JPS63291876A - 非酸化物セラミックスの製造方法 - Google Patents
非酸化物セラミックスの製造方法Info
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- JPS63291876A JPS63291876A JP62127203A JP12720387A JPS63291876A JP S63291876 A JPS63291876 A JP S63291876A JP 62127203 A JP62127203 A JP 62127203A JP 12720387 A JP12720387 A JP 12720387A JP S63291876 A JPS63291876 A JP S63291876A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非酸化物セラミックスの製造方法、より詳しく
は、発熱体（ヒータ）用の非酸化物（ＴｉＣ−Ｓｉ（：
）系複合セラミックスの製造方法に関するものである。
は、発熱体（ヒータ）用の非酸化物（ＴｉＣ−Ｓｉ（：
）系複合セラミックスの製造方法に関するものである。
従来より発熱体としては、金属の場合にはニッケルーク
ロム合金、鉄−クロム−アルミニウム合金等の耐熱合金
が使用され、セラミックスの場合には炭化珪素、珪化モ
リブデン等が使用されている。
ロム合金、鉄−クロム−アルミニウム合金等の耐熱合金
が使用され、セラミックスの場合には炭化珪素、珪化モ
リブデン等が使用されている。
しかしながら金属発熱体の場合には使用温度は１０００
〜１１００℃程度が限界であり、それ以上の高温では酸
化腐食、溶断などが生じて使用不可能である。炭化珪素
（ＳｉＣ）の場合は１６００℃、珪化モリブデン（Ｍｏ
Ｓｉｚ）の場合は１８００℃程度まで使用可能なものの
、炭化珪素は比抵抗が極めて高いので小型化に問題があ
り、珪化モリブデンには１３００℃以上で軟化が始まり
、高温強度、熱衝撃性の面で問題がある。
〜１１００℃程度が限界であり、それ以上の高温では酸
化腐食、溶断などが生じて使用不可能である。炭化珪素
（ＳｉＣ）の場合は１６００℃、珪化モリブデン（Ｍｏ
Ｓｉｚ）の場合は１８００℃程度まで使用可能なものの
、炭化珪素は比抵抗が極めて高いので小型化に問題があ
り、珪化モリブデンには１３００℃以上で軟化が始まり
、高温強度、熱衝撃性の面で問題がある。
これら材料にかわって、近年、ＴｉＣの非酸化物導電材
料とＳｉＣの非酸化物材料を適当な割合で混合すること
により比抵抗調整を行った、複合セラミックスヒータが
注目されている。このようなセラミックスヒータを製造
する場合には、例えばＴｉＣ粉末とＳｉＣ粉末とに焼結
助剤を加え、これらをポットで混合し、バインダーを加
えて造粒した後に、成形して焼結を行なっていた。
料とＳｉＣの非酸化物材料を適当な割合で混合すること
により比抵抗調整を行った、複合セラミックスヒータが
注目されている。このようなセラミックスヒータを製造
する場合には、例えばＴｉＣ粉末とＳｉＣ粉末とに焼結
助剤を加え、これらをポットで混合し、バインダーを加
えて造粒した後に、成形して焼結を行なっていた。
このような非酸化物セラミックス（ヒータ）は高い耐熱
性、耐熱衝撃性、高温強度を合せ持っているが、焼成時
に導電材料が凝集して焼結してしまうため、導電パスが
切断されるという現象が起き、ＴｉＣ成分量が少なくな
ってくると比抵抗値がばらつくという問題がある。
性、耐熱衝撃性、高温強度を合せ持っているが、焼成時
に導電材料が凝集して焼結してしまうため、導電パスが
切断されるという現象が起き、ＴｉＣ成分量が少なくな
ってくると比抵抗値がばらつくという問題がある。
本発明の目的は、この非酸化物複合セラミックス導電材
料（ヒータ）の比抵抗値のばらつきを解消し、広範囲の
比抵抗値を持つ非酸化物セラミックスを安定して製造制
御できる製造技術を提供するものである。
料（ヒータ）の比抵抗値のばらつきを解消し、広範囲の
比抵抗値を持つ非酸化物セラミックスを安定して製造制
御できる製造技術を提供するものである。
上述の目的が、工程（ａ）〜（ｅ） ： （ａ） Ｔ
ｔを含む溶液とＳｉを含む溶液とを含有する混合溶液を
作る工程；（ｂ）該混合溶液と沈殿形成液とを混合して
共沈法で共沈体を得る又はゾル−ゲル法でゲルを得る工
程；（Ｃ）得られた共沈体又はゲルを乾燥後に７００〜
１８００℃で炭化仮焼する工程；（ｄ）前記炭化仮焼に
よる仮焼炭化物と、目的とする比抵抗値のセラミックス
組成となるようにＳｉＣおよび焼結助剤とを混合する工
程；および（ｅ）得られた混合粉末を成形して１８００
〜２３００℃で焼結する工程；からなることを特徴とす
るＴｉＣ−ＳｉＣと系の非酸化物セラミックスの製造方
法によって達成される。
ｔを含む溶液とＳｉを含む溶液とを含有する混合溶液を
作る工程；（ｂ）該混合溶液と沈殿形成液とを混合して
共沈法で共沈体を得る又はゾル−ゲル法でゲルを得る工
程；（Ｃ）得られた共沈体又はゲルを乾燥後に７００〜
１８００℃で炭化仮焼する工程；（ｄ）前記炭化仮焼に
よる仮焼炭化物と、目的とする比抵抗値のセラミックス
組成となるようにＳｉＣおよび焼結助剤とを混合する工
程；および（ｅ）得られた混合粉末を成形して１８００
〜２３００℃で焼結する工程；からなることを特徴とす
るＴｉＣ−ＳｉＣと系の非酸化物セラミックスの製造方
法によって達成される。
本発明に係る製造方法での共沈法の場合には、Ｔｉを含
む溶液（例えば、チタンアルコキシドアルコール溶液）
とＳｉを含む溶液（例えば、シリコンアルコキシドアル
コール溶液）とを混合して、場合によっては溶媒のアル
コールに加えて混合して、混合溶液を作る。アルコール
溶液でなく水溶液としてこの混合溶液を作ることも可能
である。
む溶液（例えば、チタンアルコキシドアルコール溶液）
とＳｉを含む溶液（例えば、シリコンアルコキシドアル
コール溶液）とを混合して、場合によっては溶媒のアル
コールに加えて混合して、混合溶液を作る。アルコール
溶液でなく水溶液としてこの混合溶液を作ることも可能
である。
次に、この混合溶液と２工程での沈殿形成液（例えば、
加水分解用塩酸および共沈用アンモニア水）とを順に混
合してチタン水酸化物およびシリコン水酸化物の共沈体
が得られ、この共沈体を濾別水洗し乾燥する。この水酸
化物共沈体を炭素含有雰囲気下で７００〜１８００℃の
温度にて仮焼する還元炭化処理して仮焼炭化物（粉末）
が得られる。このように導電材料であるＴｉＣのＴｉ成
分を共沈法でもって母材となるＳＩＣのＳｉ成分と共に
析出させることになり、ＴｔとＳｉとの分散が非常に良
くなり、その結果、得られた仮焼炭化物の分散性も非常
に良好なものとなる。なお、仮焼温度が７００℃以下で
は凝集し易（なり、一方、１８００℃以上では粒子が粗
大化する。
加水分解用塩酸および共沈用アンモニア水）とを順に混
合してチタン水酸化物およびシリコン水酸化物の共沈体
が得られ、この共沈体を濾別水洗し乾燥する。この水酸
化物共沈体を炭素含有雰囲気下で７００〜１８００℃の
温度にて仮焼する還元炭化処理して仮焼炭化物（粉末）
が得られる。このように導電材料であるＴｉＣのＴｉ成
分を共沈法でもって母材となるＳＩＣのＳｉ成分と共に
析出させることになり、ＴｔとＳｉとの分散が非常に良
くなり、その結果、得られた仮焼炭化物の分散性も非常
に良好なものとなる。なお、仮焼温度が７００℃以下で
は凝集し易（なり、一方、１８００℃以上では粒子が粗
大化する。
そして、所定の比抵抗値のセラミックス（ヒータ）を作
るために、得られた仮焼炭化物粉末と、ＳｉＣ粉末およ
び焼結助剤とを混合し、公知の成形法で所定形状にし、
不活性雰囲気下で１８００〜２３００℃の温度にて焼結
する。焼結助剤としては炭化ホウ素（Ｂ、Ｃ）、カーボ
ン（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）などが使用できる。焼結温度が
１８００℃以下では焼結が不十分となり、一方、２３０
０℃以上ではＳｉＣの分解が起きるので、規定した温度
範囲で焼結を行なう。
るために、得られた仮焼炭化物粉末と、ＳｉＣ粉末およ
び焼結助剤とを混合し、公知の成形法で所定形状にし、
不活性雰囲気下で１８００〜２３００℃の温度にて焼結
する。焼結助剤としては炭化ホウ素（Ｂ、Ｃ）、カーボ
ン（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）などが使用できる。焼結温度が
１８００℃以下では焼結が不十分となり、一方、２３０
０℃以上ではＳｉＣの分解が起きるので、規定した温度
範囲で焼結を行なう。
このような焼結においては、導電材料（ＴｉＣ）の凝集
がなく、導電材の分散性が良いため通常の粉末混合を用
いるよりも、比抵抗制御を広範囲でしかも安定に行うこ
とができ、しかも焼結体の強度を向上させることができ
る。
がなく、導電材の分散性が良いため通常の粉末混合を用
いるよりも、比抵抗制御を広範囲でしかも安定に行うこ
とができ、しかも焼結体の強度を向上させることができ
る。
また、本発明に係る製造方法でのゾル−ゲル法の場合に
は、Ｔｉを含む溶液（例えば、チタンアルコキシドアル
コール溶液）とＳｉを含む溶液（例えば、シリコンアル
コキシドアルコール溶液）とを混合して、場合によって
は、溶媒のアルコール（例えば、エチルアルコール）に
加えて混合して、混合溶液を作る。アルコール溶液でな
く水溶液としてこの混合溶液を作ることも可能である。
は、Ｔｉを含む溶液（例えば、チタンアルコキシドアル
コール溶液）とＳｉを含む溶液（例えば、シリコンアル
コキシドアルコール溶液）とを混合して、場合によって
は、溶媒のアルコール（例えば、エチルアルコール）に
加えて混合して、混合溶液を作る。アルコール溶液でな
く水溶液としてこの混合溶液を作ることも可能である。
次に、この混合溶液に、例えば、塩化水素の水溶液であ
る塩酸を加えて、加水分解によりシリカ・チタニアゾル
溶液にし、これを所定温度にてゲル化し、そして乾燥す
る。得られたシリカ・チタニアゲルを炭素含有雰囲気下
で７００〜１８００℃の温度にて仮焼する還元炭化処理
で仮焼炭化物（粉末）が得られる。この場合にも上述し
た共沈法と同様にゲル中でのＴｉおよびＳｉの分散性が
非常に良く、仮焼炭化物の分散性も良く、共沈法と同等
の仮焼炭化物が得られる。なお、仮焼温度が７００℃以
下では凝集し易くなり、一方、１８００℃以上では、粒
子が粗大化する。これ以降のセラミックス（ヒータ）の
製造工程は上述した共沈法の場合と同様である。
る塩酸を加えて、加水分解によりシリカ・チタニアゾル
溶液にし、これを所定温度にてゲル化し、そして乾燥す
る。得られたシリカ・チタニアゲルを炭素含有雰囲気下
で７００〜１８００℃の温度にて仮焼する還元炭化処理
で仮焼炭化物（粉末）が得られる。この場合にも上述し
た共沈法と同様にゲル中でのＴｉおよびＳｉの分散性が
非常に良く、仮焼炭化物の分散性も良く、共沈法と同等
の仮焼炭化物が得られる。なお、仮焼温度が７００℃以
下では凝集し易くなり、一方、１８００℃以上では、粒
子が粗大化する。これ以降のセラミックス（ヒータ）の
製造工程は上述した共沈法の場合と同様である。
以下、本発明の実施態様例によって本発明の詳細な説明
する。
する。
ＩＬＬＬ（共沈法の場合）
実施例１． テトライソプロポキシチタン（Ｔｉ （ｉ
ｓｏ−ＯＣＪｙ） ａ） １モルとテトラエトキシシ
ラン（Ｓｉ （ＯＣＪｓ） ＊） １モルと、１．２
１のエタノール（ｃｚｏｓｏｕ）とで混合溶液を作成し
た。この混合溶液を攪拌しながら、６Ｎの塩酸８０ｃｃ
を滴下し、加水分解によってシリカ・チタニアゾル溶液
を調整した。このゾル溶液を、攪拌している６Ｎ−アン
モニア水１１中に１５０ｃｃの割合で徐々に添加して、
Ｔｉ’°とＳ ｔ”の水酸化物共沈体を得た。これを洗
浄乾燥した後に、１０００℃のメタン気流中で１０時間
還元炭化処理を行い、仮焼炭化物を得た。
ｓｏ−ＯＣＪｙ） ａ） １モルとテトラエトキシシ
ラン（Ｓｉ （ＯＣＪｓ） ＊） １モルと、１．２
１のエタノール（ｃｚｏｓｏｕ）とで混合溶液を作成し
た。この混合溶液を攪拌しながら、６Ｎの塩酸８０ｃｃ
を滴下し、加水分解によってシリカ・チタニアゾル溶液
を調整した。このゾル溶液を、攪拌している６Ｎ−アン
モニア水１１中に１５０ｃｃの割合で徐々に添加して、
Ｔｉ’°とＳ ｔ”の水酸化物共沈体を得た。これを洗
浄乾燥した後に、１０００℃のメタン気流中で１０時間
還元炭化処理を行い、仮焼炭化物を得た。
この仮焼炭化物の粒径は０．１〜０．３μｍであった。
次に上記仮焼炭化物に、さらに平均粒径０．６μｍの炭
化ケイ素（ＳｉＣ）粉末１．９モルおよび焼結助剤とし
ての炭化ホウ素（Ｂ、Ｃ） ０．０２２モルおよびカー
ボン（Ｃ） ０．１５モルを混合した。
化ケイ素（ＳｉＣ）粉末１．９モルおよび焼結助剤とし
ての炭化ホウ素（Ｂ、Ｃ） ０．０２２モルおよびカー
ボン（Ｃ） ０．１５モルを混合した。
この混合粉末を溶媒としての有機溶剤およびバインダー
とともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮し所
定の形状に成形し、２６０℃で溶剤を分解した。その後
、２２００℃で４時間Ａｒ雰囲気中にて焼成を行った。
とともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮し所
定の形状に成形し、２６０℃で溶剤を分解した。その後
、２２００℃で４時間Ａｒ雰囲気中にて焼成を行った。
そして焼結体の表面を研磨し、必要寸法のセラミックス
ヒータ試験片を得た。
ヒータ試験片を得た。
この本発明に係る製造方法によるセラミックスヒータ試
験片（最終焼結体）のＴｉＣとＳｉＣの成分割合を分析
した結果、モル比でＴｉＣ ： ＳｉＣ＝２５．６：７
４．４であった。そこで、比較のために、通常の方法に
てほぼ同一組成となるように以下の方法で比較試験片を
作成した。
験片（最終焼結体）のＴｉＣとＳｉＣの成分割合を分析
した結果、モル比でＴｉＣ ： ＳｉＣ＝２５．６：７
４．４であった。そこで、比較のために、通常の方法に
てほぼ同一組成となるように以下の方法で比較試験片を
作成した。
平均粒径０．６μの炭化珪素、平均粒径０．５μの炭化
チタンの所要量を秤量し、炭化珪素７１．２ｍｏ１％、
炭化チタン２４．６ｍｏ１％の組成の混合粉末を調整し
た。なおこの混合粉末には８４Ｇ Ｏ，５ｎ＋ｏ１％、
Ｃ３，７ｍｏ１％の焼結助剤も混合した。この混合粉末
を溶媒としての有機溶剤およびバインダーとともに混合
し、スラリーを形成し、収縮率を考慮して所定の形状に
成形し、２６０℃で有機溶剤を分解し、その後２２００
℃で４時間Ａｒ雰囲気中にて焼成を行った。その後焼結
体の表面を研磨して、必要寸法のセラミックスヒータの
比較試験片を得た。
チタンの所要量を秤量し、炭化珪素７１．２ｍｏ１％、
炭化チタン２４．６ｍｏ１％の組成の混合粉末を調整し
た。なおこの混合粉末には８４Ｇ Ｏ，５ｎ＋ｏ１％、
Ｃ３，７ｍｏ１％の焼結助剤も混合した。この混合粉末
を溶媒としての有機溶剤およびバインダーとともに混合
し、スラリーを形成し、収縮率を考慮して所定の形状に
成形し、２６０℃で有機溶剤を分解し、その後２２００
℃で４時間Ａｒ雰囲気中にて焼成を行った。その後焼結
体の表面を研磨して、必要寸法のセラミックスヒータの
比較試験片を得た。
得られたセラミックスヒータの本発明に係る試験片およ
び比較試験片の特性を調べて第１表に示す結果が得られ
た。
び比較試験片の特性を調べて第１表に示す結果が得られ
た。
第１表
第１表かられかるように、ＴｉＣ−ＳｉＣセラミックス
ヒータの組成は本発明品と比較品とでほぼ同じであるが
、発明品は焼結密度、曲げ強度いずれも、従来の比較品
に較べ向上した。この結果より、本発明法を用いた原料
粉末は、従来品に較べ、より完全な焼結体が得られるこ
とがわかる。さらに、発明品の比抵抗値は、組成がほぼ
同じであるにもかかわらず、従来品よりも減少した。Ｔ
ｉＣ −ＳｉＣ系複合セラミックス（ヒータ）は主とし
てＴｉＣどうしの導電パスにより導電性（比抵抗）を得
ており、ＳＥＭ等による観察結果から、従来法をもちい
たセラミックス焼結晶は原料混合時や焼結時に生じたと
思われるＴｉＣ粒子どうしの凝集が観察されるのに対し
、発明法による焼結体ではＴｉＣの分散性が非常によい
。上記比抵抗値の違いは、この分散性の違いにより、発
明品ではよりスムーズな導電パスが形成された結果であ
ると考えられる。
ヒータの組成は本発明品と比較品とでほぼ同じであるが
、発明品は焼結密度、曲げ強度いずれも、従来の比較品
に較べ向上した。この結果より、本発明法を用いた原料
粉末は、従来品に較べ、より完全な焼結体が得られるこ
とがわかる。さらに、発明品の比抵抗値は、組成がほぼ
同じであるにもかかわらず、従来品よりも減少した。Ｔ
ｉＣ −ＳｉＣ系複合セラミックス（ヒータ）は主とし
てＴｉＣどうしの導電パスにより導電性（比抵抗）を得
ており、ＳＥＭ等による観察結果から、従来法をもちい
たセラミックス焼結晶は原料混合時や焼結時に生じたと
思われるＴｉＣ粒子どうしの凝集が観察されるのに対し
、発明法による焼結体ではＴｉＣの分散性が非常によい
。上記比抵抗値の違いは、この分散性の違いにより、発
明品ではよりスムーズな導電パスが形成された結果であ
ると考えられる。
次に上述した本発明に係る製造方法の途中工程で得られ
た仮焼炭化物に対するＳｉＣ添加割合を変えて、得られ
たセラミックスヒータ試験片（発明品）の比抵抗値を調
べてその結果を第１図に示す。
た仮焼炭化物に対するＳｉＣ添加割合を変えて、得られ
たセラミックスヒータ試験片（発明品）の比抵抗値を調
べてその結果を第１図に示す。
そして、比較のために、組成をほぼ同じにして従来法の
粉末混合から得られたセラミックスヒータ試験片（比較
品）の比抵抗値も調べてその結果を第１図に示す。第１
図かられかるように、一般的にＴｉＣ成分が減少するに
つれ導電パスがつながりにくくなるために、特に比較品
（従来品）では比抵抗の上昇と共にばらつきが非常に太
き（なってしまう、このためｉｏ”３〜１０−ｔΩ−ロ
台の比抵抗を安定して得ることは従来の場合には非常に
困難であった。これに対し第１図のように本発明の製造
方法では、ＴｉＣ成分が少なくても比抵抗値のばらつき
が少いため、工業的生産に適している。
粉末混合から得られたセラミックスヒータ試験片（比較
品）の比抵抗値も調べてその結果を第１図に示す。第１
図かられかるように、一般的にＴｉＣ成分が減少するに
つれ導電パスがつながりにくくなるために、特に比較品
（従来品）では比抵抗の上昇と共にばらつきが非常に太
き（なってしまう、このためｉｏ”３〜１０−ｔΩ−ロ
台の比抵抗を安定して得ることは従来の場合には非常に
困難であった。これに対し第１図のように本発明の製造
方法では、ＴｉＣ成分が少なくても比抵抗値のばらつき
が少いため、工業的生産に適している。
１旌１（ゾル−ゲル法の場合）
テトライソプロポキシチタン（Ｔｉ （ｉｓｏ−ＯＣ３
Ｈｔ） ｅ）１モルと、テトラエトキシシラン（Ｓｉ
（ＯＣ！Ｈｓ） ＊）１モルと、１．２２のエタノール
（ＣｄｌｓＯＨ）とで混合溶液を作成した。この混合溶
液を攪拌しながら、６Ｎの塩酸８０ｃｃを滴下し、加水
分解によってシリカ・チタニアゾル溶液を調整した。こ
れを５０℃でゲル化し、３日間乾燥させた。このように
して得られたシリカ・チタニアゲルを１０００℃のメタ
ン気流中で１０Ｈｒ還元炭化処理を行い、仮焼炭化物を
得た。この仮焼炭化物の粒径は０．０５〜０．３μであ
った。
Ｈｔ） ｅ）１モルと、テトラエトキシシラン（Ｓｉ
（ＯＣ！Ｈｓ） ＊）１モルと、１．２２のエタノール
（ＣｄｌｓＯＨ）とで混合溶液を作成した。この混合溶
液を攪拌しながら、６Ｎの塩酸８０ｃｃを滴下し、加水
分解によってシリカ・チタニアゾル溶液を調整した。こ
れを５０℃でゲル化し、３日間乾燥させた。このように
して得られたシリカ・チタニアゲルを１０００℃のメタ
ン気流中で１０Ｈｒ還元炭化処理を行い、仮焼炭化物を
得た。この仮焼炭化物の粒径は０．０５〜０．３μであ
った。
次に、この仮焼炭化物に、さらに平均粒径０．６μの炭
化ケイ素（ＳｉＣ）粉末１．９モルと、焼結助剤の炭化
ホウ素Ｂ、Ｇ Ｏ，０２２モルおよびカーボン（Ｃ）０
．１５モルとを混合した。
化ケイ素（ＳｉＣ）粉末１．９モルと、焼結助剤の炭化
ホウ素Ｂ、Ｇ Ｏ，０２２モルおよびカーボン（Ｃ）０
．１５モルとを混合した。
この混合粉末を溶媒としての有機溶剤およびバインダー
とともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮し所
定の形状に成形し、２６０℃で溶剤を分解した。その後
、２２００℃で４時間Ａｒ雰囲気中にて焼成を行った。
とともに混合し、スラリーを形成し、収縮率を考慮し所
定の形状に成形し、２６０℃で溶剤を分解した。その後
、２２００℃で４時間Ａｒ雰囲気中にて焼成を行った。
そして焼結体の表面を研磨して必要寸法のセラミックス
ヒータ試験片を得た。
ヒータ試験片を得た。
このようにして得られたセラミックスヒータ試験片（最
終焼結体）のＴｉＣとＳｉＣの成分割合を分析した結果
は、例１の場合とほぼ同様ＴｉＣ ： ５ｔＣ−２５，
５： ７４．５であった。そして、この試験片の特性は
、焼結密度３．５１ｇ／ａ！、三点曲げ強度４５ｋｇ／
ｗｚ、および比抵抗２．６Ｘ１０−’Ω−１であり、例
１での場合の本発明品と同等の良好な焼結体を得ること
ができた。
終焼結体）のＴｉＣとＳｉＣの成分割合を分析した結果
は、例１の場合とほぼ同様ＴｉＣ ： ５ｔＣ−２５，
５： ７４．５であった。そして、この試験片の特性は
、焼結密度３．５１ｇ／ａ！、三点曲げ強度４５ｋｇ／
ｗｚ、および比抵抗２．６Ｘ１０−’Ω−１であり、例
１での場合の本発明品と同等の良好な焼結体を得ること
ができた。
上述したように本発明製造方法によって、ＴｉＣ−Ｓｉ
Ｃの複合導電セラミックス（ヒータ）において導電性の
主体となるＴｉＣ成分を母体側のＳｉＣ成分と共に溶液
原料より共沈あるいはゲル化によって取り出し、これに
ＳｉＣを追加混合することにより、焼結性及び導電成分
（ＴｉＣ）の分散性を向上させることができる。
Ｃの複合導電セラミックス（ヒータ）において導電性の
主体となるＴｉＣ成分を母体側のＳｉＣ成分と共に溶液
原料より共沈あるいはゲル化によって取り出し、これに
ＳｉＣを追加混合することにより、焼結性及び導電成分
（ＴｉＣ）の分散性を向上させることができる。
第１図は、ＴｉＣ−５ｉＣセラミツクスヒータ（焼結体
）のＴｉＣ含有量と比抵抗値との関係を示すグラフであ
る。
）のＴｉＣ含有量と比抵抗値との関係を示すグラフであ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下記工程（ａ）〜（ｅ））： （ａ）Ｔｉを含む溶液とＳｉを含む溶液とを含有する混
合溶液を作る工程； （ｂ）該混合溶液と沈殿形成液とを混合して共沈法で共
沈体を得る工程； （ｃ）得られた共沈体を乾燥後に７００〜１８００℃で
炭化仮焼する工程； （ｄ）前記炭化仮焼による仮焼炭化物と、目的とする比
抵抗値のセラミックス組成となるようにＳｉＣおよび焼
結助剤とを混合する工程；および（ｅ）得られた混合粉
末を成形して１８００〜２３００℃で焼結する工程； からなることを特徴とするＴｉＣ−ＳｉＣ系の非酸化物
セラミックスの製造方法。 ２、前記混合溶液がアルコール溶液又は水溶液であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、下記工程（ａ）〜（ｅ）： （ａ）Ｔｉを含む溶液とＳｉを含む溶液とを含有する混
合溶液を作る工程； （ｂ））該混合溶液からゾル−ゲル法でゲルを得る工程
； （ｃ）得られたゲルを乾燥後に７００〜１８００℃で炭
化仮焼する工程； （ｄ）前記炭化仮焼による仮焼炭化物と、目的とする比
抵抗値のセラミックス組成となるようにＳｉＣおよび焼
結助剤とを混合する工程；および（ｅ）得られた混合粉
末を成形して１８００〜２３００℃で焼結する工程； からなることを特徴とするＴｉＣ−ＳｉＣと系の非酸化
物セラミックスの製造方法。 ４、前記混合溶液がアルコール溶液又は水溶液であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127203A JP2548191B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 非酸化物セラミックスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62127203A JP2548191B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 非酸化物セラミックスの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63291876A true JPS63291876A (ja) | 1988-11-29 |
| JP2548191B2 JP2548191B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=14954265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62127203A Expired - Lifetime JP2548191B2 (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | 非酸化物セラミックスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548191B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02175655A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 複合材料の製造方法および原料組成物 |
| JP2006160554A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Kao Corp | 導電性セラミックス |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54138899A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-27 | Toshiba Corp | Production of silicon nitridg base powder |
| JPS57196770A (en) * | 1981-05-25 | 1982-12-02 | Sumitomo Electric Industries | Silicon carbide member and manufacture |
| JPS6270209A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 易焼結性β−サイアロン質微粉末の製造方法 |
| JPS6270210A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 窒化アルミニウム−炭化けい素複合微粉末の製造法 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP62127203A patent/JP2548191B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54138899A (en) * | 1978-04-21 | 1979-10-27 | Toshiba Corp | Production of silicon nitridg base powder |
| JPS57196770A (en) * | 1981-05-25 | 1982-12-02 | Sumitomo Electric Industries | Silicon carbide member and manufacture |
| JPS6270209A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 易焼結性β−サイアロン質微粉末の製造方法 |
| JPS6270210A (ja) * | 1985-09-24 | 1987-03-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | 窒化アルミニウム−炭化けい素複合微粉末の製造法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02175655A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-06 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 複合材料の製造方法および原料組成物 |
| JP2006160554A (ja) * | 2004-12-06 | 2006-06-22 | Kao Corp | 導電性セラミックス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2548191B2 (ja) | 1996-10-30 |
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