉蓋１１Ａを開けて、表面に人工ダイヤモ
ンドを析出生成せしめた被処理材Ｓを支持材５と
共に取出すことからなる一連の操作が連続的に行
なわれるのである。
いま、上記のこの発明の装置を用い、Arによ
るイオンエツチング処理を、 被処理材Ｓ：平面12.7mm□×厚さ4.8mmの寸法を
もつた炭化タングステン基超硬合金（Co：６
重量％、WC：残り）製切削用スローアウエイ
チツプ、 減圧反応容器１内の雰囲気圧力：１×10-3torr、 被処理材Ｓの加熱装置６による加熱温度：500℃、 高周波電源８への印加電力：300W（周波数：
13.56MHz）、 処理時間：10分、 の条件で行なつた後、 反応混合ガス組成：容量割合で、H2／CH4＝
100／１、 熱電子放射材としての金属Ｗ製フイラメント９と
被処理材Ｓの表面との距離：40mm、 減圧反応容器１内の雰囲気圧力：10torr、 フイラメント９の加熱温度：2000℃、 反応時間：６時間、 の条件で人工ダイヤモンドの析出生成を行なつた
ところ、被処理材Ｓの表面には平均層厚：3μｍ
の人工ダイヤモンド膜が形成された。
るイオンエツチング処理を、 被処理材Ｓ：平面12.7mm□×厚さ4.8mmの寸法を
もつた炭化タングステン基超硬合金（Co：６
重量％、WC：残り）製切削用スローアウエイ
チツプ、 減圧反応容器１内の雰囲気圧力：１×10-3torr、 被処理材Ｓの加熱装置６による加熱温度：500℃、 高周波電源８への印加電力：300W（周波数：
13.56MHz）、 処理時間：10分、 の条件で行なつた後、 反応混合ガス組成：容量割合で、H2／CH4＝
100／１、 熱電子放射材としての金属Ｗ製フイラメント９と
被処理材Ｓの表面との距離：40mm、 減圧反応容器１内の雰囲気圧力：10torr、 フイラメント９の加熱温度：2000℃、 反応時間：６時間、 の条件で人工ダイヤモンドの析出生成を行なつた
ところ、被処理材Ｓの表面には平均層厚：3μｍ
の人工ダイヤモンド膜が形成された。
これに対して、上記のイオンエツチング処理を
行なわず、直接上記の条件で人工ダイヤモンド膜
を析出生成させた場合には平均膜厚で1.5μｍの人
工ダイヤモンド膜しか形成することができないも
のであつた。
行なわず、直接上記の条件で人工ダイヤモンド膜
を析出生成させた場合には平均膜厚で1.5μｍの人
工ダイヤモンド膜しか形成することができないも
のであつた。
上述のように、この発明の装置によれば、被処
理材表面に人工ダイヤモンドを析出生成するに先
だつて、予め被処理材表面をイオンエツチング処
理するので、反応初期におけるダイヤモンド結晶
核の析出生成速度が著しく促進され、これによつ
てきわめて速い析出生成速度での人工ダイヤモン
ドの析出生成が可能となるなど工業上有用な効果
がもたらされるのである。
理材表面に人工ダイヤモンドを析出生成するに先
だつて、予め被処理材表面をイオンエツチング処
理するので、反応初期におけるダイヤモンド結晶
核の析出生成速度が著しく促進され、これによつ
てきわめて速い析出生成速度での人工ダイヤモン
ドの析出生成が可能となるなど工業上有用な効果
がもたらされるのである。
第１図は従来の人工ダイヤモンド析出生成装置
を示す概略断面図、第２図はこの発明の人工ダイ
ヤモンド析出生成装置を示す概略断面図である。 図面において、１……減圧反応容器、１Ａ……
上部室、１Ｂ……下部室、Ｓ……被処理材、２…
…シヤツタ、３……反応ガス導入管、４……反応
ガス排出管、５……支持材、６……加熱装置、７
……昇降装置、８……高周波電源、９……熱電子
放射材、１０……減圧装入室、１１……減圧取出
室、１２，１３……ゲートバルブ、１４，１５…
…ガス排気管、１０Ａ，１１Ａ……密閉蓋、１６
……装入棒、１７……取出棒。
を示す概略断面図、第２図はこの発明の人工ダイ
ヤモンド析出生成装置を示す概略断面図である。 図面において、１……減圧反応容器、１Ａ……
上部室、１Ｂ……下部室、Ｓ……被処理材、２…
…シヤツタ、３……反応ガス導入管、４……反応
ガス排出管、５……支持材、６……加熱装置、７
……昇降装置、８……高周波電源、９……熱電子
放射材、１０……減圧装入室、１１……減圧取出
室、１２，１３……ゲートバルブ、１４，１５…
…ガス排気管、１０Ａ，１１Ａ……密閉蓋、１６
……装入棒、１７……取出棒。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ダイヤモンドの析出生成を行なう上部室とイ
オンエツチング処理を行なう下部室に仕切られた
減圧反応容器と、 前記上部室は反応ガス導入管を備え、かつ前記
下部室は反応ガス排出管を備え、 減圧反応容器を上部室と下部室に仕切るための
開閉自在のシヤツタと、 減圧反応容器の上部室および下部室に亘つて被
処理材を上下移動させる昇降装置と、 前記下部室内にある被処理材を加熱するための
加熱装置と、 前記下部室内にある被処理材の表面をイオンエ
ツチングするのに必要なグロー放電発生装置と、 減圧反応容器の上部室内に移動した被処理材の
表面と対向する位置に設けられた熱電子放射材
と、 減圧反応容器の下部室外周にそつてゲートバル
ブを介して連設された減圧装入室および減圧取出
室と、 を具備してなる人工ダイヤモンドの析出生成装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058047A JPS60200898A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 人工ダイヤモンドの析出生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59058047A JPS60200898A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 人工ダイヤモンドの析出生成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60200898A JPS60200898A (ja) | 1985-10-11 |
| JPS6327320B2 true JPS6327320B2 (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=13073014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59058047A Granted JPS60200898A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | 人工ダイヤモンドの析出生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60200898A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02141494A (ja) * | 1988-07-30 | 1990-05-30 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド気相合成装置 |
| US5200231A (en) * | 1989-08-17 | 1993-04-06 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing polycrystalline diamond layers |
| JP2837700B2 (ja) * | 1989-08-23 | 1998-12-16 | ティーディーケイ株式会社 | ダイヤモンド様薄膜を形成する方法 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP59058047A patent/JPS60200898A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60200898A (ja) | 1985-10-11 |
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