JPS63306630A - 微粒子の除去方法 - Google Patents
微粒子の除去方法Info
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- JPS63306630A JPS63306630A JP14360587A JP14360587A JPS63306630A JP S63306630 A JPS63306630 A JP S63306630A JP 14360587 A JP14360587 A JP 14360587A JP 14360587 A JP14360587 A JP 14360587A JP S63306630 A JPS63306630 A JP S63306630A
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は微粒子の除去方法に関し、特に半導体基板表面
に吸着している微粒子の除去方法に関する。
に吸着している微粒子の除去方法に関する。
従来、半導体基板表面の微粒子の除去方法としては、超
音波により脱離させる方法、半導体基板上に高圧水を吹
きつける方法、さらに半導体基板を回転させ、直接ブラ
シ等でこすって微粒子を除去する方法等がある。
音波により脱離させる方法、半導体基板上に高圧水を吹
きつける方法、さらに半導体基板を回転させ、直接ブラ
シ等でこすって微粒子を除去する方法等がある。
固体表面及び固体間における吸着現象としては、化学吸
着、物理吸着があり、その中には水素結合力、配位結合
力１分子間力、ファンデルウアールス力等が知られてい
るが、半導体基板表面の微粒子の吸着において最も重要
な影響を与えているのは静電気力であると考えられてい
る。
着、物理吸着があり、その中には水素結合力、配位結合
力１分子間力、ファンデルウアールス力等が知られてい
るが、半導体基板表面の微粒子の吸着において最も重要
な影響を与えているのは静電気力であると考えられてい
る。
つまり半導体基板表面は非常に活性化されており、又そ
の表面には多数の物質が、ＣＶＤ法、イオン注入法、メ
タライゼーション等により導入されているため、半導体
基板表面には多くの分極している部分が存在している。
の表面には多数の物質が、ＣＶＤ法、イオン注入法、メ
タライゼーション等により導入されているため、半導体
基板表面には多くの分極している部分が存在している。
また微粒子もその表面に正負いずれかの電荷を有してい
るために、分極してδ＋ （＋の微小電荷）、δ−（−
の微小電荷）となっている半導体表面の部位へ、それぞ
れ静電気力により吸着されている。
るために、分極してδ＋ （＋の微小電荷）、δ−（−
の微小電荷）となっている半導体表面の部位へ、それぞ
れ静電気力により吸着されている。
しかし上述した従来の処理方法ではこの吸着のメカミズ
ムを基本的にとらえていないため、半導体表面の微粒子
を完全に取り去る事は不可能であった。
ムを基本的にとらえていないため、半導体表面の微粒子
を完全に取り去る事は不可能であった。
本発明の目的は、半導体基板表面の微粒子を完全に除去
するさとのできる微粒子の除去方法を提供することにあ
る。
するさとのできる微粒子の除去方法を提供することにあ
る。
本発明の微粒子の除去方法は、純水あるいは電解質溶液
中に半導体基板と電極とを対向して浸漬したのち、半導
体基板と電極間に直流電圧を印加するものである。
中に半導体基板と電極とを対向して浸漬したのち、半導
体基板と電極間に直流電圧を印加するものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための処理槽の断
面図である。
面図である。
第１図において微粒子の付着した半導体基板１と、対向
する電極２とは導線４によってそれぞれ直流電源５に接
続され、処理槽３の純水中に浸漬されている。処理層３
には純水８が満たせれており、槽内の純水は導水管６よ
り導入される微粒子の除去された純水により常に置換さ
れている。また後述する方法により半導体基板表面より
脱離した微粒子を含む純水は排水ロアより排水されてい
る。
する電極２とは導線４によってそれぞれ直流電源５に接
続され、処理槽３の純水中に浸漬されている。処理層３
には純水８が満たせれており、槽内の純水は導水管６よ
り導入される微粒子の除去された純水により常に置換さ
れている。また後述する方法により半導体基板表面より
脱離した微粒子を含む純水は排水ロアより排水されてい
る。
次に、微粒子脱離のメカニズムを第２図（ａ）〜（ｃ）
を用いて説明する。
を用いて説明する。
第２図は半導体基板表面の一部を表わしており、第２図
（ａ）ではδ−及びδ“に分極した半導体基板表面９ａ
、１０ａにそれぞれ＋、−に帯電している微粒子１１及
び１２が吸着している状態を示している。
（ａ）ではδ−及びδ“に分極した半導体基板表面９ａ
、１０ａにそれぞれ＋、−に帯電している微粒子１１及
び１２が吸着している状態を示している。
第２図（ｂ）においては半導体基板表面側に正の電圧を
印加した場合であり、第２図（ａ）において各々δ−δ
１に分極していた表面９ａ。
印加した場合であり、第２図（ａ）において各々δ−δ
１に分極していた表面９ａ。
１０ａは第２図（ｂ）の９ｂ、１０ｂに示した様に、正
電荷を表面に有する様になる。従って正に帯電している
微粒子１１は基板表面の電荷と反発して表面より脱離す
る。
電荷を表面に有する様になる。従って正に帯電している
微粒子１１は基板表面の電荷と反発して表面より脱離す
る。
第２図（Ｃ）は逆に基板側に負の電圧を印加した場合で
ある。基板表面は９ｃ、１０ｃの様に負電荷を表面に有
するため負に帯電している微粒子１２が脱離する。この
ようにして半導体基板の表面の微粒子は完全に除去され
る。
ある。基板表面は９ｃ、１０ｃの様に負電荷を表面に有
するため負に帯電している微粒子１２が脱離する。この
ようにして半導体基板の表面の微粒子は完全に除去され
る。
ここで問題となるのは純水中に存在する微粒子の半導体
基板への再吸着であるが、現在使用されている純水は、
１００ｍｊ’中に０．３μｍ以上の微粒子は１０ケ以下
という水準に達しているので、再吸着する量は脱離する
量に比して非常に少ないため特に問題にならない。
基板への再吸着であるが、現在使用されている純水は、
１００ｍｊ’中に０．３μｍ以上の微粒子は１０ケ以下
という水準に達しているので、再吸着する量は脱離する
量に比して非常に少ないため特に問題にならない。
尚、純水の替りにＨＣｌ等のうすい電解質溶液を用い電
圧を印加してもよい。この場合、正極からは酸素が、負
極からは水素が発生する。
圧を印加してもよい。この場合、正極からは酸素が、負
極からは水素が発生する。
半導体基板１に負の電圧を印加した場合、半導体基板表
面からは水素が発生するが、この時水素の気泡は、より
電荷密度の高い微粒子の付着した部分において発生する
ため、微粒子は印加された電圧に対する反発力と共に、
気泡によってもたらされる浮力によって半導体基板表面
より脱離する。このため、微粒子の脱離は更に完全とな
る。
面からは水素が発生するが、この時水素の気泡は、より
電荷密度の高い微粒子の付着した部分において発生する
ため、微粒子は印加された電圧に対する反発力と共に、
気泡によってもたらされる浮力によって半導体基板表面
より脱離する。このため、微粒子の脱離は更に完全とな
る。
以上説明したように本発明は、純水あるいは電解質溶液
中に半導体基板と電極とを対向して浸漬させたのち、こ
の半導体基板と電極とに直流電圧を印加することにより
、半導体基板表面に吸着した微粒子を完全に除去できる
効果がある。従って半導体装置の品質及び製造歩留りは
向上したものとなる。
中に半導体基板と電極とを対向して浸漬させたのち、こ
の半導体基板と電極とに直流電圧を印加することにより
、半導体基板表面に吸着した微粒子を完全に除去できる
効果がある。従って半導体装置の品質及び製造歩留りは
向上したものとなる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための処理槽の断
面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は微粒子の脱離作用を説明
するための半導体基板の拡大図である。 １・・・半導体基板、２・・・電極、３・・・処理槽、
４・・・導線、５・・・直流電源、６・・・導水管、７
・・・排水口、８・・・純水、９ａ・・・δ−に分極し
た基板表面、９ｂ・・・正電荷を持つ基板表面、９Ｃ・
・・負電荷を持つ基板表面、１０ａ・・・δ１に分極し
た基板表面、１０ｂ・・・正電荷を持つ基板表面、１０
ｃ・・・負電荷を持つ基板表面、１１・・・正に帯電し
ている微粒子、１２・・・負に帯電している微粒子。
面図、第２図（ａ）〜（ｃ）は微粒子の脱離作用を説明
するための半導体基板の拡大図である。 １・・・半導体基板、２・・・電極、３・・・処理槽、
４・・・導線、５・・・直流電源、６・・・導水管、７
・・・排水口、８・・・純水、９ａ・・・δ−に分極し
た基板表面、９ｂ・・・正電荷を持つ基板表面、９Ｃ・
・・負電荷を持つ基板表面、１０ａ・・・δ１に分極し
た基板表面、１０ｂ・・・正電荷を持つ基板表面、１０
ｃ・・・負電荷を持つ基板表面、１１・・・正に帯電し
ている微粒子、１２・・・負に帯電している微粒子。
Claims (1)
- 純水あるいは電解質溶液中に半導体基板と電極とを対
向して浸漬したのち、半導体基板と電極間に直流電圧を
印加する事を特徴とする微粒子の除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14360587A JPS63306630A (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 微粒子の除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14360587A JPS63306630A (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 微粒子の除去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63306630A true JPS63306630A (ja) | 1988-12-14 |
Family
ID=15342616
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14360587A Pending JPS63306630A (ja) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | 微粒子の除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63306630A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000034995A1 (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | Japan Science And Technology Corporation | Method for machining/cleaning by hydroxide ion in ultrapure water |
| EP1170083A3 (en) * | 2000-07-05 | 2002-09-04 | Ebara Corporation | Electrochemical machining method and apparatus |
| US6743349B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-06-01 | Ebara Corporation | Electrochemical machining method and apparatus |
| US7913702B2 (en) * | 2004-11-16 | 2011-03-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, substrate processing system, substrate cleaning program and storage medium |
-
1987
- 1987-06-08 JP JP14360587A patent/JPS63306630A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000034995A1 (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-15 | Japan Science And Technology Corporation | Method for machining/cleaning by hydroxide ion in ultrapure water |
| US6652658B1 (en) | 1998-12-07 | 2003-11-25 | Japan Science And Technology Corporation | Method for machining/cleaning by hydroxide ion in ultrapure water |
| EP1170083A3 (en) * | 2000-07-05 | 2002-09-04 | Ebara Corporation | Electrochemical machining method and apparatus |
| US6743349B2 (en) | 2000-07-05 | 2004-06-01 | Ebara Corporation | Electrochemical machining method and apparatus |
| US7255778B2 (en) | 2000-07-05 | 2007-08-14 | Ebara Corporation | Electrochemical machining method and apparatus |
| US7913702B2 (en) * | 2004-11-16 | 2011-03-29 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus, substrate processing system, substrate cleaning program and storage medium |
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