JPS6328034A - 拡散剤塗布方法 - Google Patents
拡散剤塗布方法Info
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- JPS6328034A JPS6328034A JP17209086A JP17209086A JPS6328034A JP S6328034 A JPS6328034 A JP S6328034A JP 17209086 A JP17209086 A JP 17209086A JP 17209086 A JP17209086 A JP 17209086A JP S6328034 A JPS6328034 A JP S6328034A
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Links
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Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は二酸化シリコン被膜形成液をシリコンウェハ上
に塗布する工程に関するもので、集積回路の不純物拡散
用の被膜を形成する工程に利用されるものである。
に塗布する工程に関するもので、集積回路の不純物拡散
用の被膜を形成する工程に利用されるものである。
（従来の技術）
本発明に係る従来技術としては、セミコンダクターケミ
カル（山中セミコンダクター株式会社発行 京都市左京
区）の文献の第１５頁に各種拡散材料製品として塗布液
は従来からの気相熱拡散にかわりケイ素化合物をアルコ
ールに熔解した液又はケイ素化合物と３価ならびに５価
の不純物をアルコールに熔かした液をシリコン上にスピ
ンナー、吹付け、浸せきハケ塗りなどの方法で、塗布し
て目的濃度のシリコンを得る方法が開示されており、更
に一般的にシリコンウェハ上に一定量の形成液を塗布し
、シリコンウェハを高速回転させ被膜を形成するもので
ある。
カル（山中セミコンダクター株式会社発行 京都市左京
区）の文献の第１５頁に各種拡散材料製品として塗布液
は従来からの気相熱拡散にかわりケイ素化合物をアルコ
ールに熔解した液又はケイ素化合物と３価ならびに５価
の不純物をアルコールに熔かした液をシリコン上にスピ
ンナー、吹付け、浸せきハケ塗りなどの方法で、塗布し
て目的濃度のシリコンを得る方法が開示されており、更
に一般的にシリコンウェハ上に一定量の形成液を塗布し
、シリコンウェハを高速回転させ被膜を形成するもので
ある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし前記被膜の形成方法は、シリコンウェハ上で、二
酸化シリコン被膜形成液を塗布回転させると形成液とシ
リコンの濡れ性が悪いために、シリコン上の一部で形成
液が被着せず均一な被膜を形成することができ難いとい
う問題点があった。
酸化シリコン被膜形成液を塗布回転させると形成液とシ
リコンの濡れ性が悪いために、シリコン上の一部で形成
液が被着せず均一な被膜を形成することができ難いとい
う問題点があった。
本発明はシリコンウェハ上に均一な被膜を形成すること
を技術的課題とするものである。
を技術的課題とするものである。
（問題点を解決するための手段）
前記技術的課題を解決するための技術的手段は二酸化シ
リコン被成形成液をシリコンウェハ上に被膜を形成する
場合に、シリコンウェハ上に二酸化シリコンを塗布する
前に、シリコンウェハを強酸処理して、シリコンウェハ
上に薄い酸化被膜を形成し、その後二酸化シリコン被膜
形成液を塗布回転し、シリコンウェハを回転させて被膜
を形成する方法である。
リコン被成形成液をシリコンウェハ上に被膜を形成する
場合に、シリコンウェハ上に二酸化シリコンを塗布する
前に、シリコンウェハを強酸処理して、シリコンウェハ
上に薄い酸化被膜を形成し、その後二酸化シリコン被膜
形成液を塗布回転し、シリコンウェハを回転させて被膜
を形成する方法である。
（作用）
前記技術的手段は次のように作用する。すなわち、シリ
コンウェハを強酸処理することによりシリコンウェハ表
面上に非常に薄い酸化膜を形成し、この酸化膜と二酸化
シリコン被膜形成液は濡れ性が良いために、形成液を前
記酸化膜上に塗布回転することにより、シリコンウェハ
全面に均一な二酸化シリコン被膜を形成することが出来
るものである。
コンウェハを強酸処理することによりシリコンウェハ表
面上に非常に薄い酸化膜を形成し、この酸化膜と二酸化
シリコン被膜形成液は濡れ性が良いために、形成液を前
記酸化膜上に塗布回転することにより、シリコンウェハ
全面に均一な二酸化シリコン被膜を形成することが出来
るものである。
（実施例）
以下実施例について説明する。
濃硫酸及び過酸化水素の混合液にシリコンウェハを浸積
することにより酸化し、シリコンウェハ表面に非常に薄
い酸化膜を形成する。
することにより酸化し、シリコンウェハ表面に非常に薄
い酸化膜を形成する。
前記酸化膜と二酸化シリコン被膜形成液は濡れ性が良好
なため、形成液を酸化膜上に塗布回転することによりシ
リコンウェハ全面に均一な二酸化シリコン被膜を被着す
ることができる。
なため、形成液を酸化膜上に塗布回転することによりシ
リコンウェハ全面に均一な二酸化シリコン被膜を被着す
ることができる。
以下具体的な実施例により説明すれば、シリコンウェハ
上に均一なＮ型不純物拡散用二酸化シリコン被膜をシリ
コンウェハ面内上で５％のバラツキで形成ができた。こ
の場合の成形条件は、濃硫酸と過酸化水素混合比率３：
１．液温９０°Ｃ１浸積時間１０分、二酸化シリコン被
膜形成液は５ｉ０２濃度５，９％、Ｐ２Ｏ５５，０％、
シリコンウェハ回転数４００Ｏｒｐｍである。
上に均一なＮ型不純物拡散用二酸化シリコン被膜をシリ
コンウェハ面内上で５％のバラツキで形成ができた。こ
の場合の成形条件は、濃硫酸と過酸化水素混合比率３：
１．液温９０°Ｃ１浸積時間１０分、二酸化シリコン被
膜形成液は５ｉ０２濃度５，９％、Ｐ２Ｏ５５，０％、
シリコンウェハ回転数４００Ｏｒｐｍである。
本発明は次の効果を有する。すなわち、シリコンウェハ
上に約５％のバラツキで均一な二酸化シリコン被膜が形
成されるために、不純物のバラツキも少なく加熱炉にて
熱処理を行っても抵抗値のバラツキが少なくなり、従っ
て歩留りの良い製法である。
上に約５％のバラツキで均一な二酸化シリコン被膜が形
成されるために、不純物のバラツキも少なく加熱炉にて
熱処理を行っても抵抗値のバラツキが少なくなり、従っ
て歩留りの良い製法である。
Claims (1)
- シリコンウェハ上に二酸化シリコン被膜形成液を塗布
して、不純物拡散用の被膜を形成する拡散剤塗布方法に
於いて、シリコンウェハを強酸処理してシリコンウェハ
に薄い酸化被膜を形成し、その後二酸化シリコン被膜形
成液を塗布しシリコンウェハを回転せしめて被膜を形成
する拡散剤塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17209086A JPS6328034A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 拡散剤塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17209086A JPS6328034A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 拡散剤塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6328034A true JPS6328034A (ja) | 1988-02-05 |
Family
ID=15935355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17209086A Pending JPS6328034A (ja) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | 拡散剤塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6328034A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010267787A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7923356B2 (en) * | 2001-06-01 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor device and method for manufacturing same |
-
1986
- 1986-07-22 JP JP17209086A patent/JPS6328034A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7923356B2 (en) * | 2001-06-01 | 2011-04-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor film, semiconductor device and method for manufacturing same |
| JP2010267787A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
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