JPH0530906B2 - - Google Patents
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- JPH0530906B2 JPH0530906B2 JP61277516A JP27751686A JPH0530906B2 JP H0530906 B2 JPH0530906 B2 JP H0530906B2 JP 61277516 A JP61277516 A JP 61277516A JP 27751686 A JP27751686 A JP 27751686A JP H0530906 B2 JPH0530906 B2 JP H0530906B2
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- Japan
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- cutting machine
- carbon
- manufacturing
- gas
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Landscapes
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ダイヤモンド構造の微結晶性を有す
る炭素被膜を切削機の歯の表面にコーテイングす
るダイヤモンド被膜を有する切削機の作製方法に
関する。
る炭素被膜を切削機の歯の表面にコーテイングす
るダイヤモンド被膜を有する切削機の作製方法に
関する。
本発明は、アセチレン、メタンのような炭化水
素気体をプラズマ雰囲気中に導入し分解せしめる
ことにより、Ｃ−Ｃ結合を作り、結果としてグラ
フアイトのような導電性または不良導電性の炭素
被膜を切削機の歯の表面に形成するのではなく、
ダイヤモンドに類似の絶縁性の炭素被膜を切削機
の歯の表面に形成することを特徴としている。
素気体をプラズマ雰囲気中に導入し分解せしめる
ことにより、Ｃ−Ｃ結合を作り、結果としてグラ
フアイトのような導電性または不良導電性の炭素
被膜を切削機の歯の表面に形成するのではなく、
ダイヤモンドに類似の絶縁性の炭素被膜を切削機
の歯の表面に形成することを特徴としている。
さらに、本発明作製方法によるのは炭素被膜
は、その硬度も4500Kg／mm2以上、代表的には6500
Kg／mm2というダイヤモンド類似の硬さを有する。
そしてその結晶学的構造は５〜200Åの大きさの
微結晶性を有している。
は、その硬度も4500Kg／mm2以上、代表的には6500
Kg／mm2というダイヤモンド類似の硬さを有する。
そしてその結晶学的構造は５〜200Åの大きさの
微結晶性を有している。
またこの炭素被膜は水素が25モル％以下の量を
同時に含有する。
同時に含有する。
さらに、本発明作製方法で得られる炭素被膜
は、珪素がSi／Ｃ≦0.25の濃度に添加されたいわ
ゆる炭素を主成分とする炭素をも意味する。
は、珪素がSi／Ｃ≦0.25の濃度に添加されたいわ
ゆる炭素を主成分とする炭素をも意味する。
本発明は、特に、前記炭素被膜を金属またはセ
ラミツクスよりなる切削機基体の歯の表面に形成
する切削機の作製方法であることを特徴とするも
のである。
ラミツクスよりなる切削機基体の歯の表面に形成
する切削機の作製方法であることを特徴とするも
のである。
本発明作製方法では、前記炭素被膜を形成させ
る際に切削機基体に加える温度を150〜450℃とす
ることが可能となり、従来より知られている
CVD法において用いられる基板温度に加べ500〜
1500℃も低い温度で炭素被膜を形成することがで
きる。
る際に切削機基体に加える温度を150〜450℃とす
ることが可能となり、従来より知られている
CVD法において用いられる基板温度に加べ500〜
1500℃も低い温度で炭素被膜を形成することがで
きる。
以下第１図に基づいて本発明切削機の作製方法
について説明する。
について説明する。
第１図は、本発明の炭素被膜を切削機基体の歯
の表面に形成するプラズマCVD装置の概要を示
している。
の表面に形成するプラズマCVD装置の概要を示
している。
第１図において、反応性気体である炭化水素気
体、例えばアセチレンがバルブ８、流量計５を経
て反応系中の励起室４に導入される。さらにキヤ
リアガスとして水素をバルブ７、流量計６を経て
同様に励起室４に導入される。
体、例えばアセチレンがバルブ８、流量計５を経
て反応系中の励起室４に導入される。さらにキヤ
リアガスとして水素をバルブ７、流量計６を経て
同様に励起室４に導入される。
前記反応性気体は、2.45GHzのマイクロ並みに
よる電磁エネルギ３により0.1〜5kwのエネルギ
を加えられ、前記励起室４にて活性化、分解させ
られる。
よる電磁エネルギ３により0.1〜5kwのエネルギ
を加えられ、前記励起室４にて活性化、分解させ
られる。
さらに、この反応性気体は、反応炉１にて加熱
炉９により150〜450℃に加熱させ、さらに
13.56MHzの高周波エネルギ２により反応、重合
され、Ｃ−Ｃ結合を多数形成した炭素を生成す
る。
炉９により150〜450℃に加熱させ、さらに
13.56MHzの高周波エネルギ２により反応、重合
され、Ｃ−Ｃ結合を多数形成した炭素を生成す
る。
この際、加える電磁エネルギを強くした場合は
５〜200Åの大きさのダイヤモンド構造の微結晶
性を有する炭素を形成させうる。しかし、この電
磁エネルギが小さい場合は、アモルフアス構造の
みになつてしまつた。また、この反応の際、電源
１３によりヒータ１１を加熱し、さらに、その上
の切削機基体１０を加熱して行う。
５〜200Åの大きさのダイヤモンド構造の微結晶
性を有する炭素を形成させうる。しかし、この電
磁エネルギが小さい場合は、アモルフアス構造の
みになつてしまつた。また、この反応の際、電源
１３によりヒータ１１を加熱し、さらに、その上
の切削機基体１０を加熱して行う。
このように、前記本発明作製方法にり、金属ま
たはセラミツクスからなる切削機基体の歯の表面
に前記炭素被膜を形成することにより均質な耐摩
耗性表面を有せしめた切削機の歯を形成すること
ができる。
たはセラミツクスからなる切削機基体の歯の表面
に前記炭素被膜を形成することにより均質な耐摩
耗性表面を有せしめた切削機の歯を形成すること
ができる。
前記炭素被膜の選択的な除去方法として、切削
機全面に設けられた炭素に対し、酸化物雰囲気中
にてレーザ光を選択的にコンピユータ制御により
行い、不要の部分の炭素を酸化して炭酸ガスとし
て放出して除去する。このレーザ光による選択エ
ツチングは本発明作製方法を工業的に応用する場
合に任意に用いることができる。
機全面に設けられた炭素に対し、酸化物雰囲気中
にてレーザ光を選択的にコンピユータ制御により
行い、不要の部分の炭素を酸化して炭酸ガスとし
て放出して除去する。このレーザ光による選択エ
ツチングは本発明作製方法を工業的に応用する場
合に任意に用いることができる。
以上の説明から明らかなように、本発明切削機
の作製方法により作製された切削機は、金属また
はセラミツクスからなる切削機基体の歯の表面に
ダイヤモンド構造の微結晶性を有する炭素または
炭素を主成分とした被膜をコーテイングして設け
たから、その硬度または基体に対する密着性がき
わめて優れたものが得られる。
の作製方法により作製された切削機は、金属また
はセラミツクスからなる切削機基体の歯の表面に
ダイヤモンド構造の微結晶性を有する炭素または
炭素を主成分とした被膜をコーテイングして設け
たから、その硬度または基体に対する密着性がき
わめて優れたものが得られる。
本発明作製方法において作製される切削機の基
体としてセラミツクスや金属を用いるが、前記セ
ラミツクスとしてはアルミナ、ジルコニア、また
はそれらに炭素またはランタン等の希土類元素が
添加された任意の材料を用いることができる。
体としてセラミツクスや金属を用いるが、前記セ
ラミツクスとしてはアルミナ、ジルコニア、また
はそれらに炭素またはランタン等の希土類元素が
添加された任意の材料を用いることができる。
また金属としては、ステンレス、モリブデン、
タングステン等の少なくとも300〜450℃の温度に
耐えられる材料ならば応用可能である。
タングステン等の少なくとも300〜450℃の温度に
耐えられる材料ならば応用可能である。
第１図は、炭素被膜を被形成面上に作製する本
発明製造装置の概要を示す。
発明製造装置の概要を示す。
Claims (1)
- １ 反応性気体として炭化水素気体を用い、切削
器の歯が装填されている反応容器内に前記炭化水
素気体と水素の混合気体を導入し、前記反応容器
内を0.001〜10torrの圧力に保持して、外部より
1GHz以上の周波数のマイクロ波エネルギーを供
給してプラズマ化し、該プラズマ化した混合気体
にさらに高周波エネルギーを供給し、前記混合気
体よりダイヤモンド構造の微結晶を有する炭素被
膜を前記切削機の歯の表面に形成することを特徴
とするダイヤモンド被膜を有する切削機の作製方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61277516A JPS62167884A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61277516A JPS62167884A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56146930A Division JPS5848428A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 炭素被膜を有する複合体およびその作製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62167884A JPS62167884A (ja) | 1987-07-24 |
| JPH0530906B2 true JPH0530906B2 (ja) | 1993-05-11 |
Family
ID=17584686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61277516A Granted JPS62167884A (ja) | 1986-11-19 | 1986-11-19 | 炭素被膜を有する複合体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62167884A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2775263B2 (ja) * | 1988-10-11 | 1998-07-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 炭素膜で覆われた部材 |
| US6925439B1 (en) | 1994-06-20 | 2005-08-02 | C-Sam, Inc. | Device, system and methods of conducting paperless transactions |
| US6303225B1 (en) * | 2000-05-24 | 2001-10-16 | Guardian Industries Corporation | Hydrophilic coating including DLC on substrate |
-
1986
- 1986-11-19 JP JP61277516A patent/JPS62167884A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| SOLID STATE COMMUN * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62167884A (ja) | 1987-07-24 |
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