JPS63301543A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS63301543A JPS63301543A JP62138503A JP13850387A JPS63301543A JP S63301543 A JPS63301543 A JP S63301543A JP 62138503 A JP62138503 A JP 62138503A JP 13850387 A JP13850387 A JP 13850387A JP S63301543 A JPS63301543 A JP S63301543A
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- JP
- Japan
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- semiconductor element
- element wafer
- laser beam
- wafer
- segmentation
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- Pending
Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にレーザー光
により半導体素子フェノ・−をペレットに分割する加工
方法に関する。
により半導体素子フェノ・−をペレットに分割する加工
方法に関する。
従来、この種の半導体素子フェノ・−のレーザー光によ
るペレット個片への分割は、レーザー光のパワーや周波
数全被切断物の回転及びストローク速さなどにより条件
をよシ最適な条件に制御して、クエハーにあてて溝を作
り切断・分割する方法で実施していた。
るペレット個片への分割は、レーザー光のパワーや周波
数全被切断物の回転及びストローク速さなどにより条件
をよシ最適な条件に制御して、クエハーにあてて溝を作
り切断・分割する方法で実施していた。
上述した従来のレーザー光による半導体素子クエハーの
切断はレーザー光が照射される部分の半導体素子ウェハ
ーのその部分がレーザ光のエネルギーで溶融し、半導体
素子ウェハーの回転又は往狽運動により、指定された形
状に溝が作られ、個別のペレットに分割される。しかし
ながら、レーザー光による従来の切断方法は常温の半導
体素子ウェハーを切断するため、レーザー光照射による
急激な温度上昇、或いは溶融によるペレット側面と中央
部との温度差による亀裂や反りを生じる原因となってい
た。このペレットの亀裂や反りは半導体素子の特性上、
耐電圧又は電流容量を減少させる要因のため、製品の歩
留低下を招きコスト高の一因となっていた。
切断はレーザー光が照射される部分の半導体素子ウェハ
ーのその部分がレーザ光のエネルギーで溶融し、半導体
素子ウェハーの回転又は往狽運動により、指定された形
状に溝が作られ、個別のペレットに分割される。しかし
ながら、レーザー光による従来の切断方法は常温の半導
体素子ウェハーを切断するため、レーザー光照射による
急激な温度上昇、或いは溶融によるペレット側面と中央
部との温度差による亀裂や反りを生じる原因となってい
た。このペレットの亀裂や反りは半導体素子の特性上、
耐電圧又は電流容量を減少させる要因のため、製品の歩
留低下を招きコスト高の一因となっていた。
本発明の特徴は常温の半導体素子フェノ・−を加熱する
装置を有しており、半導体素子クエハーを一定の温度ま
で上昇させ、レーザー光による溶融度の促進牛導体素子
ワエハー自身のレーザー光による熱影響を受けないよう
、温度分布の均一性をはかりながら、レーザー光で溝を
作るものである。
装置を有しており、半導体素子クエハーを一定の温度ま
で上昇させ、レーザー光による溶融度の促進牛導体素子
ワエハー自身のレーザー光による熱影響を受けないよう
、温度分布の均一性をはかりながら、レーザー光で溝を
作るものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図に本発明の一実施例を示すものでレーザー装置１
７からレーザー光１を発射し半導体素子クエハー２の切
断部Ａ又ｉＢに照射する。半導体索子ワエハー２は支持
台４により密着固定されてお９、駆動装ｒＩｔ（図示せ
ず〕で矢印の回転方向８に一定の回転数で廻わり、レー
ザー光１により切断される。
７からレーザー光１を発射し半導体素子クエハー２の切
断部Ａ又ｉＢに照射する。半導体索子ワエハー２は支持
台４により密着固定されてお９、駆動装ｒＩｔ（図示せ
ず〕で矢印の回転方向８に一定の回転数で廻わり、レー
ザー光１により切断される。
を全体的に温める構造となっている。
第３図は半導体素子ウェハー２のレーザー光１照射によ
る温度分布で切断部Ａ又はＢは高温度になるが、本発明
によれば、実線Ｃの如く温度差が少なく、従来技術の温
度分布点線Ｅと比較すると、半導体素子に与える影響が
少ない。
る温度分布で切断部Ａ又はＢは高温度になるが、本発明
によれば、実線Ｃの如く温度差が少なく、従来技術の温
度分布点線Ｅと比較すると、半導体素子に与える影響が
少ない。
第４図は本発明の他の実施例の部分拡大図である。支持
台４に内蔵される発熱体６は個々に分Ｐ、セされている
八これは半導体素子クエハー２全分割する場合、往復運
動つまり直線運動で可能なように発熱体６を分離するこ
とによって牛導体素子りエハー２の温度分布を調整でき
最良の条件で切断できる利点がある。
台４に内蔵される発熱体６は個々に分Ｐ、セされている
八これは半導体素子クエハー２全分割する場合、往復運
動つまり直線運動で可能なように発熱体６を分離するこ
とによって牛導体素子りエハー２の温度分布を調整でき
最良の条件で切断できる利点がある。
以上説明したように本発明は半導体素子ワエノ・−２を
加熱することによ勺レーザー光１の溶融切断後の半導体
索子ワエハー２の亀裂、及び反りが回避できる。このた
め半導体素子の電気的特性の耐電圧、及びレーザー力ッ
テング工程の歩留が向上し、原価低減をはかることがで
きる。
加熱することによ勺レーザー光１の溶融切断後の半導体
索子ワエハー２の亀裂、及び反りが回避できる。このた
め半導体素子の電気的特性の耐電圧、及びレーザー力ッ
テング工程の歩留が向上し、原価低減をはかることがで
きる。
第１図は本発明の一実施例によるレーザーカットの部分
断面図で、第２図は第１図の半導体素子ワエハーを加熱
する部分の拡大断面図である。第３図は本発明および従
来の半導体ワエハーのレーザ光による温度分布を示すグ
ラフである。第４図は本発明の他の実施例を示めす部分
断面図である。 １・・・・・・レーザ光、２・・・・・・半導体索子ワ
エハー、３・・・・・・発熱体、４・・・・・・支持台
、５・・・・・・逃げ溝、６・・・・・・発熱体、７・
・・・・・レーザー装置、８・・・・・・回転方向、Ａ
・・・・・・切断部、Ｂ・・・・・・切断部、Ｃ・・・
・・・本考案の半導体素子ウェハーの温度分布、Ｅ・・
・・・・従来技術の半導体素子ワエハーの温度分布、Ｄ
・・・・・・半導体素子ワエハーの温度分布。 第１図 第２図
断面図で、第２図は第１図の半導体素子ワエハーを加熱
する部分の拡大断面図である。第３図は本発明および従
来の半導体ワエハーのレーザ光による温度分布を示すグ
ラフである。第４図は本発明の他の実施例を示めす部分
断面図である。 １・・・・・・レーザ光、２・・・・・・半導体索子ワ
エハー、３・・・・・・発熱体、４・・・・・・支持台
、５・・・・・・逃げ溝、６・・・・・・発熱体、７・
・・・・・レーザー装置、８・・・・・・回転方向、Ａ
・・・・・・切断部、Ｂ・・・・・・切断部、Ｃ・・・
・・・本考案の半導体素子ウェハーの温度分布、Ｅ・・
・・・・従来技術の半導体素子ワエハーの温度分布、Ｄ
・・・・・・半導体素子ワエハーの温度分布。 第１図 第２図
Claims (1)
- ＰＮ接合を有する半導体素子ウェハーを加熱した状態で
レーザー光により溝を形成し、もつて複数のペレットに
分割することを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138503A JPS63301543A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62138503A JPS63301543A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63301543A true JPS63301543A (ja) | 1988-12-08 |
Family
ID=15223649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62138503A Pending JPS63301543A (ja) | 1987-06-01 | 1987-06-01 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63301543A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184722A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009525601A (ja) * | 2006-02-02 | 2009-07-09 | エグシル テクノロジー リミテッド | ウェハ個片切断用支持体 |
-
1987
- 1987-06-01 JP JP62138503A patent/JPS63301543A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002184722A (ja) * | 2000-12-12 | 2002-06-28 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2009525601A (ja) * | 2006-02-02 | 2009-07-09 | エグシル テクノロジー リミテッド | ウェハ個片切断用支持体 |
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