JPS63303067A - バイアススパッタ装置 - Google Patents
バイアススパッタ装置Info
- Publication number
- JPS63303067A JPS63303067A JP13861987A JP13861987A JPS63303067A JP S63303067 A JPS63303067 A JP S63303067A JP 13861987 A JP13861987 A JP 13861987A JP 13861987 A JP13861987 A JP 13861987A JP S63303067 A JPS63303067 A JP S63303067A
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- Japan
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- force
- magnetic
- lines
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、スパッタリング法による薄膜形成装置に関す
るものである。
るものである。
（従来の技術とその問題点）
従来のスパッタ装置の概略の構成：ま、その断面図を第
４図に示すようなものになっている。（この装置は回転
対称形である。） １はターゲット、２はターゲット電極シールド、３．８
はインピーダンス変換ユニット、４，９は直流電源また
は高周波電源、５は基板、６は基板台、７は基板電極シ
ールド、１０は真空チャンバー、１１は（第５図に示す
如く）磁界発生装置１１０を内蔵するターゲット側電極
、１２は基板側電極である。
４図に示すようなものになっている。（この装置は回転
対称形である。） １はターゲット、２はターゲット電極シールド、３．８
はインピーダンス変換ユニット、４，９は直流電源また
は高周波電源、５は基板、６は基板台、７は基板電極シ
ールド、１０は真空チャンバー、１１は（第５図に示す
如く）磁界発生装置１１０を内蔵するターゲット側電極
、１２は基板側電極である。
第５図に示したものは、上記磁界発生装置１１０のＮ外
周磁極１１５とＳ中心磁極１１４、それより発生する磁
力線１３ａ〜１３ｄ等とターゲット側電極シールド２、
および基板５の位置関係であある。
周磁極１１５とＳ中心磁極１１４、それより発生する磁
力線１３ａ〜１３ｄ等とターゲット側電極シールド２、
および基板５の位置関係であある。
第５図のような磁極配置の場合、磁力線１３ａ〜１３ｄ
等は、外周のＮ８１極１１５から発して中心のＳ磁極１
１４に入る。
等は、外周のＮ８１極１１５から発して中心のＳ磁極１
１４に入る。
さて、これら磁力線のうち基板５の表面を貫通している
磁力線群１３ｄｌ〜１３ｄ〜１３ｄ２ に沿って回転し
つ＼進む電子について考えてみると、この磁力線群がタ
ーゲット１から基板５に至る外周部２０および中心部２
１で、基板表面に向かって開く発散磁界を形成している
為、高エネルギーで円運動している電子は、その磁界の
発散する方向に加速されてこれらの磁力線に沿って下方
に移動する。
磁力線群１３ｄｌ〜１３ｄ〜１３ｄ２ に沿って回転し
つ＼進む電子について考えてみると、この磁力線群がタ
ーゲット１から基板５に至る外周部２０および中心部２
１で、基板表面に向かって開く発散磁界を形成している
為、高エネルギーで円運動している電子は、その磁界の
発散する方向に加速されてこれらの磁力線に沿って下方
に移動する。
その結果プラズマ流中の正イオンと、加速された電子と
の間には両極性電界が発生し、正イオンはその電界によ
って加速され、これも下方に移動し、電子、正イオンと
もに高速度で基板５に突入してその表面を衝撃し基板ダ
メージの原因となる。
の間には両極性電界が発生し、正イオンはその電界によ
って加速され、これも下方に移動し、電子、正イオンと
もに高速度で基板５に突入してその表面を衝撃し基板ダ
メージの原因となる。
この衝撃は、従来は、さほど激しいものではないとして
無視されていたものであるが、近時の高機能薄膜ではか
かる衝撃でも問題となる場合を生じた。
無視されていたものであるが、近時の高機能薄膜ではか
かる衝撃でも問題となる場合を生じた。
また、バイアススパッタ、装置の中には、ターゲット側
だけでなく基板側電極の内部にも、または、ターゲット
側と基板側以外の第３の位置にも、磁界発生機構を備え
る場合がある。そうした場合でも、基板表面を貫通する
磁力線群が、基板に向かって開く発散磁界を作っている
場合は、上述と同様の問題を生じている。
だけでなく基板側電極の内部にも、または、ターゲット
側と基板側以外の第３の位置にも、磁界発生機構を備え
る場合がある。そうした場合でも、基板表面を貫通する
磁力線群が、基板に向かって開く発散磁界を作っている
場合は、上述と同様の問題を生じている。
（発明の目的）
、本発明は、上記の問題を解決し、発散磁界によって高
エネルギー荷電粒子が基板に入射しダメージを生じるの
を抑止したバイアススパッタ装置の提供を目的とする。
エネルギー荷電粒子が基板に入射しダメージを生じるの
を抑止したバイアススパッタ装置の提供を目的とする。
（発明の構成）
本発明は、上記の目的を達成するために、印加された磁
界の中で、ターゲット側電極と基板側電極の双方または
一方に高周波または直流の電圧を印加して薄膜を形成す
るバイアススパッタ装置において、基板表面を貫通し且
つ基板表面に向がって開く発散磁界を形成する磁力線を
遮るような遮蔽物を備えたものである。
界の中で、ターゲット側電極と基板側電極の双方または
一方に高周波または直流の電圧を印加して薄膜を形成す
るバイアススパッタ装置において、基板表面を貫通し且
つ基板表面に向がって開く発散磁界を形成する磁力線を
遮るような遮蔽物を備えたものである。
更に該遮蔽物を導電性材料で作り、これにアース電位ま
たは正の電位を印加させる構成にすることで一層その効
果を高めたものである。
たは正の電位を印加させる構成にすることで一層その効
果を高めたものである。
（作用）
上記構成によれば、発散磁界に加速されて基板に向かう
電子はその運動を遮蔽物で阻害され、そのため基板に入
射する荷電粒子のエネルギーを減少し、基板表面のダメ
ージを少なくすることが出来る。
電子はその運動を遮蔽物で阻害され、そのため基板に入
射する荷電粒子のエネルギーを減少し、基板表面のダメ
ージを少なくすることが出来る。
（実施例）
第１図は、本発明の実施例の第１の実施例を示すバイア
ススパッタ装置の概略の断面図であって、第４図と同一
の部材には同一の符号をけしてその説明を省略する。
ススパッタ装置の概略の断面図であって、第４図と同一
の部材には同一の符号をけしてその説明を省略する。
本発明のポイントである磁界発生装置１１０と、それよ
り発する磁力線、および本発明の特徴をなす遮蔽物のタ
ーゲット側電極シールド２の関係を抜きだして第２図に
示す。
り発する磁力線、および本発明の特徴をなす遮蔽物のタ
ーゲット側電極シールド２の関係を抜きだして第２図に
示す。
基板ダメージの原因となる、基板５の表面を貫通する磁
力線群１３ｄｌ〜１３６〜１３ｄ２ は、ターゲットに
近い部分でターゲット側電極シールド２の延長された先
端部２５で遮られている。
力線群１３ｄｌ〜１３６〜１３ｄ２ は、ターゲットに
近い部分でターゲット側電極シールド２の延長された先
端部２５で遮られている。
この為これら磁力線に沿って回転しつ−進む電子は、発
散磁界のうち最も発散の度合の強い周辺部２００基部で
電子の基板方向への進行が妨げられ、電子が磁界方向に
下方に向かって加速される力が弱められる。
散磁界のうち最も発散の度合の強い周辺部２００基部で
電子の基板方向への進行が妨げられ、電子が磁界方向に
下方に向かって加速される力が弱められる。
その結果、正イオンの加速も弱くなり、基板５に進入し
て表面を衝撃する正イオンのエネルギーは小さくなり、
基板のダメージが少なくなる。
て表面を衝撃する正イオンのエネルギーは小さくなり、
基板のダメージが少なくなる。
シールド板２が磁力線群を横切っている部分２５の付近
ではプラズマの発生は妨げられるので、そのこともまた
基板５への電子の入射を少なくし、基板表面のダメージ
を小さくしている。
ではプラズマの発生は妨げられるので、そのこともまた
基板５への電子の入射を少なくし、基板表面のダメージ
を小さくしている。
第３図は、中央部２１に存在する発散磁界への対策とし
て、センターシールド板１Ｇを、上記の上に更に加えた
、本発明の第２の実施例を示すものであり、このセンタ
ーシールドｔｆｆ１Ｇにより夕−ゲットの中央付近での
電子の発生を妨げ、且つ、基板への高エネルギー荷電粒
子の入射を一層少なくしたものである。
て、センターシールド板１Ｇを、上記の上に更に加えた
、本発明の第２の実施例を示すものであり、このセンタ
ーシールドｔｆｆ１Ｇにより夕−ゲットの中央付近での
電子の発生を妨げ、且つ、基板への高エネルギー荷電粒
子の入射を一層少なくしたものである。
本発明の磁力線の遮蔽物は、上記のほか２２゜２３等の
ようにターゲットから可成り離れた位置に設置し、また
は、これらを重畳して設置しても、それぞれ相当の効果
を生むが、実験によって第１図のシールド２の先端部の
延長２５だけですでに充分の効果が現れることが判明し
ている。
ようにターゲットから可成り離れた位置に設置し、また
は、これらを重畳して設置しても、それぞれ相当の効果
を生むが、実験によって第１図のシールド２の先端部の
延長２５だけですでに充分の効果が現れることが判明し
ている。
更に、例えば同一出願人による特開昭６０−２４７６２
７号公報には基板側にも磁界発生装置を設けたバイアス
スパッタ装置についての発明が開示されているが、本発
明は、かかる装置の磁界の発散部に適用しても大きい効
果を生む。磁界発生装置がターゲット側、基板側以外の
場所にある場合も同じであることは明かである。
７号公報には基板側にも磁界発生装置を設けたバイアス
スパッタ装置についての発明が開示されているが、本発
明は、かかる装置の磁界の発散部に適用しても大きい効
果を生む。磁界発生装置がターゲット側、基板側以外の
場所にある場合も同じであることは明かである。
またこの本発明の磁力線の遮蔽物であるシールド板２，
１６は、それを導電性物体で作り、アース電位を印加し
たり、電子を捕らえるために正の電位を印加したりする
ことで、その効果を大いに高めることが判明している。
１６は、それを導電性物体で作り、アース電位を印加し
たり、電子を捕らえるために正の電位を印加したりする
ことで、その効果を大いに高めることが判明している。
（発明の効果〉
本発明は、以上の通りであって、発散磁界によって高エ
ネルギー荷電粒子が基板に入射しダメージを作るのを抑
止するバイアススパッタ装置を提供する効果がある。
ネルギー荷電粒子が基板に入射しダメージを作るのを抑
止するバイアススパッタ装置を提供する効果がある。
第１図は、本発明のバイアススパッタ装置の第１の実施
例の概略の構成図。 第２図は、その磁力線の図。 第３図は、本発明のバイアススパッタ装置の第２の実施
例の構成および磁力線の図。 第４図は、従来のバイアススパッタ装置の概略の断面図
。 第５図は、その磁力線の図。 １・・・ターゲット、 ２・・・ターゲットｆ１１．ｌＪ電極シールド、３．８
・・・インピーダンス変換ユニット、４、９・・・電源
、 ５・・・基板、 ６・・・基板台、７・・・基
板側電極シールド、 ８・・・基板、１０・・・真
空チャンバー、 １１・・・ターゲット側電極、 １２・・・基板側電
極、１３ａ〜！ ３／！、１３ｄｌ、１３ｄ２−磁力線
、１１０・・・磁界発生装置、 １１４・・・中心磁
極、１１５・・・外周磁極、１６・・・センターシール
ド板。 特許出願人 日電アネルバ株式会社。 代理人 弁理士 村上 健次 手続補正書 く自発） ２９発明の名称 バイアススパッタ装置３、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都府中市四谷 ５−８−１名称 日電ア
ネルバ株式会社 代表者 安１） 進 ４、代理人 住所 東京都府中市四谷 ！５−８−１６、補正の
対象 明細書の特許請求の範囲の欄、および 発明の詳細な説明の欄。 ７、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の如く補正する。 （２）明細書の第２頁７行目の、 「高周波電源」を、 「交流電源」と補正する。 （３）明細書の第２頁１６行目の、 「あある。」を、 「ある、」と補正する。 （４）明細書の第３頁７行目から１２行目の、「下方に
移動する。 その結果・・・・電子、正イオンともに
高速度で」を、 「下方に移動し、高速度で」と補正する。 （５）明細書の第６頁９行目から１１行目までの、「そ
の結果、・・・ダメージが少なくなる。」を削除する。 以上。 特許請求の範囲 （１）印加された磁界の中で、ターゲット側電極と基板
側電極の双方または一方に交流または直流の電圧を印加
して薄膜を形成するバイアススパッタ装置において、基
板表面に向かって開く発散磁界を構成する磁力線のうち
基板表面を貫通するものを遮る如き遮蔽物を備えたこと
を特徴とするバイアススパッタ装置。 （２）該遮蔽物がアース電位または正の電位を印加され
た導電性物体であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のバイアススパッタ装置。
例の概略の構成図。 第２図は、その磁力線の図。 第３図は、本発明のバイアススパッタ装置の第２の実施
例の構成および磁力線の図。 第４図は、従来のバイアススパッタ装置の概略の断面図
。 第５図は、その磁力線の図。 １・・・ターゲット、 ２・・・ターゲットｆ１１．ｌＪ電極シールド、３．８
・・・インピーダンス変換ユニット、４、９・・・電源
、 ５・・・基板、 ６・・・基板台、７・・・基
板側電極シールド、 ８・・・基板、１０・・・真
空チャンバー、 １１・・・ターゲット側電極、 １２・・・基板側電
極、１３ａ〜！ ３／！、１３ｄｌ、１３ｄ２−磁力線
、１１０・・・磁界発生装置、 １１４・・・中心磁
極、１１５・・・外周磁極、１６・・・センターシール
ド板。 特許出願人 日電アネルバ株式会社。 代理人 弁理士 村上 健次 手続補正書 く自発） ２９発明の名称 バイアススパッタ装置３、補正をす
る者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都府中市四谷 ５−８−１名称 日電ア
ネルバ株式会社 代表者 安１） 進 ４、代理人 住所 東京都府中市四谷 ！５−８−１６、補正の
対象 明細書の特許請求の範囲の欄、および 発明の詳細な説明の欄。 ７、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙の如く補正する。 （２）明細書の第２頁７行目の、 「高周波電源」を、 「交流電源」と補正する。 （３）明細書の第２頁１６行目の、 「あある。」を、 「ある、」と補正する。 （４）明細書の第３頁７行目から１２行目の、「下方に
移動する。 その結果・・・・電子、正イオンともに
高速度で」を、 「下方に移動し、高速度で」と補正する。 （５）明細書の第６頁９行目から１１行目までの、「そ
の結果、・・・ダメージが少なくなる。」を削除する。 以上。 特許請求の範囲 （１）印加された磁界の中で、ターゲット側電極と基板
側電極の双方または一方に交流または直流の電圧を印加
して薄膜を形成するバイアススパッタ装置において、基
板表面に向かって開く発散磁界を構成する磁力線のうち
基板表面を貫通するものを遮る如き遮蔽物を備えたこと
を特徴とするバイアススパッタ装置。 （２）該遮蔽物がアース電位または正の電位を印加され
た導電性物体であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のバイアススパッタ装置。
Claims (2)
- （１）印加された磁界の中で、ターゲット側電極と基板
側電極の双方または一方に高周波または直流の電圧を印
加して薄膜を形成するバイアススパッタ装置において、
基板表面に向かって開く発散磁界を構成する磁力線のう
ち基板表面を貫通するものを遮る如き遮蔽物を備えたこ
とを特徴とするバイアススパッタ装置。 - （２）該遮蔽物がアース電位または正の電位を印加され
た導電性物体であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のバイアススパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13861987A JPS63303067A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | バイアススパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13861987A JPS63303067A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | バイアススパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303067A true JPS63303067A (ja) | 1988-12-09 |
| JPH0543788B2 JPH0543788B2 (ja) | 1993-07-02 |
Family
ID=15226308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13861987A Granted JPS63303067A (ja) | 1987-06-02 | 1987-06-02 | バイアススパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303067A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4426275A (en) * | 1981-11-27 | 1984-01-17 | Deposition Technology, Inc. | Sputtering device adaptable for coating heat-sensitive substrates |
| JPS5992995A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-29 | Matsushita Electronics Corp | 高融点金属シリサイド膜の形成方法 |
| JPS62107064A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Anelva Corp | バイアススパツタ装置 |
-
1987
- 1987-06-02 JP JP13861987A patent/JPS63303067A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4426275A (en) * | 1981-11-27 | 1984-01-17 | Deposition Technology, Inc. | Sputtering device adaptable for coating heat-sensitive substrates |
| JPS5992995A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-29 | Matsushita Electronics Corp | 高融点金属シリサイド膜の形成方法 |
| JPS62107064A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-18 | Anelva Corp | バイアススパツタ装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0543788B2 (ja) | 1993-07-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |