JPS6327778B2 - - Google Patents
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- JPS6327778B2 JPS6327778B2 JP56107036A JP10703681A JPS6327778B2 JP S6327778 B2 JPS6327778 B2 JP S6327778B2 JP 56107036 A JP56107036 A JP 56107036A JP 10703681 A JP10703681 A JP 10703681A JP S6327778 B2 JPS6327778 B2 JP S6327778B2
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光、熱等のエネルギービームの照射に
より記録層に穴もしくは例えば凹部等の変形部を
形成することによつて情報を記録するようにした
光学的情報記録媒体に係り、特に感度の向上及び
長寿命化を図つた光学的情報記録媒体に関する。
より記録層に穴もしくは例えば凹部等の変形部を
形成することによつて情報を記録するようにした
光学的情報記録媒体に係り、特に感度の向上及び
長寿命化を図つた光学的情報記録媒体に関する。
基板上に形成された薄膜層にエネルギービーム
を照射し記録されるべき信号に対応したビツト列
を形成するようにした光学的情報記録媒体におい
て、従来より記録薄膜としてテルル（Te）、ビス
マス（Bi）、亜鉛（Zn）等の低融点金属を使用す
ることが知られている。これらの金属薄膜、低い
エネルギーで所望のビツトを形成できるため、こ
の種用途においては高感度材料として有望であ
る。ここで感度とは単位面積当りのビツト形成に
要するエネルギー（ｍＪ／cm2）で定義される。
を照射し記録されるべき信号に対応したビツト列
を形成するようにした光学的情報記録媒体におい
て、従来より記録薄膜としてテルル（Te）、ビス
マス（Bi）、亜鉛（Zn）等の低融点金属を使用す
ることが知られている。これらの金属薄膜、低い
エネルギーで所望のビツトを形成できるため、こ
の種用途においては高感度材料として有望であ
る。ここで感度とは単位面積当りのビツト形成に
要するエネルギー（ｍＪ／cm2）で定義される。
しかしながらこれらの低融点金属は大気中に放
置された場合、酸素や水分により酸化しやすく、
膜表面に酸化物が形成されて感度が劣化する。た
とえばTeやBiにおいてはこれらを70℃、相対湿
度85％の雰囲気に放置した場合、約５時間で感度
が約20％低下し、約15時間で約50％低下してしま
う。このためTe膜上に有機保護膜をコーテイン
グする等の手段がとられているが、未だ十分な寿
命は得られていない。
置された場合、酸素や水分により酸化しやすく、
膜表面に酸化物が形成されて感度が劣化する。た
とえばTeやBiにおいてはこれらを70℃、相対湿
度85％の雰囲気に放置した場合、約５時間で感度
が約20％低下し、約15時間で約50％低下してしま
う。このためTe膜上に有機保護膜をコーテイン
グする等の手段がとられているが、未だ十分な寿
命は得られていない。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたもの
で、高感度でかつ長寿命の光学的情報記録媒体を
提供することを目的とする。
で、高感度でかつ長寿命の光学的情報記録媒体を
提供することを目的とする。
本発明は、光学的情報記録媒体の記録膜をTe
等の低融点金属、５〜40原子％の炭素、及び水素
を含有する薄膜としたことを特徴とし、これによ
つて高感度化、長寿命化を達成している。又、上
記記録膜はTe等の低融点金属をターゲツトとし、
CH4ガス又はC2H2ガスの少なくとも一方とArと
の混合ガス中でスパツタすることにより形成して
いる。
等の低融点金属、５〜40原子％の炭素、及び水素
を含有する薄膜としたことを特徴とし、これによ
つて高感度化、長寿命化を達成している。又、上
記記録膜はTe等の低融点金属をターゲツトとし、
CH4ガス又はC2H2ガスの少なくとも一方とArと
の混合ガス中でスパツタすることにより形成して
いる。
以下図面を参照して本発明の実施例につき詳細
に説明する。第１図は本発明による光学的情報記
録媒体の一実施例を示す断面構成図である。
に説明する。第１図は本発明による光学的情報記
録媒体の一実施例を示す断面構成図である。
図において１は基板で、本実施例では合成樹脂
の１つであるアクリル板が用いられる。しかしこ
の他にもプラスチツクやガラス基板であつてもよ
く、情報記録の読み出し方法によつて適宜選択し
得る。２はＣ及びＨを含有する低融点金属薄膜で
25℃〜600℃の融点を有し、その厚さは、十分な
光反射率を得る程度に厚く、かつ感度を損なわな
い程度に薄いことが必要で、200Å〜1μｍ程度が
適当である。ここで低融点金属としてはTe、Bi、
Zn、Cd、In、Sb、Pb、Snなどもしくはその合金
が使用され、Ｃ及びＨを含む低融点金属として
Teを例にとると、Teをターゲツトとし、Ｃを含
む有機ガス例えば、CH4やC2H2ガスとArとの混
合ガス中でスパツタすることによりＣ及びＨを含
むTe薄膜が得られる。すなわちTe薄膜中のＣ及
びＨの含有量はArとCH4（又はC2H2）との混合
比を変えることにより制御でき、例えばAr／
CH4＝０のときには、Te1-xCx（Ｈ）と表記した場
合約０原子％のＣを含有させることができ、また
原子数比でＣに対し３程度のＨを含有させること
がきる。尚、Te以外にZn、Cd、In、Sb、Pb等
の低融点金属をターゲツトとし、CH4あるいは
C2H2ガスとArとの混合ガス中でスパツタするこ
とにより、やはりＣ及びＨを含有する低融点金属
薄膜を得ることができる。
の１つであるアクリル板が用いられる。しかしこ
の他にもプラスチツクやガラス基板であつてもよ
く、情報記録の読み出し方法によつて適宜選択し
得る。２はＣ及びＨを含有する低融点金属薄膜で
25℃〜600℃の融点を有し、その厚さは、十分な
光反射率を得る程度に厚く、かつ感度を損なわな
い程度に薄いことが必要で、200Å〜1μｍ程度が
適当である。ここで低融点金属としてはTe、Bi、
Zn、Cd、In、Sb、Pb、Snなどもしくはその合金
が使用され、Ｃ及びＨを含む低融点金属として
Teを例にとると、Teをターゲツトとし、Ｃを含
む有機ガス例えば、CH4やC2H2ガスとArとの混
合ガス中でスパツタすることによりＣ及びＨを含
むTe薄膜が得られる。すなわちTe薄膜中のＣ及
びＨの含有量はArとCH4（又はC2H2）との混合
比を変えることにより制御でき、例えばAr／
CH4＝０のときには、Te1-xCx（Ｈ）と表記した場
合約０原子％のＣを含有させることができ、また
原子数比でＣに対し３程度のＨを含有させること
がきる。尚、Te以外にZn、Cd、In、Sb、Pb等
の低融点金属をターゲツトとし、CH4あるいは
C2H2ガスとArとの混合ガス中でスパツタするこ
とにより、やはりＣ及びＨを含有する低融点金属
薄膜を得ることができる。
またBiあるいSnにおいては、これらの低融点
金属をルツボ又はボートに入れてCH4ガスとAr
ガスの混合ガス中（10-2Torr）で加熱蒸発させ、
基板と蒸発源との間に予め電界を加えてガスをイ
オン化させておくことによりＣとＨを含有する低
融点金属薄膜を得ることもできる。例えばBiの
場合Ar／CH4＝０でかつ約50eVのイオンを与え
ることにより、約20原子％のＣと、原子数比Ｃに
対し３程度のＨとを含有するBi薄膜を得ること
ができる。
金属をルツボ又はボートに入れてCH4ガスとAr
ガスの混合ガス中（10-2Torr）で加熱蒸発させ、
基板と蒸発源との間に予め電界を加えてガスをイ
オン化させておくことによりＣとＨを含有する低
融点金属薄膜を得ることもできる。例えばBiの
場合Ar／CH4＝０でかつ約50eVのイオンを与え
ることにより、約20原子％のＣと、原子数比Ｃに
対し３程度のＨとを含有するBi薄膜を得ること
ができる。
このようにして形成されるＣ及びＨを含有する
低融点金属薄膜における光学定数は、ＣとＨとの
含有量によつて異なり、情報記録用として活用す
るには、反射率ならびに消衰係数を考慮して膜厚
を決定する必要がある。実験の結果200Å〜1μｍ
の範囲が適当で、約1000Åのときに最良であるこ
とが判つた。そして上記条件で形成した膜は非晶
質であり、低融点金属単体で形成した膜に比べ
て、記録状態のビツト周辺エツヂ部がなめらかと
なり、情報読み出し時のノイズレベルを低くおさ
え得ることが判明した。
低融点金属薄膜における光学定数は、ＣとＨとの
含有量によつて異なり、情報記録用として活用す
るには、反射率ならびに消衰係数を考慮して膜厚
を決定する必要がある。実験の結果200Å〜1μｍ
の範囲が適当で、約1000Åのときに最良であるこ
とが判つた。そして上記条件で形成した膜は非晶
質であり、低融点金属単体で形成した膜に比べ
て、記録状態のビツト周辺エツヂ部がなめらかと
なり、情報読み出し時のノイズレベルを低くおさ
え得ることが判明した。
次にこのようにして形成されたＣ及びＨを含有
する低融点金属薄膜中のＣとＨの含有量の最適範
囲について説明する。まずＣについては、Te1-x
Cx（Ｈ）と表記した場合、５〜40原子％の含有量
であることが好ましい。これは５原子％より少な
いと後述する寿命の点で低融点金属単体で形成し
た記録膜との有意差がみられなくなるためであ
り、また40原子％を越えると後述する感度の点で
不十分なものになるためである。このようなＣ及
びＨを所定量含有する本発明の低融点金属記録膜
が感度、寿命共に優れていることにつき以下に詳
述する。
する低融点金属薄膜中のＣとＨの含有量の最適範
囲について説明する。まずＣについては、Te1-x
Cx（Ｈ）と表記した場合、５〜40原子％の含有量
であることが好ましい。これは５原子％より少な
いと後述する寿命の点で低融点金属単体で形成し
た記録膜との有意差がみられなくなるためであ
り、また40原子％を越えると後述する感度の点で
不十分なものになるためである。このようなＣ及
びＨを所定量含有する本発明の低融点金属記録膜
が感度、寿命共に優れていることにつき以下に詳
述する。
第２図ａ〜ｃは有機ガスとしてCH4を用い、ガ
ス混合比すなわちAr／CH4を０〜１と変化させ
1.5mm厚のアクリル基板１にＣ及びＨを含有する
Te薄膜をスパツタにより形成し、得られた700Å
程度の記録膜についての諸特性を示したものであ
る。
ス混合比すなわちAr／CH4を０〜１と変化させ
1.5mm厚のアクリル基板１にＣ及びＨを含有する
Te薄膜をスパツタにより形成し、得られた700Å
程度の記録膜についての諸特性を示したものであ
る。
図において横軸はスパツタ中のAr／CH4のガ
ス混合比、縦軸は光吸収、Arを加えずにCH4の
みで得られた薄膜の特性値で規格化した膜形成速
度（膜形成速度比）及び感度の逆数比（感度比）
を各々示す。ここで単位体積の膜に吸収される光
エネルギーは、薄膜の屈折率をｎ、消衰係数をｋ
とすると、2nkに比例する。第２図でわかるよう
に光吸収（2nk）は混合ガス中のArが増加するに
つれて増大するが、膜形成速度及び感度は共に10
％程度の変化におさまつている。そして感度につ
いて着目すると、第２図ｃに示すようにガス混合
比の広い範囲にわたつてほぼ等しい値をとつてお
り、かつこの値は、アクリル基板上に400Å程度
の純Te薄膜を形成した場合の感度に相当し、本
発明の記録媒体が高感度を有することを示してい
る。
ス混合比、縦軸は光吸収、Arを加えずにCH4の
みで得られた薄膜の特性値で規格化した膜形成速
度（膜形成速度比）及び感度の逆数比（感度比）
を各々示す。ここで単位体積の膜に吸収される光
エネルギーは、薄膜の屈折率をｎ、消衰係数をｋ
とすると、2nkに比例する。第２図でわかるよう
に光吸収（2nk）は混合ガス中のArが増加するに
つれて増大するが、膜形成速度及び感度は共に10
％程度の変化におさまつている。そして感度につ
いて着目すると、第２図ｃに示すようにガス混合
比の広い範囲にわたつてほぼ等しい値をとつてお
り、かつこの値は、アクリル基板上に400Å程度
の純Te薄膜を形成した場合の感度に相当し、本
発明の記録媒体が高感度を有することを示してい
る。
ここで第２図におけるAr／CH4が０のときは
Ｃの量が約40原子％に相当するが、第２図Ｃから
も推測できるようにＣの量が40原子％よりも多く
なると感度が徐々に低下していき記録膜が透明に
近づいていくため、記録の為のエネルギービーム
の照射を強くする必要が生じてくる。従つてＣの
量は40％以下であることが好ましい。
Ｃの量が約40原子％に相当するが、第２図Ｃから
も推測できるようにＣの量が40原子％よりも多く
なると感度が徐々に低下していき記録膜が透明に
近づいていくため、記録の為のエネルギービーム
の照射を強くする必要が生じてくる。従つてＣの
量は40％以下であることが好ましい。
尚、第２図ａ〜ｃに示した特性はTe以外の低
融点金属（Bi、Zn、Cd、In、Sb、Pb、Sn）及
びBi2Te3、InSb4等の合金についても、ほぼ同じ
傾向が確認された。
融点金属（Bi、Zn、Cd、In、Sb、Pb、Sn）及
びBi2Te3、InSb4等の合金についても、ほぼ同じ
傾向が確認された。
第３図は70℃、相対湿度85％の雰囲気中での時
間経過に対する感度の劣化を、従来のTe単体の
ものと、Ｃを10〜35原子％、Ｈを原子数比でＣに
対してほぼ３倍（詳しくは１〜４倍）含有する
Te記録膜とで比較した図である。本図における
感度の劣化は、記録に必要なエネルギーの逆数の
初期値に対する変化として表わしており、Te単
体からなる従来の記録膜、本発明による記録膜共
にアクリル基板上に形成された場合を示す。本図
からわかるようにTe単体からなる記録膜の場合
は図中Ａで示すように時間経過とともに感度が劣
化する。これは時間とともに局部的な透明領域
（シミ）が発生するためで、約170時間経過後には
全面にわたつて劣化してしまう。
間経過に対する感度の劣化を、従来のTe単体の
ものと、Ｃを10〜35原子％、Ｈを原子数比でＣに
対してほぼ３倍（詳しくは１〜４倍）含有する
Te記録膜とで比較した図である。本図における
感度の劣化は、記録に必要なエネルギーの逆数の
初期値に対する変化として表わしており、Te単
体からなる従来の記録膜、本発明による記録膜共
にアクリル基板上に形成された場合を示す。本図
からわかるようにTe単体からなる記録膜の場合
は図中Ａで示すように時間経過とともに感度が劣
化する。これは時間とともに局部的な透明領域
（シミ）が発生するためで、約170時間経過後には
全面にわたつて劣化してしまう。
一方本発明によるＣ及びＨを含有するTe薄膜
の場合は、同図中Ｂで示すように1000時間経過後
もTe薄膜に見られたようなシミは全く認められ
ず、常にほぼ一定の感度を保持しており、長寿命
化を達成していることがわかる。
の場合は、同図中Ｂで示すように1000時間経過後
もTe薄膜に見られたようなシミは全く認められ
ず、常にほぼ一定の感度を保持しており、長寿命
化を達成していることがわかる。
第４図ａ，ｂは低融点金属としてTeを例にと
りこれにＣを５〜40原子％、Ｈを原子数比でＣに
対して約３倍含有する記録膜をN2中で示差熱分
析を行つた結果を示し、ａは温度に対応した重量
変化ｂは温度に対応した熱変化を示す。
りこれにＣを５〜40原子％、Ｈを原子数比でＣに
対して約３倍含有する記録膜をN2中で示差熱分
析を行つた結果を示し、ａは温度に対応した重量
変化ｂは温度に対応した熱変化を示す。
これらの図からもわかるように140℃付近で結
晶化による発熱ピークと分解が観測され、さらに
温度を上げて445℃では融点を示す吸熱が見られ
る。ここで前述のように放出ガス分析の結果、
Ten（CH3）ｍの形態でガス放出があることが確
認されているため、第４図における140℃付近で
生ずる分解によつて、CH3基を含む蒸気圧の高い
ガスが放出されていることがわかる そしてこのようにCH3基を含むガスが放出して
分解後結晶化された記録膜は実質的にはTe単体
の薄膜に極めて近い状態あると考えられるので、
これが本発明の記録膜が高感度である理由とな
る。ここでＨの存在は蒸気圧の高い分解ガス生成
（CH3基）に寄与し、これによつて膜の分解温度
を下げる役割を果たしている。またTe原子にＨ
やＣが結合することによりH2OやO2がTeと結合
するのを防止していると考えられ、その結果本発
明による記録膜が化学的に安定で酸化しにくくな
つているものと考えられる。
晶化による発熱ピークと分解が観測され、さらに
温度を上げて445℃では融点を示す吸熱が見られ
る。ここで前述のように放出ガス分析の結果、
Ten（CH3）ｍの形態でガス放出があることが確
認されているため、第４図における140℃付近で
生ずる分解によつて、CH3基を含む蒸気圧の高い
ガスが放出されていることがわかる そしてこのようにCH3基を含むガスが放出して
分解後結晶化された記録膜は実質的にはTe単体
の薄膜に極めて近い状態あると考えられるので、
これが本発明の記録膜が高感度である理由とな
る。ここでＨの存在は蒸気圧の高い分解ガス生成
（CH3基）に寄与し、これによつて膜の分解温度
を下げる役割を果たしている。またTe原子にＨ
やＣが結合することによりH2OやO2がTeと結合
するのを防止していると考えられ、その結果本発
明による記録膜が化学的に安定で酸化しにくくな
つているものと考えられる。
尚、分析結果はＣ及びＨを所定量含有するTe
膜についてのみ示したが、先に列挙した他の低融
点金属及びそれらの合金についてもほぼ同じ傾向
を示す。
膜についてのみ示したが、先に列挙した他の低融
点金属及びそれらの合金についてもほぼ同じ傾向
を示す。
以上詳しく説明したように本発明によれば感度
寿命共に優れた特性を有する記録膜を提供するこ
とができ、その結果基板として水分や酸素を通し
やすいアクリル基板、プラスチツク基板等を用い
ることができるため、安価でかつ量産性に優れた
光学的情報記録媒体とすることができる。
寿命共に優れた特性を有する記録膜を提供するこ
とができ、その結果基板として水分や酸素を通し
やすいアクリル基板、プラスチツク基板等を用い
ることができるため、安価でかつ量産性に優れた
光学的情報記録媒体とすることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面構成図、
第２図ａ〜ｃは本発明による記録膜のガス混合比
に対する諸特性を示す図で、ａは光吸収を、ｂは
膜形成速度比を、ｃは感度比を各々示す図、第３
図は本発明による記録膜と従来の記録膜との寿命
についての比較図、第４図ａ，ｂは本発明による
記録膜の温度に対する諸特性を示す図でａは重量
変化、ｂは熱変化を示す図である。 １……基板、２……Ｃ及びＨを含有する低融点
金属記録膜。
第２図ａ〜ｃは本発明による記録膜のガス混合比
に対する諸特性を示す図で、ａは光吸収を、ｂは
膜形成速度比を、ｃは感度比を各々示す図、第３
図は本発明による記録膜と従来の記録膜との寿命
についての比較図、第４図ａ，ｂは本発明による
記録膜の温度に対する諸特性を示す図でａは重量
変化、ｂは熱変化を示す図である。 １……基板、２……Ｃ及びＨを含有する低融点
金属記録膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に記録膜を形成し、この記録膜にエネ
ルギービームを照射することによつて記録膜に穴
若しくは変形部を形成して情報を記録する光学的
情報記録媒体において、前記記録膜はTe、Bi、
Zn、Cd、In、Sb、Pb、及びSnから選ばれた少な
くとも一種からなる低融点金属、５乃至40原子％
の炭素、及び水素を含む薄膜であることを特徴と
する光学的情報記録媒体。 ２ 記録膜は25℃乃至600℃の融点を有すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的
情報記録媒体。 ３ 炭素および水素は炭化水素基として含有され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光学的情報記録媒体。 ４ 記録膜は非晶質であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 ５ 記録膜の厚さは200Å乃至1μｍであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情
報記録媒体。 ６ 基板はガラス若しくは合成樹脂であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情
報記録媒体。 ７ 基板上に記録膜を形成し、この記録膜にエネ
ルギービームを照射することによつて記録膜に穴
若しくは変形部を形成して情報を記録する光学的
情報記録媒体の製造方法において、前記記録膜は
Te、Bi、Zn、Cd、In、Sb、Pb、及びSnから選
ばれた少なくとも一種からなる抵融点金属をター
ゲツトとし、CH4ガス若しくはC2H2ガスの少な
くとも一方とArとの混合ガス中でスパツタする
ことにより前記低融点金属、５乃至40原子％の炭
素、及び水素を含む薄膜を形成することにより得
ることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107036A JPS589234A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107036A JPS589234A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS589234A JPS589234A (ja) | 1983-01-19 |
| JPS6327778B2 true JPS6327778B2 (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=14448886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107036A Granted JPS589234A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 光学的情報記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS589234A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190014886A1 (en) * | 2017-07-17 | 2019-01-17 | Gizmospring.com Dongguan Limited | Backpack configured to dissipate heat |
| WO2020262181A1 (ja) * | 2019-06-24 | 2020-12-30 | 株式会社セフト研究所 | 乳幼児冷却装置本体及び乳幼児冷却装置 |
| KR20230029263A (ko) * | 2021-08-24 | 2023-03-03 | (주)대성파인텍 | 터널 구조형 유연성 덕트와 이를 포함한 가방 |
| KR20250078687A (ko) * | 2023-11-24 | 2025-06-04 | (주)엠브이코퍼 | 보온 보냉용 가방 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59160841A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-11 | Toshiba Corp | 光学的記録媒体膜 |
| JPH01196743A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-08 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JPH0420852U (ja) * | 1990-06-14 | 1992-02-21 | ||
| JP3584472B2 (ja) | 1997-10-17 | 2004-11-04 | 株式会社豊田中央研究所 | 光記憶媒体 |
| US8124211B2 (en) | 2007-03-28 | 2012-02-28 | Ricoh Company, Ltd. | Optical recording medium, sputtering target, and method for manufacturing the same |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5817038B2 (ja) * | 1979-10-29 | 1983-04-04 | 日本電信電話株式会社 | 光学記録用媒体及びその製造方法 |
| JPS5627395A (en) * | 1979-08-14 | 1981-03-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Recording medium and preparation thereof |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56107036A patent/JPS589234A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190014886A1 (en) * | 2017-07-17 | 2019-01-17 | Gizmospring.com Dongguan Limited | Backpack configured to dissipate heat |
| WO2020262181A1 (ja) * | 2019-06-24 | 2020-12-30 | 株式会社セフト研究所 | 乳幼児冷却装置本体及び乳幼児冷却装置 |
| KR20230029263A (ko) * | 2021-08-24 | 2023-03-03 | (주)대성파인텍 | 터널 구조형 유연성 덕트와 이를 포함한 가방 |
| KR20250078687A (ko) * | 2023-11-24 | 2025-06-04 | (주)엠브이코퍼 | 보온 보냉용 가방 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS589234A (ja) | 1983-01-19 |
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