JPS63301427A - プラスチツク電力ケ−ブルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はプラスチック電カケープル、特に絶縁特性の向
上した電カケープルの製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕〔発明が解決すべき問題点〕従来よシボ
リエテレン絶縁電カケープルは広く用いられているが、
近年ＣＶケーブルの超高圧化が進み、ＡＣ３００ＫＶＣ
Ｖケーブルまで実用化されようとしている。

又、ケーブル外径は種々の問題から制限され、従って、
絶縁厚は電圧に比例して厚くすることができずケーブル
のワーキングストレスは段々大きくなシ、絶縁性能上厳
しくなっている。

従ってよシ絶縁性能の優れたものが求められておシ、あ
る種のプラスチックはこの目的に有望なことが判った。

しかし、優れた材料といってもケーブルを製造する際の
条件は全く不明であるたへこれを活かした電カケープル
は未だ製造されていないのが現状である。

〔問題点を消失するための手段〕

本発明はこの点について種々検討の結果なされたもので
その概要は以下に記すとおシである。

工ｔレン１モルに対し、一般式 で示されるスチレン系七ツマー０．０１〜１モルチの共
重合体もしくはそれぞれの重合体の混合物が用いられ、
これをそのま＼絶縁層とするか架橋して絶縁層とするこ
とによりインパルス破壊強度の極めて優れた絶縁とする
ことができることを見出し、しかもこれをケーブル化し
て優れた特性を発揮させるための条件は、以下のとおシ
であるとの知見を得たものである。

■　内部半導電層、外部半導電層及び絶縁層を３層間時
押出しによシ形成すること。

■　加熱成形成いは架橋加熱成形のための加熱手段とし
て乾式加熱を行なうこと。

■　架橋剤を用いる場合、１０時間半減期が１１０℃以
上の架橋剤を絶縁層中に１〜４重量％配合すること。

〔作用〕

以上の作用について述べる。

絶縁材料として従来から用いられているポリエテレンは
結晶化度を低下させると衝撃電圧に対するインパルス破
壊強度が低下し、結晶化度を上昇させると加工性が悪く
なるが、本発明において用いられるプラスチック絶縁材
料は、前記の如き特定構造の芳香族化合物（スチレン成
分）を有することによシ所定量共重合させると結晶化度
が低下せずインパルス破壊強度が上昇するものである。

そしてスチレン糸上ツマ−の配合範囲は０００１〜１モ
ルチが好ましく、０．０１モルチ未満ではインパルス破
壊強度の改良効果はほとんど認められず、１モルチを越
える場合は芳香族化合物成分を含まない場合よシもイン
パルス破壊強度がかえつて低下する。その理由は芳香族
成分を多量に含むことによりスチレン系重合体の結晶化
度の低下が著るしく、電気絶縁材料として不適商な重合
体となるからである。又ラジカル重合用開始剤の消費が
大きいことと、高価な芳香族化合物を多量に使用するこ
とは不経済である。

本発明におけるスチレン系モノマーはスチレンのほかに
他の不飽和単量体を含み得るものであって、この不飽和
単量体としては、プロピレン、ブテン−１、ペンテン−
１、ヘキセン−１、酢酸ビニル、アクリル酸エテル、メ
タアクリル酸またはそのエステル及びこれらの混合物な
どを例示することができる。

又、このプラスチック中には、有機、無機のフィシ−１
酸化防止剤、滑材、顔料、紫外線防止剤、分散剤、銅害
防止剤、中和剤、可塑剤、架橋剤、等を添加し得る。

本発明において内部半導電層、外部半導電層及び絶縁層
を３Ｗａ同時押出しする理由は、内外導体に突起の発生
を見ないからである。

して窒素ガス、アルゴンガス等の不活性ガスを用いるが
、シリコン油の如き油を用いる加熱手段であシ、水蒸気
や空気を用いないので、水トリーの発生や、材料の空気
酸化劣化の問題を発生しな！／）特に、本発明品紘芳香
族の如き極性基を持つものが入っているので水分の影響
を大きくうける。

又、本発明において架橋剤を材料中に配合しておき架橋
せしめる場合、絶縁材料の融点が１００℃程度で、押出
加工時（１２０℃〜１３０℃）の架橋の進行を防ぐため
に１０時間半減期１１０℃以上の架橋剤を用いることと
したもので、その架橋剤を例示すれば以下のとおりであ
る。

ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジ−ｔ−アミルパーオ
キサイド、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジクミル
パーオキサイド、２．５−ジメチル２，５−ジ（１−ブ
チルパーオキシ）ヘキシン、α−α′−ビス（ｔ−７’
Ｐルバーオキシ）ジイソプロビルベンゼン これらは１〜４重屋チが最適であシ１重量−未満では十
分に好ましい程度の架橋がなされず、１０重ｆｆｉ％を
越えると架橋反応に必要以上の無駄な架橋剤が入ること
になシ、又、押出時の早期加硫の原因ともなることが考
えられる。

実施例 導体径ｉ７ｍの銅より線導体上にエチレン１モルにスチ
レンモノマー０．３モルチ共重合せしめた重合体を絶縁
層とし、同材質のものにカーボンブラックを入れたもの
を内外半導電層とし、３層同時押出法により被覆した。

（外径３７ｆｆ）（但し、絶縁層中にはジクミルパーオ
キサイドを３重量ｓ混入しである。）ついでこれをシリ
コン油中に導入して加熱架橋せしめて本発明のケーブル
を得た。

比較例１ ポリエチレンにジクミルパーオキサイドを３重量％を配
合したものを絶縁層とし、これを同材質のものにカーボ
ンブラックを入れた内外半導電層と３層同時押出する外
、実施例１と全く同様にして比較例の電カケープルを製
造した。

比較例２ 架橋成形手段として蒸気加硫手段を用いる外は比較例１
と全く同様にして比較例の電カケープルを製造した。

比較例３ 架橋成形手段として蒸気加硫手段を用いる外は実施例１
と全く同様にして比較例型カケープルを製造した。

比較例４ 内外半導電層と絶縁層を個別に押出被覆することとした
外は実施例と全く同じ方法で電カケープルを製造した。

上記比較例と実施例について比較試験をした結果は以下
のとおシである。

発明の効果 本発明ζ；よるときは前記比較試験からも判るとおυ、
本質的にポリエチレンよシ優れた絶縁物を用い、その本
来布する特性をいささかも低下させずに有効に発揮させ
ることのできる電カケープルを極めて容易に得られるも
ので、特にインパルス破壊電圧の著るしい向上は、ケー
ブルの超高圧化の実現に寄与することのできるものであ
る。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 エチレン１モルに対し、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （但しＲ：炭素数４以下の直鎖もしく は分岐のアルキル基を表わす） で示されるスチレン系モノマー０．０１〜１モル％の共
   重合体もしくはそれぞれの重合体の混合物を、そのまゝ
   もしくは架橋して絶縁層とする電力ケーブルの製造方法
   において、 （１）内部半導電層、外部半導電層及び絶縁層を３層同
   時押出しにより形成し、 （２）加熱成形或いは架橋加熱成形のための加熱手段と
   して乾式加熱を行ない、 （３）架橋する場合の架橋剤は１０時間半減期が１１０
   ℃以上の架橋剤を絶縁層中に１〜４重量％配合すること
   とし、 これら条件により行なうことを特徴とするプラスチック
   電力ケーブルの製造方法