JPS6329529A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6329529A JPS6329529A JP61171549A JP17154986A JPS6329529A JP S6329529 A JPS6329529 A JP S6329529A JP 61171549 A JP61171549 A JP 61171549A JP 17154986 A JP17154986 A JP 17154986A JP S6329529 A JPS6329529 A JP S6329529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- semiconductor chip
- tin
- gold
- tab lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体チップをテープ・オートメーテッド・
ボンディング方式で塔載する半導体ＬＪ［に関し、特に
、テープ・オートメーテッド・ボンディング（以下、単
に、ＴＡＢという）技術に関するものである。
ボンディング方式で塔載する半導体ＬＪ［に関し、特に
、テープ・オートメーテッド・ボンディング（以下、単
に、ＴＡＢという）技術に関するものである。
半導体チップをＴＡＢ方式で塔載する半導体装置は、例
えば、ポリイミド等がら成るテープ本体に銅（Ｃｕ）か
らなるＴＡＢ用リードを蒸着して、このＴＡＢ用リード
に錫（Ｓｎ）等のメッキを施し、これに金（Ａｕ）バン
プをもった半導体チップを金・Ｕ（Ａｕ−Ｓｎ）共晶接
合ボンディングを行うことによって構成される。
えば、ポリイミド等がら成るテープ本体に銅（Ｃｕ）か
らなるＴＡＢ用リードを蒸着して、このＴＡＢ用リード
に錫（Ｓｎ）等のメッキを施し、これに金（Ａｕ）バン
プをもった半導体チップを金・Ｕ（Ａｕ−Ｓｎ）共晶接
合ボンディングを行うことによって構成される。
なお、かかる技術については、（株）オーム社、昭和５
６年６月３０日発行、「半導体ハンドブック（第２版）
ＪＰ３３０〜３３１に記載されている。
６年６月３０日発行、「半導体ハンドブック（第２版）
ＪＰ３３０〜３３１に記載されている。
しかし、この手法では、前記金バンプの厚さを２０〜２
５μｍにしなければならないので、コストが高（なると
いう問題があった。
５μｍにしなければならないので、コストが高（なると
いう問題があった。
そこで、第３図に示すように、前記ＴＡＢ用リード１の
半導体チップとの接合部ＩＡを凸状に形成し、その接合
部ＩＡに厚さ数μｍの金メッキ２を施し、この部分と半
導体チップ３のアルミニウム（Ａ１）からなる電極３Ａ
とを接触させて熱圧着し、金・アルミニウム（Ａｕ−Ａ
ｌ）熱圧着接合を行う技術が提案されている。
半導体チップとの接合部ＩＡを凸状に形成し、その接合
部ＩＡに厚さ数μｍの金メッキ２を施し、この部分と半
導体チップ３のアルミニウム（Ａ１）からなる電極３Ａ
とを接触させて熱圧着し、金・アルミニウム（Ａｕ−Ａ
ｌ）熱圧着接合を行う技術が提案されている。
なお、第３図において、４はＴＡＢ用テープ本体、５は
パッシベーション膜である。
パッシベーション膜である。
しかしながら、かかる技術を検討した結果１次のような
問題点を見出した。
問題点を見出した。
（１）金・アルミニウム（Ａｕ−Ａｌ）熱圧着接合方法
であるため、熱圧着接合に要する加重が太き（なり、か
つ加熱温度が高くなるため、半導体チタン３にダメジを
与えるおそれがある。
であるため、熱圧着接合に要する加重が太き（なり、か
つ加熱温度が高くなるため、半導体チタン３にダメジを
与えるおそれがある。
（２）半導体チップ３上のアルミニウム電ｉ３Ａが直接
露出しているため、水分が浸入して腐食するおそれがあ
る４ 本発明の目的は、半導体装置の信頼性を向上することが
できる技術を提供することにある。
露出しているため、水分が浸入して腐食するおそれがあ
る４ 本発明の目的は、半導体装置の信頼性を向上することが
できる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、ＴＡＢリードの表面に錫（Ｓｎ）
メッキを施し、半導体チップ上のアルミニウム電極に金
（Ａｕ）層を被覆し、金・錫（Ａｕ−Ｓｎ）溶融接合を
可能にし、ボンディング時の加重及び加熱温度を低減す
ることができる技術を提供することにある。
メッキを施し、半導体チップ上のアルミニウム電極に金
（Ａｕ）層を被覆し、金・錫（Ａｕ−Ｓｎ）溶融接合を
可能にし、ボンディング時の加重及び加熱温度を低減す
ることができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は１本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
半導体チップをＴＡＢ方式で塔載した半導体装置におい
て、半導体チップのアルミニウム（Ａ１）電極の表面を
耐腐食性の金（Ａｕ）層で被覆し、ＴＡＢ用リードの表
面の少なくとも半導体チップとの接合部にｕ（Ｓｎ）メ
ッキを施し、前記半導体チップのアルミニウム（ＡＩ）
ｍ極とＴＡＢ用リードとを金・！！１（Ａｕ−３ｎ）溶
融接合によって電気的に接続したものである。
て、半導体チップのアルミニウム（Ａ１）電極の表面を
耐腐食性の金（Ａｕ）層で被覆し、ＴＡＢ用リードの表
面の少なくとも半導体チップとの接合部にｕ（Ｓｎ）メ
ッキを施し、前記半導体チップのアルミニウム（ＡＩ）
ｍ極とＴＡＢ用リードとを金・！！１（Ａｕ−３ｎ）溶
融接合によって電気的に接続したものである。
前記手段によれば、半導体チップのアルミニウム（Ａ１
）電極の表面を耐腐食性の金（Ａ ｕ ）層で被覆し、
Ｔ Ａ Ｂ用リードの表面の少なくとも接合部に！！！
（Ｓｎ）メッキを施し、前記半導体チップのアルミニウ
ム（Ａｔ）ｆｍ極上の金（Ａｕ）層とＴＡＢ用リードと
を金・ｕ（Ａｕ−３口）の溶融接合によって電気的に接
続することにより、ボンディング時の加重及び加熱温度
を低減することができる。
）電極の表面を耐腐食性の金（Ａ ｕ ）層で被覆し、
Ｔ Ａ Ｂ用リードの表面の少なくとも接合部に！！！
（Ｓｎ）メッキを施し、前記半導体チップのアルミニウ
ム（Ａｔ）ｆｍ極上の金（Ａｕ）層とＴＡＢ用リードと
を金・ｕ（Ａｕ−３口）の溶融接合によって電気的に接
続することにより、ボンディング時の加重及び加熱温度
を低減することができる。
また、半導体チップの電極の表面を耐腐食性の金（Ａ
ｕ ）層で被覆することにより、水分が浸入してアルミ
ニウム（Ａｌ）ｆｉｔ４の腐食を防止することができる
ので、半導体装置の信頼性を向上することができる。
ｕ ）層で被覆することにより、水分が浸入してアルミ
ニウム（Ａｌ）ｆｉｔ４の腐食を防止することができる
ので、半導体装置の信頼性を向上することができる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
第１図は、本発明の一実施例のＴＡＢ方式半導体装置の
概略構成を示す断面図、 第２図は、第１図の０印で囲んだ部分の要部の拡大図で
ある。
概略構成を示す断面図、 第２図は、第１図の０印で囲んだ部分の要部の拡大図で
ある。
本実施例のＴＡＢ方式半導体装置は、第１図及び第２図
に示すように、シリコン等の半導体チップ１１のアルミ
ニウム（Ａｌ）電極１２の表面に、バリア層１５を介し
て耐腐食性の金（Ａ ｕ ）層１３を蒸着等により被覆
する。１４はパッシベーション膜、１５はチタン（Ｔｉ
）等からなるバリア層である。
に示すように、シリコン等の半導体チップ１１のアルミ
ニウム（Ａｌ）電極１２の表面に、バリア層１５を介し
て耐腐食性の金（Ａ ｕ ）層１３を蒸着等により被覆
する。１４はパッシベーション膜、１５はチタン（Ｔｉ
）等からなるバリア層である。
次に、例えば、ポリイミド等から成るＴＡＢ用テープ本
体１６に銅（Ｃｕ ）からなるＴＡＢ用り−ド１７を蒸
着する。この時、ＴＡＢ用リード１７の半導体チップ１
１との接合部１７ Ａを凸状に形成し、ＴＡＢ用リード
１７の表面の少なくとも前記接合部１７Ａの部分に錫（
Ｓｎ）メッキ１８を施す。
体１６に銅（Ｃｕ ）からなるＴＡＢ用り−ド１７を蒸
着する。この時、ＴＡＢ用リード１７の半導体チップ１
１との接合部１７ Ａを凸状に形成し、ＴＡＢ用リード
１７の表面の少なくとも前記接合部１７Ａの部分に錫（
Ｓｎ）メッキ１８を施す。
次に、前記半導体チップ１１のアルミニウム（Ａ１）？
ｔ！ｔｉ１２上の金（Ａ ｕ ）層１３とＴＡＢ用リー
ド１７の接合部１７Ａとを接触させて熱圧着し、金・錫
（Ａｕ−Ｓｎ）溶融接合によって電気的に接続し、レジ
ン等の封止材１９で封止したものである。
ｔ！ｔｉ１２上の金（Ａ ｕ ）層１３とＴＡＢ用リー
ド１７の接合部１７Ａとを接触させて熱圧着し、金・錫
（Ａｕ−Ｓｎ）溶融接合によって電気的に接続し、レジ
ン等の封止材１９で封止したものである。
このように構成することにより、半導体チップ１１のア
ルミニウム（Ａｌ）電極１２上の金（Ａ ｕ ）層１３
とＴＡＢ用リード１７の接合部１７Ａとを接触させて熱
圧着し、金・錫（Ａｕ−３ｎ）溶融接合によって電気的
に接続する時（いわゆるボンディング時）の加重及び加
熱温度を低減することができる。
ルミニウム（Ａｌ）電極１２上の金（Ａ ｕ ）層１３
とＴＡＢ用リード１７の接合部１７Ａとを接触させて熱
圧着し、金・錫（Ａｕ−３ｎ）溶融接合によって電気的
に接続する時（いわゆるボンディング時）の加重及び加
熱温度を低減することができる。
また、半導体チップ１１のアルミニウム（Ａｌ）電極１
２の表面を耐腐食性の金（Ａ ｕ層）１３で被覆するこ
とにより、水分が浸入してアルミニウム（Ａ１）電極１
２の腐食を防止することができるので、半導体装置の信
頼性を向上することができる。
２の表面を耐腐食性の金（Ａ ｕ層）１３で被覆するこ
とにより、水分が浸入してアルミニウム（Ａ１）電極１
２の腐食を防止することができるので、半導体装置の信
頼性を向上することができる。
以上、本発明を実施例にもとすき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
（１）半導体チップの電極の表面を耐腐食性の金（Ａｕ
）層で被覆し、ＴＡＢ用リードの表面の少なくとも接合
部に錫（Ｓｎ）メッキを施し、前記半導体チップの電極
部とＴＡＢ用リードとを金・５ＪＡ（Ａｕ−３ｎ）の溶
融接合によって電気的に接続することにより、ボンディ
ング時の加重及び加熱温度を低減することができる。
）層で被覆し、ＴＡＢ用リードの表面の少なくとも接合
部に錫（Ｓｎ）メッキを施し、前記半導体チップの電極
部とＴＡＢ用リードとを金・５ＪＡ（Ａｕ−３ｎ）の溶
融接合によって電気的に接続することにより、ボンディ
ング時の加重及び加熱温度を低減することができる。
（２）半導体チップの電極の表面を耐腐食性の金（Ａ
ｕ ）層で被覆することにより、水分が浸入して前記半
導体チップの電極の腐食を防止することができるので、
半導体装置の信頼性を向上することができる。
ｕ ）層で被覆することにより、水分が浸入して前記半
導体チップの電極の腐食を防止することができるので、
半導体装置の信頼性を向上することができる。
第１図は、本発明の一実施例のＴＡＢ方弐半導体装置の
概略構成を示す断面図。 第２図は、第１図の○印で囲んだ部分の要部の拡大図、 第３図は、従来のＴＡＢ方式半導体装置の問題点を説明
するためのものである。 図中、１１・・・半導体チップ、１２・・・アルミニウ
ム電極、１３・・・金（Ａｕ）Ｍ、１４・・・パンシベ
ーション膜、１５・バリア層、１６・・・ＴＡＢ用テー
プ本体、１７・・ＴＡＢ用リード、１７Ａ・・・ＴＡＢ
用リードの接合部、１８・・錫（Ｓｎ）メッキ、１９・
・封止材である。 （ご 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
概略構成を示す断面図。 第２図は、第１図の○印で囲んだ部分の要部の拡大図、 第３図は、従来のＴＡＢ方式半導体装置の問題点を説明
するためのものである。 図中、１１・・・半導体チップ、１２・・・アルミニウ
ム電極、１３・・・金（Ａｕ）Ｍ、１４・・・パンシベ
ーション膜、１５・バリア層、１６・・・ＴＡＢ用テー
プ本体、１７・・ＴＡＢ用リード、１７Ａ・・・ＴＡＢ
用リードの接合部、１８・・錫（Ｓｎ）メッキ、１９・
・封止材である。 （ご 第 １ 図 第 ２ 図 第 ３ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップをテープ・オートメーテッド・ボンデ
ィング方式で塔載した半導体装置において、半導体チッ
プの電極の上を耐腐食性の金層で被覆し、テープ・オー
トメーテッド・ボンディング用リードの表面の少なくと
も半導体チップとの接合部に錫メッキを施し、前記半導
体チップの電極とテープ・オートメーテッド・ボンディ
ング用リードとを金・錫の溶融接合によって電気的に接
続したことを特徴とする半導体装置。 ２、前記半導体チップの電極は、アルミニウムからなる
ことを特徴する特許請求の範囲第１項に記載の半導体装
置。 ３、前記テープ・オートメーテッド・ボンディング用リ
ードの半導体チップとの接合部を凸状に形成したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171549A JPS6329529A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61171549A JPS6329529A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6329529A true JPS6329529A (ja) | 1988-02-08 |
Family
ID=15925187
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61171549A Pending JPS6329529A (ja) | 1986-07-23 | 1986-07-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6329529A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5102472A (en) * | 1989-10-02 | 1992-04-07 | Armco Steel Company, L.P. | Cold reduced non-aging deep drawing steel and method for producing |
| JPH0477822U (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-07 |
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61171549A patent/JPS6329529A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5102472A (en) * | 1989-10-02 | 1992-04-07 | Armco Steel Company, L.P. | Cold reduced non-aging deep drawing steel and method for producing |
| JPH0477822U (ja) * | 1990-11-20 | 1992-07-07 |
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