JPS63277751A - 低ガス放出壁面を有する真空容器 - Google Patents
低ガス放出壁面を有する真空容器Info
- Publication number
- JPS63277751A JPS63277751A JP11376187A JP11376187A JPS63277751A JP S63277751 A JPS63277751 A JP S63277751A JP 11376187 A JP11376187 A JP 11376187A JP 11376187 A JP11376187 A JP 11376187A JP S63277751 A JPS63277751 A JP S63277751A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- low gas
- carbon film
- gas release
- vacuum container
- release walls
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、低ガス放出壁面、特に超高乃至は極高真空を
達成するための真空容器の内側面として使用される低ガ
ス放出壁面に関する。
達成するための真空容器の内側面として使用される低ガ
ス放出壁面に関する。
従来超高乃至極高（以後、単に超高と記す）真空を得る
には、ガス放出の少ない材料（例えばステンレス鋼や純
アルミニウム）で作成した容器の表面を化学的洗浄（例
えば酸洗等）及び物理的洗浄（例えば超音波洗浄）を行
った後組立て、ベーキングを行ないつ＼少なくとも数日
間連続排気することが必要とされている。これは主とし
て容器表面に吸着されている水分子を排気する為である
。
には、ガス放出の少ない材料（例えばステンレス鋼や純
アルミニウム）で作成した容器の表面を化学的洗浄（例
えば酸洗等）及び物理的洗浄（例えば超音波洗浄）を行
った後組立て、ベーキングを行ないつ＼少なくとも数日
間連続排気することが必要とされている。これは主とし
て容器表面に吸着されている水分子を排気する為である
。
この様に従来超高真空に至るまで、長時間を要していた
ので、この際の真空装置運転のための電力消費がかさん
だり、また、迅速に作業を行うことができず、作業効率
が悪いという問題点が・あった。
ので、この際の真空装置運転のための電力消費がかさん
だり、また、迅速に作業を行うことができず、作業効率
が悪いという問題点が・あった。
上記問題点は炭素膜が表面に設けられた低ガス放出壁面
をもちいることにより解決される。
をもちいることにより解決される。
この炭素膜の作成方法としては、炭化水素の放電プラズ
マにより析出させる方法あるいはスパッタリングによる
方法等を用いることができるが、炭化水素の放電プラズ
マにより析出させる方法によると、比較的容易に真空容
器表面に炭素膜を均一に形成することができる。炭素膜
は重金属等の不純物が極力排除された高純度のものが好
ましいことは言うまでもないが、電子サイクロトロン共
鳴（ＩＥＣＲ） プラズマによれば不純物の極めて少
ない炭素膜を得る事ができるのでこの点で特に好ましい
。
マにより析出させる方法あるいはスパッタリングによる
方法等を用いることができるが、炭化水素の放電プラズ
マにより析出させる方法によると、比較的容易に真空容
器表面に炭素膜を均一に形成することができる。炭素膜
は重金属等の不純物が極力排除された高純度のものが好
ましいことは言うまでもないが、電子サイクロトロン共
鳴（ＩＥＣＲ） プラズマによれば不純物の極めて少
ない炭素膜を得る事ができるのでこの点で特に好ましい
。
炭素膜形成方法および作成条件に依存して、形成される
炭素膜はダイヤモンド構造、グラファイト構造、或いは
アモルファス構造をとり得る。
炭素膜はダイヤモンド構造、グラファイト構造、或いは
アモルファス構造をとり得る。
容器表面に吸着している水分子の排気に長時間を必要と
する主な原因は、多くの場合容器表面と水分子が化学的
に結合していて所謂化学吸着層を作っている為である。
する主な原因は、多くの場合容器表面と水分子が化学的
に結合していて所謂化学吸着層を作っている為である。
純度の高い炭素膜は化学的に安定であるから、ガス分子
の（特に水分子の）吸着が少なく従ってガス放出も少な
い。高純度炭素膜で被覆された真空容器は、全体として
ガス放出が低く押えられ、排気時間が著しく短くなる。
の（特に水分子の）吸着が少なく従ってガス放出も少な
い。高純度炭素膜で被覆された真空容器は、全体として
ガス放出が低く押えられ、排気時間が著しく短くなる。
〔発明の効果〕
超高真空用容器表面に高純度炭素膜を被覆することによ
り、水等の分子の吸着を化学吸着なしに、物理吸着のみ
にと望める事により、排気時間を著しく短縮することが
できる。排気時間の短縮は当然の享年ら経済性および作
業効率を著しく改善する。換言すると、ベーキング温度
及び排気時間を一定とすれば、より良い真空度を期待で
きる。
り、水等の分子の吸着を化学吸着なしに、物理吸着のみ
にと望める事により、排気時間を著しく短縮することが
できる。排気時間の短縮は当然の享年ら経済性および作
業効率を著しく改善する。換言すると、ベーキング温度
及び排気時間を一定とすれば、より良い真空度を期待で
きる。
水分子の吸着脱離を調べるため、直径約１０ｃｍ長さ約
１００ｃｍのステンレス鋼管を試験資料として、〔１）
水素放出洗浄で資料表面を洗浄化した場合と、（２）こ
の試料表面にＣＨ，とＨ２の混合ガスのＥＣＲ放電によ
って炭素膜を被覆した場合の真空排気特性の差違を調べ
た。添付図面に、この結果を示す。何れの場合も先ず水
分子を壁表面に充分吸着させた後、壁温は室温として排
気を行なっている。横軸は排気時間を、縦軸はガス放出
速度を示す。真空排気後１時間におけるガス放出速度を
比べると、炭素膜被覆したものは、ステンレス鋼そのま
５のものに比べて約１７７ になっており、本発明の有
効性を示している。別の見方をすれば、ガス放出量が１
．９ Ｘ １０−’ Ｐａ−ｍ’／ｓｅｃ−ｍ’時間は
、前者は後者の１７６ に短縮されている。
１００ｃｍのステンレス鋼管を試験資料として、〔１）
水素放出洗浄で資料表面を洗浄化した場合と、（２）こ
の試料表面にＣＨ，とＨ２の混合ガスのＥＣＲ放電によ
って炭素膜を被覆した場合の真空排気特性の差違を調べ
た。添付図面に、この結果を示す。何れの場合も先ず水
分子を壁表面に充分吸着させた後、壁温は室温として排
気を行なっている。横軸は排気時間を、縦軸はガス放出
速度を示す。真空排気後１時間におけるガス放出速度を
比べると、炭素膜被覆したものは、ステンレス鋼そのま
５のものに比べて約１７７ になっており、本発明の有
効性を示している。別の見方をすれば、ガス放出量が１
．９ Ｘ １０−’ Ｐａ−ｍ’／ｓｅｃ−ｍ’時間は
、前者は後者の１７６ に短縮されている。
図面は水素放電洗浄で表面が清浄化されたステンレス鋼
管、およびこの鋼管の表面に炭素膜を施した場合のガス
放出速度の時間依存性を示すグラフである。 時間（分）
管、およびこの鋼管の表面に炭素膜を施した場合のガス
放出速度の時間依存性を示すグラフである。 時間（分）
Claims (2)
- （１）炭素膜が表面に設けられていることを特徴とする
低ガス放出壁面。 - （２）前記炭素膜が炭素化合物プラズマにより析出形成
されていることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の低ガス放出壁面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11376187A JPS63277751A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 低ガス放出壁面を有する真空容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11376187A JPS63277751A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 低ガス放出壁面を有する真空容器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63277751A true JPS63277751A (ja) | 1988-11-15 |
| JPH0583631B2 JPH0583631B2 (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14620474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11376187A Granted JPS63277751A (ja) | 1987-05-11 | 1987-05-11 | 低ガス放出壁面を有する真空容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63277751A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268200A (en) * | 1990-05-21 | 1993-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method of forming plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51100944A (ja) * | 1975-03-03 | 1976-09-06 | Hitachi Ltd | Guroohodenhyomenshorisochi |
| JPS5853833A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS62281426A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Teru Ramu Kk | 半導体処理装置 |
-
1987
- 1987-05-11 JP JP11376187A patent/JPS63277751A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51100944A (ja) * | 1975-03-03 | 1976-09-06 | Hitachi Ltd | Guroohodenhyomenshorisochi |
| JPS5853833A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Toshiba Corp | プラズマエツチング装置 |
| JPS62281426A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-07 | Teru Ramu Kk | 半導体処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5268200A (en) * | 1990-05-21 | 1993-12-07 | Applied Materials, Inc. | Method of forming plasma etch apparatus with conductive coating on inner metal surfaces of chamber to provide protection from chemical corrosion |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0583631B2 (ja) | 1993-11-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100381603C (zh) | 通过阴极沉积获得的非蒸发性吸气多层沉积物及其制造方法 | |
| KR100702710B1 (ko) | 활성화 처리와 무관하게 수소를 흡착할 수 있는 복합 물질 및 이의 제조 방법 | |
| TW258821B (ja) | ||
| US8597731B2 (en) | Method for applying a diamond layer onto a graphite substrate | |
| JP3878417B2 (ja) | 薄層堆積で使用する方法及びゲッターデバイス | |
| JP2008227460A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
| JP4451498B2 (ja) | 非常に高真空の系において真空を改善するための装置と方法 | |
| JP2904723B2 (ja) | クリーニングガス | |
| US4055686A (en) | Method of forming metal hydride films | |
| JPS63277751A (ja) | 低ガス放出壁面を有する真空容器 | |
| JPS62103379A (ja) | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 | |
| Bachmann et al. | Determination of Surface Structure using Ultra‐High Vacuum Replication | |
| JP4312357B2 (ja) | 金属アルミニウム含有基体の窒化処理方法 | |
| JPH0559524A (ja) | 超高真空機器用ステンレス鋼部材およびその製造法 | |
| RU2739564C1 (ru) | Способ изготовления гетерогенных катализаторов низкотемпературного окисления моноксида углерода | |
| JP7538870B2 (ja) | 金属工作物をグラフェンでコーティングするための方法及びシステム | |
| JPH04173962A (ja) | 真空容器 | |
| Schrader | High-and medium-energy surfaces: Ultrahigh vacuum approach | |
| JP2747753B2 (ja) | 不活性ガス中の微量不純ガス成分の除去方法および除去装置 | |
| JPH01103991A (ja) | 人工ダイヤモンド膜の形成方法 | |
| JP3468412B2 (ja) | クリーニングガス | |
| JPH0250985A (ja) | 炭素または炭素を主成分とする被膜を形成する装置のクリーニング方法 | |
| JPH03243688A (ja) | フッ化塩素ガスによるＳｉＯｘのクリーニング方法 | |
| Schrader | Wettability of Clean Metal Surfaces as Determined with Ultrahigh-Vacuum Techniques | |
| Shin-ichirou Hayashi | Hydrogen introduction by abrasion in aluminum |