JPS63295428A - ＹｂＧａＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 - Google Patents
ＹｂＧａＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法Info
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- JPS63295428A JPS63295428A JP12907087A JP12907087A JPS63295428A JP S63295428 A JPS63295428 A JP S63295428A JP 12907087 A JP12907087 A JP 12907087A JP 12907087 A JP12907087 A JP 12907087A JP S63295428 A JPS63295428 A JP S63295428A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G15/00—Compounds of gallium, indium or thallium
- C01G15/006—Compounds containing gallium, indium or thallium, with or without oxygen or hydrogen, and containing two or more other elements
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒材料として有
用な新規化合物であるＹｂにａＺｎ９Ｏ，１で示される
大方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
用な新規化合物であるＹｂにａＺｎ９Ｏ，１で示される
大方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法に
関する。
従来技術
従来、（Ｙｂ”Ｆｅ”６１）６Ｆａ”６（ｎは整数を示
す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
す）で示される大方晶系の層状構造を有する化合物は本
出願人によって合成され知られている。
マｂＦｅ２６４． Ｙｂ１Ｆｅ＠Ｑｔ、 Ｙｂ３Ｆｅ４
Ｑ１６及びＹｂａＦｅ５（５１３の六方晶系としての格
子定数、Ｙｂｅｌ、 ｅ５層、 Ｆｅ６１．５層ｐ Ｆ
ｅ ２０ ＊ ＃ ５層の単位格子内における暦数を
示すと表−１の通りである。
Ｑ１６及びＹｂａＦｅ５（５１３の六方晶系としての格
子定数、Ｙｂｅｌ、 ｅ５層、 Ｆｅ６１．５層ｐ Ｆ
ｅ ２０ ＊ ＃ ５層の単位格子内における暦数を
示すと表−１の通りである。
これらの化合物は酸化鉄（Ｆｅ６） １モルに対して、
ＹｂＦｅ０．がｎモルの割合で化合していると考えられ
る層状構造を持つ化合物である。
ＹｂＦｅ０．がｎモルの割合で化合していると考えられ
る層状構造を持つ化合物である。
発明の目的
本発明は（ＹｂＦｅＱ、）＃Ｆｅｅｌの化学式において
、ｎ＝ｌ／、に相当しＦｅ”の代わりにＧａ”をＦｅ”
の代わりにＺｎ”を置きかえて得られる新規な化合物を
提供するにある。
、ｎ＝ｌ／、に相当しＦｅ”の代わりにＧａ”をＦｅ”
の代わりにＺｎ”を置きかえて得られる新規な化合物を
提供するにある。
発明の構成
本発明のＹｂＧａＺｎ９Ｏ，２で示される化合物は、イ
オン結晶モデルでは、Ｙｂ”（Ｇａ”Ｚｎ’°）Ｚｒｌ
＊”５＋ｉ”−として記載され、その構造はＹｂ６．
、、層、 （Ｇａ”Ｚｎ’Ｌ″）ｏ２−ｓ層およびＺ
ｎＯ１層の積層によって形成されており、著しい構造異
方性を持っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ”
のＩ／、はＧａ”と共に（Ｇａ”、Ｚｎ”）６１．５層
を作り、残りの＄／、はＺｎＯ層を作っている。六方晶
系としての格子定数は次の通りである。
オン結晶モデルでは、Ｙｂ”（Ｇａ”Ｚｎ’°）Ｚｒｌ
＊”５＋ｉ”−として記載され、その構造はＹｂ６．
、、層、 （Ｇａ”Ｚｎ’Ｌ″）ｏ２−ｓ層およびＺ
ｎＯ１層の積層によって形成されており、著しい構造異
方性を持っていることがその特徴の一つである。Ｚｎ”
のＩ／、はＧａ”と共に（Ｇａ”、Ｚｎ”）６１．５層
を作り、残りの＄／、はＺｎＯ層を作っている。六方晶
系としての格子定数は次の通りである。
Ｂ＝３，２９６±０．００１（Ａ）
ｃ＝８７．６６±０．０１ （Ａ）
この化合物の面指数（ｈ ｋ ｔ Ｌ面間隔（ｄ（Ａ）
）（ｃｔｏは実測値ｔ ｄＣは計算値を示す）およびＸ
線に対する相対反射強度（■ ％）を示すと表−２の通
りである。
）（ｃｔｏは実測値ｔ ｄＣは計算値を示す）およびＸ
線に対する相対反射強度（■ ％）を示すと表−２の通
りである。
この化合物は光機能材料、半導体材料および触媒材料等
に有用なものである。
に有用なものである。
表 −２
この化合物は次の方法によって製造し得られる。
金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウムもしく
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解されろ化
合物と、Ｙｂ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対９の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することによって製造し得ら
れる。
は加熱により酸化イッテルビウムに分解される化合物と
、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱によ
り酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛あるい
は酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解されろ化
合物と、Ｙｂ、 ＧａおよびＺｎの割合が原子比で１対
１対９の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の温度
で、大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＧａが
各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元さ
れない還元雰囲気中で加熱することによって製造し得ら
れる。
本発明に用いる出発物質は市販のものをそのまま使用し
てもよいが、化学反応を速やかに進行させろためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
てもよいが、化学反応を速やかに進行させろためには粒
径が小さい方がよく、特に１０μｍ以下であることが好
ましい。
また、光機能材料、半導体材料として用いる場合には不
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
純物の混入をきらうので、純度の高いことが好ましい。
出発物質が加熱により金属酸化物を得る化合物としては
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
、それぞれの金属の水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げ
られる。
原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセトン等と
共に充分に混合する。
共に充分に混合する。
原料の混合割合は、Ｙｂ、 Ｇａ、及びＺｎの割合が原
子比で１対１対９の割合であることが必要である。これ
をはずすと目的とする化合物の単−相を得ることができ
ない。
子比で１対１対９の割合であることが必要である。これ
をはずすと目的とする化合物の単−相を得ることができ
ない。
この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよ
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
びＧａが各々３価イオン状態、 Ｚｎが各々２価イオン
状態から還元されない還元雰囲気中で６００℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上である。加
熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終了後急冷する
か、あるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られたＹｂＧａＺｎ９Ｏ１２化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ、＠回折法によって結晶構造を有することが
分かった。その結晶構造は層状構造であり、Ｙｂ６．、
、層ｐ （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏ，−ｓ層、およびＺｎｅ１
層の積重ねによって形成されていることが分かった。
り、粉末Ｘ、＠回折法によって結晶構造を有することが
分かった。その結晶構造は層状構造であり、Ｙｂ６．、
、層ｐ （Ｇａ、 Ｚｎ）Ｏ，−ｓ層、およびＺｎｅ１
層の積重ねによって形成されていることが分かった。
実施例
純度９９．９９％以上の酸化イッテルビウム（Ｙｂ２Ｑ
３）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｉ
Ｏｓ）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ口）粉末をモル
比で１対１対１８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、４
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。
３）粉末、純度９９．９％以上の酸化ガリウム（Ｇａｉ
Ｏｓ）粉末、試薬特級の酸化亜鉛（Ｚｎ口）粉末をモル
比で１対１対１８の割合に秤量し、めのう乳鉢内でエタ
ノールを加えて、約３０分間部合し、平均粒径数μｍの
微粉末混合物を得た。該混合物を白金管内に封入し、１
４５０℃に設定された管状シリコニット炉内に入れ、４
日間加熱し、その後、試料を炉外にとりだし室温まで急
速に冷却した。
得られた試料は、ＹｂＧａＺｎ９Ｏ．２単−相であり、
粉末Ｘ！ａ回折法によって面指数（ｈｋｔ）、面間隔（
ｄｏ）および相対反射強度を測定した結果は表−２の通
りであった。
粉末Ｘ！ａ回折法によって面指数（ｈｋｔ）、面間隔（
ｄｏ）および相対反射強度を測定した結果は表−２の通
りであった。
六方晶系としての格子定数は
ａ＝３，２９６±０．００１（Ａ）
ｃ＝８７．６６±０．０１ （Ａ）であった。
上記の格子定数および表−２の面指数（ｈ ｋ ｌ ）
より算出しな面間隔（ｄｃ（λ））は、実測の面間隔（
ｄ ｏ （λ））と極めてよく一致していた。
より算出しな面間隔（ｄｃ（λ））は、実測の面間隔（
ｄ ｏ （λ））と極めてよく一致していた。
発明の効果
本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒として有用な
新規化合物を提供する。
新規化合物を提供する。
Claims (2)
- （１）ＹｂＧａＺｎ＿９Ｏ＿１＿２で示される六方晶系
の層状構造を有する化合物 - （２）金属イッテルビウムあるいは酸化イッテルビウム
もしくは加熱により酸化イッテルビウムに分解される化
合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加
熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜鉛
あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛に分解さ
れる化合物と、Ｙｂ、ＧａおよびＺｎの割合が原子比で
１対１対９の割合で混合し、該混合物を６００℃以上の
温度で大気中、酸化性雰囲気中あるいはＹｂおよびＧａ
が各々３価イオン状態、Ｚｎが２価イオン状態より還元
されない還元雰囲気中で加熱することを特徴とする ＹｂＧａＺｎ＿９Ｏ＿１＿２で示される六方晶系の層状
構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12907087A JPS63295428A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12907087A JPS63295428A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63295428A true JPS63295428A (ja) | 1988-12-01 |
| JPH0333655B2 JPH0333655B2 (ja) | 1991-05-17 |
Family
ID=15000335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12907087A Granted JPS63295428A (ja) | 1987-05-26 | 1987-05-26 | ＹｂＧａＺｎ↓９Ｏ↓１↓２で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63295428A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
-
1987
- 1987-05-26 JP JP12907087A patent/JPS63295428A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606895A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 原子炉格納容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0333655B2 (ja) | 1991-05-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |