JPH0359005B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0359005B2 JPH0359005B2 JP62005470A JP547087A JPH0359005B2 JP H0359005 B2 JPH0359005 B2 JP H0359005B2 JP 62005470 A JP62005470 A JP 62005470A JP 547087 A JP547087 A JP 547087A JP H0359005 B2 JPH0359005 B2 JP H0359005B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- heating
- oxide
- thulium
- metallic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Catalysts (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料および触媒材
料として有用な新規化合物であるTmGaZn2O5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+0（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4，Yb2Fe3O7，Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモルの割合で化合していると考
えられる層状構造を持つ化合物である。
料として有用な新規化合物であるTmGaZn2O5で
示される六方晶系の層状構造を有する化合物およ
びその製造法に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+0（ｎは整数を示す）
で示される六方晶系の層状構造を有する化合物は
本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4，Yb2Fe3O7，Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。 これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎモルの割合で化合していると考
えられる層状構造を持つ化合物である。
【表】
発明の目的
本発明は（YbFeO3）oFeOの化学式において、
ｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにTm3+を、
Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにZn2+を
置きかえて得られた新規な化合物を提供するにあ
る。 発明の構成 本発明のTmGaZn2O5で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではTm3+（Ga3+，Zn2+）
Zn2+O5 2-として記載され、その構造はTmO1.5層、
（Ga3+，Zn2+）O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオンの半数は
Ga3+と共に（Ga3+，Zn2+）O2.5層を作り、残り
の半数はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 ａ＝3.392±0.001（Å） ｃ＝21.93±0.01 （Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を示すと、表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
ｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにTm3+を、
Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりにZn2+を
置きかえて得られた新規な化合物を提供するにあ
る。 発明の構成 本発明のTmGaZn2O5で示される化合物は、イ
オン結晶モデルではTm3+（Ga3+，Zn2+）
Zn2+O5 2-として記載され、その構造はTmO1.5層、
（Ga3+，Zn2+）O2.5層およびZnO層の積層によつ
て形成されており、著しい構造異方性を持つこと
がその特徴の一つである。Zn2+イオンの半数は
Ga3+と共に（Ga3+，Zn2+）O2.5層を作り、残り
の半数はZnO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は次の通りである。 ａ＝3.392±0.001（Å） ｃ＝21.93±0.01 （Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す）およびＸ線に
対する相対反射強度（Ｉ％）を示すと、表−２の
通りである。 この化合物は光機能材料、半導体材料、触媒材
料等に有用なものである。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加
熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、金
属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱に
より酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜
鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛
に分解される化合物とを、Tm、GaおよびZnの
割合が原子比で１対１対２の割合で混合し、該混
合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲
気中あるいはTmおよびGaが各々３価状態、Zn
が２価状態より還元されない還元雰囲気中で加熱
することによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μm
以下であることが好ましい。 また、光機能性材料、半導体材料として用いる
場合には不純物の混入をきらうので、純度の高い
ことが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化
物を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸
化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Tm、Ga、及びZnの割合
が原子比で１対１対２の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単一相
を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
TmおよびGaが各々３価状態、Znが２価状態か
ら還元されない還元雰囲気中で600℃以上のもと
で加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上
である。加熱の際の昇温速度には制約はない。加
熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引
き出せばよい。 得られたTmGaZn2O5化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
TmO1.5層、（Ga，Zn）O2.5層、およびZnO層の
積み重ねによつて形成されていることが分かつ
た。 実施例 純度99.99％以上の酸化ツリウム（Tm2O3）粉
末、純度99.9％以上の酸化ガリウム（Ga2O3）粉
末、および試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）粉末をモ
ル比で１対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約30分間混合し、平均粒
径数μmの微粉末混合物を得た。該混合物を白金
管内に封入し、1300℃に設定された管状シルコニ
ツト炉内に入れ３日間加熱し、その後、試料を炉
外にとりだし室温まで急速に冷却した。得られた
試料はTmGaZn2O5単一相であり、粉末Ｘ線回折
法によつて面指数（hkl）、面間隔（dp）および相
対反射強度（Ｉ％）を測定した。その結果は表−
２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.392±0.001（Å） ｃ＝21.93±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは加
熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、金
属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱に
より酸化ガリウムに分解される化合物と、金属亜
鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜鉛
に分解される化合物とを、Tm、GaおよびZnの
割合が原子比で１対１対２の割合で混合し、該混
合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰囲
気中あるいはTmおよびGaが各々３価状態、Zn
が２価状態より還元されない還元雰囲気中で加熱
することによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販のものをそのま
ま使用してもよいが、化学反応を速やかに進行さ
せるためには粒径が小さい方がよく、特に10μm
以下であることが好ましい。 また、光機能性材料、半導体材料として用いる
場合には不純物の混入をきらうので、純度の高い
ことが好ましい。出発物質が加熱により金属酸化
物を得る化合物としては、それぞれの金属の水酸
化物、炭酸塩、硝酸塩等が挙げられる。 原料はそのまま、あるいはアルコール類、アセ
トン等と共に充分に混合する。 原料の混合割合は、Tm、Ga、及びZnの割合
が原子比で１対１対２の割合であることが必要で
ある。これをはずすと目的とする化合物の単一相
を得ることができない。 この混合物を大気中、酸化性雰囲気中あるいは
TmおよびGaが各々３価状態、Znが２価状態か
ら還元されない還元雰囲気中で600℃以上のもと
で加熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上
である。加熱の際の昇温速度には制約はない。加
熱終了後急冷するか、あるいは大気中に急激に引
き出せばよい。 得られたTmGaZn2O5化合物の粉末は無色であ
り、粉末Ｘ線回折法によつて結晶構造を有するこ
とが分かつた。その結晶構造は層状構造であり、
TmO1.5層、（Ga，Zn）O2.5層、およびZnO層の
積み重ねによつて形成されていることが分かつ
た。 実施例 純度99.99％以上の酸化ツリウム（Tm2O3）粉
末、純度99.9％以上の酸化ガリウム（Ga2O3）粉
末、および試薬特級の酸化亜鉛（ZnO）粉末をモ
ル比で１対１対４の割合に秤量し、めのう乳鉢内
でエタノールを加えて、約30分間混合し、平均粒
径数μmの微粉末混合物を得た。該混合物を白金
管内に封入し、1300℃に設定された管状シルコニ
ツト炉内に入れ３日間加熱し、その後、試料を炉
外にとりだし室温まで急速に冷却した。得られた
試料はTmGaZn2O5単一相であり、粉末Ｘ線回折
法によつて面指数（hkl）、面間隔（dp）および相
対反射強度（Ｉ％）を測定した。その結果は表−
２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.392±0.001（Å） ｃ＝21.93±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の面指数（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致した。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ TmGaZn2O5で示される六方晶系の層状構造
を有する化合物。 ２ 金属ツリウムあるいは酸化ツリウムもしくは
加熱により酸化ツリウムに分解される化合物と、
金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは加熱
により酸化ガリウムに分解される化合物と、金属
亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸化亜
鉛に分解される化合物とを、Tm、GaおよびZn
の割合が原子比で１対１対２の割合で混合し、該
混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性雰
囲気中あるいはTmおよびGaが各々３価状態、
Znが２価状態より還元されない還元雰囲気中で
加熱することを特徴とするTmGaZn2O5で示され
る六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP547087A JPS63176306A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ＴｍＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP547087A JPS63176306A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ＴｍＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63176306A JPS63176306A (ja) | 1988-07-20 |
| JPH0359005B2 true JPH0359005B2 (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=11612128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP547087A Granted JPS63176306A (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | ＴｍＧａＺｎ↓２Ｏ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63176306A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606888A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Fukunari Imada | 超音波距離計 |
| JPS606894A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | 株式会社東芝 | 核燃料集合体 |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP547087A patent/JPS63176306A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63176306A (ja) | 1988-07-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0244262B2 (ja) | Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0244259B2 (ja) | ||
| JPH0244258B2 (ja) | Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435407B2 (ja) | ||
| JPH0359005B2 (ja) | ||
| JPH0314779B2 (ja) | ||
| JPH0244243B2 (ja) | Inalzn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435408B2 (ja) | ||
| JPH0244251B2 (ja) | Scgazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435409B2 (ja) | ||
| JPH0435406B2 (ja) | ||
| JPH0348133B2 (ja) | ||
| JPH0244244B2 (ja) | Inaizn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0435411B2 (ja) | ||
| JPH0435410B2 (ja) | ||
| JPH0333651B2 (ja) | ||
| JPH0244245B2 (ja) | Ina1zn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0348134B2 (ja) | ||
| JPH0246525B2 (ja) | Sca1zn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0333654B2 (ja) | ||
| JPH0348135B2 (ja) | ||
| JPH0333652B2 (ja) | ||
| JPH0435416B2 (ja) | ||
| JPH0244252B2 (ja) | Scgazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho | |
| JPH0359011B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |