JPS63286302A - 半導体ウェハ−切断用固定治具 - Google Patents
半導体ウェハ−切断用固定治具Info
- Publication number
- JPS63286302A JPS63286302A JP62120882A JP12088287A JPS63286302A JP S63286302 A JPS63286302 A JP S63286302A JP 62120882 A JP62120882 A JP 62120882A JP 12088287 A JP12088287 A JP 12088287A JP S63286302 A JPS63286302 A JP S63286302A
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- JP
- Japan
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- chips
- wafer
- support plate
- stacked
- laminated
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- Pending
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハーまたは複数枚の半導体ウェハ
ーを積層固着したウェハー積層円柱体を所定の寸法形状
に切断してダイオードチップまたはダイオード積層チッ
プを製造するための切断用固定治具に関し、切断後の形
状不良または特性不良のチップの選別を容易にする治具
に関する。
ーを積層固着したウェハー積層円柱体を所定の寸法形状
に切断してダイオードチップまたはダイオード積層チッ
プを製造するための切断用固定治具に関し、切断後の形
状不良または特性不良のチップの選別を容易にする治具
に関する。
ダイオードチップは、通常、半導体ウェハー。
例えばシリコンウェハーの表面に所要の不純物を付着さ
せ、ウェハー中に熱拡散させてＰＮ接合を形成させ、第
４図に示すように前記のＰＮ接合を形成させたウェハー
１を１例えばセラミックの支持板２にワックスで接着し
、所定の寸法形状２例えばさいの目状に切断してつくら
れる。高圧ダイオードの場合には、第６図に示すように
、ＰＮ接合を形成されたウェハーを所要枚数積層固着し
て積層円柱体３とし、その底面を支持板２に接着して軸
方向に所定の寸法形状に切断して積層チップとする。
せ、ウェハー中に熱拡散させてＰＮ接合を形成させ、第
４図に示すように前記のＰＮ接合を形成させたウェハー
１を１例えばセラミックの支持板２にワックスで接着し
、所定の寸法形状２例えばさいの目状に切断してつくら
れる。高圧ダイオードの場合には、第６図に示すように
、ＰＮ接合を形成されたウェハーを所要枚数積層固着し
て積層円柱体３とし、その底面を支持板２に接着して軸
方向に所定の寸法形状に切断して積層チップとする。
このようにウェハーを切断してチップとするとき、第５
図（ａ）に示すような所望の形状良好なチップと同時に
、第５図（６）、〔Ｃ）に示すような形状不良のチップ
がウェハーの外周縁部より発生する。ウェハー積層円柱
体を切断する場合にも、同様に第７図（ａ）に示す良好
な形状の積層チップと、積層円柱体の外周縁部より発生
する第７図（６）、（Ｃ）に示すような形状不良の積層
チップとができる。また、前述のウェハーに不純物を熱
拡散するとき、ウェハーの外周縁部では熱拡散が均一に
すすまず乱れが生じやすい。そのため、ウェハーの外周
縁より０．５〜２ ｍ＋ｓ程度内側までは電気的特性の
不良個所が発生しやすく、切断後の形状良好なチップま
たは積層チップでも、外周縁部に位置していたものには
電気特性が不良なものがある。これら形状不良あるいは
特性不良のチップまたは積層チップは選別除去する必要
があるが、このような選別は、切断終了後支持板を加熱
してワックスを溶かし、切断されたチップまたは積層チ
ップを支持板からはずした後に、−個ごとにチェックす
ることになるため、多大な選別時間を要するという欠点
があった。
図（ａ）に示すような所望の形状良好なチップと同時に
、第５図（６）、〔Ｃ）に示すような形状不良のチップ
がウェハーの外周縁部より発生する。ウェハー積層円柱
体を切断する場合にも、同様に第７図（ａ）に示す良好
な形状の積層チップと、積層円柱体の外周縁部より発生
する第７図（６）、（Ｃ）に示すような形状不良の積層
チップとができる。また、前述のウェハーに不純物を熱
拡散するとき、ウェハーの外周縁部では熱拡散が均一に
すすまず乱れが生じやすい。そのため、ウェハーの外周
縁より０．５〜２ ｍ＋ｓ程度内側までは電気的特性の
不良個所が発生しやすく、切断後の形状良好なチップま
たは積層チップでも、外周縁部に位置していたものには
電気特性が不良なものがある。これら形状不良あるいは
特性不良のチップまたは積層チップは選別除去する必要
があるが、このような選別は、切断終了後支持板を加熱
してワックスを溶かし、切断されたチップまたは積層チ
ップを支持板からはずした後に、−個ごとにチェックす
ることになるため、多大な選別時間を要するという欠点
があった。
本発明は、上述の欠点を除去して、ウェハーまたはウェ
ハー積層円柱体を切断後のチップまたは積層チ・ツブの
良否の選別を容易にする半導体ウェハー切断用固定治具
を提供することを目的とする。
ハー積層円柱体を切断後のチップまたは積層チ・ツブの
良否の選別を容易にする半導体ウェハー切断用固定治具
を提供することを目的とする。
上記の目的を達成するために、本発明にふいては、半導
体ウェハーまたは複数枚の半導体ウェハーを積層固着し
たウェハー積層円柱体を熱可塑性の接着剤で支持板に接
着固定させ、所定の寸法形状に切断する半導体ウェハー
切断用固定治具にｆいて、前記支持板が、該支持板の温
度が前記接着剤の溶ける温度よりも高くなると該支持板
の半導体ウェハーまたは半導体ウェハー積層円柱体の外
周縁部を載置する部分が所定の形状に変形する形状記憶
合金からなるものとする。
体ウェハーまたは複数枚の半導体ウェハーを積層固着し
たウェハー積層円柱体を熱可塑性の接着剤で支持板に接
着固定させ、所定の寸法形状に切断する半導体ウェハー
切断用固定治具にｆいて、前記支持板が、該支持板の温
度が前記接着剤の溶ける温度よりも高くなると該支持板
の半導体ウェハーまたは半導体ウェハー積層円柱体の外
周縁部を載置する部分が所定の形状に変形する形状記憶
合金からなるものとする。
このような支持板を有する固定治具を用い、半導体ウェ
ハーまたはウェハー積層円柱体をチップまたは積層チッ
プに切断後、支持板を熱可塑性の接着剤が溶けてチップ
または積層チップがはずれる温度以上に加熱する。この
ように加熱されると形状記憶合金からなる支持板は、半
導体ウェハーまたはウェハー積層円柱体の外周縁部のチ
ップまたは積層チップが付着している支持板の外周部分
が変形して１例えば下方に折れ曲がるようになる。
ハーまたはウェハー積層円柱体をチップまたは積層チッ
プに切断後、支持板を熱可塑性の接着剤が溶けてチップ
または積層チップがはずれる温度以上に加熱する。この
ように加熱されると形状記憶合金からなる支持板は、半
導体ウェハーまたはウェハー積層円柱体の外周縁部のチ
ップまたは積層チップが付着している支持板の外周部分
が変形して１例えば下方に折れ曲がるようになる。
この結果、半導体ウェハーまたはウェハー積層円柱体の
外周縁部に位置している不良チップはそれを支持してい
る支持板が変形することになるので内部に位置する良品
チップと分離され、容易に選別除去できる状態となる。
外周縁部に位置している不良チップはそれを支持してい
る支持板が変形することになるので内部に位置する良品
チップと分離され、容易に選別除去できる状態となる。
。
以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の一実施例の半導体ウェハー切断用固
定治具の要部を示すもので第１図（ａ）は上面図、第１
図（ハ）は第１図（ａ）のｘ−ｘ断面図、第１図（Ｃ）
は第１図（ａ）のＹ−Ｙ断面図である。
定治具の要部を示すもので第１図（ａ）は上面図、第１
図（ハ）は第１図（ａ）のｘ−ｘ断面図、第１図（Ｃ）
は第１図（ａ）のＹ−Ｙ断面図である。
第１図において、台４に脚５を介して装着されている支
持板２の上面は、支持板の厚みの約２７３の深さまでに
切り込まれたスリットにより、Ａ部２１ ”（１区画）
、８部２２（２区画）、０部２３（４区画）およびＤ部
２４（２区画）に区分けされる。０部２３はさらに同じ
くスリットによりチップの太きさに等しいピッチで平行
に、支持板の縁からウェハー外周縁部に達するまで区切
られたそれぞれ四つの小区画に分けられており、ウェハ
ーの外周縁部先端では階段状にチップの大きさと等しい
段差がつけられている。これらのスリットは、支持板２
の上面にウェハーを同心に接着しチップ、例えばさいの
目状のチラプに切断するときの切断線と一致するように
切られている。そして、前述の区分けは、切断されたチ
ップのうち、ウェハーの外周縁部から約２ｆｆｉ１以内
に位置している外形不良。
持板２の上面は、支持板の厚みの約２７３の深さまでに
切り込まれたスリットにより、Ａ部２１ ”（１区画）
、８部２２（２区画）、０部２３（４区画）およびＤ部
２４（２区画）に区分けされる。０部２３はさらに同じ
くスリットによりチップの太きさに等しいピッチで平行
に、支持板の縁からウェハー外周縁部に達するまで区切
られたそれぞれ四つの小区画に分けられており、ウェハ
ーの外周縁部先端では階段状にチップの大きさと等しい
段差がつけられている。これらのスリットは、支持板２
の上面にウェハーを同心に接着しチップ、例えばさいの
目状のチラプに切断するときの切断線と一致するように
切られている。そして、前述の区分けは、切断されたチ
ップのうち、ウェハーの外周縁部から約２ｆｆｉ１以内
に位置している外形不良。
特性不良のチップはそれぞれＢ部、０部、Ｄ部上にあり
、中央部の良品チップはＡ部上にあるような状態となる
ように区分けされている。
、中央部の良品チップはＡ部上にあるような状態となる
ように区分けされている。
この支持板２はウェハーの接着に用いられる熱可塑性の
接着剤１例えばワックスの溶ける温度以上に加温される
と、前記Ｂ、Ｃ，Ｄ部はスリットの部分で下方に折れ曲
がる性能を有する形状記憶合金で造られている。すなわ
ち、Ｘ−ｘ断面でみると第１′ｖ！Ｊ（ハ）に点線で示
すように両側の８部２２は左右下方に、手前の０部２３
は手前下方に折れ曲がる。またＹ−Ｙ断面でみると第１
図（Ｃ）に点線で示すように０部２３と０部２４は左右
下方にそれぞれ折れ曲がるようになる。
接着剤１例えばワックスの溶ける温度以上に加温される
と、前記Ｂ、Ｃ，Ｄ部はスリットの部分で下方に折れ曲
がる性能を有する形状記憶合金で造られている。すなわ
ち、Ｘ−ｘ断面でみると第１′ｖ！Ｊ（ハ）に点線で示
すように両側の８部２２は左右下方に、手前の０部２３
は手前下方に折れ曲がる。またＹ−Ｙ断面でみると第１
図（Ｃ）に点線で示すように０部２３と０部２４は左右
下方にそれぞれ折れ曲がるようになる。
このような治具の支持板２上にウェハー積層円柱体をワ
ックスで接着し、円柱体の軸方向に積層チップに切断し
た状態を上面から見た図を第２図に示す。第２図におい
て、斜線を施した積層チップは、円柱体外周縁部より約
２ｍｍの範囲内に位置する外形不良または特性不良の積
層チップ１０を示し、これらは支持板２０Ｂ部２２．Ｃ
部２３．Ｄ部２４上にあり、良品積層チップ９は中央の
Ａ部上にある。
ックスで接着し、円柱体の軸方向に積層チップに切断し
た状態を上面から見た図を第２図に示す。第２図におい
て、斜線を施した積層チップは、円柱体外周縁部より約
２ｍｍの範囲内に位置する外形不良または特性不良の積
層チップ１０を示し、これらは支持板２０Ｂ部２２．Ｃ
部２３．Ｄ部２４上にあり、良品積層チップ９は中央の
Ａ部上にある。
このように積層チップに切断した後、支持板２をワック
スの溶ける温度以上に加温した状態の第２図のＺ−Ｚ断
面図を第３図に示す。不良積層チップ１０は下方に折れ
曲がった０部２３．Ｄ部２４上にあり、ワックスは溶け
た状態になっているので、不良積層チップｌＯを簡単に
選別除去できる。図示はしてないが、同様に下方に折れ
曲がった８部２２上の不良積層チップも簡単に除去でき
、Ａ部２１上に良品の積層チップのみが残存しているこ
とになる。
スの溶ける温度以上に加温した状態の第２図のＺ−Ｚ断
面図を第３図に示す。不良積層チップ１０は下方に折れ
曲がった０部２３．Ｄ部２４上にあり、ワックスは溶け
た状態になっているので、不良積層チップｌＯを簡単に
選別除去できる。図示はしてないが、同様に下方に折れ
曲がった８部２２上の不良積層チップも簡単に除去でき
、Ａ部２１上に良品の積層チップのみが残存しているこ
とになる。
上記実施例ではウェハー積層円柱体を積層チップに切断
した場合について述べたが、半導体ウェハー単体のチッ
プ化の場合にも本実施例の治具が有効であることは明ら
かである。
した場合について述べたが、半導体ウェハー単体のチッ
プ化の場合にも本実施例の治具が有効であることは明ら
かである。
本発明によれば、半導体ウェハーまたはウェハー積層円
柱体を支持板に熱可塑性の接着剤で接着固定させ、所定
の寸法形状に切断してチップ化するための切断用固定治
具において、支持板を形状記憶合金で形成し、支持板の
温度が半導体ウェハーの接着に用いた接着剤の溶ける温
度よりも高くなると、半導体ウェハーの外周縁部が載置
している支持板の部分が所定の形状に変形するものとす
る。
柱体を支持板に熱可塑性の接着剤で接着固定させ、所定
の寸法形状に切断してチップ化するための切断用固定治
具において、支持板を形状記憶合金で形成し、支持板の
温度が半導体ウェハーの接着に用いた接着剤の溶ける温
度よりも高くなると、半導体ウェハーの外周縁部が載置
している支持板の部分が所定の形状に変形するものとす
る。
このような支持板を有する切断用固定治具を用いると、
半導体ウェハーまたはウェハー積層円柱体をチップまた
は積層チップに切断後、支持板を接着剤の溶ける温度以
上に加熱し、変形した支持板の部分にあるチップまたは
積層チップを除去することにより、半導体ウェハーまた
はウェハー積層円柱体の外周縁部に発生する形状不良、
特性不良のチップまたは積層チップを除去できることに
なり、不良品の選別除去を簡単に短時間で行うことが可
能となる。
半導体ウェハーまたはウェハー積層円柱体をチップまた
は積層チップに切断後、支持板を接着剤の溶ける温度以
上に加熱し、変形した支持板の部分にあるチップまたは
積層チップを除去することにより、半導体ウェハーまた
はウェハー積層円柱体の外周縁部に発生する形状不良、
特性不良のチップまたは積層チップを除去できることに
なり、不良品の選別除去を簡単に短時間で行うことが可
能となる。
第１図は本発明の一実施例の半導体つエバー切断用固定
治具の要部を示すもので、第１図（ａ）は上面図、第１
図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ断面図、第１図（Ｃ）
は第１図（ａ）のＹ−Ｙ断面図である。第２図は第１図
に示した実施例の治具にウェハー積層円柱体を接着し積
層チップに切断した状態の上面図、第３図は第２図の状
態で支持板をワックスの溶ける温度以上に加温したとき
の第２図のＺ−Ｚ断面図である。第４図は支持板に半導
体ウェハーを接着しチップに切断する切り込みがいれら
れた状態を示す従来例の斜視図、第５図は従来例のチッ
プの斜視図で第５図（ａ）は形状良品、第５図（ｂ）、
（Ｃ）はそれぞれ形状不良品の一例を示す。第６図は
支持板にウェハー積層円柱体を接着し積層チップに切断
する切り込みがいれられた状態を示す従来例の斜視図で
あり、第７図は従来例の積層チップの斜視図で、第７図
（ａ）は形状良品、第７図ら）、（Ｃ）はそれぞれ形状
不良品の一例を示す。 １ 半導体ウェハー、２ 支持板。 １手譚停ウェハー 第 １ 図 Ｚ／ 第 ２図 第 ３ 図 。
治具の要部を示すもので、第１図（ａ）は上面図、第１
図（ｂ）は第１図（ａ）のＸ−Ｘ断面図、第１図（Ｃ）
は第１図（ａ）のＹ−Ｙ断面図である。第２図は第１図
に示した実施例の治具にウェハー積層円柱体を接着し積
層チップに切断した状態の上面図、第３図は第２図の状
態で支持板をワックスの溶ける温度以上に加温したとき
の第２図のＺ−Ｚ断面図である。第４図は支持板に半導
体ウェハーを接着しチップに切断する切り込みがいれら
れた状態を示す従来例の斜視図、第５図は従来例のチッ
プの斜視図で第５図（ａ）は形状良品、第５図（ｂ）、
（Ｃ）はそれぞれ形状不良品の一例を示す。第６図は
支持板にウェハー積層円柱体を接着し積層チップに切断
する切り込みがいれられた状態を示す従来例の斜視図で
あり、第７図は従来例の積層チップの斜視図で、第７図
（ａ）は形状良品、第７図ら）、（Ｃ）はそれぞれ形状
不良品の一例を示す。 １ 半導体ウェハー、２ 支持板。 １手譚停ウェハー 第 １ 図 Ｚ／ 第 ２図 第 ３ 図 。
Claims (1)
- １）半導体ウェハーまたは複数枚の半導体ウェハーを積
層固着したウェハー積層円柱体を熱可塑性の接着剤で支
持板に接着固定させ、所定の寸法形状に切断する半導体
ウェハー切断用固定治具において、前記支持板が、該支
持板の温度が前記接着剤の溶ける温度より高くなると該
支持板の半導体ウェハーまたはウェハー積層円柱体の外
周縁部を載置する部分が所定の形状に変形する形状記憶
合金からなることを特徴とする半導体ウェハー切断用固
定治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120882A JPS63286302A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 半導体ウェハ−切断用固定治具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62120882A JPS63286302A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 半導体ウェハ−切断用固定治具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63286302A true JPS63286302A (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=14797304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62120882A Pending JPS63286302A (ja) | 1987-05-18 | 1987-05-18 | 半導体ウェハ−切断用固定治具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63286302A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970033654A (ko) * | 1995-12-30 | 1997-07-22 | 이대원 | 공작물 절단 방법 |
-
1987
- 1987-05-18 JP JP62120882A patent/JPS63286302A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR970033654A (ko) * | 1995-12-30 | 1997-07-22 | 이대원 | 공작물 절단 방법 |
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