JPH0230510B2 - - Google Patents
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- JPH0230510B2 JPH0230510B2 JP58090716A JP9071683A JPH0230510B2 JP H0230510 B2 JPH0230510 B2 JP H0230510B2 JP 58090716 A JP58090716 A JP 58090716A JP 9071683 A JP9071683 A JP 9071683A JP H0230510 B2 JPH0230510 B2 JP H0230510B2
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- liquid crystal
- electrode group
- current
- voltage
- electrode
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- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
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- G11C11/24—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using capacitors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/005—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with combined beam-and individual cell access
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、情報保持装置に係り、特に書き込ま
れた情報を外部装置に出力できる情報保持装置に
関する。 〔発明の背景〕 従来、情報保持装置としては、表示機能と情報
保持機能とを備えたスメクチツク液晶等からなる
装置やPLZT等の強誘電性物質からなる装置が知
られている。以下、情報保持装置として、表示機
能と情報保持機能とを備えた液晶装置を例にとり
説明する。 例えば液晶装置は、ネマチツク液晶、コレステ
リツク液晶、あるいはスメクテイツク液晶を用い
た種々の表示原理を利用したものが知られている
が、いずれも液晶分子の配向状態を何らかの外部
場により変化させ、これによる光学的性質の変化
を利用して表示を達成するものである。 これらの液晶装置の一例として米国特許第
3796999号“Locally Erasable Thermo−Optic
Smectic Liquid Crystal Storage Displays”に
示されている熱書込み型液晶装置について概要を
述べる。 本装置では、第１図ａに示すような二枚のガラ
ス基板１１，１２の内側に透明電極１３，１４を
設け、この間にスメクチツク液晶１５を封入す
る。この様な表示パネルにAr（アルゴン）レーザ
あるいはYAG（イツトリウム・アルミニウム・ガ
ーネツト）レーザなどにより発せられたレーザビ
ーム１６をレンズ１７により集光し、表示部分１
８のスメクチツク液晶１５の温度を上晶させ、一
旦、等方性液晶相にする。 その後レーザビームを除去することによりスメ
クチツク相まで急冷すると第１図ｂに示すよう
に、液晶分子の配向方向が乱れ、強い散乱性を示
す領域１９が発生する。この散乱状態は安定に在
続するので、任意の画像情報書込みが達成でき
る。 以上で述べた表示原理に基づき、熱書込み型液
晶装置はレーザビームの走査、変調により、液晶
素子上に任意の画像情報を書込み、さらに電界印
加も併用することにより部分消去も達成できるの
で表示装置として優れている。しかし、書込まれ
た画像情報の読出し機能がなく、情報信号を画像
として入力する表示装置としてのみ利用されてい
た。 また、その他の情報保持装置においても、これ
まで情報表示する機能しか有しておらず。情報出
力装置としては使用できなかつた。 本発明者等は先に、特願昭57−144713号、特願
昭58−29450号として、液晶の分子配向が、電界、
熱等の外部場によつて変化し、液晶分子の配向が
初期状態と書込み状態で異なり、液晶層をはさむ
電極間の静電容量の相違があることに着目し、こ
の静電容量を検出する手段を具備することによつ
て情報読出し機能を持ち、情報信号の入出力を行
いうる液晶装置を提案している。 ところが、これ等の従来技術に於いては、XY
マトリクス状に配列される画素の静電容量を検出
する際、多くとも一行の画素の静電容量しか検出
することができず、情報保持装置の分離能を上
げ、大型化しようとした場合、パネルに書き込ま
れた情報を短時間では読み出すことはできないと
いう問題点を有する。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記欠点を除去し、スメクチ
ツク相を有する液晶等の誘電体からなる情報保持
装置に、短い時間で情報を読み出す機能を持た
し、情報信号の入出力を行ないうる情報保持装置
を提供することにある。 〔発明の概要〕 上記目的を達成する本発明の特徴とするところ
は、対向面に一方の電極と他方の電極とが対向
し、上記一方の電極と上記他方の電極との対向部
分が全体としてマトリクスをなくす様に形成され
る一対の基板と、該一対の基板間に保持される誘
電体と、任意の上記対向部分の誘電体の静電容量
を変化させる手段と、少なくとも二つの行に対応
する上記一方の電極と上記他方の電極との対向部
分の静電容量を同時に検出する手段とを具備する
ことにある。 ここで、「誘電体」とは電界、熱等を加えるこ
とによつて静電容量が変化し、さらに電界、熱等
を除去した後もその静電容量が一定の時間変化し
なく、記憶される誘電体を示し、例えばスメクチ
ツク相を有する液晶やコレステリツク相を有する
液晶などのメモリ性の液晶、PLZT等が挙げられ
るが、比較的低温度、低電圧で情報の書込が可能
でしかも記憶時間の長いスメクチツク相を有する
液晶を使用することが好ましい。 〔発明の実施例〕 以下、本発明をスメクチツク相を有する液晶を
例にとり詳細に説明する。 第２図は、本発明の実施例による液晶装置の全
体構成図を示したものである。画像情報書込み手
段２１は、基板の一方の電極と他方の電極との対
向部分の誘電体となるスメクチツク相を有する液
晶を静電容量を変化させ、液晶パネル２２に文
字、記号などの画像情報を書き込むための手段で
ある。液晶パネル２２に書き込まれた画像情報
は、電極の対向部分の液晶に印加する時間的に変
化する電圧を発生するところの画像情報読出し電
圧発生回路２０、及び電極の対向部分の誘電体に
流れる主として変位電流を検出するところの画像
情報検出回路２３により読出されて画像信号変換
回路２４に送られる。ここで得られた画像情報信
号を、例えばマイクロプロセツサOPUなどで構
成した外部回路２５に取り込む。 次に各部の構成並びに動作について説明する。
液晶パネル２２の概略断面図を第３図、概略平面
図を第４図に示す。液晶パネルは、対向面に複数
のＹ電極２９、複数のＸ電極３０とが交差する様
に並設される一対の基板２６，２７の間に10μm
程度のギヤツプをつくり、スメクチツク相を有す
る液晶３１を前記基板間に入れてスペーサ２８で
封止する。ここで、Ｙ電極２９、Ｘ電極３０の対
向部分は画素となり全体としてマトリクスを形成
している。 基板２６，２７は例えばガラス板、プラスチツ
ク板を用いるか、もしくは観察しない方の基板を
Si基板などの不透明な基板、観察する側の基板を
ガラス板、プラスチツク板などの透明基板を用い
る。 また、電極として一般にネサ膜と呼ばれている
酸化インジウムと酸化スズの混合物、もしくは観
察する側の基板の電極には前記ネサ膜、他方の電
極にはAl，Crなどの金属を用いる。 液晶材料は、例えば
れた情報を外部装置に出力できる情報保持装置に
関する。 〔発明の背景〕 従来、情報保持装置としては、表示機能と情報
保持機能とを備えたスメクチツク液晶等からなる
装置やPLZT等の強誘電性物質からなる装置が知
られている。以下、情報保持装置として、表示機
能と情報保持機能とを備えた液晶装置を例にとり
説明する。 例えば液晶装置は、ネマチツク液晶、コレステ
リツク液晶、あるいはスメクテイツク液晶を用い
た種々の表示原理を利用したものが知られている
が、いずれも液晶分子の配向状態を何らかの外部
場により変化させ、これによる光学的性質の変化
を利用して表示を達成するものである。 これらの液晶装置の一例として米国特許第
3796999号“Locally Erasable Thermo−Optic
Smectic Liquid Crystal Storage Displays”に
示されている熱書込み型液晶装置について概要を
述べる。 本装置では、第１図ａに示すような二枚のガラ
ス基板１１，１２の内側に透明電極１３，１４を
設け、この間にスメクチツク液晶１５を封入す
る。この様な表示パネルにAr（アルゴン）レーザ
あるいはYAG（イツトリウム・アルミニウム・ガ
ーネツト）レーザなどにより発せられたレーザビ
ーム１６をレンズ１７により集光し、表示部分１
８のスメクチツク液晶１５の温度を上晶させ、一
旦、等方性液晶相にする。 その後レーザビームを除去することによりスメ
クチツク相まで急冷すると第１図ｂに示すよう
に、液晶分子の配向方向が乱れ、強い散乱性を示
す領域１９が発生する。この散乱状態は安定に在
続するので、任意の画像情報書込みが達成でき
る。 以上で述べた表示原理に基づき、熱書込み型液
晶装置はレーザビームの走査、変調により、液晶
素子上に任意の画像情報を書込み、さらに電界印
加も併用することにより部分消去も達成できるの
で表示装置として優れている。しかし、書込まれ
た画像情報の読出し機能がなく、情報信号を画像
として入力する表示装置としてのみ利用されてい
た。 また、その他の情報保持装置においても、これ
まで情報表示する機能しか有しておらず。情報出
力装置としては使用できなかつた。 本発明者等は先に、特願昭57−144713号、特願
昭58−29450号として、液晶の分子配向が、電界、
熱等の外部場によつて変化し、液晶分子の配向が
初期状態と書込み状態で異なり、液晶層をはさむ
電極間の静電容量の相違があることに着目し、こ
の静電容量を検出する手段を具備することによつ
て情報読出し機能を持ち、情報信号の入出力を行
いうる液晶装置を提案している。 ところが、これ等の従来技術に於いては、XY
マトリクス状に配列される画素の静電容量を検出
する際、多くとも一行の画素の静電容量しか検出
することができず、情報保持装置の分離能を上
げ、大型化しようとした場合、パネルに書き込ま
れた情報を短時間では読み出すことはできないと
いう問題点を有する。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、上記欠点を除去し、スメクチ
ツク相を有する液晶等の誘電体からなる情報保持
装置に、短い時間で情報を読み出す機能を持た
し、情報信号の入出力を行ないうる情報保持装置
を提供することにある。 〔発明の概要〕 上記目的を達成する本発明の特徴とするところ
は、対向面に一方の電極と他方の電極とが対向
し、上記一方の電極と上記他方の電極との対向部
分が全体としてマトリクスをなくす様に形成され
る一対の基板と、該一対の基板間に保持される誘
電体と、任意の上記対向部分の誘電体の静電容量
を変化させる手段と、少なくとも二つの行に対応
する上記一方の電極と上記他方の電極との対向部
分の静電容量を同時に検出する手段とを具備する
ことにある。 ここで、「誘電体」とは電界、熱等を加えるこ
とによつて静電容量が変化し、さらに電界、熱等
を除去した後もその静電容量が一定の時間変化し
なく、記憶される誘電体を示し、例えばスメクチ
ツク相を有する液晶やコレステリツク相を有する
液晶などのメモリ性の液晶、PLZT等が挙げられ
るが、比較的低温度、低電圧で情報の書込が可能
でしかも記憶時間の長いスメクチツク相を有する
液晶を使用することが好ましい。 〔発明の実施例〕 以下、本発明をスメクチツク相を有する液晶を
例にとり詳細に説明する。 第２図は、本発明の実施例による液晶装置の全
体構成図を示したものである。画像情報書込み手
段２１は、基板の一方の電極と他方の電極との対
向部分の誘電体となるスメクチツク相を有する液
晶を静電容量を変化させ、液晶パネル２２に文
字、記号などの画像情報を書き込むための手段で
ある。液晶パネル２２に書き込まれた画像情報
は、電極の対向部分の液晶に印加する時間的に変
化する電圧を発生するところの画像情報読出し電
圧発生回路２０、及び電極の対向部分の誘電体に
流れる主として変位電流を検出するところの画像
情報検出回路２３により読出されて画像信号変換
回路２４に送られる。ここで得られた画像情報信
号を、例えばマイクロプロセツサOPUなどで構
成した外部回路２５に取り込む。 次に各部の構成並びに動作について説明する。
液晶パネル２２の概略断面図を第３図、概略平面
図を第４図に示す。液晶パネルは、対向面に複数
のＹ電極２９、複数のＸ電極３０とが交差する様
に並設される一対の基板２６，２７の間に10μm
程度のギヤツプをつくり、スメクチツク相を有す
る液晶３１を前記基板間に入れてスペーサ２８で
封止する。ここで、Ｙ電極２９、Ｘ電極３０の対
向部分は画素となり全体としてマトリクスを形成
している。 基板２６，２７は例えばガラス板、プラスチツ
ク板を用いるか、もしくは観察しない方の基板を
Si基板などの不透明な基板、観察する側の基板を
ガラス板、プラスチツク板などの透明基板を用い
る。 また、電極として一般にネサ膜と呼ばれている
酸化インジウムと酸化スズの混合物、もしくは観
察する側の基板の電極には前記ネサ膜、他方の電
極にはAl，Crなどの金属を用いる。 液晶材料は、例えば
以上述べた様に、本発明によれば、スメクチツ
ク液晶等の誘電体からなる情報保持装置に、短い
時間で高速に情報を読み出す機能を持たし、情報
の入出力を行ないうる情報保持装置を得ることが
できる。
ク液晶等の誘電体からなる情報保持装置に、短い
時間で高速に情報を読み出す機能を持たし、情報
の入出力を行ないうる情報保持装置を得ることが
できる。
第１図は従来の液晶表示装置を示す図、第２図
は本発明の一実施例の装置全体の構成図、第３
図、第４図は本発明の実施例に用いる液晶パネル
の構造図、第５図は本発明の実施例に用いる液晶
の温度特性図、第６図から第１２図は、画像情報
書込みの実施例を示す図、第１３図から第１７図
は画像情報読出し動作の実施例を示す図、第１８
図は情報の書込み、読出しを一体にした実施例を
示す図、第１９図から第２１図は画像情報読出し
動作の他の実施例を示す図、第２２図から第２７
図は画像情報読出し動作の他の実施例を示す図で
ある。４，２９，４３，Yn，１２４……Ｙ電極、
２，３０，４４，Xo，１２４……Ｘ電極、２６，
２７……基板、４６，２２……液晶パネル、３１
……スメクチツク相を有する液晶。
は本発明の一実施例の装置全体の構成図、第３
図、第４図は本発明の実施例に用いる液晶パネル
の構造図、第５図は本発明の実施例に用いる液晶
の温度特性図、第６図から第１２図は、画像情報
書込みの実施例を示す図、第１３図から第１７図
は画像情報読出し動作の実施例を示す図、第１８
図は情報の書込み、読出しを一体にした実施例を
示す図、第１９図から第２１図は画像情報読出し
動作の他の実施例を示す図、第２２図から第２７
図は画像情報読出し動作の他の実施例を示す図で
ある。４，２９，４３，Yn，１２４……Ｙ電極、
２，３０，４４，Xo，１２４……Ｘ電極、２６，
２７……基板、４６，２２……液晶パネル、３１
……スメクチツク相を有する液晶。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 対向面において複数行の一方の電極群と複数
列の他方の電極群とが対向し、且つ上記一方の電
極群と上記他方の電極群との対向部分が全体とし
てマトリクス状をなす様に形成された一対の基板
と、 上記一対の基板間に保持されるメモリ性の液晶
と、 任意の上記対向部分のメモリ性の液晶に熱若し
くは電界又は熱および電界を加えることにより上
記液晶を相変化させ上記液晶の静電容量を変化さ
せる手段と、 上記一方の電極群に走査信号に応じて、読出し
電圧または時間的に安定な電圧を印加する手段
と、 選択回路からの選択信号に応じて、上記他方の
電極群へ定電圧源からの定電圧を印加する動作と
上記他方の電極群からの電流を電流−電圧変換手
段を介して静電容量判別手段へ出力する動作とを
切り替える切替手段とを具備し、 上記切替手段は、複数のブロツクに区分され、
夫々のブロツク毎に、上記電流−電圧変換器手段
は設けられており、各ブロツク内の切替手段を選
択信号に応じて順次切り替えることにより、上記
各ブロツク内の同一順番の上記選択手段に接続さ
れた他方の電極群からの変位電流を同時に検出す
ることを特徴とする情報保持装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090716A JPS59216177A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 情報保持装置 |
| EP84105941A EP0127140B1 (en) | 1983-05-25 | 1984-05-24 | Information holding device |
| DE8484105941T DE3485970T2 (de) | 1983-05-25 | 1984-05-24 | Datenhalteanordnung. |
| US07/073,359 US4733370A (en) | 1983-05-25 | 1987-07-08 | Information holding device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58090716A JPS59216177A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 情報保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59216177A JPS59216177A (ja) | 1984-12-06 |
| JPH0230510B2 true JPH0230510B2 (ja) | 1990-07-06 |
Family
ID=14006259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58090716A Granted JPS59216177A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 情報保持装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4733370A (ja) |
| EP (1) | EP0127140B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59216177A (ja) |
| DE (1) | DE3485970T2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60175077A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-09 | 株式会社日立製作所 | 情報保持装置 |
| JPS61239296A (ja) * | 1985-04-16 | 1986-10-24 | 松下電器産業株式会社 | 液晶入出力装置 |
| US4855976A (en) * | 1985-06-14 | 1989-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Information writing method for an optical disc memory system utilizing a smectic chiral liquid crystal |
| GB2177227B (en) * | 1985-06-14 | 1989-12-28 | Semiconductor Energy Lab | Optical non-volatile liquid crystal memory |
| US4853911A (en) * | 1986-06-13 | 1989-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Optical disc memory system utilizing a smectic chiral liquid crystal |
| JPH02260198A (ja) * | 1989-03-31 | 1990-10-22 | Tokyo Noukou Univ | 液晶電気光学メモリーデバイス |
| IT1237269B (it) * | 1989-11-15 | 1993-05-27 | Rete neurale con capacita' di apprendimento per il trattamento di informazioni, e procedimento per il trattamento di informazioni con l'impiego di tale rete. | |
| DE69223183T2 (de) * | 1991-06-10 | 1998-07-23 | Sharp Kk | Nichtflüchtige Speicheranordnung |
| EP0540153B1 (en) * | 1991-10-30 | 1999-06-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | A non-volatile memory device |
| US5361170A (en) * | 1992-06-11 | 1994-11-01 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Polygonal mirror |
| US5579199A (en) * | 1992-11-26 | 1996-11-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Non-volatile memory device and a method for producing the same |
| EP1798732A1 (en) * | 2005-12-15 | 2007-06-20 | Agfa-Gevaert | Ferroelectric passive memory cell, device and method of manufacture thereof. |
| JP4816668B2 (ja) | 2008-03-28 | 2011-11-16 | ソニー株式会社 | タッチセンサ付き表示装置 |
| JP5216495B2 (ja) | 2008-09-16 | 2013-06-19 | 株式会社ジャパンディスプレイウェスト | 接触検出装置および表示装置 |
| US20120167392A1 (en) | 2010-12-30 | 2012-07-05 | Stmicroelectronics Pte. Ltd. | Razor with chemical and biological sensor |
| US9027400B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-05-12 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Tunable humidity sensor with integrated heater |
| US9019688B2 (en) * | 2011-12-02 | 2015-04-28 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Capacitance trimming with an integrated heater |
| JP5508561B2 (ja) * | 2013-03-01 | 2014-06-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JP2014186535A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Japan Display Inc | タッチセンサ装置、表示装置、及び電子機器 |
| KR102581938B1 (ko) * | 2017-01-12 | 2023-09-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 온도 검출 회로 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE554007A (ja) * | 1956-02-07 | |||
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| US3796999A (en) * | 1972-10-19 | 1974-03-12 | Bell Telephone Labor Inc | Locally erasable thermo-optic smectic liquid crystal storage displays |
| JPS5749912B2 (ja) * | 1973-10-29 | 1982-10-25 | ||
| US4242736A (en) * | 1976-10-29 | 1980-12-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Capacitor memory and methods for reading, writing, and fabricating capacitor memories |
| FR2373076A1 (fr) * | 1976-12-03 | 1978-06-30 | Thomson Csf | Cellule a cristal liquide |
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| JPS55130585A (en) * | 1979-03-30 | 1980-10-09 | Hitachi Ltd | Input*output display unit |
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| JPS59155880A (ja) * | 1983-02-25 | 1984-09-05 | 株式会社日立製作所 | 情報保持装置 |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP58090716A patent/JPS59216177A/ja active Granted
-
1984
- 1984-05-24 DE DE8484105941T patent/DE3485970T2/de not_active Expired - Fee Related
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1987
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| Publication number | Publication date |
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| EP0127140A2 (en) | 1984-12-05 |
| US4733370A (en) | 1988-03-22 |
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