JPS6328883A - プラズマ反応装置 - Google Patents

プラズマ反応装置

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JPS6328883A
JPS6328883A JP17172886A JP17172886A JPS6328883A JP S6328883 A JPS6328883 A JP S6328883A JP 17172886 A JP17172886 A JP 17172886A JP 17172886 A JP17172886 A JP 17172886A JP S6328883 A JPS6328883 A JP S6328883A
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JP
Japan
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plasma
sheet
gas
discharge
substrate
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Pending
Application number
JP17172886A
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English (en)
Inventor
Toru Den
透 田
Kazuaki Omi
近江 和明
Masao Sugata
菅田 正夫
Noriko Kurihara
栗原 紀子
Hiroyuki Sugata
裕之 菅田
Kuniji Osabe
長部 国志
Nobuyuki Okamura
信行 岡村
Kenji Ando
謙二 安藤
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Canon Inc
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Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS6328883A publication Critical patent/JPS6328883A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J12/00Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
    • B01J12/002Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/12Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
    • B01J19/122Incoherent waves
    • B01J19/126Microwaves
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894Processes carried out in the presence of a plasma

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、プラズマを誘起し、これを利用して基体に成
膜、エツチング、表面改質等の処理を施すプラズマ反応
装置に関するもので、更に詳しくは、当該装置の処理に
おける所謂プラズマダメージ、即ちプラズマ中の高エネ
ルギー荷電粒子に基体がさらされることによるダメージ
の防止を図ったプラズマ反応装置に関する。
[従来の技術] 従来、プラズマダメージの防止を図ったプラズマ反応装
置としては、プラズマ発生位置から略円柱状に絞って引
き出されるプラズマと並列に基体が設けられたプラズマ
反応装置が知られている(特開昭6l−13Ei26号
公報)。この装置では、プラズマの引き出し方向に両極
を位置させたプラズマ輸送用磁石でプラズマを円柱状に
絞って引き出し、この円柱状プラズマと並列に基体を設
けて、直接プラズマが基体に接触しないようにすること
によってプラズマダメージを防止しているものである。
[発明が解決しようとする問題点] しかしながら、上記従来のプラズマ反応装置では、プラ
ズマダメージは防止できるが、引き出されるプラズマが
円柱状に絞られているので、このプラズマと並列に設け
られた基体上にプラズマから活性種が飛来する範囲がご
く限られた範囲となる。従って、大面積の基体に対して
成膜やエツチング等の処理を施すときに長時間を要し、
処理効率が悪いという問題がある。
また、やはり引き出されるプラズマが円柱状であるので
、プラズマの横断方向については、基体とプラズマ間の
距離が一定ではなく、このプラズマと基体間の距離によ
って、飛来する活性種の種類や量が変動するので、処理
が不均一となりやすい問題もある。
[問題点を解決するための手段] 上記問題点を解決するための手段を、本発明の一実施例
に対応する第1図で説明すると、本発明は、シート状に
引き出されるプラズマと並列に基体1が設けられている
プラズマ反応装置とするという手段を講じているもので
ある。
本発明において、シート状プラズマとは、その厚さに比
し、引き出し方向に直交する方向に十分な広がりを有す
る薄い板状であって、長辺が短辺の2倍以上の形状をい
う。また、このシート状プラズマと並列とは、シート状
プラズマの片面と相対向し、かつシート状プラズマと交
差していない状態をいう。
[作 用] シート状プラズマと並列に基体1を設けることにより、
基体lが直接プラズマと接触させることなく、シート状
プラズマの広い面を利用して、広面積の基体lであって
も、その全面を等しい間隔をおいてプラズマに接近して
位置させることができる。従って、プラズマダメージを
防止できると同時に、効率的かつ均一な処理が可能なも
のである。
[実施例コ 第1図に示されるように、プラズマ発生室2と反応処理
室3が、プラズマ噴出口4を介して連通して設けられて
いる。
プラズマ発生室2の背面側には、例えば石英等のマイク
ロ波を透過させ得る材料で形成された窓部5が設けられ
ている。この窓部5には導波管6が連結されていて、導
波管6によって導かれて来るマイクロ波を、窓部5を介
して発生室2内へ投入できるようになっている。
窓部5の前面付近には、放電ガスラインG1から供給さ
れる放電ガスを系内に供給するガス供給環7aが設けら
れている。ガス供給環7aは、環状の管材の内周側に多
数の小孔を形成したちので、放電ガスはこの小孔から噴
出されるものである。放電ガスは、前記窓部5を介して
投入されるマイクロ波によって、プラズマ発生室2内に
プラズマを形成するためのものである。
プラズマ発生室2の外側には、発生するプラズマをプラ
ズマ噴出口4から反応処理室3へと引き出すためのプラ
ズマ輸送用磁石8が設けられている。このプラズマ輸送
用磁石8は、その両極がプラズマの引き出し方向に位置
するよう設置されているもので、電磁石であっても永久
磁石であってもよい。
プラズマ噴出口4部分には、シート状プラズマ形成用磁
石9,9′が相対向して平行に設けられている。このシ
ート状プラズマ形成用磁石9゜9′は、その両極がプラ
ズマの引き出し方向と直交する方向に位置するよう設置
されているもので、電磁石であっても永久磁石であって
もよい。
上記シート状プラズマ形成用磁石9,9′の更に反応処
理室4内寄りには、実ガスラインG2に接続されたガス
供給環7bが設けられている。このガス供給環7bは、
前記ガス供給環7aと同様なもので、成膜やエツチング
等を行うための実ガスを系内に供給するものである。
反応処理室3には排気口1oが設けられており、系内の
必要な真空雰囲気の形成と、余剰ガスや反応生成ガスの
排出が行われるものとなっている。
また、反応処理室3内には、基体ホルダー11に支持さ
れて基体1が設けられている。基体lは、後述するよう
にして形成されるシート状プラズマと並列に位置してい
るものである。
基体ホルダー11には、基体1の温度を、成膜やエツチ
ングに最適な温度とするためのヒーター12が設けられ
ている。基体ホルダー11は、真空回転シール部、例え
ばウィルソンシール部13を介して後端が外部に突出し
たホルダー軸14の先端に取付けられており、ホルダー
軸14の後端に連結されたモーター15で回転させるこ
とができるようになっている。また、上記ウィルソンシ
ール部13ヲベローズ16を介して支持することによっ
て、形成されるシート状プラズマに対して基体ホルダー
11を進退、角度調整すことができるようになっている
次に、水装置の作動について説明する。
まず、系内を必要な真空雰囲気とした後、窓部5を介し
てマイクロ波を投入すると共に、放電ガスラインGlか
らガス供給環7aを介して放電ガスを供給する。すると
、マイクロ波放電によって、プラズマ発生室2内にプラ
ズマを発生させることができる。
上記プラズマの誘起は、マイクロ波によるもののみでは
なく、直流放電や高周波放電等による誘起、例えば高周
波放電型、マイクロ波放電型、電子衝撃型、PIG型(
Penning Ionization GaugeT
ype) 、電子振動型、電子ビーム入射型、デュオプ
ラズマトロンとその変型、スパッタ型、レーザ照射型等
によるものでもよい。特に本実施例のようなマイクロ波
放電による場合、プラズマ発生室z内で電子サイクロト
ロン共鳴条件(EC:R条件)が満されるようにして行
うと、効率的にプラズマを誘起することができる。
発生したプラズマ中の荷電粒子(原子イオン、分子イオ
ン、電子等)は、磁界中でその磁力線を巻くように流動
することから、プラズマはプラズマ輸送用磁石8の磁界
によって引き出され、プラズマ噴出口4から反応処理室
3へと噴出する。このとき、シート状プラズマ形成用磁
石9,9′の磁界の作用により、プラズマの噴出範囲が
押し潰され、プラズマはシート状となって反応処理室3
へと引き出されることになる。
上記シート状プラズマ形成用磁石9,9′によるシート
プラズマ化は、同極同志を向き合わせてシート状プラズ
マ形成用磁石9,9′を配置したときに得ることができ
る。また、シート状プラズマ形成用磁石9,9′を、異
極同志を向き合わせて配置したときには、シート状プラ
ズマ形成用磁石9,9′の中心におけるプラズマ輸送用
磁石8の磁界の強さが、シート状プラズマ形成用磁石9
.9′の磁界の強さより強いことを条件にプラズマのシ
ート状化を成すことができる。
形成されるシート状プラズマの広がりとシート厚状態は
、プラズマ噴出口4の大きさ、形状差びにシート状プラ
ズマ形成用磁石9,9′の強さ等を変更することによっ
て調節することができる。
プラズマ発生室2内に誘起されたプラズマは、上述のよ
うにしてシート状プラズマとして反応処理室3へと引き
出され、これに向って、ガス供給環7bから実ガスが供
給される。実ガスは、このシート状プラズマと接触して
活性化されつつ基体1方向へと流れ、基体lの表面に成
膜やエツチング等を施すことになる。また、余剰の放電
ガスや実ガス、更には反応生成ガスは、直に排気口10
かも系外へと排出されるものである。
成膜やエツチング等の反応処理に際しては、基体1の位
置を適切に調節することが好ましい。例えば、シート状
プラズマから基体1を比較的離しておくと、比較的活性
寿命の長い活性種による反応処理を選択的に行うことが
でき、逆にシート状プラズマに基体1を接近させておく
と、活性寿命の短かい活性種による反応処理をも得るこ
とができる。また、基体1のプラズマ発生室2寄りの部
分とその反対側部分とで処理状態が違ってくる恐れがあ
るので、反応処理中、基体1を回転させて、処理の均一
化を図ることが好ましい。
上記反応処理に用いる実ガスとしては、反応処理として
成膜を行う場合、例えば、シラン、ジシラン、トリシラ
ン等のシリコン水素化物、メタン、エタン、プロパン、
アセチレン等の炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン等の芳香族炭化水素、テトラクロロメタン、テトラク
ロロメタン、CH2F2. CH3F等のハロゲン化炭
化水素等の成膜性ガスや、例えば水素、アルゴン、ヘリ
ウム、窒素等の非成膜性ガスと上記成膜性ガスの混合ガ
ス等が用いられる。また、エツチングを行う場合、例え
ば、テトラフロロメタン、テトラクロロメタン、CH2
F2. CH3F等のハロゲン化炭化水素、SF6. 
NF3等のフッ化物等のエツチングガスや、例えば酸素
、水素、窒素等のエツチング選択性向上用の添加ガスと
上記エツチングガスの混合ガス等が用いられる。
放電ガスとしては、プラズマを形成できるものであれば
よいが、プラズマ発生室2内での付着物の発生防止のた
め、プラズマ化しても付着物質を生じないものが好まし
い、具体的には、上述の非成膜ガスやエツチング選択性
向上用の添加ガス等である。
第2図は他の実施例を示すもので、第1図で説明した装
置のプラズマ噴出口4の直後に絶縁リング17″?C設
けて、そこに直流電源18aに接続された曳イアス印加
用電極19aを設置し、更に反応処理室3内の奥に、プ
ラズマ噴出口4と相対向して、直流電源18bに接続さ
れたバイアス印加用電極9bを設けたものとなっている
。尚、第2図において、第1図と同じ符号は同じ部材を
示すものである。
上記のようにすると、バイアス印加用電極19a。
+9bに電圧を加えることによってプラズマを加速して
引き出すことができ、引き出されるプラズマの密度が向
上し、発生する化学的活性種の量も増加する。また、図
中−点鎖線で示されるように、基体lをシート状プラズ
マの両面を各々に設けて、複数の基体1についての処理
を一度に行うようにしてもよい。
第3図も他の実施例を示すもので、基体1が帯状となっ
ており、ローラ20a、 20b間で送り出しと巻取り
ができるようになっている。このようにすれば、長尺の
基体1に対する連続処理が可能となる。尚、第3図にお
いても、第1図と同じ符号は同じ部材を示すものである
第4図は、直流放電によってプラズマを形成できるよう
にしたもので、プラズマ発生室2と反応処理室3間はス
キマー21aで仕切られている。また、反応処理室3の
奥は、更に絶縁性のスキマー2Toで仕切られている。
プラズマ発生室2は、直流放電を励起する放電用陰極2
2aと、その陰極22aの前面へ放電ガスを導入する放
電ガスラインG1と、放電ガスをプラズマへ高める第一
の中間電極23a及び第二の中間電極23bと、平行磁
界を発生させるプラズマ輸送用磁石8と、平行磁界にお
ける円柱状のプラズマ中に別な偏平磁界を発生させるシ
ート状プラズマ形成用磁石9,9′とを備えている。ま
た、反応処理室3は、偏平磁界に従って形成されるシー
ト状プラズマと並列に配設された基体1及びヒーター1
2を有する基体ホルダー11と、実ガスラインG2と、
シート状プラズマと基体1の間に配設されたグリッド2
4と、排気口lOと、放電用陽極22bと、放電用電極
22bの前面に放電ガスを供給する放電ガスラインGl
と、シート状プラズマの拡散防止用のプラズマ輸送用補
助磁石25とを備えている。
第5図(a)に示すように、プラズマ輸送用磁石8とプ
ラズマ輸送用補助磁石25によって発生する磁界Mは、
両磁石8,25間で密度が疎になる中央部で若干の膨ら
みを有しかつ中心軸に対して軸対称な平行磁界となる。
この磁界中にプラズマを配置すると、プラズマは磁界に
従って円柱形状になる。ここで、第5図(b)に示すよ
うに、プラズマ輸送用磁石8の近傍で平行磁界の一部を
挟んで、一対のシート状プラズマ形成用磁石9,9を対
向させて配設すると、磁場は図(b)に示す如く分割さ
れ、磁石9,9′から磁石25までの部分の磁界Mは一
対の磁石9,9′で潰されたように偏平になる。荷電粒
子は磁束を巻くように流動するので、この磁界中にプラ
ズマを配置すると、プラズマはシート状になる。
上述の装置においては直流放電によって放電ガスがプラ
ズマ化され、これがシート状プラズマとなって反応処理
に供される。特に、本装置においては、処理を向上させ
るために、接地されたグリッド、24が設けられて基体
lへ飛来するイオン種の減少が図られている。イオン種
を積極的に取出したいときには、グリッド24に電圧を
印加すればよい。また、スキマー21a、 21bは、
シート状プラズマの通過を許容するスリットを残してそ
の前後を仕切り、反応処理室3から付着物質が逆流して
来て放電用陰・陽極22a、 22bに付着するのを防
止するものである。
尚、以上の実施例においては、シート状ブラズマ形成用
磁石9,9′を用いてプラズマをシート状化しているが
、プラズマ噴出口4をスリット状としたり、シート状の
放電管を用いてシート状プラズマを形成するようにして
もよい。
[発明の効果] 以上の通り、本発明によれば、基体lを直接プラズマに
さらすことによるプラズマダメージを防止すると共に、
処理効率及び処理の均一化を図ることができ、プラズマ
反応処理を経る製品の量産と品質の向上を図ることがで
きるものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図ないし第4
図は各々他の実施例を示す図、第5図はプラズマのシー
ト状化の説明図である。 l:基体、2:プラズマ発生室、 3:反応処理室、4:プラズマ噴出口、5:窓部、6:
導波管、 7a 、 7b :ガス供給環、 8:プラズマ輸送用磁石、 9.9’:シート状プラズマ形成用磁石、10:排気口
、11:基体ホルダー、 12:ヒーター、13:ウィルソンシール部、工4:ホ
ルダー軸、15:モーター、 16:ベローズ、17:絶縁リング、 18a、 18b:直流電源、 19a、 19b:バイアス印加用電極、20a、 2
0b:ローラ、21a、 21b:スキマー、22a:
放電用陰極、22b:放電用陽極、23a、 23b 
:中間電極、24ニゲリツド、25:プラズマ輸送用補
助磁石。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1)シート状に引き出されるプラズマと並列に基体が設
    けられていることを特徴とするプラズマ反応装置。
JP17172886A 1986-07-23 1986-07-23 プラズマ反応装置 Pending JPS6328883A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17172886A JPS6328883A (ja) 1986-07-23 1986-07-23 プラズマ反応装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP17172886A JPS6328883A (ja) 1986-07-23 1986-07-23 プラズマ反応装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6328883A true JPS6328883A (ja) 1988-02-06

Family

ID=15928574

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP17172886A Pending JPS6328883A (ja) 1986-07-23 1986-07-23 プラズマ反応装置

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JP (1) JPS6328883A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5178905A (en) * 1988-11-24 1993-01-12 Canon Kabushiki Kaisha Process for the formation of a functional deposited film by hydrogen radical-assisted cvd method utilizing hydrogen gas plasma in sheet-like state
US6481700B1 (en) 1998-03-31 2002-11-19 Shimano, Inc. Bicycle shock absorber with elastic members closely fitted between first and second rotating members

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5178905A (en) * 1988-11-24 1993-01-12 Canon Kabushiki Kaisha Process for the formation of a functional deposited film by hydrogen radical-assisted cvd method utilizing hydrogen gas plasma in sheet-like state
US6481700B1 (en) 1998-03-31 2002-11-19 Shimano, Inc. Bicycle shock absorber with elastic members closely fitted between first and second rotating members

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