JPS6331032A - 光メモリ−記録再生装置 - Google Patents
光メモリ−記録再生装置Info
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- JPS6331032A JPS6331032A JP61174805A JP17480586A JPS6331032A JP S6331032 A JPS6331032 A JP S6331032A JP 61174805 A JP61174805 A JP 61174805A JP 17480586 A JP17480586 A JP 17480586A JP S6331032 A JPS6331032 A JP S6331032A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 43
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 14
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- QFCSRGLEMDRBMN-UHFFFAOYSA-N n-(2-methylphenyl)nitramide Chemical compound CC1=CC=CC=C1N[N+]([O-])=O QFCSRGLEMDRBMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009377 nuclear transmutation Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光メモリー記録再生装置に関する。
操り返し消去、書き変え可能な光デイスクメモリーは、
光磁気記録方式と相転移記録方式によってまもなく実用
化されようとしている。
光磁気記録方式と相転移記録方式によってまもなく実用
化されようとしている。
第２図に相転移記録方式の場合の記録再生装置の構成例
を示した。１は半導体レーザーで、レーザー制御回路２
により副部され、記録信号３を変調回路４で変調した後
その信号が半導体レーザー１によりレーザー光に変換さ
れる。レーザー光はレンズ５により平行光となりプリズ
ム６を通った後、レンズ７により光デイスク８上に集束
され記録される。ツＣディスク８はモーター９とモータ
ーのサーボ回路１０により定速回転している。また再生
時には、光デイスク面から反射したレーザー光はプリズ
ム６を通りフォトディテクタ１１に達する。フォトディ
テクタ１１で受けた光信号は復調回路１２で復調され再
生信号１３となる。
を示した。１は半導体レーザーで、レーザー制御回路２
により副部され、記録信号３を変調回路４で変調した後
その信号が半導体レーザー１によりレーザー光に変換さ
れる。レーザー光はレンズ５により平行光となりプリズ
ム６を通った後、レンズ７により光デイスク８上に集束
され記録される。ツＣディスク８はモーター９とモータ
ーのサーボ回路１０により定速回転している。また再生
時には、光デイスク面から反射したレーザー光はプリズ
ム６を通りフォトディテクタ１１に達する。フォトディ
テクタ１１で受けた光信号は復調回路１２で復調され再
生信号１３となる。
第２図に示した相転移記録方式の場合も、光磁気記録方
式の場合も、いずれの方式も光源として、波長が８００
ナノメートル程度の半導体レーザーを用い、レーザーの
エネルギーを熱に変換する事により情報の記録を行って
いる。このため情報の記録には、かなりのエネルギーを
要し、用いる半導体レーザーは高出力のものが必要とな
り高価である。
式の場合も、いずれの方式も光源として、波長が８００
ナノメートル程度の半導体レーザーを用い、レーザーの
エネルギーを熱に変換する事により情報の記録を行って
いる。このため情報の記録には、かなりのエネルギーを
要し、用いる半導体レーザーは高出力のものが必要とな
り高価である。
また情報の読み出しも同じ半導体レーザーを用いており
、情報の記録密度はこの波長によって制限されている。
、情報の記録密度はこの波長によって制限されている。
もちろん従来の磁気メモリーに比べれば圧倒的に高密度
であるが、更なる高密度記録企ねらうには、記録再生時
のレーザー光の短波長化が求められている。
であるが、更なる高密度記録企ねらうには、記録再生時
のレーザー光の短波長化が求められている。
本発明は上記従来の書き変え可能な光デイスクメモリー
の持つ問題点、すなわち高出力で高価な半導体レーザー
が必要だという点と記録密度の更なる向上が難かしいと
いう点を解決し、安価で超高密度の光メモリーの記録再
生装置を実現する事を目的としている。
の持つ問題点、すなわち高出力で高価な半導体レーザー
が必要だという点と記録密度の更なる向上が難かしいと
いう点を解決し、安価で超高密度の光メモリーの記録再
生装置を実現する事を目的としている。
上記問題点を解決するための手段として、本発明の光メ
モリー記録再生装置は、少くともレーザー光源、該レー
ザー光源からのレーザー光の波長を変換する素子、およ
び該波長変換素子の波長変換素子を制御する機構を備え
ている事を特徴としている。
モリー記録再生装置は、少くともレーザー光源、該レー
ザー光源からのレーザー光の波長を変換する素子、およ
び該波長変換素子の波長変換素子を制御する機構を備え
ている事を特徴としている。
本発明による光メモリー記録再生装置の実施例の概念図
を第１図に示した。第１図は、第２図とほとんど同じ構
成である。違っているのは、半導体レーザー１とレンズ
５との間に波長変換素子２１が存在する事である。又２
２は波長変換素子２１０波長変換機能の制姉機構である
。波長変換素子２１とその制？ａ機構２２によって元デ
ィスク８上にはレーザー１の発振波長と、その半波長あ
るいは３分１波長などの高調波が自由に選択照射される
ことになる。
を第１図に示した。第１図は、第２図とほとんど同じ構
成である。違っているのは、半導体レーザー１とレンズ
５との間に波長変換素子２１が存在する事である。又２
２は波長変換素子２１０波長変換機能の制姉機構である
。波長変換素子２１とその制？ａ機構２２によって元デ
ィスク８上にはレーザー１の発振波長と、その半波長あ
るいは３分１波長などの高調波が自由に選択照射される
ことになる。
この時、光ディスクの記録媒体としてフォトクロミック
材料が使用されていれば、記録媒体は照射光の波長に対
応して状態を変える。すなわち情報の記録ができる。フ
ォトクロミック現象とは一般に という反応式で示される現象である。すなわち異る波長
光の照射により可逆的に化学的結合状態が変化する。こ
れにより一般に吸収スペクトルや反射率などが変化する
ので、繰り返し消去書き変え可能な光メモリー媒体とし
て使用が可能である。
材料が使用されていれば、記録媒体は照射光の波長に対
応して状態を変える。すなわち情報の記録ができる。フ
ォトクロミック現象とは一般に という反応式で示される現象である。すなわち異る波長
光の照射により可逆的に化学的結合状態が変化する。こ
れにより一般に吸収スペクトルや反射率などが変化する
ので、繰り返し消去書き変え可能な光メモリー媒体とし
て使用が可能である。
ある種の有機化合物にこのようなフォトクロミ砂り現象
を示すものがある。特にスピロピランやフルギドなどは
分光スペクトルの変化の大きさや安定性に優れており、
本発明による光メモリー記録再生装置用の光メモリー媒
体として好ましい。
を示すものがある。特にスピロピランやフルギドなどは
分光スペクトルの変化の大きさや安定性に優れており、
本発明による光メモリー記録再生装置用の光メモリー媒
体として好ましい。
波長変換素子としては非線形光学効果を有する物質が用
いられる。例えば２次の非線形光学効果により、波長変
換素子に入射したレーザー光は、波長がレーザー光の半
分の２次の高調波に変換される。従って波長変換素子２
１が＠能する時には元ディスク上には短波長の光が照射
され、波長変換素子２１が機能しない時にはもとの長波
長のレーザー光が照射される事になる。このような方法
により、例えば短波長光により畜き込み、長波長光によ
り消去が可能となる。レーザー″／を源として発振波長
８００ナノメーナルの半導体レーザーを用いれば、書き
込み尤の波長は４００ナノメートルとなり、記録密度は
従来の方法よりも理論的には４倍も高くなる事になる。
いられる。例えば２次の非線形光学効果により、波長変
換素子に入射したレーザー光は、波長がレーザー光の半
分の２次の高調波に変換される。従って波長変換素子２
１が＠能する時には元ディスク上には短波長の光が照射
され、波長変換素子２１が機能しない時にはもとの長波
長のレーザー光が照射される事になる。このような方法
により、例えば短波長光により畜き込み、長波長光によ
り消去が可能となる。レーザー″／を源として発振波長
８００ナノメーナルの半導体レーザーを用いれば、書き
込み尤の波長は４００ナノメートルとなり、記録密度は
従来の方法よりも理論的には４倍も高くなる事になる。
彼長変ａ素子に用いる材料としては大きな非線形光学効
果を持つものが望ましい。このような材料としては例え
ば２−メチルニトロアニリン（ＭＮＡ）やポリジアセチ
レンなどが知られている。
果を持つものが望ましい。このような材料としては例え
ば２−メチルニトロアニリン（ＭＮＡ）やポリジアセチ
レンなどが知られている。
これらの材料の単結晶り累積膜などが波長変換素子とし
て用いる事ができる。
て用いる事ができる。
波長変換素子２１の制御機構２２の具体的な制御方式は
様々な方法があり得る。そのうち原理的に最も簡単な方
法は波長変換素子２１の位置を動かす方法である。第１
図に示したようにレーザー光の光路中に波長変換素子２
１があれば、当然ながら波長変換を行う。しかし波長変
換素子２１をレーザー光の光路から取り去ってしまえば
、レーザー光は波長変換されない。従って例えば電磁的
な手段により波長変換素子２１を動かす事により波長変
換の機能制御が可能となる。
様々な方法があり得る。そのうち原理的に最も簡単な方
法は波長変換素子２１の位置を動かす方法である。第１
図に示したようにレーザー光の光路中に波長変換素子２
１があれば、当然ながら波長変換を行う。しかし波長変
換素子２１をレーザー光の光路から取り去ってしまえば
、レーザー光は波長変換されない。従って例えば電磁的
な手段により波長変換素子２１を動かす事により波長変
換の機能制御が可能となる。
制？：ａ機構２２の他の例としては、波長変換素子２１
への電界印加により波長変換機能の制御を行う方法があ
る。この場合、波長変換素子として、電界印加により波
長変換機能が変化する素子が用いられなければならない
。このような機能を有する波長変換素子としては、非線
形光学効果を有する有機分子の累積膜や、同じく非線形
光学効果を有する液晶層などがある。液晶層についての
制御機構のメカニズムを第３図に示した。第３図で３１
はガラス基板、３２は電極、６３は電源、３４は電源ス
ィッチ、３５は液晶層である。第３図（α）は電界無印
加状態で、この時液晶分子は基板３１に対し平行配向し
ている。このような状態の液晶層に液晶分子の長軸方向
から波長λのレーザー光を入射させても波長変換は起こ
らない。
への電界印加により波長変換機能の制御を行う方法があ
る。この場合、波長変換素子として、電界印加により波
長変換機能が変化する素子が用いられなければならない
。このような機能を有する波長変換素子としては、非線
形光学効果を有する有機分子の累積膜や、同じく非線形
光学効果を有する液晶層などがある。液晶層についての
制御機構のメカニズムを第３図に示した。第３図で３１
はガラス基板、３２は電極、６３は電源、３４は電源ス
ィッチ、３５は液晶層である。第３図（α）は電界無印
加状態で、この時液晶分子は基板３１に対し平行配向し
ている。このような状態の液晶層に液晶分子の長軸方向
から波長λのレーザー光を入射させても波長変換は起こ
らない。
これに対し第３図Ｃｈ）は電界印加状態を示し、この時
液晶分子は基板３１に対し垂直配向状態になる。この時
、液晶層に入射したレーザー光は液晶層の非線形光学効
果により波長変換され、波長が２／２の２次高調波が出
射してくる。
液晶分子は基板３１に対し垂直配向状態になる。この時
、液晶層に入射したレーザー光は液晶層の非線形光学効
果により波長変換され、波長が２／２の２次高調波が出
射してくる。
このように液晶層への電界印カロにより波長変換機能の
制御が可能となる。非線形光学効果を有する液晶材料と
してはＭＢＢ Ａをはじめいくつかの材料が知られてい
るが、かなりの数の液晶材料が非４形光学効果を持つと
予想される。
制御が可能となる。非線形光学効果を有する液晶材料と
してはＭＢＢ Ａをはじめいくつかの材料が知られてい
るが、かなりの数の液晶材料が非４形光学効果を持つと
予想される。
有機分子の累積膜についての制御機構のメカニズムを第
４図に示した。第４図で４１は基板で４２は電極、４３
は電源、４４は電源スイッチ、４５は累積膜である。第
４図の累積膜はモデル的に４層として示したが実際には
もっと層数が多いのが普通である。累積膜の作り方は、
いわゆるラングミュア・プロジェット法を始め、蒸着法
などいくつかの方法で作る事が可能である。いずれの方
法においても用いる有機分子は両親媒性を有するものが
好ましい。
４図に示した。第４図で４１は基板で４２は電極、４３
は電源、４４は電源スイッチ、４５は累積膜である。第
４図の累積膜はモデル的に４層として示したが実際には
もっと層数が多いのが普通である。累積膜の作り方は、
いわゆるラングミュア・プロジェット法を始め、蒸着法
などいくつかの方法で作る事が可能である。いずれの方
法においても用いる有機分子は両親媒性を有するものが
好ましい。
第４図（α）は電界無印加状態で、この時累喧膜中の分
子は一層毎に反平行に並ぶので、個々の分子が２次の非
線形光学効果を持っていても、累積膜全体としては２次
の非線形光学効果を持たない。この時入射した波長λの
レーザー光はそのまま変化せずに出てゆく。
子は一層毎に反平行に並ぶので、個々の分子が２次の非
線形光学効果を持っていても、累積膜全体としては２次
の非線形光学効果を持たない。この時入射した波長λの
レーザー光はそのまま変化せずに出てゆく。
これに対し、第４図Ｃｂ）に電界印加状態を示した。こ
の時分子は自らの永久双極子を電界方向に向けるので、
累積膜中の全分子の方向がそろう。この時素積換は２次
の非線形光学効果を有するので、入射したレーザー光は
波長変換され、α長が２７２の２次高調波が出射する。
の時分子は自らの永久双極子を電界方向に向けるので、
累積膜中の全分子の方向がそろう。この時素積換は２次
の非線形光学効果を有するので、入射したレーザー光は
波長変換され、α長が２７２の２次高調波が出射する。
′電界印加による配向変化により２次の非線形光学特性
を制御できる累積膜材料の例としてはポリジアセチレン
が知られているが、多くの有機材料かこのような効果を
有すると思われる。
を制御できる累積膜材料の例としてはポリジアセチレン
が知られているが、多くの有機材料かこのような効果を
有すると思われる。
本発明により短波長のレーザー光で書き込みか可能にな
るので記録密度の向上を計ることができる。また単一の
半導体レーザーにより複数の波長のレーザー光を発生さ
せる事が可能′となり、コスト的にも安価な光メモリー
記録再生装置を実現する事ができる。
るので記録密度の向上を計ることができる。また単一の
半導体レーザーにより複数の波長のレーザー光を発生さ
せる事が可能′となり、コスト的にも安価な光メモリー
記録再生装置を実現する事ができる。
第１図は本発明による光メモリー記録再生装置の構成を
示す図。 第２図は従来の光メモリー記録再生装置の構成を示す図
。 第６図（α）、（ｂ）は液晶層を波長変換素子として用
いた場合の波長変換機能の電界による制御方法を示す図
。 第４図（α）、（ｂ）は累積膜を波長変換素子として用
いた場合の波長変換機能の電界による制御方法を示す図
。 １・・・・・・・・・半導体レーザー ２・・・・・・・・・半導体レーザー制御回路３・・・
・・・・・・記録信号 ４・・・・・・・・・変調回路 ５・・・・・・・・・レンズ ６・・・・・・・・・プリズム ７・・・・・・・・・レンズ ８・・・・・・・・・光ディスク ９・・・・・・・・・モーター １０・°・・・・モーターサーボ回路 １１・・・・・・フォトディテクター １２・・・・・・復調回路 １３・・・・・・再生信号 ２１・・・・・・波長変換素子 ２２・・・・・・波長変換制御機構 ３１・・・・・・ガラス基板 ３２・・・・・・電 極 ３３・・・・・・′＃Ｌ 源 ３４・・・・・・電源スイッチ ３５・・・・・・液晶層 ４１・・・・・・基 板 ４２・・・・・・［極 ４３・・・・・・１ｔ 源 ４４・・・・・・電源スィッチ ４５・・・・・・累積膜 第１ 面 第２図 第３図Ｃ（１） 第３図（シ） ｓ４図ωノ 第４図（シ）
示す図。 第２図は従来の光メモリー記録再生装置の構成を示す図
。 第６図（α）、（ｂ）は液晶層を波長変換素子として用
いた場合の波長変換機能の電界による制御方法を示す図
。 第４図（α）、（ｂ）は累積膜を波長変換素子として用
いた場合の波長変換機能の電界による制御方法を示す図
。 １・・・・・・・・・半導体レーザー ２・・・・・・・・・半導体レーザー制御回路３・・・
・・・・・・記録信号 ４・・・・・・・・・変調回路 ５・・・・・・・・・レンズ ６・・・・・・・・・プリズム ７・・・・・・・・・レンズ ８・・・・・・・・・光ディスク ９・・・・・・・・・モーター １０・°・・・・モーターサーボ回路 １１・・・・・・フォトディテクター １２・・・・・・復調回路 １３・・・・・・再生信号 ２１・・・・・・波長変換素子 ２２・・・・・・波長変換制御機構 ３１・・・・・・ガラス基板 ３２・・・・・・電 極 ３３・・・・・・′＃Ｌ 源 ３４・・・・・・電源スイッチ ３５・・・・・・液晶層 ４１・・・・・・基 板 ４２・・・・・・［極 ４３・・・・・・１ｔ 源 ４４・・・・・・電源スィッチ ４５・・・・・・累積膜 第１ 面 第２図 第３図Ｃ（１） 第３図（シ） ｓ４図ωノ 第４図（シ）
Claims (6)
- （１）光メモリー記録再生装置において、少くともレー
ザー光源、該レーザー光源からのレーザー光の波長を変
換する素子、および該波長変換素子の波長変換機能を制
御する機構を備えている事を特徴とした光メモリー記録
再生装置。 - （２）波長変換素子が２次以上の非線形光学効果による
波長変換を利用した素子である事を特徴とした特許請求
の範囲第一項記載の光メモリー記録再生装置。 - （３）波長変換素子の変換機能の制御機構として、波長
変換素子をレーザー光の光路中に入れたり出したりする
機構を用いた事を特徴とする特許請求の範囲第一項記載
の光メモリー記録再生装置。 - （４）波長変換素子として２次以上の非線形光学効果を
有する有機分子の累積膜を用いた事を特徴とする特許請
求の範囲第一項記載の光メモリー記録再生装置。 - （５）波長変換素子として２次以上の非線形光学効果を
有する液晶層を用いた事を特徴とする特許請求の範囲第
一項記載の光メモリー記録再生装置。 - （６）波長変換素子の変換機能の制御機構として、波長
変換素子に電場を印加する手段を用いた事を特徴とする
特許請求の範囲第一項記載の光メモリー記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61174805A JP2619627B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光メモリー記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61174805A JP2619627B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光メモリー記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331032A true JPS6331032A (ja) | 1988-02-09 |
| JP2619627B2 JP2619627B2 (ja) | 1997-06-11 |
Family
ID=15984971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61174805A Expired - Lifetime JP2619627B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 光メモリー記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2619627B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237007A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical recording reproducing equipment |
| JPS60179949A (ja) * | 1984-02-25 | 1985-09-13 | Sony Corp | 光デイスク再生装置 |
| JPS6192432A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Hitachi Ltd | 光デイスク装置 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61174805A patent/JP2619627B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237007A (en) * | 1975-09-17 | 1977-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical recording reproducing equipment |
| JPS60179949A (ja) * | 1984-02-25 | 1985-09-13 | Sony Corp | 光デイスク再生装置 |
| JPS6192432A (ja) * | 1984-10-11 | 1986-05-10 | Hitachi Ltd | 光デイスク装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2619627B2 (ja) | 1997-06-11 |
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