JPS63296558A - 画像形成装置 - Google Patents
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- JPS63296558A JPS63296558A JP62132732A JP13273287A JPS63296558A JP S63296558 A JPS63296558 A JP S63296558A JP 62132732 A JP62132732 A JP 62132732A JP 13273287 A JP13273287 A JP 13273287A JP S63296558 A JPS63296558 A JP S63296558A
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- Japan
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- signal
- pulse width
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（技術分野）
本発明は画像信号をパルス幅変調することにより階調性
のある画像を形成する半導体レーザーを用いたレーザー
ビームプリンター、および半導体レーザーを用いた製版
機に関する。 （従来技術） 従来、中間調再現性が余り良くない記録装置を使用して
類似的に中間調を再現する方法としてディザ法や濃度パ
ターン法が提案され、実用化されている。 現在、行われている方法の例として中間調画像信号（濃
淡画像信号）をしきい値信号（ディザ信号）と比較して
、２値または限られた数に多値化して、ドツトの大きさ
またはドツトの密度で類似的に中間調を再現する方法が
ある。例えば、しきい値信号を４×４のマトリクスとす
ると、２値しか表現できない記録装置においては１７階
調しか再現できず、１階調当たりの濃度差が大きく、い
わゆる偽輪郭が目立った画像となってしまう。これを改
善するために、マトリクスを大きくすると解像度が低下
してしまうという相反した特性を有している。 そこで、レーザービームを用いた画像形成装置ではレー
ザービームの１ドツトをパルス幅変調し、１ドツトのビ
ーム点灯時間を変更して１画素で数階間の濃淡を表現し
、階調性を表現することで、解像度の低下を防止する多
値化パルス幅変調方式を用いている。 しかし、半導体レーザーを用いた場合、半導体レーザー
の温度により注入電流と光出力の関係が変化したり、発
振するレーザービームの波長が変化し、各パルス幅によ
るビーム変調時に形成される１ドツトの面積が変わる。 これは画像において濃度変化となってあられれ、階調特
性が変わるという問題が発生する。この問題について以
下に詳しく説明する。 第２図に半導体レーザーの温度がＴ１及びＴ２（ＴＩ＜
７２）のときの注入電流と光出力の関係を示す。図から
れかるように、半導体レーザーの温度が変化すると、注
入電流−光出力の曲線が移動し、温度がＴ１からＴ２に
変化すると注入電流二■に対する光出力がＰｌからＰ２
（Ｐ＋＞Ｐ２）に変化する。 第３図に半導体レーザーの温度二Ｔと発振するレーザー
ビームの波長−λの関係を示す。発振するレーザービー
ムの波長：λは半導体レーザーの温度：Ｔによりある直
線に沿ってステップ状に変動し、その変化率Δλ／ΔＴ
はおよそ０．２〜Ｏ１３ｎｍ／ｄｅ１１であるＯ 感光体の感度特性を第４図に示す。レーザービームの波
長：λを横軸、感光体の表面電位：Ｖを縦軸にとった場
合、レーザー光出力ＰｈＰ２（Ｐｌ＞Ｐ２）に対して、
レーザー光の波長が７９０ｎｍを越えると感度が急激に
低下する特性を示す。このことが原因となり、半導体レ
ーザーの温度が変わると、レーザーの出力や感度特性に
より、形成されるドツトの面積が変化するのである。 第５図に半導体レーザーの温度がＴ１及びＴ２（ＴＩ＜
Ｔ２）のときのデユーティ（点灯時間を無次元化した値
）と、１ドツトの面積率の関係を示す。 以下にデユーティと１ドツト面積率の定義を示す。 デユーティ＝（レーザービーム点灯時間／１画素ピッチ
間を走査する時間）Ｘ１００ （％） １ドツト面積率＝（形成される１ドツトの面積／１画素
に相当する面積）Ｘ１００ （％） １画素に相当する面積は、例えば画素密度が１６本／ｍ
ｍの場合、 （１／１６）Ｘ （１／１８）ｍｒＩ である。 このグラフより半導体レーザーの温度が変化すると、ビ
ーム点灯時間が同じ場合、形成されるドツトの面積が変
わることがわかる。これは、画像濃度、階調特性の変化
となり、画質を低下させる。 （目的） 本発明は、多値化パルス幅変調により中間調画像を形成
する半導体レーザーを用いた画像形成装置において、半
導体レーザーの温度変化にともなう波長変化、出力変化
による画像の階調特性や濃度の変化を半導体レーザーの
温度を快出し、その温度に応じパルス幅の設定値を変え
ることにより防ぐことを目的とする。 （構成） 本発明は、半導体レーザーの温度を検出する温度検知手
段と、前記半導体レーザーの温度に応じてパルス幅の設
定値を変更するパルス幅変更手段を備えた画像形成装置
である。本発明の構成について、以下、一実施例に基づ
いて説明する。 第６図は半導体レーザーを用いた書込光学系の１例を示
す斜視図である。１は半導体レーザー、２はポリゴンミ
ラー、３は感光体ドラム、４はｆθレンズ、５は集光レ
ンズ、６はシリンドリカルレンズ、７はミラー、８は書
き出し位置を一定にするための光検知器である。このよ
うな構成において、半導体レーザー１から射出されたビ
ームは集光レンズ５において平行ビームにされ、この平
行ビームはシリンドリカルレンズ６により、ポリゴンミ
ラー２上に線状に集光される。ポリゴンミラー２で反射
されたビームはｆθレンズ４によって感光体３上に結像
し、ビームはポリゴンミラー２の回転により感光体ドラ
ムＳ上を走査する。 第７図は、第６図の書込光学系を備えたレーザ記録装置
の全体構成を説明する概略図である。図において、１１
は第６図に示した書込光学系をユニットとして示す書込
光学系ユニットであり、ユニットのビーム射出部には防
塵ガラス１７が備えられており、ユニットは密閉構造に
なっている。 １２は第６図に感光体ドラムＳとして示した感光体ドラ
ムであり、１３は帯電器、１４は現像手段、１５は転写
紙、１６はクリーニング手段である。 感光体ドラム１２は図示されていない駆動手段により矢
印方向に回転させられ、帯電器１３により帯電される。 その後、書込光学系ユニット１１からのレーザービーム
により走査露光されて潜像が形成される。そして、現像
手段１４により顕像化され転写点において転写紙１５上
に像を転写する。 また感光体上に残されたトナーはクリーニング手段１６
により除去される。 次に、パルス幅変調方式について説明する。画像処理部
より階調信号が入力されると、あらかじめ用意された階
調に対応するパルス幅の変調信号により、半導体レーザ
ービームが射出される。 例として、２ビット並列信号線を階調信号に割り当て、
２ビツトにより４階調の出力を得る方式についてのブロ
ック図を第８図に示す。本方式は画素クロックと、画素
クロックを任意時間ディレィさせたクロックのＡＮＤ又
はＯＲをとる構成を階調数（この例では４種類）用意し
、セレクターにより階調信号に応じたパルス幅の出力を
得るもので、このパルス出力にてＬＤ（半導体レーザー
）を駆動する。 第８図に示したブロック図において、画素クロックと画
素クロックをディレィさせたクロックのＡＮＤ又はＯＲ
をとることにより、任意のパルス幅出力を得る具体例を
第９図〜第１２図に示す。 第９図および第１０図は、ディレィライン及びＡＮＤに
よる構成例でＡＮＤに画素クロックＡ及びディレィ信号
（ディレィタイム：ΔＴ＋）Ｂを入力することによりＴ
−−Ｔ１のパルス幅を持った信号を得ることができる。 ここでΔＴ１を任意に選ぶことにより任意のパルス幅Ｔ
−−Ｔ１の信号を得ることができる。 第１１図および第１２図はディレィライン及びＯＲによ
る構成例でＯＲに画素クロックＡ及びディレィ信号（デ
ィレィタイム：ΔＴ２）Ｄを入力することによりＴ十Δ
Ｔ２のパルス幅を持った信号を得ることができる。ＡＮ
Ｄの場合と同様ＡＴ２を任意に選ぶことにより、任意の
パルス幅Ｔ＋ΔＴ２の信号を得ることができる。上記構
成（第９図や第１１図の回路）を階調数に対応した数だ
け持ち、これらの信号をセレクタに入力し、画像処理部
から指示された階調信号により階調に応じたパルス幅の
信号出力を得る。第７図においては、４階調の出力例を
示したが、上記回路構成及び階調信号のビット数を増や
すことにより、さらに高階調の出力が可能となる。例え
ば、８種類のパルス幅を設定する設定回路及び３ビツト
の階調信号を用意することにより８階調の出力が可能と
なる。 次に、半導体レーザーの温度を検出する手段について説
明する。第１３図は温度検出器（サーミスタ）２６を備
えたレーザー光発生装置を説明する図である。半導体レ
ーザー１はスペーサ２１に支持されており、さらにこの
スペーサ２１にはレンズユニットホルダー２２を支持し
ているフランジ２３が密着して取り付けられている。レ
ンズユニットホルダー２２内にはコリメータレンズ５が
装着されている。フランジ２３は合成樹脂等の断熱部材
で構成された第２フランジ２４で囲まれている。ここで
温度検出器（サーミスタ）２６は熱伝導性良好な材料（
たとえばアルミニウム合金）で作成されたスペーサ２１
に取り付けられており、半導体レーザー１の温度を検知
する。 また、第１４図に示す様に半導体レーザー１のパッケー
ジに温度検出器（サーミスタ）２６を取り付ける構成と
しても良い。 次に半導体レーザーの温度に応じ、パルス幅の設定値を
変える方式について以下に説明する。第１図は構成の１
例を説明するブロック図である。 複数のパルス幅の信号を得る回路を持ち、それぞれの信
号をセレクタａに入力し、該セレクタａにて半導体レー
ザーの温度検知信号に応じたパルス幅の信号を選択し、
選択されたパルス幅の信号をセレクタｂに入力する。そ
して、前記説明と同様に、階調数に応じたパルス幅の信
号出力を得る。 上記説明の補足として、半導体レーザーの温度検知信号
に応じ、１ビツト（２値）の信号を出力しく半導体レー
ザーの温度≧ＴｏのときＨ［ハイコ。 半導体レーザーの温度＜ＴｏのときＬ［ロウコを出力）
、複数のパルス幅信号のなかから、４種類（４階調）の
パルス幅の信号を得る方式について説明する。 第１５図に示すように半導体レーザーの温度≧Ｔｏのと
きは、半導体レーザー二Ｔ１のときのデユーティと１ド
ツト面積率の関係を参照し、４階調に対応するビーム点
灯時間として、ｔｏ（：Ｏ）、ｔｌ、ｔｚ、ｔ３を用い
る。半導体レーザーの温度＜Ｔｏのときは、半導体レー
ザーの温度：Ｔ２のときのデユーティと１ドツト面積率
の関係を参照し、４階調に対応するビーム点灯時間とし
てｔｏ（＝０）、ｔ１′、ｔ２′、ｔ３′を用いる。 第１５図においては、４階調時の１ドツト面積率として
、０％、３０％、７５％、１００％を用いたが、１ドツ
ト面積率は得たい階調特性として第１８図に示すような
階調カーブから適当な値を選んでもよい。 次に、セレクタａにて温度検知信号に応じ複数用意した
パルス幅信号の中から４種類のパルス幅の信号を得る説
明図を第１６図に示す。第１６図では、ｔ２’ ｔ３
として６種類のパルス幅設定回路（パルス幅；ｔＯｌＵ
、ｔ＋’ 、ｔｚ、ｔ２’、ｔ３′）を用意しである。 そして、セレクタａに温度検知信号としてＨが入力され
ると、ｔｏｓｔ＋、ｔｚ、ｔ２’ （ｔ３）のパルス
幅の信号が選ばれ、図の実線で示すように、セレクタｂ
に入力される。 また、セレクタａに温度検知信号として、Ｌが入力され
ると、図の点線で示すように、ｔｏ、ｔ１′、１’ 、
ｔ３’のパルス幅の信号が選ばれ、セレクタｂに入力さ
れる。 前記説明では、２値の温度検知信号により４階調のパル
ス幅信号を得る例について述べたが、パルス幅設定回路
の数を増やし、かつ温度検知信号のビット数を増やすこ
とにより、ビーム出力変動に対する１ドツト面積率（＝
階調特性）の変化を小さくすることができる。 次に第１図とは別の半導体レーザーの温度に応じパルス
幅の設定値を変える構成例を第１７図に示す。第１７図
において、信号Ｆは、ディレィライン［０］及びＡＮＤ
により形成されたパルス幅０の信号（第１６図における
ｔｏ）である。ディレィライン
のある画像を形成する半導体レーザーを用いたレーザー
ビームプリンター、および半導体レーザーを用いた製版
機に関する。 （従来技術） 従来、中間調再現性が余り良くない記録装置を使用して
類似的に中間調を再現する方法としてディザ法や濃度パ
ターン法が提案され、実用化されている。 現在、行われている方法の例として中間調画像信号（濃
淡画像信号）をしきい値信号（ディザ信号）と比較して
、２値または限られた数に多値化して、ドツトの大きさ
またはドツトの密度で類似的に中間調を再現する方法が
ある。例えば、しきい値信号を４×４のマトリクスとす
ると、２値しか表現できない記録装置においては１７階
調しか再現できず、１階調当たりの濃度差が大きく、い
わゆる偽輪郭が目立った画像となってしまう。これを改
善するために、マトリクスを大きくすると解像度が低下
してしまうという相反した特性を有している。 そこで、レーザービームを用いた画像形成装置ではレー
ザービームの１ドツトをパルス幅変調し、１ドツトのビ
ーム点灯時間を変更して１画素で数階間の濃淡を表現し
、階調性を表現することで、解像度の低下を防止する多
値化パルス幅変調方式を用いている。 しかし、半導体レーザーを用いた場合、半導体レーザー
の温度により注入電流と光出力の関係が変化したり、発
振するレーザービームの波長が変化し、各パルス幅によ
るビーム変調時に形成される１ドツトの面積が変わる。 これは画像において濃度変化となってあられれ、階調特
性が変わるという問題が発生する。この問題について以
下に詳しく説明する。 第２図に半導体レーザーの温度がＴ１及びＴ２（ＴＩ＜
７２）のときの注入電流と光出力の関係を示す。図から
れかるように、半導体レーザーの温度が変化すると、注
入電流−光出力の曲線が移動し、温度がＴ１からＴ２に
変化すると注入電流二■に対する光出力がＰｌからＰ２
（Ｐ＋＞Ｐ２）に変化する。 第３図に半導体レーザーの温度二Ｔと発振するレーザー
ビームの波長−λの関係を示す。発振するレーザービー
ムの波長：λは半導体レーザーの温度：Ｔによりある直
線に沿ってステップ状に変動し、その変化率Δλ／ΔＴ
はおよそ０．２〜Ｏ１３ｎｍ／ｄｅ１１であるＯ 感光体の感度特性を第４図に示す。レーザービームの波
長：λを横軸、感光体の表面電位：Ｖを縦軸にとった場
合、レーザー光出力ＰｈＰ２（Ｐｌ＞Ｐ２）に対して、
レーザー光の波長が７９０ｎｍを越えると感度が急激に
低下する特性を示す。このことが原因となり、半導体レ
ーザーの温度が変わると、レーザーの出力や感度特性に
より、形成されるドツトの面積が変化するのである。 第５図に半導体レーザーの温度がＴ１及びＴ２（ＴＩ＜
Ｔ２）のときのデユーティ（点灯時間を無次元化した値
）と、１ドツトの面積率の関係を示す。 以下にデユーティと１ドツト面積率の定義を示す。 デユーティ＝（レーザービーム点灯時間／１画素ピッチ
間を走査する時間）Ｘ１００ （％） １ドツト面積率＝（形成される１ドツトの面積／１画素
に相当する面積）Ｘ１００ （％） １画素に相当する面積は、例えば画素密度が１６本／ｍ
ｍの場合、 （１／１６）Ｘ （１／１８）ｍｒＩ である。 このグラフより半導体レーザーの温度が変化すると、ビ
ーム点灯時間が同じ場合、形成されるドツトの面積が変
わることがわかる。これは、画像濃度、階調特性の変化
となり、画質を低下させる。 （目的） 本発明は、多値化パルス幅変調により中間調画像を形成
する半導体レーザーを用いた画像形成装置において、半
導体レーザーの温度変化にともなう波長変化、出力変化
による画像の階調特性や濃度の変化を半導体レーザーの
温度を快出し、その温度に応じパルス幅の設定値を変え
ることにより防ぐことを目的とする。 （構成） 本発明は、半導体レーザーの温度を検出する温度検知手
段と、前記半導体レーザーの温度に応じてパルス幅の設
定値を変更するパルス幅変更手段を備えた画像形成装置
である。本発明の構成について、以下、一実施例に基づ
いて説明する。 第６図は半導体レーザーを用いた書込光学系の１例を示
す斜視図である。１は半導体レーザー、２はポリゴンミ
ラー、３は感光体ドラム、４はｆθレンズ、５は集光レ
ンズ、６はシリンドリカルレンズ、７はミラー、８は書
き出し位置を一定にするための光検知器である。このよ
うな構成において、半導体レーザー１から射出されたビ
ームは集光レンズ５において平行ビームにされ、この平
行ビームはシリンドリカルレンズ６により、ポリゴンミ
ラー２上に線状に集光される。ポリゴンミラー２で反射
されたビームはｆθレンズ４によって感光体３上に結像
し、ビームはポリゴンミラー２の回転により感光体ドラ
ムＳ上を走査する。 第７図は、第６図の書込光学系を備えたレーザ記録装置
の全体構成を説明する概略図である。図において、１１
は第６図に示した書込光学系をユニットとして示す書込
光学系ユニットであり、ユニットのビーム射出部には防
塵ガラス１７が備えられており、ユニットは密閉構造に
なっている。 １２は第６図に感光体ドラムＳとして示した感光体ドラ
ムであり、１３は帯電器、１４は現像手段、１５は転写
紙、１６はクリーニング手段である。 感光体ドラム１２は図示されていない駆動手段により矢
印方向に回転させられ、帯電器１３により帯電される。 その後、書込光学系ユニット１１からのレーザービーム
により走査露光されて潜像が形成される。そして、現像
手段１４により顕像化され転写点において転写紙１５上
に像を転写する。 また感光体上に残されたトナーはクリーニング手段１６
により除去される。 次に、パルス幅変調方式について説明する。画像処理部
より階調信号が入力されると、あらかじめ用意された階
調に対応するパルス幅の変調信号により、半導体レーザ
ービームが射出される。 例として、２ビット並列信号線を階調信号に割り当て、
２ビツトにより４階調の出力を得る方式についてのブロ
ック図を第８図に示す。本方式は画素クロックと、画素
クロックを任意時間ディレィさせたクロックのＡＮＤ又
はＯＲをとる構成を階調数（この例では４種類）用意し
、セレクターにより階調信号に応じたパルス幅の出力を
得るもので、このパルス出力にてＬＤ（半導体レーザー
）を駆動する。 第８図に示したブロック図において、画素クロックと画
素クロックをディレィさせたクロックのＡＮＤ又はＯＲ
をとることにより、任意のパルス幅出力を得る具体例を
第９図〜第１２図に示す。 第９図および第１０図は、ディレィライン及びＡＮＤに
よる構成例でＡＮＤに画素クロックＡ及びディレィ信号
（ディレィタイム：ΔＴ＋）Ｂを入力することによりＴ
−−Ｔ１のパルス幅を持った信号を得ることができる。 ここでΔＴ１を任意に選ぶことにより任意のパルス幅Ｔ
−−Ｔ１の信号を得ることができる。 第１１図および第１２図はディレィライン及びＯＲによ
る構成例でＯＲに画素クロックＡ及びディレィ信号（デ
ィレィタイム：ΔＴ２）Ｄを入力することによりＴ十Δ
Ｔ２のパルス幅を持った信号を得ることができる。ＡＮ
Ｄの場合と同様ＡＴ２を任意に選ぶことにより、任意の
パルス幅Ｔ＋ΔＴ２の信号を得ることができる。上記構
成（第９図や第１１図の回路）を階調数に対応した数だ
け持ち、これらの信号をセレクタに入力し、画像処理部
から指示された階調信号により階調に応じたパルス幅の
信号出力を得る。第７図においては、４階調の出力例を
示したが、上記回路構成及び階調信号のビット数を増や
すことにより、さらに高階調の出力が可能となる。例え
ば、８種類のパルス幅を設定する設定回路及び３ビツト
の階調信号を用意することにより８階調の出力が可能と
なる。 次に、半導体レーザーの温度を検出する手段について説
明する。第１３図は温度検出器（サーミスタ）２６を備
えたレーザー光発生装置を説明する図である。半導体レ
ーザー１はスペーサ２１に支持されており、さらにこの
スペーサ２１にはレンズユニットホルダー２２を支持し
ているフランジ２３が密着して取り付けられている。レ
ンズユニットホルダー２２内にはコリメータレンズ５が
装着されている。フランジ２３は合成樹脂等の断熱部材
で構成された第２フランジ２４で囲まれている。ここで
温度検出器（サーミスタ）２６は熱伝導性良好な材料（
たとえばアルミニウム合金）で作成されたスペーサ２１
に取り付けられており、半導体レーザー１の温度を検知
する。 また、第１４図に示す様に半導体レーザー１のパッケー
ジに温度検出器（サーミスタ）２６を取り付ける構成と
しても良い。 次に半導体レーザーの温度に応じ、パルス幅の設定値を
変える方式について以下に説明する。第１図は構成の１
例を説明するブロック図である。 複数のパルス幅の信号を得る回路を持ち、それぞれの信
号をセレクタａに入力し、該セレクタａにて半導体レー
ザーの温度検知信号に応じたパルス幅の信号を選択し、
選択されたパルス幅の信号をセレクタｂに入力する。そ
して、前記説明と同様に、階調数に応じたパルス幅の信
号出力を得る。 上記説明の補足として、半導体レーザーの温度検知信号
に応じ、１ビツト（２値）の信号を出力しく半導体レー
ザーの温度≧ＴｏのときＨ［ハイコ。 半導体レーザーの温度＜ＴｏのときＬ［ロウコを出力）
、複数のパルス幅信号のなかから、４種類（４階調）の
パルス幅の信号を得る方式について説明する。 第１５図に示すように半導体レーザーの温度≧Ｔｏのと
きは、半導体レーザー二Ｔ１のときのデユーティと１ド
ツト面積率の関係を参照し、４階調に対応するビーム点
灯時間として、ｔｏ（：Ｏ）、ｔｌ、ｔｚ、ｔ３を用い
る。半導体レーザーの温度＜Ｔｏのときは、半導体レー
ザーの温度：Ｔ２のときのデユーティと１ドツト面積率
の関係を参照し、４階調に対応するビーム点灯時間とし
てｔｏ（＝０）、ｔ１′、ｔ２′、ｔ３′を用いる。 第１５図においては、４階調時の１ドツト面積率として
、０％、３０％、７５％、１００％を用いたが、１ドツ
ト面積率は得たい階調特性として第１８図に示すような
階調カーブから適当な値を選んでもよい。 次に、セレクタａにて温度検知信号に応じ複数用意した
パルス幅信号の中から４種類のパルス幅の信号を得る説
明図を第１６図に示す。第１６図では、ｔ２’ ｔ３
として６種類のパルス幅設定回路（パルス幅；ｔＯｌＵ
、ｔ＋’ 、ｔｚ、ｔ２’、ｔ３′）を用意しである。 そして、セレクタａに温度検知信号としてＨが入力され
ると、ｔｏｓｔ＋、ｔｚ、ｔ２’ （ｔ３）のパルス
幅の信号が選ばれ、図の実線で示すように、セレクタｂ
に入力される。 また、セレクタａに温度検知信号として、Ｌが入力され
ると、図の点線で示すように、ｔｏ、ｔ１′、１’ 、
ｔ３’のパルス幅の信号が選ばれ、セレクタｂに入力さ
れる。 前記説明では、２値の温度検知信号により４階調のパル
ス幅信号を得る例について述べたが、パルス幅設定回路
の数を増やし、かつ温度検知信号のビット数を増やすこ
とにより、ビーム出力変動に対する１ドツト面積率（＝
階調特性）の変化を小さくすることができる。 次に第１図とは別の半導体レーザーの温度に応じパルス
幅の設定値を変える構成例を第１７図に示す。第１７図
において、信号Ｆは、ディレィライン［０］及びＡＮＤ
により形成されたパルス幅０の信号（第１６図における
ｔｏ）である。ディレィライン
【１】、ディレィライン
【２】、ディレィライン
【３】には、ディレィ時間変更
回路より、温度検知信号に応じた信号が入力され、それ
ぞれのディレィ時間Δｔ＋ｓ Δｔ２．Δｔ３が変更さ
れる。そして、それにともない信号Ｇ、Ｈ，Ｉのパルス
幅が変わる。この構成により、第１図の構成例と同様、
半導体レーザーの温度に応じたパルス幅の信号を得るこ
とができる。すなわち、半導体レーザーの温度の変化に
よる階調特性の変動を小さくすることができる。 （効果） 本発明により、半導体レーザーの温度を検出し、その温
度に応じパルス幅の設定値を変えることにより出力変化
による画像の階調特性や濃度の変化を防ぐことができる
。
回路より、温度検知信号に応じた信号が入力され、それ
ぞれのディレィ時間Δｔ＋ｓ Δｔ２．Δｔ３が変更さ
れる。そして、それにともない信号Ｇ、Ｈ，Ｉのパルス
幅が変わる。この構成により、第１図の構成例と同様、
半導体レーザーの温度に応じたパルス幅の信号を得るこ
とができる。すなわち、半導体レーザーの温度の変化に
よる階調特性の変動を小さくすることができる。 （効果） 本発明により、半導体レーザーの温度を検出し、その温
度に応じパルス幅の設定値を変えることにより出力変化
による画像の階調特性や濃度の変化を防ぐことができる
。
第１図は本発明の構成の１例を説明するブロック図、第
２図は半導体レーザーの注入電流と光出力の関係を示す
グラフ、第３図は半導体レーザーの温度と発振する波長
の関係を示すグラフ、第４図は感光体の感度特性を示す
グラフ、第５図は半導体レーザーのデユーティと１ドツ
トの面積率の関係を示すグラフ、第６図は半導体レーザ
ーを用いた書込光学系の１例を示す構成図、第７図は第
６図の書込光学系を備えたレーザ記録装置の全体構成図
、第８図は２ビツトにより４階調の出力を得る方式のブ
ロック図、第９図〜第１２図は任意のパルス幅出力を得
るブロック図およびグラフ、第１３図、第１４図は温度
検出器を備えたレーザー光発生装置の断面図、第１５図
は半導体レーザーのデユーティと１ドツト面積率の関係
のグラフ、第１８図はパルス幅の信号を得る説明図、第
１７図は半導体レーザーの温度に応じパルス幅の設定値
を変える構成例のブロック図、第１８図は階調特性図で
ある。 １・・・半導体レーザー、２・・・ポリゴンミラー、３
・・・感光体ドラム、４・・・ｆθレンズ、５・・・集
光レンズ、コリメータレンズ５．６・・・シリンドリ力
ルレンズ、７・・・ミラー、８・・・書き出し位置を一
定にするための光検知器、１１・・・書込光系ユニット
、１２・・・感光体ドラム、１３・・・帯電器、１４・
・・現像手段、１５・・・転写紙、１６・・・クリーニ
ング手段、１７・・・防塵ガラス、２１・・・スペーサ
、・２２・・・レンズユニットホルダー、２３・・・フ
ランジ、２４・・・第２フランジ、２６・・・温度検出
器（サーミスタ）。
２図は半導体レーザーの注入電流と光出力の関係を示す
グラフ、第３図は半導体レーザーの温度と発振する波長
の関係を示すグラフ、第４図は感光体の感度特性を示す
グラフ、第５図は半導体レーザーのデユーティと１ドツ
トの面積率の関係を示すグラフ、第６図は半導体レーザ
ーを用いた書込光学系の１例を示す構成図、第７図は第
６図の書込光学系を備えたレーザ記録装置の全体構成図
、第８図は２ビツトにより４階調の出力を得る方式のブ
ロック図、第９図〜第１２図は任意のパルス幅出力を得
るブロック図およびグラフ、第１３図、第１４図は温度
検出器を備えたレーザー光発生装置の断面図、第１５図
は半導体レーザーのデユーティと１ドツト面積率の関係
のグラフ、第１８図はパルス幅の信号を得る説明図、第
１７図は半導体レーザーの温度に応じパルス幅の設定値
を変える構成例のブロック図、第１８図は階調特性図で
ある。 １・・・半導体レーザー、２・・・ポリゴンミラー、３
・・・感光体ドラム、４・・・ｆθレンズ、５・・・集
光レンズ、コリメータレンズ５．６・・・シリンドリ力
ルレンズ、７・・・ミラー、８・・・書き出し位置を一
定にするための光検知器、１１・・・書込光系ユニット
、１２・・・感光体ドラム、１３・・・帯電器、１４・
・・現像手段、１５・・・転写紙、１６・・・クリーニ
ング手段、１７・・・防塵ガラス、２１・・・スペーサ
、・２２・・・レンズユニットホルダー、２３・・・フ
ランジ、２４・・・第２フランジ、２６・・・温度検出
器（サーミスタ）。
Claims (1)
- 画像信号を多値化パルス幅変調して画像形成信号を生成
して前記画像形成信号に対応して駆動される半導体レー
ザーより射出されるレーザービームにより被記録材上に
画像を記録する画像形成装置において、半導体レーザー
の温度を検出する温度検知手段と、前記半導体レーザー
の温度に応じてパルス幅の設定値を変更するパルス幅変
更手段を備えたことを特徴とする画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62132732A JPS63296558A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62132732A JPS63296558A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63296558A true JPS63296558A (ja) | 1988-12-02 |
Family
ID=15088298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62132732A Pending JPS63296558A (ja) | 1987-05-28 | 1987-05-28 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63296558A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6467347A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image exposure apparatus |
| JP2013121074A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 信号処理装置及び画像形成装置 |
-
1987
- 1987-05-28 JP JP62132732A patent/JPS63296558A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6467347A (en) * | 1987-09-09 | 1989-03-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image exposure apparatus |
| JP2013121074A (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-17 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 信号処理装置及び画像形成装置 |
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