JPS605529A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
- Publication number
- JPS605529A JPS605529A JP58113146A JP11314683A JPS605529A JP S605529 A JPS605529 A JP S605529A JP 58113146 A JP58113146 A JP 58113146A JP 11314683 A JP11314683 A JP 11314683A JP S605529 A JPS605529 A JP S605529A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- washing
- cleaning
- ionized
- semiconductor substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H10P72/0416—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は集積回路を搭載する半導体基板の洗浄法に係り
特に該半導体基板表面上への静電気帯電が生じない洗浄
装置に関する。
特に該半導体基板表面上への静電気帯電が生じない洗浄
装置に関する。
近年、集積回路に於いては該集積回路を搭載する半導体
基板表面の回路転写に使用するリソグラフィ技術を含む
微細加工技術及び集積回路形成のための新材料等の研究
・開発の進歩に伴い、大谷量化、高速化が著しく進んで
きている。
基板表面の回路転写に使用するリソグラフィ技術を含む
微細加工技術及び集積回路形成のための新材料等の研究
・開発の進歩に伴い、大谷量化、高速化が著しく進んで
きている。
斯くなる半導体集積回路装置のＶＬＳＩ化の中にあって
該半導体集積回路の製造工程に於ける環境例えば空気、
更に又半導体基板洗浄の１ヒめの純水。
該半導体集積回路の製造工程に於ける環境例えば空気、
更に又半導体基板洗浄の１ヒめの純水。
薬品の清浄化技術はますます重要となってくる。
これは、集積回路素子の微細化に伴い、微小な縣埃でも
該集積回路の製造にとって大きな障害となってくること
更には又微量な不純物の半導体基板への付着が該集積回
路の品質に大＠な影響を与えるようになるためである。
該集積回路の製造にとって大きな障害となってくること
更には又微量な不純物の半導体基板への付着が該集積回
路の品質に大＠な影響を与えるようになるためである。
この様に半導体集積回路装置のＶＬＳＩ化は、製造環境
の更なる清浄化を必要とするが、更に又製造工程中に発
生する静電気帯電の防止方法も近年ますます重要なこと
がらとなってきた。これは、半導体基板の加工のための
装置から発生するイオンもさることながら上記目的で清
浄化された空気の光等の電磁波又は温度等で電離発生し
た陽イオン、陰イオン等が該空気中に数千〜数十万／を
存在し、清浄空気中にある半導体基板を含むあらゆる物
質に帯電すること、更に又、清浄化された純水等の溶液
は、電気絶縁性が非常に高く（比抵抗１０７Ω−α以上
）半導体基板の洗浄時に該溶液と物質との摩擦等で生じ
る静電気が該半導体基板を含む物質に残留し帯電する等
のために、半導体基板表面に形成した薄い絶縁膜の絶縁
破壊が生じ易くなるからである。斯くの如き半導体基板
表面上に形成した薄い絶縁膜に帯電した静電気による絶
縁破壊は、微細加工に伴う絶縁膜の薄膜化が必須なＶＬ
Ｓ Ｉに於いては、特に顕著に現われてくる。このよう
な絶縁破壊は半導体集積回路の動作を不完全なものとす
るため、特にＶＬＳＨの製造に於いては、該静電気帯電
の防止法は非常に重要な技術となってきている。
の更なる清浄化を必要とするが、更に又製造工程中に発
生する静電気帯電の防止方法も近年ますます重要なこと
がらとなってきた。これは、半導体基板の加工のための
装置から発生するイオンもさることながら上記目的で清
浄化された空気の光等の電磁波又は温度等で電離発生し
た陽イオン、陰イオン等が該空気中に数千〜数十万／を
存在し、清浄空気中にある半導体基板を含むあらゆる物
質に帯電すること、更に又、清浄化された純水等の溶液
は、電気絶縁性が非常に高く（比抵抗１０７Ω−α以上
）半導体基板の洗浄時に該溶液と物質との摩擦等で生じ
る静電気が該半導体基板を含む物質に残留し帯電する等
のために、半導体基板表面に形成した薄い絶縁膜の絶縁
破壊が生じ易くなるからである。斯くの如き半導体基板
表面上に形成した薄い絶縁膜に帯電した静電気による絶
縁破壊は、微細加工に伴う絶縁膜の薄膜化が必須なＶＬ
Ｓ Ｉに於いては、特に顕著に現われてくる。このよう
な絶縁破壊は半導体集積回路の動作を不完全なものとす
るため、特にＶＬＳＨの製造に於いては、該静電気帯電
の防止法は非常に重要な技術となってきている。
本発明はかかる静電気帯電防止法の一つとして半導体基
板の洗浄時に生じる静電気帯電除去が容易な半導体基板
の新規な洗浄装置を提供せんとするものである。
板の洗浄時に生じる静電気帯電除去が容易な半導体基板
の新規な洗浄装置を提供せんとするものである。
このために本発明に於いては、半導体基板を洗浄槽に電
離したイオンガスの導入口を設は洗浄液中に該電離した
イオンガスの泡沫を半導体基板に接触する姿態に導入す
る。斯くすることで、洗浄液中で帯電した該半導体基板
はこの電離したイオンガスで電気的に中和される。例え
ば該半導体基板が正に帯電した場合は、該電離ガス中の
陰イオンで中和され、負に帯電している場合は、該ガス
中の陽イオンで中和される。斯くして該洗浄時に発生す
る静電気帯電は防止され、半導体基板上に形成した薄絶
縁膜等の絶縁破壊は除去される。
離したイオンガスの導入口を設は洗浄液中に該電離した
イオンガスの泡沫を半導体基板に接触する姿態に導入す
る。斯くすることで、洗浄液中で帯電した該半導体基板
はこの電離したイオンガスで電気的に中和される。例え
ば該半導体基板が正に帯電した場合は、該電離ガス中の
陰イオンで中和され、負に帯電している場合は、該ガス
中の陽イオンで中和される。斯くして該洗浄時に発生す
る静電気帯電は防止され、半導体基板上に形成した薄絶
縁膜等の絶縁破壊は除去される。
次に以下実施例で以って本発明の詳細な説明を行う。後
添附第１図、第２図は本発明の説明のためのもので以下
これをもとに説明するＱ第１図は本発明を適用した第１
の洗浄装置について示したものである。純水、薬品等の
洗浄溶液１０１を満した洗浄槽１０２中に、表面に絶縁
酸化物質等の形成された半導体基板１０３を半導体基板
の支持台１０４に立てかけて浸漬した後、洗浄溶液１０
１を洗浄溶液導入口１０５から導入する。該洗浄溶液の
導入は半導体基板の洗浄時に汚れる洗浄液１０１を新し
い清浄な洗浄液に置換するためのものである。ここで該
汚れた洗浄液は洗浄液排出口１０６を設は洗浄槽外に廃
棄する。斯くなる姿態の洗浄槽は一般に周知のものであ
るが、本発明に於いては厚に電離イオンガスの泡沫１０
７を図中に示される様に半導体基板表面に接触するよう
に洗浄溶液１０１中に導入する。これは、前述した如く
該半導体基板１０３表面に洗浄時帯電する静電気を除去
１−るためである。
添附第１図、第２図は本発明の説明のためのもので以下
これをもとに説明するＱ第１図は本発明を適用した第１
の洗浄装置について示したものである。純水、薬品等の
洗浄溶液１０１を満した洗浄槽１０２中に、表面に絶縁
酸化物質等の形成された半導体基板１０３を半導体基板
の支持台１０４に立てかけて浸漬した後、洗浄溶液１０
１を洗浄溶液導入口１０５から導入する。該洗浄溶液の
導入は半導体基板の洗浄時に汚れる洗浄液１０１を新し
い清浄な洗浄液に置換するためのものである。ここで該
汚れた洗浄液は洗浄液排出口１０６を設は洗浄槽外に廃
棄する。斯くなる姿態の洗浄槽は一般に周知のものであ
るが、本発明に於いては厚に電離イオンガスの泡沫１０
７を図中に示される様に半導体基板表面に接触するよう
に洗浄溶液１０１中に導入する。これは、前述した如く
該半導体基板１０３表面に洗浄時帯電する静電気を除去
１−るためである。
該電離したイオンガスは、洗浄槽下部に設けたガス導入
配管１０８の外周部に設置した二つの対向電極１０９に
高電圧を高′成圧源１１０を通して印加し発生させる。
配管１０８の外周部に設置した二つの対向電極１０９に
高電圧を高′成圧源１１０を通して印加し発生させる。
ここで電離するガスには窒素。
酸素、アルゴン等の気体ガスを用い、気体ガス導入口１
１１を通して導入する。伺該高電圧印加用の高電圧源と
しては直流でも交流でもよいが電圧は１００■〜１Ｑｋ
Ｖと気体ガス電離のために充分高い電圧を必要とする。
１１を通して導入する。伺該高電圧印加用の高電圧源と
しては直流でも交流でもよいが電圧は１００■〜１Ｑｋ
Ｖと気体ガス電離のために充分高い電圧を必要とする。
斯くして形成された陽イオン・陰イオンを含む電離イオ
ンガスは洗浄槽下の分岐した電離イオンガス導入路１１
２を通り、電離イオンカス棉人口１１３から洗浄槽１０
２内に一様に尋人される。
ンガスは洗浄槽下の分岐した電離イオンガス導入路１１
２を通り、電離イオンカス棉人口１１３から洗浄槽１０
２内に一様に尋人される。
斯くなるガスの導入は静電気の帯電を除去する外に更に
、洗浄効果を高める働きがある。これは、溶液中の泡沫
が半導体基板表向に付着した汚れを吸い取るためである
。
、洗浄効果を高める働きがある。これは、溶液中の泡沫
が半導体基板表向に付着した汚れを吸い取るためである
。
洗浄の作業を効率的に行うためには、洗浄浴液の排出導
入口１１４を別途に設け、三方コ、り１１５を切９換え
て、洗浄槽内の洗浄溶液の戻葉。
入口１１４を別途に設け、三方コ、り１１５を切９換え
て、洗浄槽内の洗浄溶液の戻葉。
充填を行うようにする。
次に第２図で本発明の第２の実施例について述べる。本
実施例は基本的には第１の実施例と同様であるが、電離
イオンガスの導入量゛ａが少し異っている。第１の実施
例の如く、洗浄溶液２０１を満たした洗浄槽２０２内に
半導体基板２０３を支持台に立てかけて浸漬し、高電圧
源２０４及び対向電極２０５で電離したイオンガスをガ
ス導入配管２０６に導入し電離イオンガス導入口２０７
から洗浄溶液中に導入する。斯くして導入された電離イ
オンガスの泡沫２０８は半導体基板２０３表面に接触し
該半導体基板２０３に帯電した静電気を除去する。尚こ
こで洗浄溶液導入口２０９．洗浄溶液排出口２１０は第
１の実施例で述べた如く洗浄液の置換に使用するもので
ある。
実施例は基本的には第１の実施例と同様であるが、電離
イオンガスの導入量゛ａが少し異っている。第１の実施
例の如く、洗浄溶液２０１を満たした洗浄槽２０２内に
半導体基板２０３を支持台に立てかけて浸漬し、高電圧
源２０４及び対向電極２０５で電離したイオンガスをガ
ス導入配管２０６に導入し電離イオンガス導入口２０７
から洗浄溶液中に導入する。斯くして導入された電離イ
オンガスの泡沫２０８は半導体基板２０３表面に接触し
該半導体基板２０３に帯電した静電気を除去する。尚こ
こで洗浄溶液導入口２０９．洗浄溶液排出口２１０は第
１の実施例で述べた如く洗浄液の置換に使用するもので
ある。
尚、半導体集積回路装置量産化に適した斯くなる洗浄装
置の大型化は実施例かられかる様に、個々の治具を大型
化するだけでよく容易である。更に又本発明は半導体基
板の洗浄だけに限らず、他の物質の洗浄に適用しても有
効となることに言及しておく。
置の大型化は実施例かられかる様に、個々の治具を大型
化するだけでよく容易である。更に又本発明は半導体基
板の洗浄だけに限らず、他の物質の洗浄に適用しても有
効となることに言及しておく。
第１図および第２図はそれぞれ本発明の実施例の洗浄装
置を示す概略図である。 尚、図において１０１・・・・・・洗浄溶液、１０２・
・・・・・洗浄槽、１０３・・・・・・半導体基板、１
０４・・・・・・支持台、１０５・・・・・・洗浄溶液
導入口、１０６・・・・・・洗浄溶液排出口、１０７・
・・・・・電離イオンガスの泡沫、１０８・・・・・・
ガス導入配管、１０９・・・・・・対向電極、１１０・
・・・・・高電圧源、１１１・・・・・・ガス導入口、
１１２・・・・・・電離イオンガス導入路、１１３・・
・・・・電離イオンガス導入口、１１４・・・・・・排
出・導入口、１１５・・・・・・三方コ、り、２０１・
・・・・・洗浄溶液、２０２・・・・・・洗浄槽、・２
０３・・・・・・半導体基板、２ｏ４・・・・・・高電
圧源、２０５・・・・・・対向電極、２０６・・・・・
・ガス導入配管、２０７・・・・・・電離イオンガス導
入口、２０８・・・・・・電離イオンガスの泡沫、２０
９・・・・・・洗浄溶液導入口、２１０・・・・・・洗
浄溶液排出口である。 ７゛−： 代理人 弁理士 内 原 ” ・パ ｌａ ！＋。 ′−で−ソ
置を示す概略図である。 尚、図において１０１・・・・・・洗浄溶液、１０２・
・・・・・洗浄槽、１０３・・・・・・半導体基板、１
０４・・・・・・支持台、１０５・・・・・・洗浄溶液
導入口、１０６・・・・・・洗浄溶液排出口、１０７・
・・・・・電離イオンガスの泡沫、１０８・・・・・・
ガス導入配管、１０９・・・・・・対向電極、１１０・
・・・・・高電圧源、１１１・・・・・・ガス導入口、
１１２・・・・・・電離イオンガス導入路、１１３・・
・・・・電離イオンガス導入口、１１４・・・・・・排
出・導入口、１１５・・・・・・三方コ、り、２０１・
・・・・・洗浄溶液、２０２・・・・・・洗浄槽、・２
０３・・・・・・半導体基板、２ｏ４・・・・・・高電
圧源、２０５・・・・・・対向電極、２０６・・・・・
・ガス導入配管、２０７・・・・・・電離イオンガス導
入口、２０８・・・・・・電離イオンガスの泡沫、２０
９・・・・・・洗浄溶液導入口、２１０・・・・・・洗
浄溶液排出口である。 ７゛−： 代理人 弁理士 内 原 ” ・パ ｌａ ！＋。 ′−で−ソ
Claims (1)
- （１）物体の洗浄装置に於いて、洗浄溶媒液中に気体ガ
スを吹き込むための導入路が設けられ、該気体ガスの導
入路を通して洗浄装置内の洗浄溶媒液中に電離したイオ
ンガスが泡沫姿態に導入されるようになっていることを
特徴とした洗浄装置。 （２１前記気体ガスの導入路の少くとも一部に該気体ガ
スを電離するための電極が設けられていることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113146A JPS605529A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58113146A JPS605529A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605529A true JPS605529A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=14604731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58113146A Pending JPS605529A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS605529A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0261015A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高快削性金属 |
| JPH0261014A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化亜鉛ウィスカー強化金属 |
| JPH02217719A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子レンジ |
| JPH02217720A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子レンジ用加熱容器 |
| JPH02256098A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 防音材 |
| US5066475A (en) * | 1987-12-29 | 1991-11-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide whiskers having a novel crystalline form and method for making same |
| EP0590495A3 (en) * | 1992-09-28 | 1994-06-01 | Hughes Aircraft Co | Electrostatic discharge control during the removal of contaminants from surfaces by means of a jet spray |
| US6416862B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-07-09 | Showa Denko K. K. | Ultrafine particulate zinc oxide and production process thereof |
| US6596078B2 (en) | 2000-09-21 | 2003-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing oxide whiskers, oxide whiskers, and photoelectric conversion apparatus |
| US6649824B1 (en) | 1999-09-22 | 2003-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method of production thereof |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP58113146A patent/JPS605529A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5066475A (en) * | 1987-12-29 | 1991-11-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Zinc oxide whiskers having a novel crystalline form and method for making same |
| JPH0261015A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高快削性金属 |
| JPH0261014A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化亜鉛ウィスカー強化金属 |
| JPH02256098A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-10-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 防音材 |
| JPH02217719A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子レンジ |
| JPH02217720A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子レンジ用加熱容器 |
| EP0590495A3 (en) * | 1992-09-28 | 1994-06-01 | Hughes Aircraft Co | Electrostatic discharge control during the removal of contaminants from surfaces by means of a jet spray |
| US6416862B1 (en) * | 1999-08-25 | 2002-07-09 | Showa Denko K. K. | Ultrafine particulate zinc oxide and production process thereof |
| US6649824B1 (en) | 1999-09-22 | 2003-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method of production thereof |
| US7087831B2 (en) | 1999-09-22 | 2006-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device and method of production thereof |
| US6596078B2 (en) | 2000-09-21 | 2003-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing oxide whiskers, oxide whiskers, and photoelectric conversion apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2832173B2 (ja) | 半導体基板の洗浄装置および洗浄方法 | |
| JP2930702B2 (ja) | 空気イオン化システム | |
| JPS605529A (ja) | 洗浄装置 | |
| KR900003690A (ko) | 레지스트패턴현상방법 및 그 방법에 사용되는 현상장치 | |
| JPH0411728A (ja) | 半導体ウェハの洗浄装置 | |
| JPH11214364A (ja) | 半導体ウェハ処理装置 | |
| US6127289A (en) | Method for treating semiconductor wafers with corona charge and devices using corona charging | |
| JPH10321604A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH07220895A (ja) | 大気圧グロ−放電用電極及び該電極を使用したプラズマ処理方法 | |
| JP2008004880A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 | |
| KR100421171B1 (ko) | 기판 표면의 입자성 오염물 제거 방법 및 그 제거장치 | |
| JPS6047400A (ja) | 溶液帯電除去装置 | |
| JPH11289004A (ja) | 被処理体の離脱方法および静電チャック装置 | |
| KR0124479B1 (ko) | 금속박판의 세정방법 및 세정장치 | |
| KR100224929B1 (ko) | 습식처리방법 및 처리장치 | |
| JP4703549B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JPS5866334A (ja) | 半導体基板の処理装置 | |
| JP2004305918A (ja) | プラズマ処理方法およびこれに用いられるプラズマ処理装置 | |
| KR20030018084A (ko) | 플라즈마를 이용하여 기판 위에 도포된 유기 배향막을제거하고 이를 재생하는 방법 | |
| JP4387642B2 (ja) | 残留電荷除去方法及び残留電荷除去装置 | |
| JPH08102456A (ja) | 電子材料洗浄方法及び洗浄装置 | |
| JPH08316183A (ja) | 洗浄方法及びその装置 | |
| Tanaka et al. | Ashing of organic compounds with spray-type plasma reactor at atmospheric pressure | |
| JP2000070883A (ja) | 洗浄装置及び方法 | |
| JPH06132249A (ja) | 半導体製造装置 |