JPS63278031A - 液晶パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は表示装置に係わり、特に液晶パネルに関わるも
のである。

従来の技術 従来の技術を以下、図面を用いて説明する。まず強誘電
性液晶自体について説明する。

第３図は強誘電性液晶分子の模式図である０強誘電性液
晶は通常、スメクチック液晶と呼ばれる層構造を有する
液晶である０分子は層の垂線方向に対してθだけ傾いた
構造を取っている。また通常、強誘電性液晶はラセミ体
でない光学活性な液晶分子によって構成されている。

第３図に示すように強誘電性液晶分子は分子の長軸に垂
直な方向に自発分極となる永久双極子モーメントを有し
ており、カイラルスメクチックＣ相においては第３図の
円錐形（以下コーンと呼ぶ）の外側を自由に動くことが
できる。またコーンの中心点０より液晶分子に対して下
したベクトルをＣダイレクタ−と呼ぶ、カイラルスメク
チックＣ相ではこのＣダイレクタ−はコーンの外側を自
由に動くことができる。

第３図において２１は液晶分子、２２は永久双極子、２
３はＣダイレクタ−１２４はコーン、２５は層構造、２
６は層法線方向、２７は傾き角θを示している。また強
誘電性液晶分子は不斉原子を有しているため通常ねじれ
構造を有している。このねじれ構造を第４図に示す。

第４図において３１は液晶分子、３２は永久双極子モー
メント、３３はねじれの周期を表すピ。

チ（Ｌ）、３４は層構造、３５は層の法線方向、３６は
傾き角θを表す。強誘電性液晶パネルのセル厚（ｄ）が
ピッチより厚いとき（ｄ＞Ｌ）、通常、強誘電性液晶は
セル基板表面の影響がセル中央部まで及ばないため、ね
じれ構造を持った状態で存在する。しかしセル厚がピッ
チより小さいとき（ｄ　＜　Ｌ）ねじれ構造は基板表面
の力でほどかれ第５図のような分子が基板表面と平行ド
なった二つの領域が現れる。この二つの領域は分子の持
つ永久双極子モーメントがそれぞれ反対の方向を向いて
いるものであり、一方は紙面裏から表方向へもう一方は
紙面表から裏方向へ向いている。これはそれぞれ層法線
に対する分子の傾き角に対応している。

第５図において４１は液晶分子、４２は紙面裏方向から
表方向を向いている永久双極子モーメント、４３は紙面
表方向から裏方向を向いている永久双極子モーメント、
４４は層構造、４５は層法線方向、４６は傾き角を表し
ている。

次に強誘電性液晶の動作原理について図を用いて説明す
る。このように強誘電性液晶セルにピッチがセル厚より
も大きな強誘電性液晶（ｄ　＜　Ｌ）を封入すると第５
図のような二つの領域を持つ状態となる。このとき紙面
裏方向から表方向に電界を印加すると永久双極子モーメ
ントは全て電界の方向に向き第６図Ｔａ１のように分子
が全て十〇の傾き角を持った状態となる。このような状
態で偏光板の偏光子（Ｐ）の偏光軸方向を分子の長軸方
向に検光子（Ａ）の偏光軸方向を分子の短軸方向に平行
にすると（第６図（１）１参照）偏光子（Ｐ）を通過し
た直線偏光は複屈折を受けずに透過し検光子（Ａ）によ
り遮られ暗状態が得られる。また電界を逆方向に印加す
ると第６図山）のように分子が全て一〇の傾きを持つ状
態となり偏光子を通過した直線偏光は複屈折効果により
検光子を通り抜は明状態が得られる。

以上のように電界の正負により明暗の状態をそれぞれ得
ることができる。またこのようにセル厚がピッチより小
さいセル（ｄ＜Ｌ）においては通常ねじれ構造がほどけ
ているため電界を取り除いた後も分子はそのままの状態
でいるというメモリー効果が生じるといわれている。

第６図Ｔａ１．　（ｂｌにおいて５１は電界の方向、５
２は分子の永久双極子モーメント、５３は層構造、５４
は傾き角θ、５５は偏光子（Ｐ）、検光子（Ａ）の偏光
軸をそれぞれ表している。この明状態の透過光強度■は
次式によって与えられる。

１−１）ｓｉｎ２４θＸ５ｉｎ”　　（πΔｎｄ／λ）
・・・・・・ｉｌ＋ ここでΔｎは強誘電性液晶の屈折率の異方性、！１は偏
光子を通った後の入射光強度、λは波長、θは液晶分子
の傾き角、ｄは液晶層の厚みを表している。この表示方
式は一般に複屈折モードと呼ばれている。この式を人間
の眼によって感じる明るさの量である輝度（Ｙ値）で表
すと次式のようになる。

Ｙ−１／Ｋｏ／　（Ｓ（λ）弓（λ）・ｙ（λ）〕ｄλ
・・・・・・（２） ただし、Ｓ（λ）：光源の分光分布（等エネルギー光源
） ■　（λ）：強誘電性液晶パネルの分光分布 ｙ（λ）：視感度曲線 積分範囲：３８０ｎｍ〜７００ｎｍ このＹ値をＡｎｄ（位相差）に対して計算式によりプロ
ットしたものを第７図に示す、このとき傾き角θは最も
明るい状態をとるようにθ−２２，５゜とした。

第７図より、Ａｎｄ（位相差）によりＹ値が大きく変化
することがわかる。また、このときセル厚むらによる色
差ΔＥ＊（セル厚むらによる色むらを表す）をＡｎｄに
対してプロットしたものを第８図に示す、第８図におい
てセル厚むらは０．２μｍとして計算した。色差の計算
はＣＩＥ　−ＬＡＢ均等色差空間を用いて次式によって
行った。

ΔＦ、　　＊　　−（（ΔＬ＊）２　　＋（Δａ傘）２
　　＋（Δｂ＊）”　　）・・・・・・（３） ただし、 Ｌ＊−１）６（Ｙ／Ｙ０）　−１６ ａ＊＝５００　　（（Ｘ／Ｘ、）　　　（Ｙ／Ｙ０）　
）ｂ　＊　＝　２００　（（Ｙ／Ｙ、　）　−（Ｚ／Ｚ
０）　）　　　。

ここでＸｏ、Ｙ、、Ｚｏは基準白色面の三刺激値であり
、ｘ、ｙ、ｚは測色物の三刺激値を示している。ΔＬ＊
、Δ３１．　　Δｂ＊は異なる測色物におけるＬｌｌ！
、　　３＊、　　ｂ＊の差を示しており、ここではある
セル厚（ｄ）とそれより０．２μｍ厚いセル厚（ｄ＋０
．２μｍ）との差を示している。

第７図、第８図より、最も明る（、色差（色むら）の小
さいＡｎｄ（位相差）は約０．２８μｍであることがわ
かる０強誘電性液晶の複屈折の異方性（Δｎ）は通常、
０．１３〜０．１８であるためセル厚は１．５〜２．２
μｍ程度と非常に薄くする必要があることがわかる（た
とえば福田、竹添、近藤。

：強誘電性液晶を使った高速ディスプレイ、オブトロニ
クス、　９号、６４頁、　１９８３年）。

しかし、以上のような表示方法を用いるためには第６図
＋ａ１．　（ｂ）のように強誘電性液晶層はある一定の
方向付けがなされていなければならない、ある一定の方
向付けがなされたセルはモノドメインセルと呼ばれてい
る０強誘電性液晶は層構造を有するため通常のネマチッ
ク液晶よりも配向させにくいと言われていた。従来では
強誘電性液晶を配向させる手段としてシアリング法、温
度勾配法。

ラビング法などが用いられていた。これらの配向法でシ
アリング法、温度勾配法は生産性が悪いという欠点があ
った。ラビング法はネマチック液晶で広く用いられてお
り強誘電性液晶でもよ（用いられている。このラビング
法について図を用いて説明する。

第９図ｔａｌ、　（ｂ）は等方性液体（Ｉｓｏ）からス
メクチックＡ相（ＳｍＡ）を経て強誘電性を示すスメク
チックＣカイラル相（ＳｍＣ＊）となる相転移系列を有
する強誘電性液晶をラビング法によって配向させたとき
の模式図である。配向について説明する前にスメクチッ
ク人相およびスメクチックＣカイラル相について図を用
いて説明する。

第９図ｉａ＋、　（ｂｌはスメクチックＡ相とスメクチ
ックＣカイラル相の構造をそれぞれ模式化したものであ
る。この図は強誘電性液晶パネルとしてみると基板に対
して垂直方向から見た図である。スメクチックＡ相、ス
メクチックＣカイラル相のどちらも層構造を有している
がスメクチックＡ相では第９図（ａ）のように分子の長
軸方向が層重線方向に対して平行になっており、第９図
山）のスメクチックＣカイラル相では分子の長軸方向は
層重線方向に対して；θだけ傾いていることがわかる。

第９図（ａｌ、　（ｂｌにおいて８１は液晶分子、８２
は層構造、８３は分子長軸方向、８４は層重線方向、８
５は傾き角（θ）、８６は上下基板のラビング方向を表
している。

次にこのような相転移系列を有する強誘電性液晶の配向
について説明する。第９図＋ａｌは等方性液体からスメ
クチック人相に転移したときの分子の配向の模式図で、
ここで分子はスメクチックＡ相であるため層構造に対し
て垂直にその分子長軸を有している。そのためラビング
を施した場合そのラビング方向（配向容易軸）に対して
液晶分子長軸が平行に配向し結果として第９図ｔａｉの
ように層重線方向と層は平行となる０次にスメクチック
Ａ相から強誘電性を示すスメクチックＣカイラル相に相
転移するとき層構造は弾性変形に要するエネルギーが大
きいため分子が層内で傾き層構造はそのまま保たれる。

結果として第９図（ｂｌのように層重線方向はラビング
方向に平行のままで分子がラビング方向よりずれた配向
状態となる。しかしながらこのような配向状態では強誘
電性液晶分子は層内で第３図のようにコーンの外側を自
由に動くことができるため配向容易軸であるラビング方
向にもどってしまうことが考えられる。

斜方エツチング法の従来例 斜方エツチングの従来例として、イオンビームによる斜
方エツチング法はネマチック液晶の配向法として従来、
一部で用いられていたが現在はラビング法が主流を占め
ている。イオンビーム斜方エツチング法について図を用
いて説明する。イオンビーム斜方エツチング法の実際の
やり方を第１θ図に示す。

真空状態となる蒸着釜（ペルジャー）内にイオンビーム
の発生源がある。セル基板は基板垂線方向からイオンビ
ーム方向（エツチング方向）に対してθだけ傾けてセン
トされる。９１はペルジャー、９２はセル基板、９３は
イオンビーム方向、９４は傾き角θイオンビームによる
斜方エツチングを行うことによって表面には第１）図に
示すようなカラム状の小さな突起１０１が無数に存在す
る構造ができる。これは通常、セルフシャドウィングと
呼ばれる効果により、カラム状にエツチングされるため
生じるものと言われている。

この時、傾き角θ１０２を変化させることによりネマチ
ック液晶分子の配向に違いが生じる。このことについて
図を用いて説明する。

■エツチング角度（θ）７５°〜８５°のときθが７５
度〜８５度のとき第１２図（ａｌに示すように液晶分子
はエツチング方向にその分子長軸方向（ｎ）１）１を平
行に配向する。このため液晶分子はプレチルト角を１５
度から３０度程度有するとされている。

■エツチング角度（θ）〜６０°のときθが〜６０度の
とき第１２図伽）に示すように液晶分子はエツチング方
向にその分子長軸方向を垂直に配向する。このときプレ
チルト角は約０度である。

これらのエツチング角度の違いによる配向の違いは表面
のカラム構造に対して分子がどの方向に配列したとき最
も弾性変形のエネルギーが小さくてすむかに依存してい
ると言われている〔イオンビーム斜方エツチング法の参
考文献：■ニー、ディー、ヤコプソンなど、ニス　アイ
　ディー１９７５　インターナショナル　シンポジウム
ダイジェスト、　　６．　２６．　（Ａ、Ｄ、Ｊａｃｏ
ｂｓｏｎ、　ｅｔａｌ、。

５１０１９７５１ｎｔ、　Ｓｙ＋ｉｐ、　Ｄｉｇｅｓｔ
、　６．２６．）　）　。

発明が解決しようとする問題点 （１）　　従来、強誘電性液晶の配向制御には工業的に
有利なラビング法が用いられていたがこの方法では強誘
電性液晶分子に電圧が印加された場合、メモリー効果が
小さいことが問題であった。以下、図を用いてこのこと
を説明する。

第１３図１ａｄ、　（ｂｌ、　ｌｃ）はラビング配向さ
れた強誘電性液晶パネルに電圧を印加した状態を模式的
に表したものである。ここで第１３図（ａ）は紙面の裏
から表方向に電圧を印加した状態、第１３図山）は紙面
の表から裏方向に電圧を印加した状態を示している。こ
の二つの状態で強誘電性液晶層の大部分は電界方向にそ
れぞれ向いている。そのため適当に偏光子と検光子の位
置を決めてやれば明暗の状態を電界の掻性によって簿る
ことができる。ここまでは第６図ｔａ１．　（ｂ）と同
じである０次に電界をゼロ、つまり無印加状態にすると
配向容易軸であるラビング軸に強誘電性液晶分子はもど
ってしまい第１３図（Ｃ１のような状態になってしまう
、これは結局、メモリー性が劣化していることを示して
いる。第１３図１ａｄ、　（ｂｌ、　（Ｃ）において１
２１は強誘電性液晶分子、１２２は層構造、１２３はラ
ビング方向、１２４は電界の方向を表している。

これらのことを実際に示すため第１４図に示すようなラ
ビングによる液晶パネルを作成した。

ここで１３１は上下の偏光板、１３２は上下のガラス基
板、１３３は透明電極層、１３４は配向処理を施した有
機高分子膜層、１３５は強誘電性液晶層、１３６は対向
基板間の距離（セル厚）を一定にさせるためのスペーサ
ーを表している。このように対向電極間に強誘電性液晶
を封入し強誘電性液晶パネルを作成した。実験に用いた
強誘電性液晶材料はエステル系の温度範囲が０℃〜５８
℃まで強誘電性を示す液晶材料を用いて行った。下に用
いた強誘電性液晶の相転移温度を示す。

Ｃｒ　−−＊　Ｓ　ｍ　Ｃ＊　−−Ｓ　ｍ　Ａ　−−＝
　Ｃｈ〜０℃　　　　５８℃　　　８２℃ −→Ｉｓ。

９５℃ ここで、Ｃｒ　　：結晶相 ＳｍＣ＊：スメクチックＣカイラル相 ＳｍＡ　　：スメクチックＡ相 ｃｈ　　　＋コレステリック相 Ｉｓｏ　　：等方性液体 また、この液晶の複屈折異方性（Δｎ）はセナルモン型
コンペンセイターを用いて測定したところ０．１４であ
った。

配向方法はガラス基板上に設けた有機高分子膜をラビン
グし、液晶注入後、１００℃までパネルを加熱し等方性
液体とした後、ゆっくりと徐冷する（０．６℃／■ｉｎ
　）ことによりスメクチックＣカイラル相のモノドメイ
ンを得た。

次にこのパネルを用いて電圧−透過率曲線（以下、Ｂ−
ｖ曲線とする）を測定した。

Ｂ−Ｖ曲線の測定に用いた光学実験系を第１５図に示す
、第１５図において光源１４１より発せられた白色光は
偏光子１４２を通り液晶セル１４３に直線偏光として入
射した後、検光子１４４を通って集光レンズ１４５によ
って集光され光電子倍増管１４６で感知され、ストレー
ジオシロ１４７によりＢ−Ｖ曲線として測定される。な
お液晶セルにはプログラマブルパルスジェネレーター１
４８により任意の波形を加えることができるようにした
。

このような実験系において前述の構成を有する強誘電性
液晶パネルのＢ−Ｖ曲線を測定した。

また強誘電性液晶パネル功セル厚は２．８μｍのものを
用いた。得られたＢ−Ｖ曲線を第１６図に示す、第１６
図において横軸は時間（１）であり、縦軸は電圧（Ｖ）
あるいは輝度（Ｂ）である、上図は印加した電圧波形で
あり、下図は対応する輝度曲線である。第１６図を電圧
波形の順に従って説明するとまずパルス高さ＋１０Ｖ９
幅２．０■Ｓの電圧が印加されたときに輝度は約３２％
と大きく明状態が得られた０次に電圧が無印加（ＯＶ）
のときに輝度は小さくなり、分子がラビング方向にもど
っていることがわかる。また−１０ｖの電圧が印加され
たとき輝度は小さくなり約１％と最も暗い状態となる。

しかし、また電圧無印加の状態となると輝度は再び大き
くなり先程の無印加の状態と同じ輝度となってしまう、
これは電界無印加時に分子がもどってしまうことに起因
することでメモリー効果のないことを示している。

（２）　　従来、強誘電性液晶パネルは複屈折効果を利
用するため、明るさ１色むらの点でセル厚を〜２μｍ程
度と非常に薄くする必要があった。これは生産性から考
えると非常に不利なことであった。

問題点を解決するための手段 液晶パネルにおいてその基板に対して斜め方向からエツ
チングすることにより液晶の配向制御を行う。

作用 （１）　　ラビング法による一軸処理とは異なり斜方か
らエツチングすることにより、ある一定方向に微細な突
起群を持つような表面構造にする。この表面構造により
、液晶分子は弾性変形の最も少ない構造に配向すること
になる。この効果による配向はラビング法による強い一
軸処理とは異なり、メモリー効果の大きい強誘電性液晶
パネルを実現できる。

（２）基板表面に対して大きなプレチルト角を持たせる
ことにより見掛けのΔｎを小さくすることでセル厚を厚
くしても明るい、色づきの少ない強誘電性液晶パネルを
得ることができ、生産性が良い強誘電性液晶パネルを実
現できる。

実施例 以下本発明の一実施例について図面を参照しながら説明
する。

（実施例１〕 実施例に用いた斜方エツチング法の行い方は従来例で述
べた第１Ｏ図の構成を用いた。ここでは斜方エツチング
としてイオンビームによる斜方エツチングを用いた。基
板はガラス基板上に導電性インジウム・スズ酸化物を蒸
着したもの（ＩＴＯ基板）の上にエツチング層として一
酸化ケイ素（Ｓｉｎ）を１５００人蒸着５た基板を用い
た。

エツチング角度は８５度と６０度の両方を用いた。

エツチング速度は約１０人／ｓｅｅ、エツチング深さは
基板垂直方向からの厚さで約８００人とした。

このようにイオンビーム斜方エツチングを行ったＩＴＯ
基板を用いて強誘電性液晶パネルを作成した。セル構成
は第１４図に示したセル構成と本質的に同じである。上
下基板の蒸着方向は上下で反平行となるようにした。実
施例に用いた強誘電性液晶材料は従来例で用いたものと
同じエステル系の混合物である。このようなセルに強誘
電性液晶を真空中で注入し徐冷することにより良好に配
向したモノドメインの強誘電性液晶パネルを得た。

セル厚は３μｍとした。このときの配向はエツチング角
度により異なっていた。エツチング角度が８５度のとき
液晶分子の長袖方向はエツチング方向と一致していたが
６０度のときはエツチング方向に垂直にその長軸方向を
有していた。

この強誘電性液晶パネルを従来例で述べた光学系を用い
てＢ−Ｖ曲線を測定し、メモリー効果を調べた。結果を
第１図（ａ）、山）および第２図１ａｌ、　（ｂｌに示
す、ここで第１図（ａｌ、　（ｂｌはエツチング角度が
８５度、第２図（ａ）、　（ｂｌは６０度の強誘電性液
晶パネルである。第１図ｔａ）、　（ｂｌを用いて説明
する。

第１図（ａ）より、パルス高さ＋ＩＯＶ、幅２．Ｏｍｓ
のパルスが印加されたとき第１図中）の輝度は約３２％
と大きく明状態が得られた０次に電圧が無印加（Ｏｖ）
となったときにも輝度はそのままで分子がパルス印加時
と同じ場所におり、メモリー効果があることがわかる。

また、−ｔＯＶのパルスが印加されると輝度は小さくな
り約１％と最も暗い状態となった。また、電圧無印加の
状態となっても輝度はそのままでメモリー効果の強いこ
とがわかる。これは第２図（ａ）。

（ｂｌでも同じであり、蒸着角度が８５度でも６０度で
も強いメモリー効果が得られた。

〔実施例２〕 次にくさび型にセル厚を徐々に厚くしたセルを用いて色
相の変化を測定した。くさび型セルの構成を第１７図に
示す、第１７図において１６１はガラス基板、１６２は
１７０層とそのうえに、ＳｉＯの斜方エツチング層、あ
るいはラビングを施された有機高分子膜層を有する層、
１６３は強誘電性液晶層、１６４はセル厚調整のための
スペーサー、１６５はエツチング方向、あるいはラビン
グ方向の組合せ方を示す。

セル厚の変化はｌｕｍ〜７μｍであり、８５度エツチン
グ、６０度エツチングおよびラビング法によって配向さ
せた強誘電性液晶パネルをそれぞれ作成した。これらの
強誘電性液晶パネルのセル厚の違いによる電界時の輝度
および色相を色彩光度針により測定した０色彩光度計は
マクベス社製のものを用いた。

まず、６０度エツチングおよびラビングセルについてセ
ル厚と輝度の関係を第１８図に示す。ここでＯ印は６０
度エッチング、ｘ印はラビングセルをそれぞれ示す。

次に８５度エツチングの強誘電性液晶パネルのセル厚と
輝度の関係を第１９図に示す０強誘電性液晶パネルのセ
ル厚と輝度の関係は従来例で述べたように理論的に（１
）式で与えられる。第７図における理論式より与えられ
る輝度曲線は大体Δｎｄが約０．２８あたりで最も明る
い状態を持つようになっている。これは第１８図から６
０度エツチングセル、ラビングセルにおいてはどちらも
セル厚が約２．０μｍで最も明るい状態になっており、
本実施例の液晶材料はΔｎが約０．１３であるためΔｎ
ｄとして０．２８あたりとなり、理論式と対応している
。

第１９図における８５度エツチングセルでは最も明るく
なるセル厚が約２．６μｍとなっておりΔｎｄで０．３
６あたりと、理論式よりもセル厚の厚いところで明るい
ことがわかる。これは斜方エツチング法の説明で述べた
ように８５度エツチングでは大きなプレチルト角を有す
るからと考えられる。プレチルト角を有するため見掛け
の複屈折異方性（Δｎ）をΔｎｅｆｆとし、プレチルト
角をθｐとすると屈折率楕円体の式よりΔｎｅｆｆは次
式で与えられる。

Δｎｅｆｆ　＝　Ｊ　ｎ　−ｃｏｓ２　θｐユ・・・争
・（７）ここで実際のプレチルト角を測定した。強誘電
性液晶状態のプレチルト角は測定しにくいのでネマチッ
ク液晶を用いた。このプレチルト角の測定法はヌルキャ
パシタンス法と呼ばれる方法で行った。

この結果、８５度蒸着セルのプレチルト角は約２５度で
あることがわかった。（７）式にプレチルト角の２５度
と４ｎの０．１３の値をそれぞれ代入するとΔｎｅｆｆ
は０．１０７という値になる。（１）式による理論計算
より最も明るくなるΔｎｄは約０．２８であるためセル
厚はΔｎが０．１３のとき２．１μｍの必要があったが
プレチルト角を有するためΔｎｅｆｆが０．１）５と小
さくなった場合、セル厚が約２．６μ臀で最も明るくな
ることになる。これは８５度エツチングセルの輝度の測
定結果とほぼ一致している。

次にプレチルト角を０度から大きくしていったときのΔ
ｎｅｆｆ　／Δｎの変化をプロットした図を第２０図に
示す。

第２０図よりプレチルト角が約１０度ぐらいまでではΔ
ｎｅｆｆ　／Δｎは１からあまり変化せずΔｎｅｆｆは
あまり小さくなっていないことがわかる。プレチルト角
が１０度以上ではΔｎｅｆｆ　／Δｎの変化量は大きく
なり、Δｎｅｆｆが小さくなりセル厚が厚くとも明るい
状態が得られることがわかった。また斜方エツチング法
は強誘電性液晶パネルの配向を損なわずにプレチルト角
を太き（する良い方法であることがわかった。

発明の効果 ４１）　　本発明は斜方エツチング法を用いて強誘電性
液晶の配向を行うことでメモリー性の強い、表示品位の
良好な強誘電性液晶パネルを得ることができる効果を有
する。

（２）　　また大きなプレチルト角を有することで強誘
電性液晶パネルの見掛けのΔｎｅｆｆ　ｄを小さくし、
セル厚が厚くても明るい強誘電性液晶パネルを作成する
ことを可能とし、強誘電性液晶パネルの生産性を向上さ
せる効果を持つものである。

（３）大きなプレチルト角は斜方エツチング法により良
好な配向とともに得ることができ強いメモリー性を持ち
、かつセル厚の厚い生産性の良い強誘電性液晶パネルを
得ることができる効果も有する。

【図面の簡単な説明】

第１図ｉａｌ、　（ｂｌは斜方エツチング法を８５度の
角度で行った強誘電性液晶パネルのメモリー性を示すグ
ラフ、第２図ｔａ）、　（ｂｌは斜方エツチング法を６
０度の角度で行った強誘電性液晶パネルのメモリー性を
示すグラフ、第３図は強誘電性液晶の構造を表す模式図
、第４図は強誘電性液晶のねじれ構造を表す模式図、第
５図は強誘電性液晶の薄いセル厚のパネルでねじれ構造
がほどけた状態を表す模式図、第６図は薄いセル厚の強
誘電性液晶パネルにおいての動作原理を表す模式図、第
７図は強誘電性液晶パネルのΔｎｄと輝度の関係の理論
計算値をプロットしたグラフ、第８図は強誘電性液晶パ
ネルにおいて各々のΔｎｄに対してセル厚むらとしての
色差の理論計算値をプロットしたグラフ、第９図（ａｌ
、　（ｂ）はＳｍＡ相とＳｍＣ＊相の構造とラビングを
行ったときの配向状態を示す模式図、第１０図はイオン
ビーム斜方エツチング装置およびエツチング方法を示す
模式図、第１）図は斜方エツチング法を行つたときの表
面状態を表す模式図、第１２図（ａ）、　（ｂｌはエツ
チング方向を変えたときの液晶分子の配向方向を表す模
式図、第１３図（ａ）。 （ｂｌ、　（Ｃ１はラビング法による電界印加による強
誘電性液晶の動作とメモリー効果が小さいことを表す模
式図、第１４図は従来例および実施例で用いた強誘電性
液晶パネルの構造図、第１５図は従来例および実施例の
Ｂ−Ｖ曲線測定に用いた光学系の模式図、第１６図ｉａ
）、　（ｂ）はラビングセルのメモリー効果を示す模式
図、第１７図は色測定に用いたくさび型セルの模式図、
第１８図はラビングセルおよび６０度エツチングセルの
セル厚と輝度の実測値をプロットしたグラフ、第１９図
は８０度エツチングセルにおけるセル厚と輝度の実測値
をプロットしたグラフ、第２０図はプレチルト角とΔｎ
ｅｆｆの計算値をプロットしたグラフである。 １６１・・・・・・ガラス基板、１６２・・・・・・１
７０層とそのうえにＳｉＯの斜方エツチング層あるいは
ラビングを施された有機高分子膜層を有する層、１６３
・・・・・・強誘電性液晶層、１６４・・・・・・セル
厚調整のためのスペーサー、１６５・・・・・・エツチ
ング方向あるいはラビング方向の組合せ方を示す。 代理人の氏名　弁理士　中尾敏男　はか１名第１図 （αン くｂ） 特　　間　＜ｍ５ｅｃフ 第２図 １〜　　間　　Ｏηｓｅｃフ 第３図 第４図 ３牛 第５０ 第　６　凶 第９図 色ＰＬａＦ（Ｌ″Ｌ臀り町 Ｎ　　　　　′ 書　　　　　　　牌＆　ｃｙ、＞　　　　　　　　　区
第１０図 第１）図 ω Ｖ　　　　　　　　　　　　　０ 第１４図 第１５図 第１６図 ｉ！１ｒｒＡ　ｏｎｓｅｃ） 第１８図 Ｃ７Ｉ／４　（μｍ］ 第１９図 ℃ル、）’Ｊ−＜ｐｒｎ　）

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）液晶層と前記液晶層を挟持するように配置した少
   なくとも一枚は透明である複数の基板と、前記液晶層に
   電圧印加が行えるように前記基板に付設した電圧印加手
   段とを具備したパネルにおいて基板に対して斜め方向か
   らエッチングすることにより液晶の配向制御を行うこと
   を特徴とする液晶パネル。
2. （２）液晶が強誘電性液晶であることを特徴とする特許
   請求の範囲第（１）項記載の液晶パネル。
3. （３）エッチングがイオンビームの照射により行われる
   ことを特徴とする特許請求の範囲第（２）項記載の液晶
   パネル。
4. （４）エッチングにより基板に対して分子が１０度以上
   の傾き角を有することを特徴とする特許請求の範囲第（
   ２）項または第（３）項のいずれかに記載の液晶パネル
   。
5. （５）エッチングを行う基板上に基板間の絶縁を行うた
   めのオーバーコート層を兼ねていることを特徴とする特
   許請求の範囲第（１）項または第（２）項のいずれかに
   記載の液晶パネル。
6. （６）エッチング層がＳｉＯ＿ｘであることを特徴とす
   る特許請求の範囲第（１）項、第（２）項または第（５
   ）項のいずれかに記載の液晶パネル。
7. （７）セル厚が５μｍ以下であることを特徴とする特許
   請求の範囲第（２）項、第（３）項、第（４）項または
   第（６）項のいずれかに記載の液晶パネル。