JPS63288088A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS63288088A JPS63288088A JP62124514A JP12451487A JPS63288088A JP S63288088 A JPS63288088 A JP S63288088A JP 62124514 A JP62124514 A JP 62124514A JP 12451487 A JP12451487 A JP 12451487A JP S63288088 A JPS63288088 A JP S63288088A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- impurity
- zinc
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザに関するものである。
従来の技術
従来、半導体レーザの発ＷＲ波長の短波長化は１■−マ
族化合物半導体において第２量子準位間のレーザ釦倣な
ど（７ｔとえば第４７回応用物理学会学術講演会講演予
槁集 ３０Ｐ−Ｅ−６ｒ波長スイッチング半導体レーザ
ｔ１）−第２斂子準位間での室温単一縦モード発振−」
）の試みがなされている。
族化合物半導体において第２量子準位間のレーザ釦倣な
ど（７ｔとえば第４７回応用物理学会学術講演会講演予
槁集 ３０Ｐ−Ｅ−６ｒ波長スイッチング半導体レーザ
ｔ１）−第２斂子準位間での室温単一縦モード発振−」
）の試みがなされている。
発明が解決しようとする問題点
上１２のような従来の技術では、半導体レーザの材料と
して■−ｖ族化合物半導体を用いているために室温では
禁制帯幅が２．２ｅＶ以下と制限さｎている。その禽め
高次量子単位間の発振１ｃよる短波長化に −″
よって緑色や前色などの発光を得ることは不可能であ
るという問題点を有していた。
して■−ｖ族化合物半導体を用いているために室温では
禁制帯幅が２．２ｅＶ以下と制限さｎている。その禽め
高次量子単位間の発振１ｃよる短波長化に −″
よって緑色や前色などの発光を得ることは不可能であ
るという問題点を有していた。
本発明は上記従来の間朗点を解決するもので、青緑色を
発する半導体レーザを提供することを目的とするもので
ある。
発する半導体レーザを提供することを目的とするもので
ある。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明は、半導体レーザの
材料として■−■族化合物半導体に注目し、基板上にエ
ピタキシャル成長させたセレン化亜鉛層と欣化テＩＬ’
ＡＩ化亜鉛層とセレン化亜鉛層からなるダブルヘテロ＋
ｇａを有し、前記一方のセレン化亜鉛層の不純物として
弗素または塩素ま几は臭；４１用い、Ｒ１１記他方のセ
レン化亜鉛層の不純物として窒素１友は燐またｒｉ砒素
を用いたものである。
材料として■−■族化合物半導体に注目し、基板上にエ
ピタキシャル成長させたセレン化亜鉛層と欣化テＩＬ’
ＡＩ化亜鉛層とセレン化亜鉛層からなるダブルヘテロ＋
ｇａを有し、前記一方のセレン化亜鉛層の不純物として
弗素または塩素ま几は臭；４１用い、Ｒ１１記他方のセ
レン化亜鉛層の不純物として窒素１友は燐またｒｉ砒素
を用いたものである。
作用
上記構成Ｖｃエク、セレン化曲釦（Ｚｎ５ｅ ）と室温
で同一の格子定数を有する脆化テ／Ｌ／ＩＬ’化亜鉛（
ＺｎＳ Ｔｅ ）の禁制帯幅は室ｍｒｃおいて約２．５
ｅｖあり、これは青緑色に対応している。一方、セレン
化亜鉛（ＺｎＳｅ）の室温における禁制帯幅は約２．７
ｅＶと前記硫化テ／Ｉ／Ｉｖ化亜鉛（ＺｎＳ Ｔｅ ）
ｉＣ比べると約０．２ｅＶ広いため、セレン化亜鉛（Ｚ
ｎＳｅ’）Ｉｄ、クツラド層に適している。
で同一の格子定数を有する脆化テ／Ｌ／ＩＬ’化亜鉛（
ＺｎＳ Ｔｅ ）の禁制帯幅は室ｍｒｃおいて約２．５
ｅｖあり、これは青緑色に対応している。一方、セレン
化亜鉛（ＺｎＳｅ）の室温における禁制帯幅は約２．７
ｅＶと前記硫化テ／Ｉ／Ｉｖ化亜鉛（ＺｎＳ Ｔｅ ）
ｉＣ比べると約０．２ｅＶ広いため、セレン化亜鉛（Ｚ
ｎＳｅ’）Ｉｄ、クツラド層に適している。
さらに、弗素伊）または塩素（Ｃ１）または臭素（Ｂｒ
）を不純物として添加し友セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）
膜は低抵抗でｎ型を示し、窒素■または燐（Ｐ）ま次は
砒素（Ａｓ ）を不純物として添加したセレン化亜鉛（
ＺｎＳｅ）膜は低抵抗でＰ型を示す。このように、前記
Ｐ型及びｎ型セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）は低抵抗である
ために効率良〈キャリヤを注入することができ、しかも
、得られ九半導体レーザは青緑色のレーザ発振をするこ
とができる。
）を不純物として添加し友セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）
膜は低抵抗でｎ型を示し、窒素■または燐（Ｐ）ま次は
砒素（Ａｓ ）を不純物として添加したセレン化亜鉛（
ＺｎＳｅ）膜は低抵抗でＰ型を示す。このように、前記
Ｐ型及びｎ型セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）は低抵抗である
ために効率良〈キャリヤを注入することができ、しかも
、得られ九半導体レーザは青緑色のレーザ発振をするこ
とができる。
実施例
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す半導体レーザの概略断
面図である。第１図において、ｌは砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）基板、２Ｆｉｎ型セレン化亜鉛（Ｚｎ Ｓｅ ）
層、３は硫化テ１ｖｌｉ／化亜鉛（Ｚｎ ＳＴｅ ）層
、４はＰ型セレン化亜鉛（Ｚｎ Ｓｅ ）層であり、各
層２〜４の結晶は分子線エピタキシー法により成長させ
る。この装造に用いる分子線エピタキシー装置は超高真
空排気装置１（図示せず）を備えた真空容器内に複数の
分子線源と基板支持機構などを設は几一種の真空蒸着装
置である。
面図である。第１図において、ｌは砒化ガリウム（Ｇａ
Ａｓ）基板、２Ｆｉｎ型セレン化亜鉛（Ｚｎ Ｓｅ ）
層、３は硫化テ１ｖｌｉ／化亜鉛（Ｚｎ ＳＴｅ ）層
、４はＰ型セレン化亜鉛（Ｚｎ Ｓｅ ）層であり、各
層２〜４の結晶は分子線エピタキシー法により成長させ
る。この装造に用いる分子線エピタキシー装置は超高真
空排気装置１（図示せず）を備えた真空容器内に複数の
分子線源と基板支持機構などを設は几一種の真空蒸着装
置である。
シリコン添加砒化ガリウム（Ｇａ Ａｓ ）は低抵抗で
ｎ型の電気特性を■し、格子定数もセレン化亜鉛（Ｚｎ
Ｓｅ）とほぼ一致しているので基板として適している。
ｎ型の電気特性を■し、格子定数もセレン化亜鉛（Ｚｎ
Ｓｅ）とほぼ一致しているので基板として適している。
Ｇａ Ａｓ基基板上トリクロロエタンなどの有機溶媒で
脱脂後、硫酸系エツチング液で表面数μｍをエツチング
する。エツチング後のＧａ Ａｓ基基板上面方位（２０
０）面を上にして基板支持具に設置後、分子線エピタキ
シー装置に挿入する。超高真空に排気後、ＧａＡｓ基板
ｌを６００℃、１０分間の熱処理を行ない表面の酸化物
を除去する。こうして得らＡ７ｔｍ浄なＧａ Ａｓ基基
板上面上に分子線エピタキシー法によりＺｎ Ｓｅなど
の結晶成長を行なう。
脱脂後、硫酸系エツチング液で表面数μｍをエツチング
する。エツチング後のＧａ Ａｓ基基板上面方位（２０
０）面を上にして基板支持具に設置後、分子線エピタキ
シー装置に挿入する。超高真空に排気後、ＧａＡｓ基板
ｌを６００℃、１０分間の熱処理を行ない表面の酸化物
を除去する。こうして得らＡ７ｔｍ浄なＧａ Ａｓ基基
板上面上に分子線エピタキシー法によりＺｎ Ｓｅなど
の結晶成長を行なう。
主原料でｂる亜鉛（Ｚｎ）とセレン（Ｓｅ ）および不
純物としての塩素添加源である塩化亜鉛（Ｚｎ Ｃｊ）
は個々のクヌードセンセμに入れてあり、独立にｒＭＬ
度制御することにエフ分子線強度を調整さルる。
純物としての塩素添加源である塩化亜鉛（Ｚｎ Ｃｊ）
は個々のクヌードセンセμに入れてあり、独立にｒＭＬ
度制御することにエフ分子線強度を調整さルる。
まず、不純物として塩素（Ｃｌ）を添加した低抵抗のｎ
型Ｚｎ Ｓｅ層２の成長を行なう。これはＺｎとＳｅの
分子線を照射中に塩素分子イオンを同時に照射すること
ｖｃ工９低抵抗でｎ型２示すＺｎ Ｓｅ Ｎｉｌ ２が
得うれる。Ｇａ Ａｓ基板１上にエピタキシャル成長し
たｎ型Ｚｎ５ｅ層２の膜厚とその結晶性をＸ線回折（４
００）で調ぺ友結果、第２図ｖｃあるように、Ｇａ Ａ
ｓ とＺｎ Ｓｅの格子不整合が０．２５１程度あるた
めにＺｎ Ｓｅ Ｈ中で格子不整合の緩和が起こり、Ｚ
ｎ Ｓｅ膜が２μｍ以上で安定する。し友がって、Ｃｌ
を不純物として添加したｎ型Ｚｎ５ｅ層２は２μｍ以上
が望ましい。
型Ｚｎ Ｓｅ層２の成長を行なう。これはＺｎとＳｅの
分子線を照射中に塩素分子イオンを同時に照射すること
ｖｃ工９低抵抗でｎ型２示すＺｎ Ｓｅ Ｎｉｌ ２が
得うれる。Ｇａ Ａｓ基板１上にエピタキシャル成長し
たｎ型Ｚｎ５ｅ層２の膜厚とその結晶性をＸ線回折（４
００）で調ぺ友結果、第２図ｖｃあるように、Ｇａ Ａ
ｓ とＺｎ Ｓｅの格子不整合が０．２５１程度あるた
めにＺｎ Ｓｅ Ｈ中で格子不整合の緩和が起こり、Ｚ
ｎ Ｓｅ膜が２μｍ以上で安定する。し友がって、Ｃｌ
を不純物として添加したｎ型Ｚｎ５ｅ層２は２μｍ以上
が望ましい。
不純物としてＣｔを添加したｎ型Ｚｎ Ｓｅ層２を成長
させた後、次にＺｎ ＳＴｅＴａＯ２長を行なう。主原
料として亜鉛ｚｎと脱化亜鉛（ＺｎＳ）とテ／Ｌ’ル（
Ｔｅ ）を用い、エピタキシャル成長においてＺｎ Ｓ
ｅと格子定数が一致するようにＺｎＳ１−Ｘ Ｔｅｘに
おける組成比Ｘをα３５〜０．４の間に設定し、所望の
組成比Ｘの値になるＬ５にＺｎＳとＴｅの分子線強度を
調整する。
させた後、次にＺｎ ＳＴｅＴａＯ２長を行なう。主原
料として亜鉛ｚｎと脱化亜鉛（ＺｎＳ）とテ／Ｌ’ル（
Ｔｅ ）を用い、エピタキシャル成長においてＺｎ Ｓ
ｅと格子定数が一致するようにＺｎＳ１−Ｘ Ｔｅｘに
おける組成比Ｘをα３５〜０．４の間に設定し、所望の
組成比Ｘの値になるＬ５にＺｎＳとＴｅの分子線強度を
調整する。
最後に、不純物として窒素■を添加した低抵抗のＰ型Ｚ
ｎ５ｅ層３の成長を行う。ＺｎとＳｅの分子線を照射中
ｉｃ窒素分子イオンを同時１ｃ照射することにより低抵
抗でＰ型を示すＺｎ Ｓｅ 、噴３が得られる。
ｎ５ｅ層３の成長を行う。ＺｎとＳｅの分子線を照射中
ｉｃ窒素分子イオンを同時１ｃ照射することにより低抵
抗でＰ型を示すＺｎ Ｓｅ 、噴３が得られる。
以上のＬうにして得られ之ｎ型Ｚｎ Ｓｅ層２とＺｎＳ
Ｔｅ Ｗｉ ３とＰ ｔｆｉ Ｚｎ５ｅ層４からなるダ
ブ／Ｖヘテロ構造を有する薄嗅の付い几ＧａＡｓ基板ｌ
を臂関し、オーム性電極を設置することにより青緑色を
発振する半導体レーザが得らｎ九〇 なお、基板材料としてはＧａ Ａｓ基板ｌ以外にＺｎ
Ｓｅ基板を用いても良い。この場合にｎ型Ｚｎ５ｅ＊２
との格子不堅合が存在しないのでｎ型Ｚｎ５ｅ層２の膜
＃ＩＣ制限はない。またｎ型Ｚｎ５ｅ層２の添加不純物
として弗素ｔＦｌや臭素（Ｂｒ ）を用い工も同様の結
果が４８１−）Ａｓ。Ｐ ｑ Ｚｎ５ｅ ＮＪ４におい
てもその添加不純物ｉ ｇ４（Ｐｌや砒素ＩＡｓ）ＶＣ
変えても同様の結果が得られる。
Ｔｅ Ｗｉ ３とＰ ｔｆｉ Ｚｎ５ｅ層４からなるダ
ブ／Ｖヘテロ構造を有する薄嗅の付い几ＧａＡｓ基板ｌ
を臂関し、オーム性電極を設置することにより青緑色を
発振する半導体レーザが得らｎ九〇 なお、基板材料としてはＧａ Ａｓ基板ｌ以外にＺｎ
Ｓｅ基板を用いても良い。この場合にｎ型Ｚｎ５ｅ＊２
との格子不堅合が存在しないのでｎ型Ｚｎ５ｅ層２の膜
＃ＩＣ制限はない。またｎ型Ｚｎ５ｅ層２の添加不純物
として弗素ｔＦｌや臭素（Ｂｒ ）を用い工も同様の結
果が４８１−）Ａｓ。Ｐ ｑ Ｚｎ５ｅ ＮＪ４におい
てもその添加不純物ｉ ｇ４（Ｐｌや砒素ＩＡｓ）ＶＣ
変えても同様の結果が得られる。
弁明の効果
以上のように本発明ｒｃよれば、弗素または塩素または
臭素を不純物として添加し友ｎ型Ｚｎ Ｓｅ層とＺｎ
ＳＴｅ層と窒素または燐または砒素を不純物として添加
したＰ型Ｚｎ Ｓｅ層からなるダブ〃ヘテロ構造とする
ことｌこ工りＩｌｌ −Ｖ族化合物半導体レーザでは得
られなかった青緑色領域の半導体レーザを得ることがで
き、来月的に極めて有用である。
臭素を不純物として添加し友ｎ型Ｚｎ Ｓｅ層とＺｎ
ＳＴｅ層と窒素または燐または砒素を不純物として添加
したＰ型Ｚｎ Ｓｅ層からなるダブ〃ヘテロ構造とする
ことｌこ工りＩｌｌ −Ｖ族化合物半導体レーザでは得
られなかった青緑色領域の半導体レーザを得ることがで
き、来月的に極めて有用である。
第１図は本発明の一賽施例の半導体レーザを示す概略断
面図、第２図にＺｎ Ｓｅ単結晶のＸ線回折（４００）
ロッキングカーブの半値全幅とＺｎ Ｓｅエビタキシャ
ｐ膜の厚さ依存性を示すグラフでおる。 １・・・砒化ガリワム（Ｇａ Ａｓ ）基板、２・・・
ｎ型セレン化亜１ｅ （Ｚｎ Ｓｅ ） Ｍ！ｉ、 ３
−伽、化チルｌＶ化亜ｍ（ＺｎＳＴｅ ）、４ ・Ｐ型
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ１ｍ。 代理人 森 本 義 弘 第１図 １ ・−一 １石は一イζ〕フロリグな−１（ζ九１
）＼ｓ）１名−ネ逓ξ２ −−− ｎ９仁レンＶ（ｆ
Ｈｌ；（ＺｎＳｅ）眉３−一一スぼ耐イヒラソレルヂヒ
虫しζＧ（ｚにＳＴｅ、’ル習４−ρダｉ！、白■釦的
Ｓｅ■ ｏ ｆ２．３４５ 腹犀９尻）
面図、第２図にＺｎ Ｓｅ単結晶のＸ線回折（４００）
ロッキングカーブの半値全幅とＺｎ Ｓｅエビタキシャ
ｐ膜の厚さ依存性を示すグラフでおる。 １・・・砒化ガリワム（Ｇａ Ａｓ ）基板、２・・・
ｎ型セレン化亜１ｅ （Ｚｎ Ｓｅ ） Ｍ！ｉ、 ３
−伽、化チルｌＶ化亜ｍ（ＺｎＳＴｅ ）、４ ・Ｐ型
セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ１ｍ。 代理人 森 本 義 弘 第１図 １ ・−一 １石は一イζ〕フロリグな−１（ζ九１
）＼ｓ）１名−ネ逓ξ２ −−− ｎ９仁レンＶ（ｆ
Ｈｌ；（ＺｎＳｅ）眉３−一一スぼ耐イヒラソレルヂヒ
虫しζＧ（ｚにＳＴｅ、’ル習４−ρダｉ！、白■釦的
Ｓｅ■ ｏ ｆ２．３４５ 腹犀９尻）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にエピタキシャル成長させたセレン化亜鉛層
と硫化テルル化亜鉛層とセレン化亜鉛層からなるダブル
ヘテロ構造を有し、前記一方のセレン化亜鉛層の不純物
として弗素または塩素または臭素を用い、前記他方のセ
レン化亜鉛層の不純物として窒素または燐または砒素を
用いた半導体レーザ。 ２、基板として砒化ガリウム単結晶またはセレン化亜鉛
単結晶を用いた特許請求の範囲第１項記載の半導体レー
ザ。 ３、硫化テルル化亜鉛層としてセレン化亜鉛と同一の格
子定数を有するテルル化亜鉛と硫化亜鉛の混晶半導体を
用いた特許請求の範囲第１項乃至第２項記載の半導体レ
ーザ。 ４、硫化テルル化亜鉛層とセレン化亜鉛層とのヘテロ界
面を基板とセレン化亜鉛層とのヘテロ界面より２μｍ以
上離した特許請求の範囲第１項乃至第３項記載の半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124514A JPH0728097B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124514A JPH0728097B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 半導体レ−ザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63288088A true JPS63288088A (ja) | 1988-11-25 |
| JPH0728097B2 JPH0728097B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=14887370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124514A Expired - Lifetime JPH0728097B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0728097B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02196485A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
| US5008891A (en) * | 1989-04-11 | 1991-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting devices |
| JPH04234136A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-08-21 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | Ｉｉｂ−ｖｉａ族半導体層を含む発光半導体デバイス |
| US5268918A (en) * | 1991-02-21 | 1993-12-07 | Sony Corporation | Semiconductor laser |
| US5375134A (en) * | 1991-02-21 | 1994-12-20 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62124514A patent/JPH0728097B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02196485A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Hitachi Ltd | 半導体発光装置 |
| US5008891A (en) * | 1989-04-11 | 1991-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting devices |
| JPH04234136A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-08-21 | Minnesota Mining & Mfg Co <3M> | Ｉｉｂ−ｖｉａ族半導体層を含む発光半導体デバイス |
| US5268918A (en) * | 1991-02-21 | 1993-12-07 | Sony Corporation | Semiconductor laser |
| US5375134A (en) * | 1991-02-21 | 1994-12-20 | Sony Corporation | Semiconductor light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0728097B2 (ja) | 1995-03-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1321488C (zh) | 激光二极管 | |
| JP3129736B2 (ja) | 原子層エピタキシーおよびマイグレーションエンハストエピタキシーにより成長した量子井戸を有するｉｉ−ｖｉ族レーザダイオード | |
| US5237182A (en) | Electroluminescent device of compound semiconductor with buffer layer | |
| US20090269868A1 (en) | Methods of Manufacture for Quantum Dot optoelectronic devices with nanoscale epitaxial lateral overgrowth | |
| USRE27694E (en) | Semiconductor laser producing light at two wavelengths simultaneously | |
| US5113233A (en) | Compound semiconductor luminescent device | |
| US5508522A (en) | Method for producing a group II-VI compound semiconductor thin film and a group II-VI compound semiconductor device | |
| US5989339A (en) | MBE system and semiconductor device fabricated, using same | |
| CN1119358A (zh) | 蓝-绿激光二极管 | |
| JPS63288088A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2803722B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH1022568A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03268360A (ja) | 半導体装置 | |
| US4284467A (en) | Method for making semiconductor material | |
| JP2597624B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2540229B2 (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JPH0463479A (ja) | 化合物半導体発光素子 | |
| JP4060438B2 (ja) | 低転位密度の薄膜成長法 | |
| JPH03161981A (ja) | 半導体装置と２―６族化合物半導体結晶層の製造方法 | |
| JP2556292B2 (ja) | 半導体埋め込み構造の製造方法と半導体レーザの製造方法 | |
| JP2804093B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH11204883A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS5972717A (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
| JPH07249837A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPH0637356A (ja) | 発光素子 |