JPH0451897B2 - - Google Patents
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- JPH0451897B2 JPH0451897B2 JP10602385A JP10602385A JPH0451897B2 JP H0451897 B2 JPH0451897 B2 JP H0451897B2 JP 10602385 A JP10602385 A JP 10602385A JP 10602385 A JP10602385 A JP 10602385A JP H0451897 B2 JPH0451897 B2 JP H0451897B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光、熱等のエネルギービームの照射に
より記録層に穴もしくは凹部を形成することによ
つて情報を記録するようにした光学的情報記録媒
体に係り、特に感度の向上及び長寿命化を図つた
光学的情報記録媒体に関する。
より記録層に穴もしくは凹部を形成することによ
つて情報を記録するようにした光学的情報記録媒
体に係り、特に感度の向上及び長寿命化を図つた
光学的情報記録媒体に関する。
基板上に形成された薄膜層にエネルギービーム
を照射し記録されるべき信号に対応したピツト列
を形成するようにした光学的情報記録媒体におい
て、従来より記録薄膜としてテルル（Te）を使
用することが知られている。Te薄膜は、最も低
いエネルギーで所望のピツトを形成できる材料の
うちの１つで、この種用塗においては高感度材料
として極めて有望である。ここで感度とは単位面
積当りのピツト形成に要するエネルギー（mJ／
cm2）で定義される。
を照射し記録されるべき信号に対応したピツト列
を形成するようにした光学的情報記録媒体におい
て、従来より記録薄膜としてテルル（Te）を使
用することが知られている。Te薄膜は、最も低
いエネルギーで所望のピツトを形成できる材料の
うちの１つで、この種用塗においては高感度材料
として極めて有望である。ここで感度とは単位面
積当りのピツト形成に要するエネルギー（mJ／
cm2）で定義される。
しかしながらTeは大気中に放置された場合、
酸素や水分により酸化しやすく、膜表面に酸化物
が形成されて感度が劣化する。たとえば70℃、相
対湿度85％の雰囲均に放置した場合、約５時間で
感度が約20％低下し、約15時間で約50％低下して
しまう。このたTe膜の酸化を防止するためにTe
膜上に有機保護膜をコーテイングする等の手段が
とられているが、未だ十分な寿命は得られていな
い。
酸素や水分により酸化しやすく、膜表面に酸化物
が形成されて感度が劣化する。たとえば70℃、相
対湿度85％の雰囲均に放置した場合、約５時間で
感度が約20％低下し、約15時間で約50％低下して
しまう。このたTe膜の酸化を防止するためにTe
膜上に有機保護膜をコーテイングする等の手段が
とられているが、未だ十分な寿命は得られていな
い。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたもの
で、高感度でかつ長寿命の光学的情報記録媒体を
提供することを目的とする。
で、高感度でかつ長寿命の光学的情報記録媒体を
提供することを目的とする。
本発明の光学的情報記録媒体は、Teを主成分
とし、炭素Ｃを５〜40原子％含有する膜によつて
記録層を形成したことを特徴とし、これによつて
高感度と長寿命とを兼ね備えたものである。
とし、炭素Ｃを５〜40原子％含有する膜によつて
記録層を形成したことを特徴とし、これによつて
高感度と長寿命とを兼ね備えたものである。
以下図面を参照して本発明の実施例につき詳細
に説明する。
に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面構成図で
ある。
ある。
図において１は基板で、本実施例では合成樹脂
の１つであるアクリル板が用いられる。しかしこ
の他にもプラスチツクやガラス基板であつもよ
く、情報記録の読み出し方法によつて適宜選択し
得る。２はＣを含む情報記録用Te薄膜で、その
厚さは、十分な光反射率を得る程度に厚く、かつ
感度を損なわない程度に薄いことが必要で、200
Å〜1μm程度が適当である。Ｃを含む情報記録用
Te薄膜２は、Teをターゲツトとし、Ｃを含む有
機ガス例えばCH4やC2H2ガスとArとの混合ガス
中でスパツタすることにより得られる。ここで
Te膜中のＣの含有量はArとCH4（又はC2H2）と
の混合比により自由に制御でき、例えばAr／
CH4＝１のときには、Te1−xCx(H)と表記した場
合、約40原子％のＣを含有させることができる
が、本発明の光学的情報記録媒体におけるＣの含
有量は、後述する理由により５〜40原子％の範囲
内であることが好ましい。
の１つであるアクリル板が用いられる。しかしこ
の他にもプラスチツクやガラス基板であつもよ
く、情報記録の読み出し方法によつて適宜選択し
得る。２はＣを含む情報記録用Te薄膜で、その
厚さは、十分な光反射率を得る程度に厚く、かつ
感度を損なわない程度に薄いことが必要で、200
Å〜1μm程度が適当である。Ｃを含む情報記録用
Te薄膜２は、Teをターゲツトとし、Ｃを含む有
機ガス例えばCH4やC2H2ガスとArとの混合ガス
中でスパツタすることにより得られる。ここで
Te膜中のＣの含有量はArとCH4（又はC2H2）と
の混合比により自由に制御でき、例えばAr／
CH4＝１のときには、Te1−xCx(H)と表記した場
合、約40原子％のＣを含有させることができる
が、本発明の光学的情報記録媒体におけるＣの含
有量は、後述する理由により５〜40原子％の範囲
内であることが好ましい。
第２図ａ〜ｃはＣを含む有機ガスとしてCH4を
用い、ガス混合比すなわちAr／CH4を０〜1.0（０
〜100％）と変化させ、1.5mm厚のアクリル基板１
にＣを含有するTe薄膜をスパツタにより形成し、
得られた700Å程度の記録膜についての諸特性を
示したものである。
用い、ガス混合比すなわちAr／CH4を０〜1.0（０
〜100％）と変化させ、1.5mm厚のアクリル基板１
にＣを含有するTe薄膜をスパツタにより形成し、
得られた700Å程度の記録膜についての諸特性を
示したものである。
図において横軸はスパツタ中のガス混合比、縦
軸は光吸収、CH4100％で得られた薄膜の特性値
で規格化した膜形成速度（膜形成速度比）及び感
度の逆数比（感度比）を各々示す。ここで単位体
積の膜に吸収される光エネルギーは、2nkに比例
する。第２図でわかるように光吸収（2nk）は混
合ガス中のArが増加するにつれて増大するが、
膜形成速度及び感度は共に10％程度の変化におさ
まつている。そして感度について着目すると、第
２図ｃに示すようにガス混合比の広い範囲にわた
つてほぼ等しい値をとつており、かつこの値は、
アクリル基板上に400Å程度の純Te薄膜を形成し
た場合の感度に相当し、本発明の記録媒体が高感
度を有することを示している。
軸は光吸収、CH4100％で得られた薄膜の特性値
で規格化した膜形成速度（膜形成速度比）及び感
度の逆数比（感度比）を各々示す。ここで単位体
積の膜に吸収される光エネルギーは、2nkに比例
する。第２図でわかるように光吸収（2nk）は混
合ガス中のArが増加するにつれて増大するが、
膜形成速度及び感度は共に10％程度の変化におさ
まつている。そして感度について着目すると、第
２図ｃに示すようにガス混合比の広い範囲にわた
つてほぼ等しい値をとつており、かつこの値は、
アクリル基板上に400Å程度の純Te薄膜を形成し
た場合の感度に相当し、本発明の記録媒体が高感
度を有することを示している。
しかしてAr／CH4が0.1（10％）以下の間すなわ
ちTe膜中へのＣの含有量が多くなつた場合は第
２図ａに示すように光吸収の減少が徐々に多くな
り、これに伴つて第２図ｃに示すように感度が低
下する。またＣの含有量が多すぎるとTe−Ｃ膜
が透明に近づくためにレーザ光の強度を大きくし
なければならなくなる。このような観点からTe
膜中のＣの含有量は40原子％以下であることが好
ましい。
ちTe膜中へのＣの含有量が多くなつた場合は第
２図ａに示すように光吸収の減少が徐々に多くな
り、これに伴つて第２図ｃに示すように感度が低
下する。またＣの含有量が多すぎるとTe−Ｃ膜
が透明に近づくためにレーザ光の強度を大きくし
なければならなくなる。このような観点からTe
膜中のＣの含有量は40原子％以下であることが好
ましい。
また上述のようにスパツタ法で成された薄膜は
非晶質であり、多結晶体のTeに比べて記録状態
の凹部の形状がなめらかになるため、情報読み出
し時のノイズレベルを低くおさえることができ
る。
非晶質であり、多結晶体のTeに比べて記録状態
の凹部の形状がなめらかになるため、情報読み出
し時のノイズレベルを低くおさえることができ
る。
第３図は70℃、相対湿度85％の雰囲気中での時
間経過に対する感度の劣化を、従来のTe単位の
ものと、TeにＣを10〜35原子％含有する記録膜
とで比較した図である。本図における感度の劣化
は、記録に必要なエネルギーの逆数の初期値に対
する変化として表わしており、Te単体からなる
従来の記録膜、本発明による記録膜共にアクリル
基板上に形成された場合を示す。本図からわかる
ようにTe単体からなる記録膜の場合は図中Ａで
示すように時間経過とともに感度が劣化する。こ
れは時間ともに局部的な透明領域（シミ）が発生
するためで、約170時間経過後には全面にわたつ
て劣化してしまう。
間経過に対する感度の劣化を、従来のTe単位の
ものと、TeにＣを10〜35原子％含有する記録膜
とで比較した図である。本図における感度の劣化
は、記録に必要なエネルギーの逆数の初期値に対
する変化として表わしており、Te単体からなる
従来の記録膜、本発明による記録膜共にアクリル
基板上に形成された場合を示す。本図からわかる
ようにTe単体からなる記録膜の場合は図中Ａで
示すように時間経過とともに感度が劣化する。こ
れは時間ともに局部的な透明領域（シミ）が発生
するためで、約170時間経過後には全面にわたつ
て劣化してしまう。
一方Ｃを10〜35原子％含有するTe薄膜の場合
は、同図中Ｂで示すように1000時間経過後もTe
薄膜に見られるようなシミは全く認められず、常
にほぼ一定感度を保持しており、長寿命化を達成
していることがわかる。
は、同図中Ｂで示すように1000時間経過後もTe
薄膜に見られるようなシミは全く認められず、常
にほぼ一定感度を保持しており、長寿命化を達成
していることがわかる。
第２図ａ〜ｃに示した結果からも明らかなよう
に、Ｃ含有量が10〜35原子％の場合は感度、寿命
共に申し分のない結果が得られた。しかし、前述
のようにＣ含有量が40原子％以上になると感度の
低下が徐々に大きくなり、一方５原子％以下にな
ると寿命の点でTe単体の膜に比べて有意差は認
められなかつた。
に、Ｃ含有量が10〜35原子％の場合は感度、寿命
共に申し分のない結果が得られた。しかし、前述
のようにＣ含有量が40原子％以上になると感度の
低下が徐々に大きくなり、一方５原子％以下にな
ると寿命の点でTe単体の膜に比べて有意差は認
められなかつた。
上記の例ではＣを含有するTe薄膜の形成法と
してCH4をAr混合してスパツタする方法を示し
たが、適当量のＣを含有するTeをターゲツトと
してArガス中でスパツタしても、同様な薄膜を
形成することができる。
してCH4をAr混合してスパツタする方法を示し
たが、適当量のＣを含有するTeをターゲツトと
してArガス中でスパツタしても、同様な薄膜を
形成することができる。
第４図は本発明の他の実施例を示したもので、
５〜40原子％のＣを含有するTe薄膜に記録薄膜
と保護膜の用を合わせ持たせるようにしたもので
ある。すなわち図において１は1.5mm厚のアクリ
ル板、３はTe膜で、２が５〜40原子％のＣを含
有するTe薄膜である。ここでＣを含有するTe薄
膜２の膜厚は100Å〜1μmの範囲で選ぶことがで
きるが、水や酸素など外気から保護するに十分な
厚さと、感度を損わない程度に薄いことが好まし
いため、本実施例では300Å程度としている。ま
た上記Ｃを含有するTe膜２が茶色の半透明体で
あるため、Te膜３の膜厚は十分な光反射率を得
る程度に厚く、感度を損わない程度の厚さが必要
で、100Å〜0.5μmの範囲で選ぶことができる。
本実施例ではTe膜３の膜厚は400Åとしている。
５〜40原子％のＣを含有するTe薄膜に記録薄膜
と保護膜の用を合わせ持たせるようにしたもので
ある。すなわち図において１は1.5mm厚のアクリ
ル板、３はTe膜で、２が５〜40原子％のＣを含
有するTe薄膜である。ここでＣを含有するTe薄
膜２の膜厚は100Å〜1μmの範囲で選ぶことがで
きるが、水や酸素など外気から保護するに十分な
厚さと、感度を損わない程度に薄いことが好まし
いため、本実施例では300Å程度としている。ま
た上記Ｃを含有するTe膜２が茶色の半透明体で
あるため、Te膜３の膜厚は十分な光反射率を得
る程度に厚く、感度を損わない程度の厚さが必要
で、100Å〜0.5μmの範囲で選ぶことができる。
本実施例ではTe膜３の膜厚は400Åとしている。
CH4：Ar＝１：４の混合ガス中でスパツタし
て得られた膜厚300ÅのＣを含有するTe膜２の感
度はアクリル基板上の400ÅTe膜３の感度とほぼ
等しい。また本実施例に示された構造の記録媒体
に光エネルギーによつて記録する場合は、Ｃを含
有するTe膜２及びその下のTe膜３は同時に蒸発
し、穴もしくは凹部が形成される。
て得られた膜厚300ÅのＣを含有するTe膜２の感
度はアクリル基板上の400ÅTe膜３の感度とほぼ
等しい。また本実施例に示された構造の記録媒体
に光エネルギーによつて記録する場合は、Ｃを含
有するTe膜２及びその下のTe膜３は同時に蒸発
し、穴もしくは凹部が形成される。
先に説明したように本発明による５〜40原子％
のＣを含むTe膜２は、Te単体の膜に比べて水や
酸素などによる酸化が極めて少ないため、本実施
例におけるＣを含むTe膜２はTe膜３の保護膜と
しても有効に作用する。従つて従来のものに比べ
て感度の劣化なしに寿命を著しく長くすることが
できる。
のＣを含むTe膜２は、Te単体の膜に比べて水や
酸素などによる酸化が極めて少ないため、本実施
例におけるＣを含むTe膜２はTe膜３の保護膜と
しても有効に作用する。従つて従来のものに比べ
て感度の劣化なしに寿命を著しく長くすることが
できる。
第５図ａ，ｂは本発明の更に他の実施例を示し
たもので、基板がアクリル等のプラスチツクで形
成された合成樹脂基板を用いた場合に基板側から
侵透してくる水分等による劣化やプラスチツク中
の未反応モノマー、不純物、添加剤等が基板上の
記録膜と反応して生ずる記録膜の劣化を防止する
目的として、基板と記録膜との間にTeを主体と
しＣを含む膜を形成した例である。
たもので、基板がアクリル等のプラスチツクで形
成された合成樹脂基板を用いた場合に基板側から
侵透してくる水分等による劣化やプラスチツク中
の未反応モノマー、不純物、添加剤等が基板上の
記録膜と反応して生ずる記録膜の劣化を防止する
目的として、基板と記録膜との間にTeを主体と
しＣを含む膜を形成した例である。
すなわち第５図において１は厚さ1.5mmのプラ
スチツク基板、２はTeを主体として５〜40原子
％のＣを含む膜、３はTe，Bi等の合属薄膜であ
る。ここでＣを含有するTe膜２の膜厚は数100Å
〜数1000Åの範囲で選択できるが、1000Å以下で
あることが好ましい。
スチツク基板、２はTeを主体として５〜40原子
％のＣを含む膜、３はTe，Bi等の合属薄膜であ
る。ここでＣを含有するTe膜２の膜厚は数100Å
〜数1000Åの範囲で選択できるが、1000Å以下で
あることが好ましい。
本図に示す構成は記録層側が大気にふれない構
造の記録媒体に基板側からエネルギービームを照
射する方式において使用することができ、このと
き前述のようにＣを含有するTe膜２を高感度の
記録膜として利用できるだけでなく、この膜２は
基板１との付着も強固でかつ物理的にも非常に安
定なため基板１を侵透してくる水や酸素など、あ
るいは基板１内の未反応モノマー、不純物、添加
物、基板上に残つた接着剤等の異物に対する保護
膜としても有効に用する。
造の記録媒体に基板側からエネルギービームを照
射する方式において使用することができ、このと
き前述のようにＣを含有するTe膜２を高感度の
記録膜として利用できるだけでなく、この膜２は
基板１との付着も強固でかつ物理的にも非常に安
定なため基板１を侵透してくる水や酸素など、あ
るいは基板１内の未反応モノマー、不純物、添加
物、基板上に残つた接着剤等の異物に対する保護
膜としても有効に用する。
第６図は本発明の更に他の実施例を示したもの
である。図において１は1.5mm厚のアクリル基板、
２はＣを５〜40原子％含有するTe膜、３はTe
膜、４は低熱伝導物質層である。ここでＣを含有
するTe膜２、Te膜３の膜厚は第５図で示したも
のと同じであり、低熱伝導物質層４の膜厚は100
Å〜10μmの範囲で適宜選択することができる。
低熱伝導物質層４はアクリル基板１を通して外気
から浸透してくる水分等を防止するために設けら
れたもので、物理的、化学的に安定な、例えば酸
化テルル膜（Te−Ｏ）を用いることができる。
しかし上述したようにＣを含むTe膜も熱伝導率
が低くかつ物理化学的に安定であるため、この
Te−Ｃ膜を低熱伝導物質層として用いることも
できる。すなわちこの場合は、Te膜３をTe−Ｃ
膜２，４によつて挾み込んだ構造となり、これら
３層で記録層を形成すると共にTe−Ｃ膜２，４
が保護膜として有効に作用する。
である。図において１は1.5mm厚のアクリル基板、
２はＣを５〜40原子％含有するTe膜、３はTe
膜、４は低熱伝導物質層である。ここでＣを含有
するTe膜２、Te膜３の膜厚は第５図で示したも
のと同じであり、低熱伝導物質層４の膜厚は100
Å〜10μmの範囲で適宜選択することができる。
低熱伝導物質層４はアクリル基板１を通して外気
から浸透してくる水分等を防止するために設けら
れたもので、物理的、化学的に安定な、例えば酸
化テルル膜（Te−Ｏ）を用いることができる。
しかし上述したようにＣを含むTe膜も熱伝導率
が低くかつ物理化学的に安定であるため、この
Te−Ｃ膜を低熱伝導物質層として用いることも
できる。すなわちこの場合は、Te膜３をTe−Ｃ
膜２，４によつて挾み込んだ構造となり、これら
３層で記録層を形成すると共にTe−Ｃ膜２，４
が保護膜として有効に作用する。
第７図ａ，ｂ，ｃは本発明の更に他の実施例を
示すもので、ゴミや傷を防ぐために有機保護層を
設けた例である。すなわち第７図ａ，ｂ，ｃにお
いて１は基板、２はＣを５〜40原子％含有する
Te膜、３はTe膜、４は低熱伝導物質層であり、
５が有機保護膜である。この有機保護膜５は1μm
〜10mmの膜厚を有し、塗布によつて形成でき、そ
の材料として例えば紫外線硬化形樹脂が使用でき
る。
示すもので、ゴミや傷を防ぐために有機保護層を
設けた例である。すなわち第７図ａ，ｂ，ｃにお
いて１は基板、２はＣを５〜40原子％含有する
Te膜、３はTe膜、４は低熱伝導物質層であり、
５が有機保護膜である。この有機保護膜５は1μm
〜10mmの膜厚を有し、塗布によつて形成でき、そ
の材料として例えば紫外線硬化形樹脂が使用でき
る。
第１図は本発明の一実施例を示す断面構成図、
第２図ａ〜ｃは第１図に示した記録媒体のガス混
合比に対する諸特性を示す図でａは光吸収を、ｂ
は膜形成速度比を、ｃは感度比を各々示す図、第
３図は第１図に示した記録媒体と従来の記録媒体
との寿命についての比較図、第４図，第５図，第
６図，第７図ａ〜ｃは各々本発明の他の実施例を
示す図である。 １…基板、２…Te−Ｃ膜、３…Te膜、４…低
熱伝導率物質層、５…有機保護膜。
第２図ａ〜ｃは第１図に示した記録媒体のガス混
合比に対する諸特性を示す図でａは光吸収を、ｂ
は膜形成速度比を、ｃは感度比を各々示す図、第
３図は第１図に示した記録媒体と従来の記録媒体
との寿命についての比較図、第４図，第５図，第
６図，第７図ａ〜ｃは各々本発明の他の実施例を
示す図である。 １…基板、２…Te−Ｃ膜、３…Te膜、４…低
熱伝導率物質層、５…有機保護膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ テルルをターゲツトとして、炭化水素ガス中
で若しくは炭化水素ガス及び希ガスの混合ガス中
でスパツタリングにより基板上にテルルを主成分
とし、５乃至45原子パーセントの炭素を含有する
膜を形成し、該膜にエネルギービームを照射して
穴もしくは変形部を形成することを特徴とする光
学的情報記録媒体の製造方法。 ２ 基板はガラスもしくは合成樹脂であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情
報記録媒体の製造方法。 ３ 膜は非晶質であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体の製造方
法。 ４ 膜の厚さは200Å乃至1μmであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記
録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10602385A JPS6117235A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10602385A JPS6117235A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56049392A Division JPS5933320B2 (ja) | 1981-04-03 | 1981-04-03 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6117235A JPS6117235A (ja) | 1986-01-25 |
| JPH0451897B2 true JPH0451897B2 (ja) | 1992-08-20 |
Family
ID=14423045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10602385A Granted JPS6117235A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 光学的情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6117235A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2522180B2 (ja) * | 1993-09-09 | 1996-08-07 | 日本電気株式会社 | セラミック多層配線基板 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10602385A patent/JPS6117235A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6117235A (ja) | 1986-01-25 |
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