JPS63278894A - 表示機能と記憶能力を有するカ−ド - Google Patents

表示機能と記憶能力を有するカ−ド

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JPS63278894A
JPS63278894A JP62113248A JP11324887A JPS63278894A JP S63278894 A JPS63278894 A JP S63278894A JP 62113248 A JP62113248 A JP 62113248A JP 11324887 A JP11324887 A JP 11324887A JP S63278894 A JPS63278894 A JP S63278894A
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JP
Japan
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card
liquid crystal
memory
display function
display
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JP62113248A
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舜平 山崎
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Publication date
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Priority to EP88304184A priority patent/EP0291259B1/en
Priority to DE3852907T priority patent/DE3852907T2/de
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は銀行のCDカード、秘密保持のためのIOカー
ド、電車等の乗車券のプレ発売カード等のカード自身に
記憶能力を有するカードを提案するにある。
(従来の技術〕 銀行のCDカード、電車等の乗車券等のプレ発売カード
等は、祇または樹脂板上に磁気テープを貼りつけ、この
磁気テープ部分にて口座番号、残金等の記憶能力を持っ
たカードが使われている。しかしながら磁気テープの記
憶容量は非常に少な(数桁程度の数字及び記号を記憶す
るのがやっとである。
また、この場合テープに記憶された内容は任意侵害き換
えできるものではなかった。
その様な問題点を解決するために考案されたものがt!
EFROM (電気式書換可能ROM >記憶を有する
集積回路を搭載したカード(いわゆるICカード)等が
ある。
〔それらの持つ問題点〕
すなわちICカードは記憶容量を増す目的で考案され、
集積回路を利用し多量の記憶内容を任意に書き換えを行
うことも可能であった。しかしながらカード中の記憶内
容の全てではなくてもカードの持ち主が知りたい最低限
の情報さえも大型コンピューターに接続された端末機械
を使用し、端末機械の表示装置に表示されて始めてその
内容を知りえるという物であった。
そのため記憶内容の表示がカード上に現れる様な能力が
求められていた。
そのため、表示を行なう部分と、情報の記憶を行なう部
分を同一カード上にて形成する必要があった。
この表示を行なう部分としては、表示能力及び消費電力
等より液晶表示が最も一般的に行なわれている。
また、記憶を行なう部分としては、その記憶容量等によ
り前述のHEFROMが一般的であり、これらを同一の
カードに作成することは、工程数の増加。
カード構造が複雑になる等数多くの技術的な問題が発生
していた。
〔問題を解決しようとする為の手段〕
本発明は、これら従来の問題を解決するものであり、特
許請求の範囲にありますように一対の基板と該基板上の
電極と該電極上の液晶配向部と該一対の基板間に充填さ
れた、強誘電性を有する液晶材料よりなる表示機能と記
憶能力とを有するカードにおいて、前記電極がマトリク
ス構成、または図形0文字、記号等の形状を取ることに
より、文字9図形、記号等を表示する液晶表示領域と、
電気、熱または、光等のヱネルギーをカード外部より液
晶層に加えることにより外部情報を信号として、書き込
み、消去、書き換え可能な情報記憶領域とを強誘電性を
示す液晶材料を用いて、実現せしめたことを特徴とする
表示機能と記憶能力有するカードを発明の構成としてお
ります。
すなわち、表示領域部と記憶領域部とを同じ強誘電性液
晶を用いることで構成し、工程数の省略化を計ったもの
であります。
この強誘電性液晶を用いた記憶(メモリー)としては、
本発明と同−発明人により特許出願された(特願昭60
年130190号)1強誘電性液晶を用いた光デイスク
装置−があり、その記憶された情報の読み出し、書き換
え、消去は同様であります。
この記憶方法とは、第2図に示すように、スメクチック
層の層法線に対し、θの角度を持って液晶分子(I2)
が傾いた状態を第1の状態とし、この状態の液晶分子に
対し、外部より電気、熱または光エネルギーを与えて層
の法線に対し一〇の角度を持つ第2の状態に変化させる
。
この時、第1の状態と、第2の状鱗のちがいによって発
生する光学的な変化を外部の検知手段によって検知する
ことで状態のちがいを判別するのである。
つまり、第1の状態をO2第2の状態を1とし信号とし
て情報を記憶するものである。
この第1の状態と第2の状態とを液晶分子に取らせる方
法を第3図に示したこのカードの記憶領域部の断面図に
より説明する。
まず第1の方法としては、上下の基板(1) 、 (7
)の間隔を強誘電性液晶(4)の持つらせんピッチより
十分短(することによりこの状態を発現するもので、こ
の方法は一般に5SFLCと言われており界面(基板)
よりの強制力により液晶分子に2状態を取らせるもので
あります。
次に第2の方法として、上下の液晶配向部(3)。
(5)に用いる材料を変えることにより発生する極性の
ちがいを利用して、液晶分子を引きつけて、この状態を
発現する方法と、また第3の方法としては液晶配向部(
3) 、 (5)を積層構造として、その部分に電荷を
蓄えことにより発生する電界を液晶(4)に印加し、こ
の第1の状態と第2の状態とを発現させる方法とが知ら
れる。
以下実施例により本発明を説明する。
「実施例」 第1図(A)は本発明の強誘電性液晶メモリを用いた表
示機能と記憶能力を有するカードを示す。
(B)はそのA−A’断面図を示す。
また第3図に本発明のカードを用いたシステムを示す。
。 メモリーカードは一対の対抗基板(4)及び基板(lO
)を有する。さらにその一対の内側には一対の透光性電
極(5)、 (9)を有する。さらにその一対の電極に
配向処理部(6) 、 (8)が形成されている。
さらにその基板間にはPLC(7)が充填される。
このメモリーカードは周辺をFLCが大気に触れないよ
うに封止(10)されている。このメモリーカードの外
側周辺側には一対の電極(5) 、 (9)より延在し
た外部コンタクト用電極(5’)、(9°)を有する。
この外部コンタクト用電極(5”)、(9°)は、記憶
の書消しく全面消去)の際その信号源(13)より導出
したリード端子と接続され所定の電圧を印加され「書消
し」を行われる。
かくして全面が「0」の状態のメモリー領域に対し情報
の「書き込み」を系(101)を用いて行う。
即ち全面にわたり一方向に配列したFLCに対し光ビー
ム特に赤外線を(19)よりミラー(18) 、及びハ
ーフミラ−(17)を経て集光光学系、位置補正等の系
(22)を経て所定の番地に対し光を照射し、所定の番
地の液晶分子の状態を初期状態よりずらすことにより書
き込みを行う、この時、上下の電極(5)。
(9)の間に液晶の反転のしきい値電圧より低い電圧を
印加しているとより早く、正確に情報の書き込みをなし
得ることができた。さらにその光はミラー(16)を経
てフォトセンサ(14)に至る。ここで情報の書き込み
が行われていることをモニタする。
情報の「読み出し」方法としては、半導体レーザー(2
1)より発光された光ビームは偏光手段(20)。
及びハーフミラ−(17)を経て集光光学系、位置の補
正(オートトラッキング装置) (22)を経て、メモ
リーカードにレーザ光を入射する。さらにこのメモリー
カードの記憶領域(3)を透過した光は、ミラー(16
)を経て偏光手段(15)を経て受光センサ(14)に
至る。この先センサ(14)において、レーザー光の透
過、非透過を検知し情報を読みとる。
この場合、情報の書き込み、読み出し時にミラー (1
6) 、 (17) 、 (18)及び光学系(22)
を、カード(1)と平行した相対的に移動させて、所定
の番地に情報を書き込んだり、読み出したりした。
すなわち、カード(1)を機械的に移動させても、ミラ
ー、光学系を移動させても、両方を同時に動かせてもよ
い。
このメモリーカードに関し以下にさらに具体的に示す。
本実施例では、基板としてプラスチック基板またはコー
ニング7059ガラス基板(4) 、 (10)を用い
た。
この基板上に透光性導電膜であるtTO(酸化インジェ
ームスズ)を真空蒸着法により形成する。そしてこの一
対の電極(5) 、 (9)の内側に非対称配向膜(6
) 、 (8)を設け、スペーサ(図示せず)を介在さ
せて、基板間隔2μ個の液晶セルを形成する。
これらによりFLC(7)を挟んである。配向処理とし
て対抗電極(5)上にはPAN (ポリアクリルニトリ
ル)、PVA(ポリビニールアルコール)を0.1 μ
麟の厚さにスピン法により設け、公知のラビング処理を
した。ラビング処理の一例として、ナイロン布をラビン
グ装置にて90ORPMで回転させ、その配向膜表面を
2−7分の速度で基板を移動させて液晶配向部(6)を
形成した。また、もう一方の電極(9)上には無機化合
物の配向膜を形成してラビング処理を行わない液晶配向
部(8)とした、液晶配向部(6) 、 (8)の間に
はFLC例えばビフェニル系のカイラルスメクチック液
晶を充填した。これ以外でもBOBAMBC等のFLC
または複数の液晶をブレンドしたFLCを充填し得る。
このFLCのしきい値特性例を第4図に示す、同図にお
いても±5v加えることにより、曲線(24) 、 (
25)を得ることができた。
すなわち、液晶分子を反転させることにより光を透過、
非透過をさせ得、と同時にメモリ効果を示すヒステリシ
スを得ることが判明した。
第4図においては縦軸は光の透過率である。
また、このカード(1)の表示領域部(2)としては、
前述の記憶領域と同一の構造を有している。
ただし、本実施例においては、一対の電極(5)。
(9)がマトリクス構成をとっており、ドツトにより文
字1図形、記号が表示できるようになっている、またそ
のためのICを、カード上に設けである。
すなわち、カードの記憶領域部(3)と表示領域部(2
)とは、電極の形状がちがうだけで、その他の構造はす
べて同じになっているので、従来の液晶表示装置を作成
する工程で、表示機能と記憶能力を同時に有するカード
を作成することができるものである。
さて、このディスプレイメモリーカードの使用例である
が、例えば銀行等で使用するCDカードとして利用する
場合、カードの持ち主が銀行へ出向き、コンピューター
と接続されたCD端末機はカードの電極(5’)、(9
°)を通してカードに電源を供給し、かつカードの記憶
領域部よりカードの持ち主、口座番号、過去の取引内容
等の情報を光学系の読み取り手段によりひき出す。と同
時に新たな情報を光学的手段により書きこみ、必要情報
をカードのディスプレイ上に表示する。
このディスプレイに使用した液晶は強誘電性を示す液晶
(カイラルスメクチックC液晶)であるのでその材料液
晶のもつ、らせんピンチ以下の平行平板に封入すると安
定した2軸方向の位置を持ち、電界によって、その2方
向の一方を選択することができる。又それは電界をとり
除いてやっても安定位置で固定され、偏光板と組合わす
ことによって(文字など)表示を残すことができる。
従ってCD端末機より出た時点でカードへの電源供給は
無(なり、記憶は強誘電性液晶による記憶領域と強誘電
性表示領域上に残ることになる。
このように利用者はいつでも、どこにおいてもそのメモ
リーの内容を見ることができる。
ここでは銀行のCDカードの利用法のみ示したが他に流
用することは十分可能である。
本実施例において、本発明カードはその表示領域部(2
)、記憶領域部(3)ともに、透過型の形式で示したが
、本実施例以外にも、反射型の形式でも本発明の効果を
妨げるものではない。
その場合、カードの電極部においてレーザ光を反射する
ので、基板の一方を金属製とすることができ、より安価
に本発明のカードを作ることができる。
また、本発明カードに外部電極端子を設けない場合、電
気的な接続を一切用いないで、カードの記憶を読み取る
ことができ、その場合記憶部はROMとして働く。
また、FLCのなかに、二色性染料を添加し、ゲスト−
ホストモードにて情報の記憶及び表示を行なうことも可
能であり、この場合は偏光手段が一つまたはOでよいと
いう特徴を持つ。
〔効果〕
カード状の内部に強誘電性を示す液晶を用いた表示装置
と記憶領域を入れることにより今までの磁気カード方式
のカードと比べてカード自体にメモリ機能を設け、かつ
、そのカードの持つメモリ内容の一部又は全てを表示装
置を通して特定の端末装置を必要とせず、いつでも確認
できる様になった。
また書き換えのときのみしか電源が必要でないためカー
ド内部に電源を持つ必要がなくなった。
また、記憶領域部と、表示領域部とを同じ構造で実現す
ることができたため、カードを作成する際に、従来の液
晶表示装置と同じ工程で2つの機能をもつカードを作成
でき安価で、量産の簡単なメモリーカードを実現するこ
とが可能となった。
本発明の記憶領域部は、表示領域部と同じ構造を有して
いるが、その記憶された情報は全く外部に表われず、専
用機械にて読み取りを行なわない限りわからないので1
0カード等に用いることができる。また、この表示領域
の表示は電池等の電源を必要とせず、またcpu等の制
御機構が不要であるため、機械が簡易となり安価に大量
に生産することが可能となるもので、情報記憶手段と表
示手段によって記憶情報の信頼性が向上するものである
。また、液晶による表示は電圧の印加と加熱によらなけ
れば書換えが不可能であり、日常生活程度の温度変化で
データの峠去が生ぜず安定しているものであり、記憶さ
せである情報を修正、変更することにより再使用が可能
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のカードの平面図と断面図を示す。 第2図は液晶分子のとる状態を示す。 第3図は本発明カードのシステムを示す。 第4図は本発明カードの記憶領域の透過光の特性を示す
。 1・・・・・・・・カード 2・・・・・・・・表示領域部 3・・・・・・・・記憶領域部 4.10.  ・・・・・基板 5゛、9° ・・・・・外部接続電極 6.8 ・・・・・液晶配向部 7・1・・・・・・・液晶

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、一対の基板と該基板上の電極と該電極上の液晶配向
    部と該一対の基板間に充填された、強誘電性を有する液
    晶材料よりなる表示機能と記憶能力とを有するカードに
    おいて、前記電極がマトリクス構成、または図形、文字
    、記号等の形状を取ることにより、文字、図形、記号等
    を表示する液晶表示領域と、電気、熱または、光等のエ
    ネルギーをカード外部より液晶層に加えることにより外
    部情報を信号として、書き込み、消去、書き換え可能な
    情報記憶領域とを強誘電性を示す液晶材料を用いて、実
    現せしめたことを特徴とする表示機能と記憶能力を有す
    るカード。 2、特許請求の範囲第1項において、前記液晶配向部は
    、液晶分子の取り得る状態をある特定の複数の状態のみ
    に制限し、かつ外部より電気、熱または光等のエネルギ
    ーが供給されない限りその特定の状態を保持させ得る能
    力を有していることを特徴とする表示機能と記憶能力を
    有するカード。
JP62113248A 1987-05-09 1987-05-09 表示機能と記憶能力を有するカ−ド Pending JPS63278894A (ja)

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US07/192,016 US4954985A (en) 1987-05-09 1988-05-09 Ferroelectric liquid crystal data storage card
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DE3852907T DE3852907T2 (de) 1987-05-09 1988-05-09 Karte mit einem Datenspeicher aus ferroelektrischen Flüssigkristallen.
CN88103903A CN1013528B (zh) 1987-05-09 1988-05-09 铁电液晶数据存储卡

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