JPS63292146A

JPS63292146A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPS63292146A
Application number: JP62127717A
Authority: JP
Inventors: Hideji Yoshizawa; 吉澤　秀二; Tatsuya Ikesue; 龍哉池末
Original assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Priority date: 1987-05-25
Filing date: 1987-05-25
Publication date: 1988-11-29

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、帯電特性、暗減衰特性、光感度特性及び耐環
境性等が優れ、しかも正負両帯電が可能な電子写真感光
体に関する。

（従来の技術）水素（Ｈ）を含有するアモルファスシリコン（以下、ａ
−Ｓｉ　　二Ｈと略す）は、近年、光電変換材料として
注目されており、太陽電池、薄膜トランジスタ、及びイ
メージセンサ等のほか、電子写真プロセスの感光体に応
用されている。

従来、電子写真感光体の光導電層を構成する材料として
、Ｃｄ　Ｓ、Ｚｎ　Ｏ，Ｓｅ、若しくは５ｅ−Ｔｏ等の
無機材料又はポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ
　　若しくはトリニトロフルオレノン（ＴＮＦ）等の有
機材料が使用されていた。

しかしながら、ａ−３１：Ｈはこれらの無機材料又は有
機材料に比して、無公害物質であるため回収処理の必要
がないこと、可視光領域で高い分光感度を有すること、
並びに表面硬度が高く耐摩耗性及び耐衝撃性が優れてい
ること等の利点を有している。このため、ａ−５ｌ：Ｈ
は電子写真プロセスの感光体として注目されている。

このａ−Ｓｉ：Ｈは、カールソン方式に基づく感光体材
料として検討が進められているが、この場合、感光体特
性として抵抗及び光感度が高いことが要求される。しか
しながら、この両特性を単一の感光体で満足させること
が困難であるため、光導電層と導電性支持体との間に障
壁層を設け、かつ光導電層上に表面電荷保持層を設けた
積層型の構造にすることにより、このような要求を満足
させている。

（発明が解決しようとする問題点）ところで、従来、障壁層としては高抵抗の絶縁性単一層
が用いられているが、このような障壁層では、膜厚が厚
いと光導電層から支持体へ流れるキャリアが障壁層を通
過出来ず、その結果、残留電位が高くなってしまう。一
方、膜厚が薄いと現像バイアスにより絶縁破壊を生じて
しまう。また、障壁層としてｐ型又はｎ型の半導体を用
いた場合には、膜厚が厚いとダングリングボンド等の構
造欠陥にキャリアがトラップされ、残留電位が高くなり
、一方、膜厚が薄い場合には支持体からのキャリアをブ
ロックできず、帯電能が低下してしまう。

一方、二色カラーコピーや、プリンタとコピーとの兼用
使用等の目的のため、正負両帯電が可能な感光体が望ま
れている。このような感光体を非晶質シリコンで形成す
る場合、非晶質シリコンに酸素を添加することや、光導
電層と支持体との間に絶縁層をもうけることが考えられ
る。しかし、前者の場合には、酸素の添加により膜の欠
陥が増大し、感度、残留電位等が悪化してしまう。また
、後者の場合には、絶縁層が厚いとキャリアがトラップ
されて残留電位が上昇してしまい、逆書ヒ薄いと画像の
現像時に絶縁破壊を生じ、好ましくない。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、
帯電能が優れており、残留電位が低く、近赤外領域まで
の広い波長領域に亘って感光が高く、基板との密着性が
良く、耐環境性が優れ、かつ正負両帯電ともに良好な帯
電能を有する電子写真感光体を提供することを目的とす
る。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段）本発明者らは、種々研究を重ねた゛結果、電子写真感光
体の障壁層として超格子構造を用いることにより、上記
目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成するに至
ったものである。

即ち、本発明の電子写真感光体は、導電性支持体と光導
電層と障壁層とを具備する電子写真感光体であって、前
記障壁層は、伝導型を支配する原子を含む半導体膜と、
この半導体膜上に形成され前記半導体膜とは異なる伝導
型の原子を含む半導体薄膜と真性半導体薄膜とを交互に
積層してなる積層体とからなることを特徴とする、正負
両帯電可能な電子写真感光体を提供するものである。

本発明の電子写真感光体において、障壁層を構成する半
導体膜に含まれる伝導型を支配する元素とは、例えば周
期律表第■族又は第■族に属する元素である。これら元
素の含有量は、好ましくは１０−３〜１原子％、より好
ましくは１０４〜１０゛１原子％である。

本発明における半導体膜または半導体薄膜は、ａ−ｓｉ
または微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）により構成するこ
とが出来る。

微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）は、粒径が約数十オング
ストロームの微結晶シリコンと非晶質シリコンとの混合
相により形成されているものと考えられ、以下のような
物性上の特徴を有している。

第一に、Ｘ線回折測定では２θが２８〜２８．５’付近
にある結晶回折パターンを示し、ハローのみが現れる無
定形の°ａ−ｓｉがら明確に区別される。第二に、μＣ
−５ｔの暗抵抗は１０１０Ω・（至）以上に調整するこ
とができ、暗抵抗が１０５Ω”ｃｍのポリクリスタリン
シリコンからも明確に区別される。

本発明で用いる上記μｃ−ｓｉの光学的バンドギャップ
（Ｅｇ＠）は、例えば１．５５ｅ　Ｖとするのが望まし
い。しかし、一定の範囲で任意に設定することができる
。望ましいＥｇｏを得るため夫々に所定量の水素を添加
し、μｃ−Ｓｉ：Ｈとして使用するのが好ましい。これ
により、シリコンのダングリングボンドが補償され、暗
抵抗と明抵抗の調和がとれ、光導電特性が向上する。

（作　用）本発明の電子写真感光体では、障壁層に前記超格子構造
が設けられているため、この領域では発生したキャリア
の寿命が長く、移動度も大きくなる。その理論について
は未だ充分に確立しているとは言えないが、超格子構造
に特徴的な周期的井戸型ポテンシャルによる量子効果で
あることは疑いがなく、これは特に超格子効果といわれ
る。

こうして障壁層でのキャリアの移動度が大きくなり、ま
たキャリアの寿命が長くなることによって電子写真感光
体の感度は著しく向上することになる。

（実施例）第１図は、本発明の一実施例に係る電子写真感光体の断
面構造を示す図である。同図において、導電性支持体１
の上に障壁層２が形成され、その上に光導電層３が形成
されている。また、光導電層３の上に表面層４が形成さ
れている。

以下、第１図に示す電子写真感光体の構成について°、
より詳細に説明する。

導電性支持体１は、通常はアルミニウム製のドラムで構
成される。

障壁層２は、半導体膜５と、この上に形成された二種の
半導体薄膜の超格子構造６とから構成される。半導体膜
５は伝導型を支配する原子、例えば周期律表第■族又は
第Ｖ族に属する原子を含んでいる。周期律表第■族に属
する元素としては、例えば硼素Ｂ１アルミニウムＡノ、
ガリウムＧ　ａ　％インジウムＩｎ、及びタリウムＴノ
等がある。また、周期律表第Ｖ族に属する元素としては
、例えば窒素、燐Ｐ１砒素Ａｓ、アンチモンＳｂ１及び
ビスマスＢ１等がある。超格子構造６を構成する二種の
半導体薄膜のうちの一方は、前記半導体膜とは異なる導
電型の原子を含んでいる。障壁層を構成する半導体膜お
よび半導体薄膜は、μｃ　−Ｓｌ又はａ−８１により構
成することが出来、これらは水素が添加されたもの（μ
ｃ−Ｓ　１　　：　Ｈ５ａ−Ｓｌ　　：Ｈ）とすること
が出来る。障壁層２の膜厚は１００人〜１０μｍが好ま
しい。

上記障壁層２は、導電性支持体１と光導電層３との間の
電荷の流れを抑制することにより感光体表面の電荷保持
機能を高め、感光体の帯電能を高めるために形成される
ものである。従って、半導体層を障壁層に用いてカール
ソン方式の感光体を構成する場合には、表面に帯電させ
た電荷の保持能力を低下させないために、障壁層２をＰ
型またはＮ型とする。即ち、感光体表面を正帯電させる
場合には障壁層２をＰ型とし、表面電荷を中和する電子
が光導電層に注入されるのを防止する。逆に表面を負帯
電させる場合には障壁層２をＮ型とし、表面電荷を中和
するホールが光導電層へ注入されるのを防止する。障壁
層２がら注入されるキャリ°アは光の入射で光導電層３
内に発生するキャリアに対してノイズとなるから、上記
のようにしてキャリアの注入を防止することは感度の向
上をもたらす。

光導電層３は、光の入射によりキャリアを発生し、この
キャリアは、一方の極性のものが感光体表面の帯電電荷
と中和し、他方のものが光導電層３内を走行して導電性
支持体１に到達する。

光導電層３は、μｃ−３ｉ　　：　Ｈｓ　ａ　　ｓｔ　
　：　Ｈにより構成することが出来る。また、光導電層
３は、周期律表第■族又は第Ｖ族に属する原子を含んで
いてもよい。更に、光導電層３は、炭素、酸素および窒
素から選ばれた少なくとも１種が含まれていてもよい。

障壁層２および光導電ｒｆｌＩ３を構成するａ−８ｌ：
Ｈおよびμｃ−３１：Ｈにおける水素の含有量は、０．
０１〜３０原子％が好ましく、１〜２５原子％がより好
ましい。このような水素の含有量により、シリコンのダ
ングリングボンドが補償され、暗抵抗と明抵抗とが調和
のとれたものとなり、光導電特性が向上する。

ａ−３ｉ：Ｈｊｉ）をグロー放電分解法により成膜する
には、原料としてＳｉＨ４及び５１２Ｈ６等のシラン類
ガスを反応室に導入し、高周波によりグロー放電するこ
とにより薄膜中にＨを添加することができる。必要に応
じて、シラン類のキャリアガスとして水素又はヘリウム
ガスを使用することができる。一方、ＳＩ　Ｆ４ガス及
びＳｉ　Ｃ１ａガス等のハロゲン化ケイ素を原料ガスと
して使用することができる。また、シラン類ガスとノ＼
ロゲン化ケイ素ガスとの混合ガスで反応させても、同様
にＨを含有するａ−Ｓｔ：Ｈを成膜することができる。

なお、グロー放電分解法によらず、例えば、スパッタリ
ング等の物理的な方法によってもこれ等の薄膜を形成す
ることができる。

ｐｃ−５ｉｌｌも、ａ−８ｉ：Ｈと同様に、高周波グロ
ー放電分解法により、シランガスを原料として、成膜す
ることができる。この場合に、支持体の温度をａ−３ｉ
：Ｈを形成する場合よりも高く設定し、高周波電力もａ
−Ｓｌ：Ｈの場合よりも高く設定すると、μｃ−Ｓｌ：
Ｈを形成しやすくなる。また、支持体温度及び高周波電
力を高くすることにより、シランガスなどの原料ガスの
流量を増大させることができ、その結果、成膜速度を早
くすることができる。また、原料ガスのＳｉＨ４及びＳ
ｉ２Ｈ６等の高次のシランガスを水素で希釈したガスを
使用することにより、μＣ−５ｔ　　：Ｈを一層高効率
で形成することができる。

μｃ−Ｓｔ　：Ｈ及びａ−８１：Ｈをｐ型にするために
は、周期律表の第■族に属する元素、例えば、ホウ素Ｂ
１アルミニウムｌ／、ガリウムＧａ、インジウムＩｎｓ
及びタリウムＴノ等をドーピングすることが好ましく、
μｃ−３ｉ：Ｈ及びａ　−Ｓｉ：Ｈをｎ型にするために
は、周期律表の第Ｖ族に属する元素、例えば、窒素Ｎ１
リンＰ、ヒ素ＡｓｓアンチモンＳｂ、及びビスマス８１
等をドーピングすることが好ましい。このｐ型不純物又
はｎ型不純物のドーピングにより、支持体側から光導電
層へ電荷が移動することが防止される。一方、μｃ−８
ｉ　　：Ｈ及びａ−８Ｉ：Ｈに、炭素Ｃ１窒素Ｎ及び酸
素Ｏから選択された少なくとも１種の元素を含有させる
ことにより、高抵抗とし、表面電荷保持能力を増大させ
ることができる。

光導電層３の上に表面層４が設けられている。

光導電層３を構成するμｃ−８ｉ：Ｈ等は、その屈折率
が３乃至３．４と比較的大きいため、表面での光反射が
起きやすい。このような光反射が生じると、光導電層に
吸収される光量の割合いが低下し、光損失が大きくなる
。このため、表面層４を設けて反射を防止することカ（
好ましい。また、表面層４を設けることにより、光導電
層が損傷から保護される。さらに、表面層を形成するこ
とにより、帯電能が向上し、表面に電荷がよくのるよう
になる。表面層を形成する材料としては、ａ　−８Ｉ　
Ｎ：Ｈ，ａ−Ｓｔ　Ｏ：Ｈ，及びａ−８ＩＣ；Ｈ等の無
機化合物並びにポリ塩化ビニル及びポリアミド等の有機
材料がある。

このように構成される電子写真感光体の表面を、コロナ
放電により約５００ｖの正電圧で帯電させると、ポテン
シャルバリアが形成される。この感光体に光（ｈν）が
入射すると、光導電層３において電子と正孔のキャリア
が発生する。この伝導帯の電子は、感光体中の電界によ
り、表面層４側に向けて加速され、正孔は導電性支持体
１側に向けて加速される。この場合に、従来の高抵抗の
絶縁性単一層からなる障壁層を用いると、前述のように
、膜厚が厚いと光導電層から支持体へ流れるキャリアが
障壁層を通過出来ず、その結果、残留電位が高くなって
しまう。一方、膜厚が薄いと現像バイアスにより絶縁破
壊を生じてしまう。また、障壁層としてｐ型又はｎ型の
半導体を用いた場合には、膜厚が厚いとダングリングボ
ンド等の構造欠陥にキャリアがトラップされ、残留電位
が高くなり、一方、膜厚が薄い場合には支持体からのキ
ャリアをブロックできず、帯電能が低下してしまう。こ
れに対し、本発明の感光体のように、障壁層を超格子構
造とすると、ポテンシャルの井戸層においては、量子効
果のために、超格子構造でない単一層の場合に比して、
キャリアの寿命が５乃至１０倍と長い。更に、超格子構
造においては、バンドギャップの不連続性により、周期
的なバリア層が形成されるが、キャリアはトンネル効果
で容易にバイアス層を通り抜けるので、キャリアの実効
移動度はバルクにおける移動度と同様であり、キャリア
の走行性が優れている。

以上のごとく、光学的バンドギャップが相違する薄膜を
積層した超格子構造によれば、高光導電特性を得ること
ができ、従来の感光体よりも鮮明な画像を得ることがで
きる。

以下に第２図を参照し、上記実施例の電子写真感光体を
グロー放電法により製造する装置、並びに製造方法を説
明する。同図において、ガスボンベ２１，２２．２３．
２４には、例えば、夫々ＳＩ　Ｈ４，Ｂ２Ｈ６，Ｈ２，
ＣＨ４等の原料ガスが収容されている。これらガスボン
ベ内のガスは、流量調整用のバルブ２６及び配管２７を
介して混合器２８に供給されるようになっている。各ボ
ンベには圧力計２５が設置されており、該圧力計２５を
監視しつつバルブ２６を調整することにより混合器２８
に供給する各原料ガスの流量及び混合比を調節できる。

混合器２８にて混合されたガスは反応容器２９に供給さ
れる。反応容器２９の底部３１には、回転軸３０が鉛直
方向の回りに回−転回能に取付けられている。該回転軸
３０の上端に、円板状の支持台３２が七の面を回転軸３
０に垂直にして固定されている。反応容器２９内には、
円筒状の電極３３がその軸中心を回転軸３０の軸中心と
一致させて底部３１上に設置されている。

感光体のドラム基体３４が支持台３２上にその軸中心を
回転軸３０の軸中心と一致させて載置されており、この
ドラム基体３４の内側にはドラム基体加熱用のヒータ３
５が配設されている。電極３３とドラム基体３４との間
には高周波電源３６が接続されており、電極３３および
ドラム基体３４間に高周波電流が供給されるようになっ
ている。回転軸３０はモータ３８により回転駆動される
。反応容器２９内の圧力は圧力計３７により監視され、
反応容器２９はゲートバルブ３８を介して真空ポンプ等
の適宜の排気手段に連結されている。

上記製造装置により感光体を製造する場合には、反応容
器２９内にドラム基体３４を設置した後、ゲートバルブ
３９を開にして反応容器２９内を約０．１　ｏｒｒの圧
力以下に排気する。次いで、ボンベ２１．２２，２３．
２４から所要の反応ガスを所定の混合比で混合して反応
容器２９内に導入する。

この場合に、反応容器２９内に導入するガス流量は反応
容器２９内の圧力が０．１乃至１．Ｏｏｒｒになるよう
に設定する。次いで、モータ３８を作動させてドラム基
体３４を回転させ、ヒータ３５によりドラム基体３４を
一定温度に加熱すると共に、高周波電源３６により電極
３３とドラム基体３４との間に高周波電流を供給して、
両者間にグロー放電を形成する。これにより、ドラム基
体３４上にａ−３ｉ：Ｈが堆積する。なお、原料ガス中
にＮ２０．ＮＨ３，Ｎｏ２．Ｎ２．ＣＨ４。

Ｃ２Ｈ４，０２ガス等を使用することにより、これらの
元素をａ−Ｓｔ：Ｈ中に含有させることができる。

このように、この発明に係る電子写真感光体は、クロー
ズドシステムの製造装置で製造することができるため、
人体に対して安全である。

次に、この発明に係る電子写真感光体を成膜し、電子写
真特性を試験した結果について説明する。

試験例１必要に応じて、干渉防止のために、酸処理、アルカリ処
理及びサンドブラスト処理を施した直径が８０ｍ＋ｓ、
幅が３５０　ｍｍのアルミニウム製ドラム基体を反応容
器内に装着し、反応容器を約１０−５トルの真空度に排
気した。ドラム基体を２５０℃に加熱し、１０ｒｐｍで
自転させつつ、５ＩＨ４ガスを５００８ＣＣＭ％ＰＨ３
ガスをＳｉＨ４ガスに対する流量比で１０４という流量
で反応容器内に導入し、反応容器内の圧力を０．８Ｔｏ
ｒｒに調節した。そして、１３．５８　Ｍ　Ｈｚの高周
波電力を印加してプラズマを生起させ、ドラム基体上に
１５００人のｎ型ａ−３ｌ膜を形成した。

次に、ＰＨ３ガスの流量を０とし、５０人のｉ型ａ−Ｓ
ｌ薄膜を形成した。次いで、Ｂ２　Ｈ６ガスを５ＩＨ４
ガス流量に対して５ｘｌＯ’という流量比で導入し、５
０人のｐ型ａ−８ｌ薄膜を形成した。このような薄膜形
成操作を繰返して、２００ＯＡの障壁層を形成した。

次に、Ｂ２Ｈ６ガスをＳｉＨ４ガス流量に対して１ｘ１
０′６という流量比で導入し、３０μｍの光導電層を形
成した。

最後に、ａ−Ｓｉ：Ｈからなる０、５μｍの表面層を形
成した。

このようにして形成した感光体表面を約５００Ｖで正帯
電し、白色光を露光すると、この光は電荷発生層で吸収
され、電子正孔対のキャリアが発生する。この試験例に
おいては、多数のキャリアが発生し、キャリアの寿命が
高く、高い走行性が得られた。これにより、鮮明で高品
質の画像が得られ力。また、この試験例で製造された感
光体を、繰返し帯電させたところ、転写画像の再現性及
び安定性は極めて良好であり、更に、耐コロナ性、耐湿
性、及び耐磨耗性等の耐久性が優れていることが実証さ
れた。

試験例２障壁層を構成するｎ型ａ−８ＩＨ膜の代わりにｐ型ａ−
３１膜を形成したことを除いて、実施例１と同様にして
電子写真感光体を形成した。

この感光体を用いて、試験例１と同様にして画像を形成
したところ、鮮明で高品質の画像が得られた。

試験例３１型ａ−Ｓｌ薄膜の成膜の際に、５０ＳＣＣＭのＣＨ４
ガスを流してａ−８ｉＣ薄膜（炭素濃度：４原子％）を
形成したことを除き、試験例１と同様にして電子写真感
光体を製造した。

試験例４障壁層を構成するｉ型ａ−８１薄膜の代わりにμｃ−Ｓ
ｉ薄膜（結晶化度ニア０％）を形成したことを除き、試
験例１と同様にして電子写真感光体を製造した。μｃ−
Ｓｌ薄膜は、ＳｉＨ４ガスおよびＨ２ガスの流量をそれ
ぞれ３０ＳＣＣＭ。

６００ＳＣＣＭとし、１ｋＷの高周波電力を印加するこ
とにより形成した。

試験例５ μＣ−５ｔ薄膜の形成に際し、２８ＣＣＭのＣＨ，ガス
を流してμｃ−９Ｉ　Ｃ薄膜を形成したことを除き、試
験例４と同様にして電子写真感光体を製造した。

試験例６障壁層を構成するｐ型ａ−８ｔ薄膜の代わりにｐ型μｃ
−８１薄膜を形成したことを除き、試験例４と同様にし
て電子写真感光体を製造した。

ｐｃ−８１薄膜は、ＳｉＨ４ガスの流量を３゜ＳＣＣＭ
、Ｈ２ガＸ（７）流量を９００ＳＣＣＭ。

Ｂ２Ｏ３ガスの流量をＳｉＨ４ガスの流量に対する流量
比で１０りとし、１ｋＷの高周波電力を印加することに
より形成した。

試験例７障壁層を構成するｎ型ａ−８ｔ膜の代わりにｎ型μｃ−
８ｌ膜を形成したことを除き、試験例７と同様にして電
子写真感光体を製造した。μＣ−８１膜は、５ＩＨ４ガ
スの流量を３０ＳＣＣＭ。

Ｈ２ガスの流量を９００　Ｓ　ＣＣＭ、　Ｂ２０３ガス
の流量をＳｉＨ４ガスの流量に対する流量比で５ｘｌＯ
°３とし、１ｋＷの高周波電力を印加することにより形
成した。

以上、障壁層の超格子構造を２種類の薄膜により構成し
た試験例について説明したが、それに限らず、３種類以
上の薄膜を積層してもよく、要するに、光学的バンドギ
ャップが相違する薄膜の境界を形成すれば良い。

［発明の効果］本発明によれば、障壁層に、光学的バンドギャップが相
互に異なる薄膜を積層して構成される超格子構造を使用
するため、キャリアの走行性が高いと共に、膜厚を厚く
してもキャリアの移動度や寿命が落ちることがない、正
負両帯電ともに良好な帯電能を有する感光体が得られる
。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の実施例に係る電子写真感光体を示す
断面図、第２図はこの発明の実施例に係る電子写真感光
体の製造装置を示す図である。１：導電性支持体、２：障壁層、３：光導電層、４：表
面層。

Claims

【特許請求の範囲】（１）導電性支持体と光導電層と障壁層とを具備する電
子写真感光体において、前記障壁層は、伝導型を支配す
る原子を含む半導体膜と、この半導体膜上に形成され前
記半導体膜とは異なる伝導型の原子を含む半導体薄膜と
真性半導体薄膜とを交互に積層してなる積層体とからな
ることを特徴とする、正負両帯電可能な電子写真感光体
。（２）前記障壁層は、非晶質シリコンおよび／または少
なくとも一部が微結晶化した半導体からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。（３）前記薄膜の膜厚は、３０〜５００Åであることを
特徴とする特許請求の範囲第１または２項記載の電子写
真感光体。（４）前記障壁層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に属
する元素から選択された少なくとも一種を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第１〜３項のうちのいずれか１
項記載の電子写真感光体。（５）前記光導電層は、非晶質材料および／または少な
くとも一部が微結晶した半導体材料からなることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。（６）前記光導電層は、周期律表第III族又は第Ｖ族に
属する元素から選択された少なくとも一種を含むことを
特徴とする特許請求の範囲第１または５項記載の電子写
真感光体。（７）前記光導電層は、炭素、酸素および窒
素からなる群から選択された元素の少なくとも一種を含
むことを特徴とする特許請求の範囲第１〜６項のうちの
いずれか１項記載の電子写真感光体。（８）前記光導電層の上に表面層を有することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。