JPS63309021A - 電圧比較回路 - Google Patents

電圧比較回路

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JPS63309021A
JPS63309021A JP14587887A JP14587887A JPS63309021A JP S63309021 A JPS63309021 A JP S63309021A JP 14587887 A JP14587887 A JP 14587887A JP 14587887 A JP14587887 A JP 14587887A JP S63309021 A JPS63309021 A JP S63309021A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
comparator
resistor
pnp transistor
channel fet
Prior art date
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Pending
Application number
JP14587887A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiro Miyazaki
友宏 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS63309021A publication Critical patent/JPS63309021A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 この発明はディジタル通信におけるパルス受信回路等に
用いられる電圧比較回路に関し、特にオープンドレイン
(あるいはオープンコレクタ)形のコンパレータを用い
た電圧比較回路に関する。
「従来の技術」 従来、この種の電圧比較回路は第3図に示すようにオー
プンドレイン(あるいはオープンコレクタ)形のコンパ
レータ21と、その出力端子28および電源端子27間
に接続されたプルアップ抵抗器22とにより構成されて
いた。コンパレータ21の非反転入力端子23に入力さ
れた電圧■1と反転入力端子24に入力された電圧V2
とがコンパレータ21で比較され、その結果が出力端子
28に出力される。
「発明が解決しようとする問題点」 上述した従来の電圧比較回路は、非反転入力端子23の
電位をv、[Vl、反転入力端子24の電位をv2Il
vl、出力端子28ノ電位ヲvO(vll、l’ /’
 77 /’抵抗器22の抵抗値をRO回、電源端子2
7の電位なりDDMとすると、 Ml<V2 のとき、 Vo=O凹 となり、プルアップ抵抗器22に なる電流が流れ、 なる電力がプルアップ抵抗器22で消費される。
このようなプルアップ抵抗器22での電力消費を低減す
る一方法として、プルアップ抵抗器22の抵抗値式を大
きくするという方法がある。しかし、一般的に出力端子
28および負電源入力端子26間には浮遊容量C8が存
在するため、Vl (V2の状態からVl)V2の状態
に変化したとき、第4図に示すように、出力端子28の
出力波形の立上がり部分に1なまり′が発生し、プルア
ップ抵抗器22の抵抗値珈の増大は、この1なまり“を
悪化させてしまう。
従って、このような電圧比較回路では特に高速動作が要
求される場合、プルアップ抵抗器22の抵抗値ROをあ
まり大きくすることはできず、プルアップ抵抗器22で
の電力消費poが大きくなってしま5という欠点がある
「問題点を解決するための手段」 この発明の電圧比較回路は一端が電源に接続された第1
の抵抗器と、 第1の抵抗器の他端にエミッタ端子(ソース端子)が接
続された第1のPNP トランジスタ(第1のPチャネ
ルFET)および第2のPNP トランジスタ(第2の
PチャネルFET)と、一端が第1のPNP トランジ
スタ(第1のPチャネルFET )のベース端子(ゲー
ト端子)に接続され、他端が第2のPNP トランジス
タ(第2のPチャネルFET )のコレクタ端子(ドレ
イン端子)に接続された第2の抵抗器および第1のコン
デンサと、 一端が第2のPNP トランジスタ(第2のPチャネル
FET)のベース端子(ゲート端子)に接続され、他端
が第1のPNP トランジスタ(第1のPチャネルFE
T)のコレクタ端子(ドレイン端子)に接続された第3
の抵抗器および第2のコンデンサと、 出力端子が第1のPNPトランジスタ(第1のPチャネ
ルFET )のコレクタ端子(ドレイン端子)に接続さ
れた第1のオープンドレイン(あるいはオープンコレク
タ)形コンパレータと、出力端子が第2のPNP トラ
ンジスタ(第2のPチャネルFET )のコレクタ端子
(ドレイン端子)に接続され、かつ、非反転入力端子が
第1のコン、パレータの反転入力端子に接続され、かつ
、反転入力端子が第1のコンパレータの非反転入力端子
に接続された第2のオープンドレイン(あるいはオープ
ンコレクタ)形コンパレータとにより構成される。
「実施例」 次にこの発明について図面を参照して説明する。
第1図はこの発明の一実施例を示すブロック図である。
この電圧比較回路は一端が電源に接続された第1の抵抗
器1と、 第1の抵抗器1の他端にエミッタ端子が接続された第1
のPNPトランジスタ2および第2のPNPトランジス
タ3と、 一端が第1のPNP トランジスタ2のベース端子に接
続され、他端が第2のPNP トランジスタ3のコレク
タ端子に接続された第2の抵抗器4および第1のコンデ
ンサ5と、 一端が第2のPNP トランジスタ3のベース端子に接
続され、他端が第1のPNP トランジスタ2のコレク
タ端子に接続された第3の抵抗器6および第2のコンデ
ンサ7と、 出力端子が第1のPNP トランジスタ2のコレクタ端
子に接続された第1のオープンドレイン(あるいはオー
プン;レクタ)形コンパレータ8と、 出力端子が第2のPNP トランジスタ3のコレクタ端
子に接続され、かつ、非反転入力端子が第1のコンパレ
ータ8の反転入力端子に接゛続され、かつ、反転入力端
子が第1のコンパレータ8の非反転入力端子に接続され
た第2のオープンドレイン(あるいはオープンコレクタ
)形コンパレータ9とにより構成され、第1のコンパレ
ータ8の反転入力端子より非反転入力端子10が、非反
転入力端子より反転入力端子11がそれぞれ導出され、
第2コンパレータ9の出力端子から出力端子12が導出
されている。
次にこの電圧比較回路の動作について説明する。
第1図において、入力端子10.11にそれぞれ印加さ
れる電圧Vl、V2がまずVl<V2の状態を考えると
、 コンパレータ9:ON(出力が低レベル″L”の状態) コンパレータ8:0FF(出力カ高しヘル″H”の状態
) トランジスタ2 : ON トランジスタ3 : OFF の状態に安定する。このときトランジスタ2,3および
コンパレータ8,9(の出力段トランジスタ)を簡略的
にスイッチに置き換えて等価回路を書くと第2図(al
となる。
また、第1図においてVl〉■2の状態を考えると、コ
ンパレータ9 : OFF コンパレータ8:ON トランジスタ2 : OFF トランジスタ3:ON の状態に安定する。このとき、トランジスタ2゜3およ
びコンパレータ8,9(の出力段トランジスタ)を簡略
的にスイッチに置き換えて等価回路を書くと第2図(b
)となる。
第2図(a)、 (b)から明らかなようにVt (V
2のとき出力端子12の出力電圧VOは■0−”L”(
=0(V:))、またVl>V2のときVo−“H”(
−VDD (V) )となり、いずれの安定状態におい
ても抵抗器1に電流が流れない。なお第1図において、
コンデンサ5およびコンデンサ7はVo=“H”とVo
−“L”との変化を俊敏にするためのスピードアップコ
ンデンサであり、抵抗器1 ハVo= ”H” トVo
= ”L” トノ変化の瞬間でのVDD〜OV間の電流
を制限するための抵抗器である。
「発明の効果」 以上説明したようにこの発明はオーブンドレイycある
いはオープンコレクタ)形コンパレータおよびPNP 
トランジスタを2個ずつ用い、両者のスイッチング動作
により1H”レベル IIL″レベル出力を得、高速動
作を維持したまま、プルアップ抵抗器での電力消費を極
めて小さくできるという効果がある。
なおPNP トランジスタの代わりにPチャネルFET
を用い、エミッタ端子をソース端子に、ベース端子をゲ
ート端子に、コレクタ端子をドレイン端子にそれぞれ端
子変更することにより同様な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の電圧比較回路の一実施例を示す回路
図、第2図はこの発明の電圧比較回路の動作概略を示す
説明図、第3図は従来の電圧比較回路の一例を示す回路
図、第4図は従来の電圧比較回路の動作波形を示す説明
図である。 オ 1 図 DD 反転入力堝予 オ 2 ス OO ム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)一端が電源に接続された第1の抵抗器と、前記第
    1の抵抗器の他端にエミッタ端子(ソース端子)が接続
    された第1のPNPトランジスタ(第1のPチャネルF
    ET)および第2のPNPトランジスタ(第2のPチャ
    ネルFET)と、一端が前記第1のPNPトランジスタ
    (第1のPチャネルFET)のベース端子(ゲート端子
    )に接続され、かつ、他端が前記第2のPNPトランジ
    スタ(第2のPチャネルFET)のコレクタ端子(ドレ
    イン端子)に接続された第2の抵抗器およびその第2の
    抵抗器に並列に接続された第1のコンデンサと、 一端が前記第2のPNPトランジスタ(第2のPチャネ
    ルFET)のベース端子(ゲート端子)に接続され、か
    つ、他端が前記第1のPNPトランジスタ(第1のPチ
    ャネルFET)のコレクタ端子(ドレイン端子)に接続
    された第3の抵抗器およびその第3の抵抗器に並列に接
    続された第2のコンデンサと、 出力端子が前記第1のPNPトランジスタ(第1のPチ
    ャネルFET)のコレクタ端子(ドレイン端子)に接続
    された第1のオープンドレイン(あるいはオープンコレ
    クタ)形コンパレータと、出力端子が前記第2のPNP
    トランジスタ(第2のPチャネルFET)のコレクタ端
    子(ドレイン端子)に接続され、かつ、非反転入力端子
    が前記第1のコンパレータの反転入力端子に接続され、
    かつ、反転入力端子が前記第1のコンパレータの非反転
    入力端子に接続された第2のオープンドレイン(あるい
    はオープンコレクタ)形コンパレータとにより構成され
    、 前記第1のコンパレータの両入力端子から反転入力端子
    および非反転入力端子が導出され、前記第1のコンパレ
    ータ又は第2のコンパレータの出力端子から出力端子が
    導出された電圧比較回路。
JP14587887A 1987-06-10 1987-06-10 電圧比較回路 Pending JPS63309021A (ja)

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JP14587887A JPS63309021A (ja) 1987-06-10 1987-06-10 電圧比較回路

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JPS63309021A true JPS63309021A (ja) 1988-12-16

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ID=15395138

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JP14587887A Pending JPS63309021A (ja) 1987-06-10 1987-06-10 電圧比較回路

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5516539A (en) * 1978-07-20 1980-02-05 Nec Corp Level shifter circuit
JPS5763928A (en) * 1980-10-06 1982-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd Comparing circuit for ad converter

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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