JPS6329933U - - Google Patents

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JPS6329933U
JPS6329933U JP12359886U JP12359886U JPS6329933U JP S6329933 U JPS6329933 U JP S6329933U JP 12359886 U JP12359886 U JP 12359886U JP 12359886 U JP12359886 U JP 12359886U JP S6329933 U JPS6329933 U JP S6329933U
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JP
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semiconductor wafer
etching rate
lower electrode
upper electrode
etching
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案に係る半導体製造装置の実施例
を示す概略構成断面図、第2図は本考案における
補正板の一例を示す平面図、第3図は本考案にお
ける補正板の変形例を示す平面図である。第4図
は半導体製造装置の従来例を示す概略構成断面図
、第5図は第4図装置によるウエーハ径に対する
エツチングレートを示す特性図である。 2……半導体ウエーハ、4……下部電極、5…
…上部電極、8……半導体製造装置、9,9′…
…補正板。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 上部電極及び下部電極間に半導体ウエーハを配
    置し、反応ガス雰囲気内で上記電極間に高周波電
    界を付与して半導体ウエーハをエツチングする装
    置において、 上記上部電極と下部電極との間に、半導体ウエ
    ーハ上でのエツチングレート分布に応じて該エツ
    チングレートを補正する材質及び該材質のパター
    ンで形成された補正板を配設したことを特徴とす
    る半導体製造装置。
JP12359886U 1986-08-12 1986-08-12 Pending JPS6329933U (ja)

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JP12359886U JPS6329933U (ja) 1986-08-12 1986-08-12

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