JPS5935487A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents
光半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5935487A JPS5935487A JP57147360A JP14736082A JPS5935487A JP S5935487 A JPS5935487 A JP S5935487A JP 57147360 A JP57147360 A JP 57147360A JP 14736082 A JP14736082 A JP 14736082A JP S5935487 A JPS5935487 A JP S5935487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode layer
- optical semiconductor
- layer
- transparent electrode
- photoelectric conversion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）技術分野
本発明は絶縁基板の一生面に複数の光半導体層を備えた
感光領域を形成する光半導体装置の製造方法に関する。
感光領域を形成する光半導体装置の製造方法に関する。
（ロ）背景技術
石油等のエネルギ資源の枯渇が問題となるなかで無尽蔵
な太陽光をエネルギ源とする太陽電池が脚光を浴びてい
る。この種太陽電池は従来に於いては単結晶シリコンか
ら成り、単位発Ｗ量当りのコストが高くつくのみならず
、容易に大面積化することが困難であり何らかの改善が
望まれている。
な太陽光をエネルギ源とする太陽電池が脚光を浴びてい
る。この種太陽電池は従来に於いては単結晶シリコンか
ら成り、単位発Ｗ量当りのコストが高くつくのみならず
、容易に大面積化することが困難であり何らかの改善が
望まれている。
そこで本発明者等は単結晶シリコンとは異なる新材料と
してアモルファスシリコン等のアモルファス半導体に注
目し、斯るアモルファス半導体を主体とした太陽電池を
実用化している。第１図（５）〜（Ｑは上記アモルファ
ス半導体を主体とした特開昭５５−１０７２７６号公報
に開示された太陽電池を示し、（１）は透明基板、（２
ａ）（２１））（２Ｑ）は基板（１）の−主面に一定間
隔で被着された透明電極層、（３）は上記透明電極層（
２ａ）（２１））（２０） に跨って一様に重畳被着さ
れたアモルファス半導体の如き光半導体層、（４ａ）（
４ｂ）（４Ｇ）は上記光半導体層（３）を挾んで透明電
極層（２ａ）（２ｂ）（ｚｏ）と対向する裏面電極層で
、該裏面電極層（４ａ、）（４ｂ）（４Ｑ）から基板（
１）の端面に向って延在した延長部（５ａ）（５１））
（５Ｑ）と透明電極層（２ａ） （２１））（２０）と
連なり光半導体層（３）から露出した端子部（ｅａ）（
ｅ’ｂ）（６ｃ）との内夫々隣接したもの同士が結合し
３個の光電変換領域（７ａ）（７ｂ）（７ｃ）は電気的
に直列接続状態となる。
してアモルファスシリコン等のアモルファス半導体に注
目し、斯るアモルファス半導体を主体とした太陽電池を
実用化している。第１図（５）〜（Ｑは上記アモルファ
ス半導体を主体とした特開昭５５−１０７２７６号公報
に開示された太陽電池を示し、（１）は透明基板、（２
ａ）（２１））（２Ｑ）は基板（１）の−主面に一定間
隔で被着された透明電極層、（３）は上記透明電極層（
２ａ）（２１））（２０） に跨って一様に重畳被着さ
れたアモルファス半導体の如き光半導体層、（４ａ）（
４ｂ）（４Ｇ）は上記光半導体層（３）を挾んで透明電
極層（２ａ）（２ｂ）（ｚｏ）と対向する裏面電極層で
、該裏面電極層（４ａ、）（４ｂ）（４Ｑ）から基板（
１）の端面に向って延在した延長部（５ａ）（５１））
（５Ｑ）と透明電極層（２ａ） （２１））（２０）と
連なり光半導体層（３）から露出した端子部（ｅａ）（
ｅ’ｂ）（６ｃ）との内夫々隣接したもの同士が結合し
３個の光電変換領域（７ａ）（７ｂ）（７ｃ）は電気的
に直列接続状態となる。
上記光半導体層（３）はその内部に例えば基板（１）に
平行なＰ工Ｎ接合・を含み、従って透明基板（１）及び
透明電極層（ｚａ）（２’ｂ）（２ｃ）を順次弁して光
入射があると、光起電力を発生する。各光電変換領域（
７ａ）（７ｂ）（７０）で発生した光起電力は裏面電極
層（４ａ）（４’ｂ） （Ｆ）延長部（５ａ）（５ｂ）
と透明電極層（２１１））（２０）の端子部（６’ｂ）
（６０）との接続により直列的に相加される。
平行なＰ工Ｎ接合・を含み、従って透明基板（１）及び
透明電極層（ｚａ）（２’ｂ）（２ｃ）を順次弁して光
入射があると、光起電力を発生する。各光電変換領域（
７ａ）（７ｂ）（７０）で発生した光起電力は裏面電極
層（４ａ）（４’ｂ） （Ｆ）延長部（５ａ）（５ｂ）
と透明電極層（２１１））（２０）の端子部（６’ｂ）
（６０）との接続により直列的に相加される。
この様な装置に於いて、光利用効率を左右する一つの要
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）に対し、
実際に発電番こ寄与する光電変換領域（，７ａ）（７１
：＋）（７０）の総面積の占める割合いである。然るに
各透明電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）の隣接間隔に必
然的に存在する分離領域（８ａｌ））（８ｂｃ） は
上記面積割合いを低下させる。
因は、装置全体の受光面積（即ち、基板面積）に対し、
実際に発電番こ寄与する光電変換領域（，７ａ）（７１
：＋）（７０）の総面積の占める割合いである。然るに
各透明電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ）の隣接間隔に必
然的に存在する分離領域（８ａｌ））（８ｂｃ） は
上記面積割合いを低下させる。
従って、光利用効率を向上するには透明電極層（ｚａ）
（２ｂ）（ｚｃ）の隣接間隔である分離領域（ｓａｂ）
（ｓｂｃ）を小さくせねばならない。
（２ｂ）（ｚｃ）の隣接間隔である分離領域（ｓａｂ）
（ｓｂｃ）を小さくせねばならない。
斯る間隔縮小は各層の加工精度で決まり、従って、従来
は細密加工性に優れている写真蝕刻技術が用いられてい
る。この技術による場合、基板（１）全面への透明電極
層の被着工程と、フォトレジスト及びエツチングによる
各個別の透明電極層（２ａ）（２１））（２Ｑ） の
分離、即ち各透明電極層（２ａ）（２ｂ）（２（３）
の隣接間隔部分の除去工程とを順次径ることになる。
は細密加工性に優れている写真蝕刻技術が用いられてい
る。この技術による場合、基板（１）全面への透明電極
層の被着工程と、フォトレジスト及びエツチングによる
各個別の透明電極層（２ａ）（２１））（２Ｑ） の
分離、即ち各透明電極層（２ａ）（２ｂ）（２（３）
の隣接間隔部分の除去工程とを順次径ることになる。
然し乍ら、上記写真蝕刻技術は集積回路、大規模集積回
路、更には超大規模集積回路等のスケールの小さい基板
への微細加工の上では極めて優れているものの、太陽電
池の如く大面積化の方向にある光半導体装置の広（長）
範囲に及ぶ隣接間隔部分の除去には上記集積回路に適用
される程微細に加工を施こすことができない。例えば１
０ｃｍ程度写真蝕刻技術により隣接間隔部分を再現性良
く除去しようとすれば、その除去幅は数１００μｍが限
度である。即ち、−辺が１０ｃＩＩＩ程度の光半導体装
置を製造しようとすれば、複数の分離領域（８ａｌ））
（８’ｂＱ）の幅は数１ａｏｐｍ以上必要であると言う
ことである。
路、更には超大規模集積回路等のスケールの小さい基板
への微細加工の上では極めて優れているものの、太陽電
池の如く大面積化の方向にある光半導体装置の広（長）
範囲に及ぶ隣接間隔部分の除去には上記集積回路に適用
される程微細に加工を施こすことができない。例えば１
０ｃｍ程度写真蝕刻技術により隣接間隔部分を再現性良
く除去しようとすれば、その除去幅は数１００μｍが限
度である。即ち、−辺が１０ｃＩＩＩ程度の光半導体装
置を製造しようとすれば、複数の分離領域（８ａｌ））
（８’ｂＱ）の幅は数１ａｏｐｍ以上必要であると言う
ことである。
特開昭５７−１２５６８号公報に開示された先行技術は
、レーザビーム照射による層の焼き切りで、上記隣接間
隔を設けるものであり、写真蝕刻技術を使わないその技
法は上記の課題を解決する上で極めて有効である。
、レーザビーム照射による層の焼き切りで、上記隣接間
隔を設けるものであり、写真蝕刻技術を使わないその技
法は上記の課題を解決する上で極めて有効である。
然し乍ら、斯る公開公報によれば直列接続される光電変
換領域（７ａ）（７ｂ）（７ｃ）の接続形態は第２図に
示す如く、隣接間隔に露出した透明電極層（２ｂ）（２
ｃ）上にその隣接間隔の長手方向に亘って左隣りの裏面
電極層（４ａ）（４ｂ’）が延在することにより実現さ
れており、従って、透明電極層、光半導体層及び裏面電
極層を複数の光電変換領域（ｙａ）、（ｙｂ）（７ｃ）
に跨って各々被着形成後毎にレーザビームの照射を施さ
妊ければならない欠点を有していた。
換領域（７ａ）（７ｂ）（７ｃ）の接続形態は第２図に
示す如く、隣接間隔に露出した透明電極層（２ｂ）（２
ｃ）上にその隣接間隔の長手方向に亘って左隣りの裏面
電極層（４ａ）（４ｂ’）が延在することにより実現さ
れており、従って、透明電極層、光半導体層及び裏面電
極層を複数の光電変換領域（ｙａ）、（ｙｂ）（７ｃ）
に跨って各々被着形成後毎にレーザビームの照射を施さ
妊ければならない欠点を有していた。
（ハ）発明の開示
本発明は斯る点に鑑みレーザビームの持つ優れた微細加
工性をより一層利用した光半導体装置の製造方法を提供
するものである。即ち、本発明の特徴は、絶縁基板の一
生面の複数の感光領域に跨って設けられた第１の電極層
上に、該第１の電極層と連った複数の端子部を露出せし
めた状態で光半導体層を被着すると共に、該光半導体層
に第２の電極層を重畳した後、これ等第１電極層、光半
導体層及び第２の電極層の一部を上記複数の感光領域に
分割すべくエネルギビームの照射により除去したところ
にある。
工性をより一層利用した光半導体装置の製造方法を提供
するものである。即ち、本発明の特徴は、絶縁基板の一
生面の複数の感光領域に跨って設けられた第１の電極層
上に、該第１の電極層と連った複数の端子部を露出せし
めた状態で光半導体層を被着すると共に、該光半導体層
に第２の電極層を重畳した後、これ等第１電極層、光半
導体層及び第２の電極層の一部を上記複数の感光領域に
分割すべくエネルギビームの照射により除去したところ
にある。
に）実施例
第３図乃至第７図は本発明実施例方法を工程順に示して
いる。第３図の工程では厚み１ＷＭ〜３ｊｒｌのガラス
製の透明基板（１）上に、厚み２０００人〜５０００人
の酸化錫から成る透明電極層（２）が複数の感光領域、
即ち光電変換領域に跨って被着される。この被着工程に
於いて金属マスクを使用することにより４個の端子部（
ａａ）（ａ’ｂ）（ａｃ）（ａｄ）を透明電極層（２）
から延在せしめる。斯る端子部（６ａ）（６ｂ）（６Ｃ
）（６ｄ）のパターニングは透明電極層（２）を透明基
板（１）全面上に被着後写真蝕刻技術により行なうこと
も可能である。
いる。第３図の工程では厚み１ＷＭ〜３ｊｒｌのガラス
製の透明基板（１）上に、厚み２０００人〜５０００人
の酸化錫から成る透明電極層（２）が複数の感光領域、
即ち光電変換領域に跨って被着される。この被着工程に
於いて金属マスクを使用することにより４個の端子部（
ａａ）（ａ’ｂ）（ａｃ）（ａｄ）を透明電極層（２）
から延在せしめる。斯る端子部（６ａ）（６ｂ）（６Ｃ
）（６ｄ）のパターニングは透明電極層（２）を透明基
板（１）全面上に被着後写真蝕刻技術により行なうこと
も可能である。
第４図の工程では１．上記透明電極層（２）から延在し
た端子部（ｅａ）（６ｂ）（ａｃ）（ａｄ、）を露出ぜ
しめた状態で厚み５０００λ〜７０００人のアモルファ
スシリコンの如き光半導体層（３）が被着される。
た端子部（ｅａ）（６ｂ）（ａｃ）（ａｄ、）を露出ぜ
しめた状態で厚み５０００λ〜７０００人のアモルファ
スシリコンの如き光半導体層（３）が被着される。
斯る光半導体層（３）はその内部に層面と平行なＰ工Ｎ
接合を含み、従ってより具体的には、先ずＰ型の光半導
体膜が被着され、次いで１型及びＮ型の光半導体膜が順
次積層被着される。
接合を含み、従ってより具体的には、先ずＰ型の光半導
体膜が被着され、次いで１型及びＮ型の光半導体膜が順
次積層被着される。
第５図の工程では、光半導体層（３）を覆うべく厚み２
０００人〜１μｍのアルミニウムから成る裏面電極層（
４）が被着される。この被着工程に於いて、金昆マクス
の使用により夫々光電変換領域となるべき裏面電極層（
４）から延出した鉤状の延長部（５ａｂ）（５ｂｃ）（
５ｃｄ）は左隣りの光電変換領域となるべき箇所から露
出した透明電極層（２）の端子部（ａａ）（６ｈ）（６
ｃ）を覆い電気的に接続される。
０００人〜１μｍのアルミニウムから成る裏面電極層（
４）が被着される。この被着工程に於いて、金昆マクス
の使用により夫々光電変換領域となるべき裏面電極層（
４）から延出した鉤状の延長部（５ａｂ）（５ｂｃ）（
５ｃｄ）は左隣りの光電変換領域となるべき箇所から露
出した透明電極層（２）の端子部（ａａ）（６ｈ）（６
ｃ）を覆い電気的に接続される。
第６図の最終工程では複数（本実施例では４個）の光電
変換領域（ｙａ）（７ｂ）（７ｅ）（１）ｉｃ跨って一
様に被着された透明電極層（２）、光半導体層（３）及
び裏面電極層（４）の３層から成る積層体の隣接間隔部
（９ａｂ）（９ｂｃ）（９ｃｄ）がレーザビームノ照射
により除去されて第７図に示す如き、分離領域（ｓａｂ
）（ｓｂｃ）（８ｃｄ）が形成され、複数の光電変換領
域（７ａ）（７’ｂ）（７ｃ）（ｙｄ） ハ上記分離領
域（８ａｂ）（ｓｂｃ）（８ｃｃｌ）ｉｃよッテ電気的
に分離される。この工程で使用されるレーザは波長１゜
２ ｏｂｐｍ、出力１．３ Ｘ １０ Ｗ／ｃＩＮ、 パ
ルス周波数３ＫＨｚのＹＡＧレーザが適当であり、分離
領域（８ａｂ） （８ｂＱ） （８０１（７）間隔は約
２０１１ｆｎｌＣ設定される。
変換領域（ｙａ）（７ｂ）（７ｅ）（１）ｉｃ跨って一
様に被着された透明電極層（２）、光半導体層（３）及
び裏面電極層（４）の３層から成る積層体の隣接間隔部
（９ａｂ）（９ｂｃ）（９ｃｄ）がレーザビームノ照射
により除去されて第７図に示す如き、分離領域（ｓａｂ
）（ｓｂｃ）（８ｃｄ）が形成され、複数の光電変換領
域（７ａ）（７’ｂ）（７ｃ）（ｙｄ） ハ上記分離領
域（８ａｂ）（ｓｂｃ）（８ｃｃｌ）ｉｃよッテ電気的
に分離される。この工程で使用されるレーザは波長１゜
２ ｏｂｐｍ、出力１．３ Ｘ １０ Ｗ／ｃＩＮ、 パ
ルス周波数３ＫＨｚのＹＡＧレーザが適当であり、分離
領域（８ａｂ） （８ｂＱ） （８０１（７）間隔は約
２０１１ｆｎｌＣ設定される。
（ホ）応用例
第８図乃至第１６図は本発明応用例方法を工程順に示し
ており、就中光の実施例と異なるところは第１１゛図の
除去工程である。
ており、就中光の実施例と異なるところは第１１゛図の
除去工程である。
即ち、第８図の如く一部に切欠部（ｌｏａ’ｂ）（１０
ｂ（３）（１００α）を設けて透明電極層（２）を透明
基板（１）の略全面に被着し、該透明電極層（２）上に
複数の端子部（６ａ）（６ｂ）（ａｃ）（６ｄ）を露出
せしめた状態で光半導体層（３）を被着する（第９図）
と共に、第１０図の様に光半導体層（３）のみならず露
出していた端子部（６ａ）（６ｂ）（ｏｃ）（ａｄ）ま
でも裏面電極層（４）によって被覆する。
ｂ（３）（１００α）を設けて透明電極層（２）を透明
基板（１）の略全面に被着し、該透明電極層（２）上に
複数の端子部（６ａ）（６ｂ）（ａｃ）（６ｄ）を露出
せしめた状態で光半導体層（３）を被着する（第９図）
と共に、第１０図の様に光半導体層（３）のみならず露
出していた端子部（６ａ）（６ｂ）（ｏｃ）（ａｄ）ま
でも裏面電極層（４）によって被覆する。
そして第１１図の除及工程では光電変換領域（７ａ）（
ｙｂ）（７ｃ）（７ｄ）ｔｃ跨ッテ一様ｇｃ被５ｍすし
た透明電極層（２）、光半導体層（３）及び裏面電極層
（４）の隣接間隔部（９ａｂ）（９ｂＱ）（９０ｄ）が
上記実施例と同様に波長１．０６μｍ、出力１ｉＸ１０
Ｗ？ ／″、パルス周波数３ＫＨｚ（７）ＹＡＧＬ／−ザの照
射により除去され、次いで右隣りの裏面電極層（４ｂ）
（４Ｃ）（４ｄ）から透明電極層（２）の切欠部（１０
ａｌ：＋） （１０ｂＱ） （ｌｏｃｉ を越えて各透
明電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ） の端子部（ａａ
）（ｅｂ）（ａｃ）に延出した延長部（５ａｂ）（５ｂ
ｃ）（５ｃｄ）と各裏面電極層（２ａ）（２ｂ）（２Ｑ
）との連結部（ｌｌａ）（ｌｌｂ） （１ｉ ｏ ）ｔ
、レーザビームの照射により除去し、複数の光電変換領
域（７ａ）（７’ｂ）（７ｃ）（７ｄ）を電気的に直列
関係に接続する。この時使用されるレーザは裏面電極層
（４）の材料であるアルミニウムの融点は透明電極層（
２）のそれに比して非常に低く、従って先の除去に用い
たレーザ出力より十分低い出力値のレーザ、例えば波長
１．０６μｍ、出力５×１ＱＷＡ、 パルス周波数３Ｋ
Ｈ７のＹＡＧＬ／−ザが適当である。即ち、裏面電極材
をその層厚分だけ除去するにはゾ必要十分な照射時間長
をもってレーザビームを走査させると、斯る連結部（１
１ａ） （ｌｌｂ） （ＩＩＱ）の裏面電極材の層厚分
だけ完全に除去されて、その結果一時的にレーザビーム
が各透明電極層（Ｆａ）（２ｂ）（２ｃ）の端子部（６
ａ）（６１））（６Ｑ）を直撃するにゑったとしても、
その部分は殆んど損傷を受けることはない。第１２図並
びに第１３図は斯る。方法により作製された４個の光電
変換領域（ｙａ）（７ｂ）（７ｃ）（７ｄ） の直列出
力を得る光半導体装置の平面図及び斜視図である。
ｙｂ）（７ｃ）（７ｄ）ｔｃ跨ッテ一様ｇｃ被５ｍすし
た透明電極層（２）、光半導体層（３）及び裏面電極層
（４）の隣接間隔部（９ａｂ）（９ｂＱ）（９０ｄ）が
上記実施例と同様に波長１．０６μｍ、出力１ｉＸ１０
Ｗ？ ／″、パルス周波数３ＫＨｚ（７）ＹＡＧＬ／−ザの照
射により除去され、次いで右隣りの裏面電極層（４ｂ）
（４Ｃ）（４ｄ）から透明電極層（２）の切欠部（１０
ａｌ：＋） （１０ｂＱ） （ｌｏｃｉ を越えて各透
明電極層（２ａ）（２ｂ）（２ｃ） の端子部（ａａ
）（ｅｂ）（ａｃ）に延出した延長部（５ａｂ）（５ｂ
ｃ）（５ｃｄ）と各裏面電極層（２ａ）（２ｂ）（２Ｑ
）との連結部（ｌｌａ）（ｌｌｂ） （１ｉ ｏ ）ｔ
、レーザビームの照射により除去し、複数の光電変換領
域（７ａ）（７’ｂ）（７ｃ）（７ｄ）を電気的に直列
関係に接続する。この時使用されるレーザは裏面電極層
（４）の材料であるアルミニウムの融点は透明電極層（
２）のそれに比して非常に低く、従って先の除去に用い
たレーザ出力より十分低い出力値のレーザ、例えば波長
１．０６μｍ、出力５×１ＱＷＡ、 パルス周波数３Ｋ
Ｈ７のＹＡＧＬ／−ザが適当である。即ち、裏面電極材
をその層厚分だけ除去するにはゾ必要十分な照射時間長
をもってレーザビームを走査させると、斯る連結部（１
１ａ） （ｌｌｂ） （ＩＩＱ）の裏面電極材の層厚分
だけ完全に除去されて、その結果一時的にレーザビーム
が各透明電極層（Ｆａ）（２ｂ）（２ｃ）の端子部（６
ａ）（６１））（６Ｑ）を直撃するにゑったとしても、
その部分は殆んど損傷を受けることはない。第１２図並
びに第１３図は斯る。方法により作製された４個の光電
変換領域（ｙａ）（７ｂ）（７ｃ）（７ｄ） の直列出
力を得る光半導体装置の平面図及び斜視図である。
尚、上記実施例で挙げた光半導体層はＰ工Ｎ接合を含む
アモルファスシリコンから成っていたが、アモルファス
シリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウ
ム等のアモルファス半導体やガリウム砒素、硫化カドミ
ウム等の薄膜状半導体で構成しても良く、また接合を積
層せしめたタンデム構造を成すこともできる。更に、透
明電極層の抵抗値が問題となる場合は、該透明電極層と
光半導体層との間に光透過に悪影響を与えない程度の集
電極、所謂グリッドを設けることも可能である。また、
複数の光電変換領域に分割する手段としてレーザビーム
を用いたが電子ビーム等のその他のエネルギビームであ
っても構わない。
アモルファスシリコンから成っていたが、アモルファス
シリコンカーバイド、アモルファスシリコンゲルマニウ
ム等のアモルファス半導体やガリウム砒素、硫化カドミ
ウム等の薄膜状半導体で構成しても良く、また接合を積
層せしめたタンデム構造を成すこともできる。更に、透
明電極層の抵抗値が問題となる場合は、該透明電極層と
光半導体層との間に光透過に悪影響を与えない程度の集
電極、所謂グリッドを設けることも可能である。また、
複数の光電変換領域に分割する手段としてレーザビーム
を用いたが電子ビーム等のその他のエネルギビームであ
っても構わない。
（へ）効 果
本発明は以上の説明から明らかな如く、複数の感光領域
に跨って形成された第１電極層、光半導体層及び第２電
極層はこれ等積層体の形成後エネ ・ルギビームの照射
により分割せしめられるので、煩雑な工程を経ることな
く複数の感光領域の隣接間隔である分離領域の間隔を最
小限）こ抑えることができ、太陽電池にあっては光の利
用効率を上昇せしめることができる。
に跨って形成された第１電極層、光半導体層及び第２電
極層はこれ等積層体の形成後エネ ・ルギビームの照射
により分割せしめられるので、煩雑な工程を経ることな
く複数の感光領域の隣接間隔である分離領域の間隔を最
小限）こ抑えることができ、太陽電池にあっては光の利
用効率を上昇せしめることができる。
第１図は従来例を示し、同図（Ａｌは平面図、同図（Ｂ
ｌは上記面に於けるＢ−Ｂ’線断面図、同図（Ｃ）は上
記面に於けるｃ −ｃ’線断面図、第２図の他の従来例
要部の斜視図、第３図乃至第７図は本発明一実施例方法
を工程別に示す平面図、第８図乃至第１２図は本発明他
の実施例方法を工程別に示す平面図、第１３図はこの実
施例方法により作製された装置の斜視図、を夫々示して
いる。 ＋１１−・・透明基板、＋２１（２ａ）（２ｂ）（２０
）（２ｄ）−・・透明電極層、＋３１（３ａ）（３ｂ）
（３０）（３ｄ）、−・光半導体層、（４１（４ａ）（
４’ｂ）（４ｃ）（４ｄ）−・・裏面電極層、（７ａ）
（７ｂ）（７０）（７ｄ） ・・・光電変換領域、（８
ａ’ｂ）（８ｂＱ）（ｌｉ） ・・・分離領域、（９ａ
’ｂ）（９’ｂｃ）（９ｃｄ）・・・隣接間隔部。 ｙ 第１０図 第拾図
ｌは上記面に於けるＢ−Ｂ’線断面図、同図（Ｃ）は上
記面に於けるｃ −ｃ’線断面図、第２図の他の従来例
要部の斜視図、第３図乃至第７図は本発明一実施例方法
を工程別に示す平面図、第８図乃至第１２図は本発明他
の実施例方法を工程別に示す平面図、第１３図はこの実
施例方法により作製された装置の斜視図、を夫々示して
いる。 ＋１１−・・透明基板、＋２１（２ａ）（２ｂ）（２０
）（２ｄ）−・・透明電極層、＋３１（３ａ）（３ｂ）
（３０）（３ｄ）、−・光半導体層、（４１（４ａ）（
４’ｂ）（４ｃ）（４ｄ）−・・裏面電極層、（７ａ）
（７ｂ）（７０）（７ｄ） ・・・光電変換領域、（８
ａ’ｂ）（８ｂＱ）（ｌｉ） ・・・分離領域、（９ａ
’ｂ）（９’ｂｃ）（９ｃｄ）・・・隣接間隔部。 ｙ 第１０図 第拾図
Claims (1)
- （１）絶縁基板の一生面の複数の感光領域に跨って設け
られた第１の電極層上に、該第１の電極層と連なった複
数の端子部を露出せしめた状態で光半導体層を被着する
と共に、該光半導体層に第２の電極層を重畳した後、こ
れ等第１電極層、光半導体層及び第２の電極層の一部を
上記複数の感光領域に分割すべくエネルギビームの照射
により除表することを特徴とした光半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147360A JPS5935487A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147360A JPS5935487A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935487A true JPS5935487A (ja) | 1984-02-27 |
| JPS6213829B2 JPS6213829B2 (ja) | 1987-03-28 |
Family
ID=15428435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147360A Granted JPS5935487A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935487A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61241981A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Teijin Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| US4697041A (en) * | 1985-02-15 | 1987-09-29 | Teijin Limited | Integrated solar cells |
| JPS6316677A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| WO2010109567A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 光電変換装置、太陽電池モジュール、及び光電変換装置の製造方法 |
| US20120152339A1 (en) * | 2010-03-18 | 2012-06-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin film solar cell and method for manufacturing same |
| WO2023060924A1 (zh) * | 2021-10-11 | 2023-04-20 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 一种薄膜太阳能电池结构及其制备方法 |
| JP2024545759A (ja) * | 2021-12-30 | 2024-12-11 | ドンジン セミケム カンパニー リミテッド | 太陽電池及びその形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126064U (ja) * | 1974-08-17 | 1976-02-26 | ||
| US4315096A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-09 | Eastman Kodak Company | Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses |
-
1982
- 1982-08-24 JP JP57147360A patent/JPS5935487A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126064U (ja) * | 1974-08-17 | 1976-02-26 | ||
| US4315096A (en) * | 1980-07-25 | 1982-02-09 | Eastman Kodak Company | Integrated array of photovoltaic cells having minimized shorting losses |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4697041A (en) * | 1985-02-15 | 1987-09-29 | Teijin Limited | Integrated solar cells |
| JPS61241981A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-28 | Teijin Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JPS6316677A (ja) * | 1986-07-08 | 1988-01-23 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| WO2010109567A1 (ja) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 光電変換装置、太陽電池モジュール、及び光電変換装置の製造方法 |
| US20120152339A1 (en) * | 2010-03-18 | 2012-06-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Thin film solar cell and method for manufacturing same |
| WO2023060924A1 (zh) * | 2021-10-11 | 2023-04-20 | 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司 | 一种薄膜太阳能电池结构及其制备方法 |
| JP2024545759A (ja) * | 2021-12-30 | 2024-12-11 | ドンジン セミケム カンパニー リミテッド | 太陽電池及びその形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6213829B2 (ja) | 1987-03-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4879251A (en) | Method of making series-connected, thin-film solar module formed of crystalline silicon | |
| US4754544A (en) | Extremely lightweight, flexible semiconductor device arrays | |
| US4836861A (en) | Solar cell and cell mount | |
| US4829013A (en) | Semiconductor photoelectric conversion device, light-transparent substrate therefor and their manufacturing methods | |
| US4623751A (en) | Photovoltaic device and its manufacturing method | |
| US4542578A (en) | Method of manufacturing photovoltaic device | |
| EP0422511A2 (en) | Photovoltaic device and process for manufacturing the same | |
| WO1985005225A1 (en) | Process for fabricating a wraparound contact solar cell | |
| WO1989005521A1 (en) | Solar cell panel | |
| JPH0290573A (ja) | モノリシツク太陽電池及びバイパス・ダイオード・システム | |
| EP0189976A2 (en) | Extremely lightweight, flexible semiconductor device arrays and method of making same | |
| JPS5935487A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS5935489A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS58171869A (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH11135812A (ja) | 太陽電池素子の形成方法 | |
| JPS58196060A (ja) | 薄膜半導体装置 | |
| JP3155459B2 (ja) | 集積型非晶質半導体太陽電池の製造方法及び集積型非晶質半導体太陽電池 | |
| JPS62242371A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6342180A (ja) | 集積型光起電力装置の製造方法 | |
| JPS62142368A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JPS5994470A (ja) | 光半導体装置の製造方法 | |
| JPS6229180A (ja) | 光起電力素子 | |
| JP2898194B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JP2771653B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS63194370A (ja) | 光起電力装置の製造方法 |