JPS63284871A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPS63284871A JPS63284871A JP62119903A JP11990387A JPS63284871A JP S63284871 A JPS63284871 A JP S63284871A JP 62119903 A JP62119903 A JP 62119903A JP 11990387 A JP11990387 A JP 11990387A JP S63284871 A JPS63284871 A JP S63284871A
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- Japan
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- electrode
- photoelectric conversion
- insulating
- photovoltaic device
- semiconductor film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り） 産業上の利用分野
本発明は太陽光発電等に利用される光起電力装置の製造
方法に関する。
方法に関する。
（嗜 従来の技術
第１電極、半導体膜及び第２電極の積層体部分からなる
複数の光電変換素子をガラス等の基板の一生面に形成し
、それら光電変換素子を互いに電気的に直列接続せしめ
た光起電力装置は、例えば米国特許第４，２８１，２０
８号に開示されていると共に、本願出願人により既に実
用化されている□更に、本願出願人は上記米国特許に開
示された平板状の基板に代って、曲面表面を持つ和瓦状
の基板に上記光電変換素子を形成し、従来の屋根材とし
ての和瓦と互換性のある光起電力装置の開発も行ない、
特願昭５８−１３９５４６号（特開昭６０−３１２５９
号公報参照）として出願しているりこのような光起電力
装置の製造における各光電変換素子毎のバターニングは
、ウェブ）プロセスを含むフォトリＶ、グラフィ手法か
らドライプロセスによるフォトリ１／グフフィ手法へ移
行し、更には光起電力装置の大面積化要求に対応すべく
レーザビーム、電子ビーム、イオンビーム等のエネルギ
ビーム全使用した手法へと移りつつある。
複数の光電変換素子をガラス等の基板の一生面に形成し
、それら光電変換素子を互いに電気的に直列接続せしめ
た光起電力装置は、例えば米国特許第４，２８１，２０
８号に開示されていると共に、本願出願人により既に実
用化されている□更に、本願出願人は上記米国特許に開
示された平板状の基板に代って、曲面表面を持つ和瓦状
の基板に上記光電変換素子を形成し、従来の屋根材とし
ての和瓦と互換性のある光起電力装置の開発も行ない、
特願昭５８−１３９５４６号（特開昭６０−３１２５９
号公報参照）として出願しているりこのような光起電力
装置の製造における各光電変換素子毎のバターニングは
、ウェブ）プロセスを含むフォトリＶ、グラフィ手法か
らドライプロセスによるフォトリ１／グフフィ手法へ移
行し、更には光起電力装置の大面積化要求に対応すべく
レーザビーム、電子ビーム、イオンビーム等のエネルギ
ビーム全使用した手法へと移りつつある。
斯るエネルギビームを使用したバターニングにおいて留
意すべきは、当該加工は本質的に熱加工であり、加工せ
んとする膜部分の下に輸呑泰無÷ｇ他の襖が存在してお
れば、それに損傷を与えないことである０さもなければ
、目的の膜部分を焼き切り几よ、必要としない下の＠ま
でも焼き切ってしまったり、或いは焼き切らないまでも
塵的なダメージを与えてしまうｎ 特開昭６２−３３４７７号公報に開示された先行技術は
、上記エネルギビームの照射による襖の分離部分に、斯
るエネルギビームの照射による分離に先立ッてエネルギ
ビームの下層に位置する他の俟への到達を阻止する絶縁
ペーストからなる絶縁部材を配置することを提案してい
るり斯る絶縁ペーストからなる絶縁部材はエネルギビー
ムを使用したバターニングにおける下層の損傷に対して
極めて有効である。
意すべきは、当該加工は本質的に熱加工であり、加工せ
んとする膜部分の下に輸呑泰無÷ｇ他の襖が存在してお
れば、それに損傷を与えないことである０さもなければ
、目的の膜部分を焼き切り几よ、必要としない下の＠ま
でも焼き切ってしまったり、或いは焼き切らないまでも
塵的なダメージを与えてしまうｎ 特開昭６２−３３４７７号公報に開示された先行技術は
、上記エネルギビームの照射による襖の分離部分に、斯
るエネルギビームの照射による分離に先立ッてエネルギ
ビームの下層に位置する他の俟への到達を阻止する絶縁
ペーストからなる絶縁部材を配置することを提案してい
るり斯る絶縁ペーストからなる絶縁部材はエネルギビー
ムを使用したバターニングにおける下層の損傷に対して
極めて有効である。
然し乍ら、このように絶縁ペーストからなる絶縁部材は
エネルギビームを使用したバターニングに極めて有効で
あるにも拘らず、当該絶縁部材は印刷手法によりバター
ニングされるために基板が上記特開昭６２−３３４７７
号会報のように平坦面でなければならず、和瓦の如き曲
面金持った基板に絶縁部材を印刷することはできないＯ
ｅｉ 発明が解決しようとする問題点本発明は上述の
如く和瓦の如き曲面を持った基板を使用した光起電力装
置の製造方法に、エネルギビームを使用し几バターニン
グに極めて有効な絶縁ペーストからなる絶縁部材を用い
ることができない点を解決しようとするものである〇−
問題点を解決するための手段 本発明光起電力装置の製造方法は上記問題点を解決する
ために、曲面を有する基板の複数の光電変換部分に跨っ
て被着される半導体験ヲ、各個別の光電変換素子毎にエ
ネルギビームの照射により分離するに先立って、上記エ
ネルギビームの照射により分離される分離部分に、エネ
ルギビームの下層に位置する第１電極への到達を阻止す
る絶縁ペーストからなる絶縁部材を配置すべく、上記ベ
ースＨ−一旦平坦なフレキシブ〃部材に印刷し、ソノ後
当該ベース）ｋ７レキシブ！部材の柔軟性を利用して上
記第１電極上における上記半導体膜の分離予定箇所に転
写したことｔ−特徴とする。
エネルギビームを使用したバターニングに極めて有効で
あるにも拘らず、当該絶縁部材は印刷手法によりバター
ニングされるために基板が上記特開昭６２−３３４７７
号会報のように平坦面でなければならず、和瓦の如き曲
面金持った基板に絶縁部材を印刷することはできないＯ
ｅｉ 発明が解決しようとする問題点本発明は上述の
如く和瓦の如き曲面を持った基板を使用した光起電力装
置の製造方法に、エネルギビームを使用し几バターニン
グに極めて有効な絶縁ペーストからなる絶縁部材を用い
ることができない点を解決しようとするものである〇−
問題点を解決するための手段 本発明光起電力装置の製造方法は上記問題点を解決する
ために、曲面を有する基板の複数の光電変換部分に跨っ
て被着される半導体験ヲ、各個別の光電変換素子毎にエ
ネルギビームの照射により分離するに先立って、上記エ
ネルギビームの照射により分離される分離部分に、エネ
ルギビームの下層に位置する第１電極への到達を阻止す
る絶縁ペーストからなる絶縁部材を配置すべく、上記ベ
ースＨ−一旦平坦なフレキシブ〃部材に印刷し、ソノ後
当該ベース）ｋ７レキシブ！部材の柔軟性を利用して上
記第１電極上における上記半導体膜の分離予定箇所に転
写したことｔ−特徴とする。
−作 用
上述の如く絶縁ペースト金一旦平坦なフレキシブμ部材
に印刷し、その後当該ペーストをフレキシブル部材の柔
軟性を利用して第１電極上における半導体膜の分離予定
箇所に転写することによって、上記絶縁ペーストからな
る絶縁部材は、半導体膜を各個別の光電変換素子毎に分
離すべく照射されるエネルギビームが下層に位置する第
１電極に到達するのを阻止するり （へ）実施例 以下第１図に示された和瓦状光起電力装置の製造に、本
発明光起電力装置の製造方法を適用した実施例につき８
２図乃至第８図を参照して工程順に詳述する□ 和瓦状光起電力装置！は、和瓦状の曲面を持つガラス製
の透光性基板＋１＋に、第２図乃至第８図の工程を経て
形成された第１電極としての透明電極膜（２ａ ’）
（２１） ） （２０）−・・、膜面にほぼ平行なｐ１
ｎ重合部の半導体接合を含む半導体＠（５ａ）（５ｂ）
（５０）・・・、及び第２電極としての裏面電極！！！
（６ａ ） （６ｂ） （−６０）−（２）積層体部分
からなる複数（本実施例では６素子）の燈冊状光電変換
素子（７ａ）〜（７ｆ）が稜線に対し垂直に交差する方
向に並置され、斯る光電変換素子（７ａ）〜（７ｆ）は
互いに相い隣り合う隣接間隔部において電気的に直列接
続されているＯｌに２図及び第４図乃至第８図はＮ１図
に於けるｘ−ｘ’線断面を示しており、基板＋１１が曲
面であると錐も斯る断面は平坦面となっている。
に印刷し、その後当該ペーストをフレキシブル部材の柔
軟性を利用して第１電極上における半導体膜の分離予定
箇所に転写することによって、上記絶縁ペーストからな
る絶縁部材は、半導体膜を各個別の光電変換素子毎に分
離すべく照射されるエネルギビームが下層に位置する第
１電極に到達するのを阻止するり （へ）実施例 以下第１図に示された和瓦状光起電力装置の製造に、本
発明光起電力装置の製造方法を適用した実施例につき８
２図乃至第８図を参照して工程順に詳述する□ 和瓦状光起電力装置！は、和瓦状の曲面を持つガラス製
の透光性基板＋１＋に、第２図乃至第８図の工程を経て
形成された第１電極としての透明電極膜（２ａ ’）
（２１） ） （２０）−・・、膜面にほぼ平行なｐ１
ｎ重合部の半導体接合を含む半導体＠（５ａ）（５ｂ）
（５０）・・・、及び第２電極としての裏面電極！！！
（６ａ ） （６ｂ） （−６０）−（２）積層体部分
からなる複数（本実施例では６素子）の燈冊状光電変換
素子（７ａ）〜（７ｆ）が稜線に対し垂直に交差する方
向に並置され、斯る光電変換素子（７ａ）〜（７ｆ）は
互いに相い隣り合う隣接間隔部において電気的に直列接
続されているＯｌに２図及び第４図乃至第８図はＮ１図
に於けるｘ−ｘ’線断面を示しており、基板＋１１が曲
面であると錐も斯る断面は平坦面となっている。
Ｎ２図ノ工程テハ、ＩＴＯｌＳｎＯｚに代表される３透
光性導電酸化物（ＴＣＯ）の単層型或いはそれらの積層
型の透明電極膜が被着された後、隣接間隔部（ａｂ）（
ｔ）Ｏ）がレーザビーム（ＬＢ）の照射により除去され
て、個別の各透明電極！ｆｌ！（２ａ）（２ｂ）（２０
）−・・が分離形成される。
光性導電酸化物（ＴＣＯ）の単層型或いはそれらの積層
型の透明電極膜が被着された後、隣接間隔部（ａｂ）（
ｔ）Ｏ）がレーザビーム（ＬＢ）の照射により除去され
て、個別の各透明電極！ｆｌ！（２ａ）（２ｂ）（２０
）−・・が分離形成される。
第３図の工程では、フレキシブル部材（１［例えばポリ
エステルフィルムの上に、導電部材（３ａｂ）（３ｔ）
Ｃｊ）・・・及び絶縁部材（４ａｂ）（４１）Ｃ）
−・・が各々１本づつ平行に帯状に形成される。例えば
上記導電部材（３ａｂ）（３ｏｃ） ・・・は銀（ＡＰ
）べ−ｙ。
エステルフィルムの上に、導電部材（３ａｂ）（３ｔ）
Ｃｊ）・・・及び絶縁部材（４ａｂ）（４１）Ｃ）
−・・が各々１本づつ平行に帯状に形成される。例えば
上記導電部材（３ａｂ）（３ｏｃ） ・・・は銀（ＡＰ
）べ−ｙ。
トやその他の金属ペーストラスクリーン印刷手法により
高さ約１０〜２０μｍ、幅約１００〜１５０μｍにバタ
ーニングされ比後、乾燥させられる。
高さ約１０〜２０μｍ、幅約１００〜１５０μｍにバタ
ーニングされ比後、乾燥させられる。
その後、絶縁部材（４ａｌ））（４ｔ）Ｃ）・・・が形
成される□絶縁部材（４ａＤ）（４ｔ）Ｏ）・・・とじ
ては後工程で形成され半導体光活性層として動作する非
晶質半導体膜に拡散し次すすることのない材料、例えば
二酸化シリコン（ＳｉＯ１粉末をペースト状にし１ｔ−
Ｓ ｉ ０２ペーストやその他の無機材料が選択され、
上記ｈｐペーヌトと同様スクリーン印刷手法により所定
の箇所に高さ約１０〜２０μｍ、幅約１００〜１５０ｎ
ｆｎにバターニングされ九後乾燥させられる□ 第４図の工程ではフレキシブル部材＋１［１上に一旦印
刷形成された導電部材（３ａｂ）（３ｂｃ）・・・と絶
縁部材（４ａｏ）（４ｂｃ）・・・が、フレキシブル部
材１１１ｍの柔軟性全利用して透明電極＠（２ｂ）（２
ｃ）・・・上に転写されろう即ち、透明電極＠（２ａ）
（２ｂ）（２ｃ）−の隣接間隔部（ａｂ）（ｏｃ）・・
・の近傍に、導電部材（３ａｂ）（３ｂＯ）・・・が上
記隣接間隔部（ａｂ）（ｂｃ）・・・と平行になるよう
に位置決めされた後、当接せしめ加圧しながら約１５０
′ｃ５分間の加熱処理が施されるりこれによって、導電
部材（３ａＤ）（３ｔ）ｃ）・・・、絶縁部材（４ａｂ
）（４ｔ）Ｃ）・・・が透明電極＠（２ｂ）（２０）・
・・上に転写される。
成される□絶縁部材（４ａＤ）（４ｔ）Ｏ）・・・とじ
ては後工程で形成され半導体光活性層として動作する非
晶質半導体膜に拡散し次すすることのない材料、例えば
二酸化シリコン（ＳｉＯ１粉末をペースト状にし１ｔ−
Ｓ ｉ ０２ペーストやその他の無機材料が選択され、
上記ｈｐペーヌトと同様スクリーン印刷手法により所定
の箇所に高さ約１０〜２０μｍ、幅約１００〜１５０ｎ
ｆｎにバターニングされ九後乾燥させられる□ 第４図の工程ではフレキシブル部材＋１［１上に一旦印
刷形成された導電部材（３ａｂ）（３ｂｃ）・・・と絶
縁部材（４ａｏ）（４ｂｃ）・・・が、フレキシブル部
材１１１ｍの柔軟性全利用して透明電極＠（２ｂ）（２
ｃ）・・・上に転写されろう即ち、透明電極＠（２ａ）
（２ｂ）（２ｃ）−の隣接間隔部（ａｂ）（ｏｃ）・・
・の近傍に、導電部材（３ａｂ）（３ｂＯ）・・・が上
記隣接間隔部（ａｂ）（ｂｃ）・・・と平行になるよう
に位置決めされた後、当接せしめ加圧しながら約１５０
′ｃ５分間の加熱処理が施されるりこれによって、導電
部材（３ａＤ）（３ｔ）ｃ）・・・、絶縁部材（４ａｂ
）（４ｔ）Ｃ）・・・が透明電極＠（２ｂ）（２０）・
・・上に転写される。
１に５図の工程では、フレキシブル部材１１）金剥離す
ると共に、基板１１１ ｔ−加熱炉に収納し、約５５０
ミ１〜２時間の加熱処理を施す・斯る加熱処理により、
ペースト状の導電部材（３ａｂ）（３ｂｃ）・・・及び
絶縁部材（４ａｂ）（４ｂｃ）が焼成されル。
ると共に、基板１１１ ｔ−加熱炉に収納し、約５５０
ミ１〜２時間の加熱処理を施す・斯る加熱処理により、
ペースト状の導電部材（３ａｂ）（３ｂｃ）・・・及び
絶縁部材（４ａｂ）（４ｂｃ）が焼成されル。
第６図の工程では、各透明電極！（２１（２ｂ ） （
２ｃ ） ・・・、上記導電部ｆ（３ａｌ））（３ｔ）
Ｏ）・・・及び絶縁部材（４ａｂ）（４ｂｃ） ・・
・の表面を含んで基板山上のほぼ全面に光電変換に有効
に寄与する厚さ４０００χ〜７０００Ｘの非晶質シリコ
ン（ａ−３ｉ）等の非晶質半導体１１１１５＋がプラズ
マＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により形成される０斯る半導体
＠１５Ｉは８ｚＨ６やＰＨｓの添加によりその内部に膜
面に平行なｐ１ｎ重合管含むｎ 尚、半導体光活性層として動作する半導体は上記ａ−８
ｉ糸の半導体に限らず硫化カドミウム（ｃｄｓ ）、テ
／Ｉ／／Ｉ／化カドミウム（ｃａ’ｒθ）、セレン（Ｓ
ｅ）等の俟状半導体であっても良いり第７図の工程では
、半導体＠ （５＋及び透明電極侠（２ａ）（２１））
（２（）・・・の各露出部分を含んで基板１１＋上全面
にＡ／、、Ｔｉ、Ａｙ、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等の裏面電極
＠（６Ｉが被着される０第８図の最終工程では、導電部
材（３ａｌ））（３ｏ ｃ ） ・・・及び絶縁部材（
４ａ Ｉ） ） （４１） Ｃ） ・・・の表面上に位
置する非晶質半導体＠（５Ｉ及び裏面電極俟（６１の積
層体部分にこの積層体部分の表面側からｉ！１．第２の
レーザビーム（ＬＢＩ）（ＬＢ２）が照射される０導電
部材（３ａＯ）（３ｂｃ）・・・上の積層体部分に照射
される第１のレーザビーム（ＬＢｌ）は、斯る積層体部
分を溶融するに足りるエネルギ密度を備えることによっ
て、上記積層体を溶融し、その溶融により発生した溶融
物、即ちシリサイド合金は周囲の非晶質半導体１１１１
５＋″Ｉ＆：貫通した形でその直下に位置する導電部材
（３ａｂ）（３ｔｌ）・・・と当接するり 一方、絶縁部１（４ａｌ））（４ｂｏ）−・・上の積層
体部分に照射される第２のレーザビーム（ＬＢ２）は、
斯る積層体部分を除去するに足りる十分なエネルギ密度
を備えている。即ち、＠２のレーザビーム（ＬＢ２ ）
が照射される積層体部分は複数の光電変換素子（７ａ）
（７ｂ）（７ｃ）・・・に跨って一様に連なった非晶質
半導体膜＋５１及び裏面電極＠（６Ｉの積層体を上記各
素子（７ａ）（７ｔ））（７０）・・・毎に分割せんが
ために除去される箇所であり、この第２のレーザビーム
（ＬＢ２）の照射によって、上記積層体を電気的に且つ
物理的に分離する分離溝（８ａｂ）（８ｂＯ）・・・が
形成されるり この様にして、裏面電極ｌ１ｌ（６ａ）（６ｔ））・・
・と透明電極［９（２ｂ）（２ｃ）・・・との電気的接
続工程と実質的に同一工程により、非晶質半導体膜１５
１と裏面電極膜（６矛との不用な部分・・・を除去しそ
れらを分離する分離溝（８ａｂ）（８ｏｃ）が形成され
て個別の各裏面電極＠（６ａ）（６Ｄ）（６Ｃ）・・・
が分割配置されるりその結果、相隣り合う光電変換素子
（７ａ）（７ｔ））（７（）・・・の裏面電極ｌ１ｌ（
６ａ ） （６Ｄ ） 、、、と透明電極ＩＰ（２ｔ）
＞（２Ｃ）−・・は上記分ｌｌＩ溝（８ａ ｂ ）
（８ｂ Ｏ） −より裏面電極膜（６ａ）（６ｂ）（６
ｃ）−・・の隣接間隔部（ａｂ）（ｂｃ）・・・て近い
側に於いて結合し、上記光電変換素子（７ａ）（７０）
（７ｃ）・・・は導電部材（３ａｂ）（３ｂｃ）・・・
全弁して電気的に直列接続される＾ （ト） 発明の効果 本発明製造方法は以上の説明から明らかな如く、絶縁ベ
ーヌトは一旦平坦なフレキシブル部材に印刷され、その
後フレキシブル部材の柔軟性を利用して第１電極上にお
ける半導体積の分離予定箇所に転写されるので、半導体
・＠ヲ各個別の光電変換素子毎に分離すべく照射される
エネルギビームは、上記絶縁ペーストからなる絶縁部材
によって下層に位置する第１電極への到達は阻止され、
従って、エネルギビームを使用し九バターニングを曲面
を持つ光起電力装置にも適用することができる０
２ｃ ） ・・・、上記導電部ｆ（３ａｌ））（３ｔ）
Ｏ）・・・及び絶縁部材（４ａｂ）（４ｂｃ） ・・
・の表面を含んで基板山上のほぼ全面に光電変換に有効
に寄与する厚さ４０００χ〜７０００Ｘの非晶質シリコ
ン（ａ−３ｉ）等の非晶質半導体１１１１５＋がプラズ
マＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により形成される０斯る半導体
＠１５Ｉは８ｚＨ６やＰＨｓの添加によりその内部に膜
面に平行なｐ１ｎ重合管含むｎ 尚、半導体光活性層として動作する半導体は上記ａ−８
ｉ糸の半導体に限らず硫化カドミウム（ｃｄｓ ）、テ
／Ｉ／／Ｉ／化カドミウム（ｃａ’ｒθ）、セレン（Ｓ
ｅ）等の俟状半導体であっても良いり第７図の工程では
、半導体＠ （５＋及び透明電極侠（２ａ）（２１））
（２（）・・・の各露出部分を含んで基板１１＋上全面
にＡ／、、Ｔｉ、Ａｙ、ＳｎＯ２、ＩＴＯ等の裏面電極
＠（６Ｉが被着される０第８図の最終工程では、導電部
材（３ａｌ））（３ｏ ｃ ） ・・・及び絶縁部材（
４ａ Ｉ） ） （４１） Ｃ） ・・・の表面上に位
置する非晶質半導体＠（５Ｉ及び裏面電極俟（６１の積
層体部分にこの積層体部分の表面側からｉ！１．第２の
レーザビーム（ＬＢＩ）（ＬＢ２）が照射される０導電
部材（３ａＯ）（３ｂｃ）・・・上の積層体部分に照射
される第１のレーザビーム（ＬＢｌ）は、斯る積層体部
分を溶融するに足りるエネルギ密度を備えることによっ
て、上記積層体を溶融し、その溶融により発生した溶融
物、即ちシリサイド合金は周囲の非晶質半導体１１１１
５＋″Ｉ＆：貫通した形でその直下に位置する導電部材
（３ａｂ）（３ｔｌ）・・・と当接するり 一方、絶縁部１（４ａｌ））（４ｂｏ）−・・上の積層
体部分に照射される第２のレーザビーム（ＬＢ２）は、
斯る積層体部分を除去するに足りる十分なエネルギ密度
を備えている。即ち、＠２のレーザビーム（ＬＢ２ ）
が照射される積層体部分は複数の光電変換素子（７ａ）
（７ｂ）（７ｃ）・・・に跨って一様に連なった非晶質
半導体膜＋５１及び裏面電極＠（６Ｉの積層体を上記各
素子（７ａ）（７ｔ））（７０）・・・毎に分割せんが
ために除去される箇所であり、この第２のレーザビーム
（ＬＢ２）の照射によって、上記積層体を電気的に且つ
物理的に分離する分離溝（８ａｂ）（８ｂＯ）・・・が
形成されるり この様にして、裏面電極ｌ１ｌ（６ａ）（６ｔ））・・
・と透明電極［９（２ｂ）（２ｃ）・・・との電気的接
続工程と実質的に同一工程により、非晶質半導体膜１５
１と裏面電極膜（６矛との不用な部分・・・を除去しそ
れらを分離する分離溝（８ａｂ）（８ｏｃ）が形成され
て個別の各裏面電極＠（６ａ）（６Ｄ）（６Ｃ）・・・
が分割配置されるりその結果、相隣り合う光電変換素子
（７ａ）（７ｔ））（７（）・・・の裏面電極ｌ１ｌ（
６ａ ） （６Ｄ ） 、、、と透明電極ＩＰ（２ｔ）
＞（２Ｃ）−・・は上記分ｌｌＩ溝（８ａ ｂ ）
（８ｂ Ｏ） −より裏面電極膜（６ａ）（６ｂ）（６
ｃ）−・・の隣接間隔部（ａｂ）（ｂｃ）・・・て近い
側に於いて結合し、上記光電変換素子（７ａ）（７０）
（７ｃ）・・・は導電部材（３ａｂ）（３ｂｃ）・・・
全弁して電気的に直列接続される＾ （ト） 発明の効果 本発明製造方法は以上の説明から明らかな如く、絶縁ベ
ーヌトは一旦平坦なフレキシブル部材に印刷され、その
後フレキシブル部材の柔軟性を利用して第１電極上にお
ける半導体積の分離予定箇所に転写されるので、半導体
・＠ヲ各個別の光電変換素子毎に分離すべく照射される
エネルギビームは、上記絶縁ペーストからなる絶縁部材
によって下層に位置する第１電極への到達は阻止され、
従って、エネルギビームを使用し九バターニングを曲面
を持つ光起電力装置にも適用することができる０
第１図は本発明製造方法により製造される和瓦状光起電
力装置の概略的斜視図、第２図乃至第８図は本発明製造
方法を工程順に示す断面図である。 １１＋−−一基板、（２ａ ） （２ｏ ） （２Ｃ）
−透明電極積、（３ａｂ）（３ｔ）Ｃ）・・・導電部
材、（４ａｉ））（４ｂｃ ）・・・絶縁部材、（５す
・・・半導体積、（６ａ）（６１） ） （６０）−・
・裏面電極膜、（７ａ）（７ｂ）（７０）・・・光電変
換素子、ｎｔｌ・・フレキシブル部材０
力装置の概略的斜視図、第２図乃至第８図は本発明製造
方法を工程順に示す断面図である。 １１＋−−一基板、（２ａ ） （２ｏ ） （２Ｃ）
−透明電極積、（３ａｂ）（３ｔ）Ｃ）・・・導電部
材、（４ａｉ））（４ｂｃ ）・・・絶縁部材、（５す
・・・半導体積、（６ａ）（６１） ） （６０）−・
・裏面電極膜、（７ａ）（７ｂ）（７０）・・・光電変
換素子、ｎｔｌ・・フレキシブル部材０
Claims (1)
- （１）第１電極、半導体膜及び第２電極の積層体部分か
らなる複数の光電変換素子を基板の曲面に形成し、それ
ら光電変換素子を互いに電気的に直列接続せしめた光起
電力装置の製造方法であって、上記基板の複数の光電変
換部分に跨って被着される半導体膜を、各個別の光電変
換素子毎にエネルギビームの照射により分離するに先立
って、上記エネルギビームの照射により分離される分離
部分に、エネルギビームの下層に位置する第１電極への
到達を阻止する絶縁ペーストからなる絶縁部材を配置す
べく、上記ペーストを一旦平坦なフレキシブル部材に印
刷し、その後当該ペーストをフレキシブル部材の柔軟性
を利用して上記第１電極上における上記半導体膜の分離
予定箇所に転写したことを特徴とする光起電力装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119903A JPH0831612B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62119903A JPH0831612B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63284871A true JPS63284871A (ja) | 1988-11-22 |
| JPH0831612B2 JPH0831612B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=14773067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62119903A Expired - Lifetime JPH0831612B2 (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0831612B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538902A (en) * | 1993-06-29 | 1996-07-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating a photovoltaic device having a three-dimensional shape |
| US5639314A (en) * | 1993-06-29 | 1997-06-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device including plural interconnected photoelectric cells, and method of making the same |
| WO2025197949A1 (ja) * | 2024-03-19 | 2025-09-25 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP62119903A patent/JPH0831612B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5538902A (en) * | 1993-06-29 | 1996-07-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of fabricating a photovoltaic device having a three-dimensional shape |
| US5639314A (en) * | 1993-06-29 | 1997-06-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device including plural interconnected photoelectric cells, and method of making the same |
| WO2025197949A1 (ja) * | 2024-03-19 | 2025-09-25 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0831612B2 (ja) | 1996-03-27 |
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