JPS6331118A - ベ−ク炉 - Google Patents
ベ−ク炉Info
- Publication number
- JPS6331118A JPS6331118A JP61173600A JP17360086A JPS6331118A JP S6331118 A JPS6331118 A JP S6331118A JP 61173600 A JP61173600 A JP 61173600A JP 17360086 A JP17360086 A JP 17360086A JP S6331118 A JPS6331118 A JP S6331118A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- wafer
- pin
- baking
- recessed part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はレジスト塗布後のウェハをベーキングするベ
ーク炉に関する。
ーク炉に関する。
（従来の技術）
集積回路（ＩＣ、ＬＳＩ ）の製造に当たシ、いわゆる
フォトエツチングの技術が駆使されているが、その過程
において半導体ウェハの表面に塗布されたフォトレジス
トを乾燥する複数の工程がある。
フォトエツチングの技術が駆使されているが、その過程
において半導体ウェハの表面に塗布されたフォトレジス
トを乾燥する複数の工程がある。
これらの乾燥工程は、露光の前後尾より二つに分類され
る。すなわち集積回路に応じたパターン焼き付けの前に
、単にフォトレジストを乾燥する工程並びにツクターン
焼き付けが終り定着がなされた後にフォトレジストを乾
燥する工程である。前者は一般にプリベーク、後者はポ
ストベークと呼ばれている。
る。すなわち集積回路に応じたパターン焼き付けの前に
、単にフォトレジストを乾燥する工程並びにツクターン
焼き付けが終り定着がなされた後にフォトレジストを乾
燥する工程である。前者は一般にプリベーク、後者はポ
ストベークと呼ばれている。
前者のソフトベークは塗布されたフォトレジスト中から
有機溶剤を揮発させる工程であり、８０℃前後の比較的
低温で行う。そして、このベーキング法には、ホットプ
レート式、加熱窒素方式、赤外加熱等があシ、製造装置
のインライン化のためホットプレート式のベーキングが
主流となっている。
有機溶剤を揮発させる工程であり、８０℃前後の比較的
低温で行う。そして、このベーキング法には、ホットプ
レート式、加熱窒素方式、赤外加熱等があシ、製造装置
のインライン化のためホットプレート式のベーキングが
主流となっている。
第２図は、従来のホットプレート式のベーク炉を示した
断面図である。以下、図面を用いて構成及び使用方法を
説明する。
断面図である。以下、図面を用いて構成及び使用方法を
説明する。
従来、このような装置は平坦な表面を持つプレート３、
搬送されたウェハ２を持ち上げる４本のピン４、チャン
バー１、チャンバー１内のガスを排気する排気口５から
構成される。以上の様に構成されたベーク炉の使用方法
は、まず、素子領域の・９ターニングをするため、レノ
スト塗布されたウェハ２をプレート３上の所定の場所に
搬送する。
搬送されたウェハ２を持ち上げる４本のピン４、チャン
バー１、チャンバー１内のガスを排気する排気口５から
構成される。以上の様に構成されたベーク炉の使用方法
は、まず、素子領域の・９ターニングをするため、レノ
スト塗布されたウェハ２をプレート３上の所定の場所に
搬送する。
次に、プレート３内の所定の場所に設けられた４本のピ
ン４を駆動させ、ウェハ２を約０．１間上昇させる。そ
して、この状態でＮ２ガスをチャン・り一１内に流しな
がら、プレート３を約８０℃まで除徐に加熱する。そし
て、一定の時間が経過し、レジスト内の有機溶剤が揮発
したならば、ピン４を下降させ、再びウニ・・２をプレ
ート３上に載せ、ローダーにより次工程に送る。
ン４を駆動させ、ウェハ２を約０．１間上昇させる。そ
して、この状態でＮ２ガスをチャン・り一１内に流しな
がら、プレート３を約８０℃まで除徐に加熱する。そし
て、一定の時間が経過し、レジスト内の有機溶剤が揮発
したならば、ピン４を下降させ、再びウニ・・２をプレ
ート３上に載せ、ローダーにより次工程に送る。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記装置を用いてウエノ・上のレジスト
をベークすると、チャンバー１内を対流している２３℃
前後のＮ２ガスがベーク炉とウエノ・との間に入り込み
、ウエノ・の温度が不均一に上昇する。ウェハ温度が不
均一に上昇するとレジストに感度ムラが発生し、次工程
の７４ターニングの際、線幅がばらついてしまうという
致命的な欠点があった０ （問題点を解決するための手段） 上記の問題点を解決するため本発明のベーク炉は、基板
表面に形成されたレジスト膜をベークするプレートを有
するベーク炉において、表面に前記基板を収納する凹部
が形成された断面凹型形状のプレートを具備するものと
する。
をベークすると、チャンバー１内を対流している２３℃
前後のＮ２ガスがベーク炉とウエノ・との間に入り込み
、ウエノ・の温度が不均一に上昇する。ウェハ温度が不
均一に上昇するとレジストに感度ムラが発生し、次工程
の７４ターニングの際、線幅がばらついてしまうという
致命的な欠点があった０ （問題点を解決するための手段） 上記の問題点を解決するため本発明のベーク炉は、基板
表面に形成されたレジスト膜をベークするプレートを有
するベーク炉において、表面に前記基板を収納する凹部
が形成された断面凹型形状のプレートを具備するものと
する。
（作用）
本発明のベーク炉は、上記のよって構成したので、ベー
ク時にチャンバー内に供給するＮ２ガスがウェハ裏面に
入り込まず、ウェハの温度が均一に上昇する。
ク時にチャンバー内に供給するＮ２ガスがウェハ裏面に
入り込まず、ウェハの温度が均一に上昇する。
（実施例）
第１図は本発明であるベーク炉の一実施例を示す断面図
である。以下、図面を用いて構成及び使用方法を説明す
る。
である。以下、図面を用いて構成及び使用方法を説明す
る。
本発明のベーク炉は、プレート１３、チャンバー１１、
ピン１４、排気口１５、ピン駆動部から構成される。本
体１９と一体化されたアルミ類のプレート１３は、中央
部て窪みを有した断面凹型形状である。プレート１３凹
部の直径は、ウェハ１２径＋１０ｍｍ程度であシ、深さ
は、ウェハ１２厚＋０．０５ｍｍ程度となっている。又
、プレート１３凹部には、同心円状に配置された貫通穴
が、ピン１４の数だけあ込ている。例えばステンレス製
の４本のピン１４はプレート１３に形成された貫通穴に
挿入されており、一端がビン駆動部に接続されている。
ピン１４、排気口１５、ピン駆動部から構成される。本
体１９と一体化されたアルミ類のプレート１３は、中央
部て窪みを有した断面凹型形状である。プレート１３凹
部の直径は、ウェハ１２径＋１０ｍｍ程度であシ、深さ
は、ウェハ１２厚＋０．０５ｍｍ程度となっている。又
、プレート１３凹部には、同心円状に配置された貫通穴
が、ピン１４の数だけあ込ている。例えばステンレス製
の４本のピン１４はプレート１３に形成された貫通穴に
挿入されており、一端がビン駆動部に接続されている。
ピン駆動部は、ピン１４に直接接続されたペース１６と
、このペース１６を上下運動させるシリンダー１７、シ
リンダー１７をぺ一り炉に設置するためのペース１８か
ら構成される。
、このペース１６を上下運動させるシリンダー１７、シ
リンダー１７をぺ一り炉に設置するためのペース１８か
ら構成される。
ピン１４の他端は、自由端となって因る。プレート１３
、及び、本体１９の一部上にはチャン・クー１１が形成
されており、チャンバー１１は上方より不活性ガス、例
えばＮ２ガスがチャンバー１１内に噴出するようになっ
ている。チャンバー１１の外側にはチャンバー１１内に
供給されたＮ２ガスの排気を行う排気口１５が設けられ
ている。
、及び、本体１９の一部上にはチャン・クー１１が形成
されており、チャンバー１１は上方より不活性ガス、例
えばＮ２ガスがチャンバー１１内に噴出するようになっ
ている。チャンバー１１の外側にはチャンバー１１内に
供給されたＮ２ガスの排気を行う排気口１５が設けられ
ている。
以上のように、構成されたベーク炉の使用方法は、レジ
スト塗布が行われたウエノ・１２をローダーによりプレ
ート１３凹部内に搬送する。（この時シリンダー１７は
収縮している状態に設定し、４本のピン１４はプレート
１３凹部より下に位置する。）次に、シリンダー１２を
作動し、ピン１４を上昇させ、ウェハ１２裏面に接触さ
せる。
スト塗布が行われたウエノ・１２をローダーによりプレ
ート１３凹部内に搬送する。（この時シリンダー１７は
収縮している状態に設定し、４本のピン１４はプレート
１３凹部より下に位置する。）次に、シリンダー１２を
作動し、ピン１４を上昇させ、ウェハ１２裏面に接触さ
せる。
そしてさらに、ピン１４がウェハ１２に接触後、ピン１
４を約０．０５ｍｍ上昇させ、シリンダー１７の駆動を
停止させる。この時ウェハ１２表面（レジストの上面）
とプレート１３のＡ領域とは同一平面上に位置する。次
に、プレート１３の電源をＯＮにし、約８０℃まで徐々
に加熱する。そして、それと同時にウェハ１２表面が酸
化するというケミカルな現象が生じないように、チャン
バー１１内ＶＣＮ２ガスを流す。この供給されたＮ２ガ
スは、排気口１５においてバキュームされる。この状態
で、約１分間ベーキングを行い、ベーク終了後、さらに
ピン１４を上昇させ、ローダ−によシウエハ１２を次工
程に送る。
４を約０．０５ｍｍ上昇させ、シリンダー１７の駆動を
停止させる。この時ウェハ１２表面（レジストの上面）
とプレート１３のＡ領域とは同一平面上に位置する。次
に、プレート１３の電源をＯＮにし、約８０℃まで徐々
に加熱する。そして、それと同時にウェハ１２表面が酸
化するというケミカルな現象が生じないように、チャン
バー１１内ＶＣＮ２ガスを流す。この供給されたＮ２ガ
スは、排気口１５においてバキュームされる。この状態
で、約１分間ベーキングを行い、ベーク終了後、さらに
ピン１４を上昇させ、ローダ−によシウエハ１２を次工
程に送る。
尚、上記実施例では、人手により、各工程を行ってきた
が、センサーを装備させることにより、全自動で行える
ことは言うまでもない。
が、センサーを装備させることにより、全自動で行える
ことは言うまでもない。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように本発明によるベーク炉を用い
て、レジスト膜が上部に被着したウェハをベークするに
あたシ、Ａ領域とウエノ・表面が同一平面に位置してい
るため、ベーク時に前記理由で用いたＮ２ガスが、ウエ
ノ・裏面に入り込むことはない。したがって、ウェハ温
度は均一に上昇し、レジスト膜に感度ムラが発生するこ
とはなくなる。
て、レジスト膜が上部に被着したウェハをベークするに
あたシ、Ａ領域とウエノ・表面が同一平面に位置してい
るため、ベーク時に前記理由で用いたＮ２ガスが、ウエ
ノ・裏面に入り込むことはない。したがって、ウェハ温
度は均一に上昇し、レジスト膜に感度ムラが発生するこ
とはなくなる。
つまり、次工程におけるパターニングにおいて、所望の
パターンが形成できる。不良品発生率を従来装置を用い
た場合と比べると、σ（ｎ−１）＝０．０４であったも
のが、本発明装置を用いた場合、σ（ｎ −１）＝０．
０２となシ、不良発生率は約半減する。
パターンが形成できる。不良品発生率を従来装置を用い
た場合と比べると、σ（ｎ−１）＝０．０４であったも
のが、本発明装置を用いた場合、σ（ｎ −１）＝０．
０２となシ、不良発生率は約半減する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第２図は従来装置の断面図である。
１．１１・・・チャンバー、２．１２・・・ウエノ１．
３．１３・・・プレート、４，１４・・・ピン、５．１
−５・・・排気口、１６．１８・・・ペース、１７・・
・シリンダー、１９・・・本体。 本発明のＲ−７卵の断面図 第１図 １匙条のべ°−フ欠戸の六面図 第２図
３．１３・・・プレート、４，１４・・・ピン、５．１
−５・・・排気口、１６．１８・・・ペース、１７・・
・シリンダー、１９・・・本体。 本発明のＲ−７卵の断面図 第１図 １匙条のべ°−フ欠戸の六面図 第２図
Claims (1)
- 基板表面に形成されたレジスト膜をベークするプレー
トを有するベーク炉において、前記プレートは前記プレ
ート表面に前記基板を収納する凹部が形成された断面凹
型形状とすることを特徴とするベーク炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173600A JPS6331118A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | ベ−ク炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61173600A JPS6331118A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | ベ−ク炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331118A true JPS6331118A (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=15963607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61173600A Pending JPS6331118A (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | ベ−ク炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6331118A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209722A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Teru Kyushu Kk | 熱処理方法およひ熱処理装置 |
| JPH01225119A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-08 | Nec Corp | ホットプレート式ベーキング装置 |
| JPH01319937A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電材料の加熱処理方法 |
| JPH0268921A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
| JPH02111013A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Teru Kyushu Kk | 基板の加熱装置及びレジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61173600A patent/JPS6331118A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01209722A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-23 | Teru Kyushu Kk | 熱処理方法およひ熱処理装置 |
| JPH01225119A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-08 | Nec Corp | ホットプレート式ベーキング装置 |
| JPH01319937A (ja) * | 1988-06-21 | 1989-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 焦電材料の加熱処理方法 |
| JPH0268921A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-08 | Tokyo Electron Ltd | レジスト処理装置 |
| JPH02111013A (ja) * | 1988-10-20 | 1990-04-24 | Teru Kyushu Kk | 基板の加熱装置及びレジスト処理装置及びレジスト処理方法 |
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