JPS63303068A - 基板加熱装置 - Google Patents
基板加熱装置Info
- Publication number
- JPS63303068A JPS63303068A JP13940787A JP13940787A JPS63303068A JP S63303068 A JPS63303068 A JP S63303068A JP 13940787 A JP13940787 A JP 13940787A JP 13940787 A JP13940787 A JP 13940787A JP S63303068 A JPS63303068 A JP S63303068A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heater
- heat
- holder
- substrate holder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
及」Ｌ貝狗
本発明は、ＰＶＤ法により薄膜を形成させる基板を加熱
する装置の改良に関する。 （従来の技術］ 真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなど
、ＰＶＤのカテゴリーに入る技術により種々の物質の機
能性薄膜を形成する場合、とくに単結晶薄膜をエピタキ
シャル成長させるためには、基板を加熱しつつＰＶＤを
実施しなければならない。 この目的に使用する基板加
熱装置は、一般に、真空室内にターゲットに対向して設
けた窓を有する７ノード板の背後に、回転可能な基板ホ
ルダー、基板ホルダーの回転駆動手段およびヒーターを
配置した構成をもっている。 基板を加熱する温度は、最近の研究の進虐につれて次第
に高くなっており、たとえば９００℃またはそれ以上に
加熱できることが要望されているが、現在市販されてい
るＰＶＤ装置では、最高４００℃程度までしか加熱でき
ず、この要望に沿うことができない。 そこで発明者らは、既製の装置のヒーター容量を増大し
てみたが、基板の温度上昇が不均一で良質の薄膜は得ら
れないことを経験した。 また、多量の熱の発生で装置
全体の温度が上昇してしまい、真空室の気密の確保に不
安が生じた。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、上記の経験にかんがみ、機能性薄膜形
成用の基板を加熱する装置を改良し、所望の高い温度ま
で支障なく基板を加熱することができ、かつ基板の温度
の均一性が高く得られる装置を提供することにある。 及更ＯＳ式 ［問題点を解決するための手段］ 本発明の基板加熱装置は、第１図に示すように、ＰＶＤ
法により薄膜を形成させる基板を加熱する装置であって
、真空室９１内にターゲット３１に対向して設けた窓２
１を有するアノード板２の背（変に配置した、回転可能
な基板ホルダー４、基板ホルダー４の回転駆動手段５お
よびヒーター６から本質的になる装置において、第２図
に主要部を示すように、ヒーター６を固定的かつ基板ホ
ルダー４に対して非接触的に設けて主として輻射熱によ
り基板１を加熱するとともに、ヒーターの背後に少なく
とも１枚の熱反射板７を設けたことを特徴とする。 第２図において、３２はターゲットをとりつけるカソー
ド、９２はスパッタ電源、９３は真空装置、９４はスパ
ッタガス源である。 ８はアノード板の支柱であり、８
１はヒーターおよび熱反射板を電気的に絶縁する絶縁材
料である。 熱反射板７の周縁は、図にみるように筒状に形成し、ヒ
ーター６からの半径方向の輻射熱をも反射するように構
成するとよい。 反射効果を確実にするため、熱反射板
は多数（図示した例では面方向に４枚、半径方向に２枚
）重ねることが好ましい。 ［作 用］ 従来の基板加熱装置は、第３図に主要部を示すように、
ヒーター６Ａを基板ホルダー４Ａに密着固定し、それと
一体に回転するように構成してあった。 この構造は、熱効率は高く得られるが、ヒーターの温度
ムラがそのまま基板の温度ムラとなってしまう。 温度
ムラの解消は、発明者らの経験によれば、加熱温度を高
くするほど困難である。 本発明に従って、ヒーターを基板ホルダーから離して輻
射熱により加熱し、ヒーターは固定して基板ホルダーが
移動するように構成すれば、加熱は均一に行なわれ、基
板の温度ムラは実質上はとんど解消する。 ヒーターの構造は、被加熱物体である基板ホルダー側に
熱の多くが向い、背後へはなるべく出ないように配慮す
べきことはもちろんであるが、それでも背後にも輻射が
あることは避けられないから、熱反射板でこれを反射す
る。 周縁にも熱反射板を設けて、半径方向の熱輻射を
少なくすれば、熱はヒーターと基板ホルダーのあたりに
閉じ込められる。 このようにして、熱がＤＶＰ装置全
体に拡散する度合を低くすることによって、真空保持に
支障を生じることなく基板を高温に加熱することができ
る。 ■ユ辺盈】 本発明の基板加熱装置を使用すれば、ＰＶＤ法により薄
膜を形成させる装置の基板の加熱を、従来の装置では実
現していなかった９００℃以上、最高１２００℃程度の
温度まで、しかも温度ムラが実質上ないほど均一に行な
うことができる。 熱反射板の使用は、真空室内での熱の拡散を最少限に抑
え、高温になる部分を限定するから、熱効率が低下する
ことなく、かつ装置全体の真空保持その他の運転上の問
題が避けられる。 ヒーターは固定されているから、電源の配線は支柱を通
して真空室の筐体に導くことができ、従来の基板ホルダ
ーとともに回転するヒーターの電源を摺動部分を通して
とるという必要がなくなった。
する装置の改良に関する。 （従来の技術］ 真空蒸着、スパッタリング、イオンブレーティングなど
、ＰＶＤのカテゴリーに入る技術により種々の物質の機
能性薄膜を形成する場合、とくに単結晶薄膜をエピタキ
シャル成長させるためには、基板を加熱しつつＰＶＤを
実施しなければならない。 この目的に使用する基板加
熱装置は、一般に、真空室内にターゲットに対向して設
けた窓を有する７ノード板の背後に、回転可能な基板ホ
ルダー、基板ホルダーの回転駆動手段およびヒーターを
配置した構成をもっている。 基板を加熱する温度は、最近の研究の進虐につれて次第
に高くなっており、たとえば９００℃またはそれ以上に
加熱できることが要望されているが、現在市販されてい
るＰＶＤ装置では、最高４００℃程度までしか加熱でき
ず、この要望に沿うことができない。 そこで発明者らは、既製の装置のヒーター容量を増大し
てみたが、基板の温度上昇が不均一で良質の薄膜は得ら
れないことを経験した。 また、多量の熱の発生で装置
全体の温度が上昇してしまい、真空室の気密の確保に不
安が生じた。 ［発明が解決しようとする問題点］ 本発明の目的は、上記の経験にかんがみ、機能性薄膜形
成用の基板を加熱する装置を改良し、所望の高い温度ま
で支障なく基板を加熱することができ、かつ基板の温度
の均一性が高く得られる装置を提供することにある。 及更ＯＳ式 ［問題点を解決するための手段］ 本発明の基板加熱装置は、第１図に示すように、ＰＶＤ
法により薄膜を形成させる基板を加熱する装置であって
、真空室９１内にターゲット３１に対向して設けた窓２
１を有するアノード板２の背（変に配置した、回転可能
な基板ホルダー４、基板ホルダー４の回転駆動手段５お
よびヒーター６から本質的になる装置において、第２図
に主要部を示すように、ヒーター６を固定的かつ基板ホ
ルダー４に対して非接触的に設けて主として輻射熱によ
り基板１を加熱するとともに、ヒーターの背後に少なく
とも１枚の熱反射板７を設けたことを特徴とする。 第２図において、３２はターゲットをとりつけるカソー
ド、９２はスパッタ電源、９３は真空装置、９４はスパ
ッタガス源である。 ８はアノード板の支柱であり、８
１はヒーターおよび熱反射板を電気的に絶縁する絶縁材
料である。 熱反射板７の周縁は、図にみるように筒状に形成し、ヒ
ーター６からの半径方向の輻射熱をも反射するように構
成するとよい。 反射効果を確実にするため、熱反射板
は多数（図示した例では面方向に４枚、半径方向に２枚
）重ねることが好ましい。 ［作 用］ 従来の基板加熱装置は、第３図に主要部を示すように、
ヒーター６Ａを基板ホルダー４Ａに密着固定し、それと
一体に回転するように構成してあった。 この構造は、熱効率は高く得られるが、ヒーターの温度
ムラがそのまま基板の温度ムラとなってしまう。 温度
ムラの解消は、発明者らの経験によれば、加熱温度を高
くするほど困難である。 本発明に従って、ヒーターを基板ホルダーから離して輻
射熱により加熱し、ヒーターは固定して基板ホルダーが
移動するように構成すれば、加熱は均一に行なわれ、基
板の温度ムラは実質上はとんど解消する。 ヒーターの構造は、被加熱物体である基板ホルダー側に
熱の多くが向い、背後へはなるべく出ないように配慮す
べきことはもちろんであるが、それでも背後にも輻射が
あることは避けられないから、熱反射板でこれを反射す
る。 周縁にも熱反射板を設けて、半径方向の熱輻射を
少なくすれば、熱はヒーターと基板ホルダーのあたりに
閉じ込められる。 このようにして、熱がＤＶＰ装置全
体に拡散する度合を低くすることによって、真空保持に
支障を生じることなく基板を高温に加熱することができ
る。 ■ユ辺盈】 本発明の基板加熱装置を使用すれば、ＰＶＤ法により薄
膜を形成させる装置の基板の加熱を、従来の装置では実
現していなかった９００℃以上、最高１２００℃程度の
温度まで、しかも温度ムラが実質上ないほど均一に行な
うことができる。 熱反射板の使用は、真空室内での熱の拡散を最少限に抑
え、高温になる部分を限定するから、熱効率が低下する
ことなく、かつ装置全体の真空保持その他の運転上の問
題が避けられる。 ヒーターは固定されているから、電源の配線は支柱を通
して真空室の筐体に導くことができ、従来の基板ホルダ
ーとともに回転するヒーターの電源を摺動部分を通して
とるという必要がなくなった。
第１図は、ＰＶＤにより薄膜を形成させる装置の構成を
、真空室内を断面で示した概念的な図である。 第２図は、本発明の基板加熱装置の構造を示す断面図で
ある。 第３図は、従来の基板加熱装置の構造を示す、第２図と
同様な断面図である。 １・・・基 板 ２・・・アノード板３１・
・・ターゲット ３２・・・カソード４・・・基板
ホルダー ５・・・基板ホルダー回転駆動手段 ６．６Ａ・・・ヒーター ７・・・熱反射板９１・・
・真 空 室 ９２・・・スパッタ電源９３・・・
真空装＠ ９４・・・スパッタガス源特許出願人
大同特殊鋼株式会社 代理人 弁理士 須 賀 総 夫 第１図
、真空室内を断面で示した概念的な図である。 第２図は、本発明の基板加熱装置の構造を示す断面図で
ある。 第３図は、従来の基板加熱装置の構造を示す、第２図と
同様な断面図である。 １・・・基 板 ２・・・アノード板３１・
・・ターゲット ３２・・・カソード４・・・基板
ホルダー ５・・・基板ホルダー回転駆動手段 ６．６Ａ・・・ヒーター ７・・・熱反射板９１・・
・真 空 室 ９２・・・スパッタ電源９３・・・
真空装＠ ９４・・・スパッタガス源特許出願人
大同特殊鋼株式会社 代理人 弁理士 須 賀 総 夫 第１図
Claims (2)
- （１）ＰＶＤ法により薄膜を形成させる基板を加熱する
装置であつて、真空室内にターゲットに対向して設けた
窓を有するアノード板の背後に配置した、回転可能な基
板ホルダー、基板ホルダーの回転駆動手段およびヒータ
ーから本質的になる装置において、ヒーターを固定的か
つ基板ホルダーに対して非接触的に設け、主として熱輻
射により基板を加熱するとともに、ヒーターの背後に少
なくとも１枚の熱反射板を設けたことを特徴とする基板
加熱装置。 - （２）熱反射板の周縁が筒状であって、ヒーターからの
半径方向の輻射熱をも反射するように構成した特許請求
の範囲第１項の基板加熱装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13940787A JPS63303068A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 基板加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13940787A JPS63303068A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 基板加熱装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63303068A true JPS63303068A (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=15244534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13940787A Pending JPS63303068A (ja) | 1987-06-03 | 1987-06-03 | 基板加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63303068A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102586752A (zh) * | 2011-12-23 | 2012-07-18 | 友达光电股份有限公司 | 基板固定装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435178A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ultrafine particle depositing apparatus |
| JPS5992019A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-05-28 | ウエスタ−ン・エレクトリツク・カムパニ−・インコ−ポレ−テツド | 加熱基板上へ材料を真空蒸着する方法 |
-
1987
- 1987-06-03 JP JP13940787A patent/JPS63303068A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5435178A (en) * | 1977-08-23 | 1979-03-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ultrafine particle depositing apparatus |
| JPS5992019A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-05-28 | ウエスタ−ン・エレクトリツク・カムパニ−・インコ−ポレ−テツド | 加熱基板上へ材料を真空蒸着する方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102586752A (zh) * | 2011-12-23 | 2012-07-18 | 友达光电股份有限公司 | 基板固定装置 |
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