JPH02111013A

JPH02111013A - 基板の加熱装置及びレジスト処理装置及びレジスト処理方法

Info

Publication number: JPH02111013A
Application number: JP63264349A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Nakajima; 中嶋　敏
Original assignee: Tokyo Electron Kyushu Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date: 1988-10-20
Filing date: 1988-10-20
Publication date: 1990-04-24
Anticipated expiration: 2013-08-06
Also published as: JP2784452B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的］（産業上の利用分野）本発明は、基板のベーキング装置に関する。

（従来の技術）一般に、半導体製造工程においては、半導体ウェハ等の
基板上に、フォトレジストを用いたフォトリソグラフ技
術により微細な回路パターンの転写を行うが、このよう
なフォトリソグラフの工程においては、従来からフォト
レジスト塗布前、フォトレジスト塗６ｉ後、現像後等、
種々の目的で！！仮のベーキング装置によるベーキング
処理が行われている。

また、このようなフォトリソグラフの工程のフォトレジ
スト塗布、現像、ベーキング処理等は、コーティング装
置、現像装置、基板のベーキング装置等が順次配列され
たいわゆるレジスト処理システムによって行われること
が多い。

（発明が解決しようとする課題）しかしながら、このようなレジスト処理システムでは、
隣接された他の機器例えばコーティング装置の処理能力
であるスループットが比較的遅いため、−時貯留部を適
宜の個所に設け、塗布現像装置を構成している。

ところか、この塗布現像装置は、クリーンルームに接地
されて稼働する関係上、クリーンルームの有効活用の面
からコンパクトに大量処理可能な構成の要求が強い。そ
こで本発明者等は処理に寄与しない一時貯留部の処理部
への転化を開発している。この技術は、−時貯留機能を
備えたベーキング部である。ところがこのベーキング部
は一度に多量なベーキング処理量（時間、温度）を実行
する。この時半導体ウェハに塗布されたレジスト等から
多量の気体（例えば揮発した有機系の溶媒等）が発生す
る。

上述のようなベーキング処理を行う場合、例えばベーキ
ング処理（加熱）開始直後に多量の気体（蒸発した溶媒
等）が発生し、この気体の発生量は、ベーキング処理時
間の経過とともに急速に減少する。この発生気体の処理
が良好でない場合には、好ましくない部分（例えば半導
体ウェハ表面、裏面）に付着し、他の工程などによる摺
動でミストが発生する問題があった。

本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、−時貯留機能を有し、基板のベーキングにともなって
発生する気体を効率的に排気しミスト対策した基板のベ
ーキング装置を提供しようとするものである。

［発明の構成］（課題を解決するための手段）すなわち本発明は、基板を加熱するための多数の加熱ス
テージと、これらの加熱ステージ間を複数の分割領域に
し、各分割領域毎に排気系を設定したことを特徴とする
。

（作　用）上記構成の本発明の基板のベーキング装置では、複数の
加熱ステージについて複数領域に分割し、各分割領域毎
に排気系が独立に設定されている。

したがって、これらの領域毎に例えばベーキング処理開
始側の領域の排気量の設定を高くし、ベーキング処理終
了側の領域の排気量の設定を低くすることによって、ベ
ーキングにともなって発生する気体を確実に排気するこ
とができるとともに、従来に較べて排気系の負担の軽減
を図ることができる。

（実施例）以下、本発明の基板のベーキング装置の一実施例を図面
を参照して説明する。

ＩＣの製造工程に大量の半導体ウェハを自動的に処理す
るレジスト塗布−露光−現像装置がある。

この装置において塗布前後、現像後のベーキング工程部
に一部貯留機能を備えたベーキング装置の実施例である
。

レジスト処理システム１０に設けられた基板のベーキン
グ装置１１には、上面に半導体ウェハ１２を載置可能と
し、加熱機構例えば内蔵された図示しない抵抗加熱ヒー
タによってこの半導体ウェハ１２を加熱可能に構成した
加熱ステージ１３を一時貯留機能を持たせるため１夏数
例えば８つの加熱ステージ１３が一列に配設されている
。なお、上記加熱機構は、抵抗加熱ヒータに限らず例え
ばランプ加熱による加熱機構等どのような機構としても
よい。

これらの加熱ステージ１３には、第２図にも示すように
、配列方向に沿って両側に２つの溝１３ａが設けられて
おり、これらの溝１３ａには、それぞれ半導体ウェハ１
２を搬送するための搬送アーム１４が設けられている。

この搬送アーム１４は、図示しない駆動機構に接続され
ており、加熱ステージ１３上に載置された半導体ウェハ
１２を第１図に示す矢印方向にステップ状に　１ステ一
ジ分ずつ搬送する如く構成されている。すなわち、まず
搬送アーム１４は所定高さ上昇して加熱ステージ１３上
の半導体ウェハ１２を搬送アーム１４上に支持し、次に
所定の搬送方向へ１ステ一ジ分移動し、この後下降する
ことによって半導体ウェハ１２を隣接する加熱ステージ
１３上に載置する。

各加熱ステージ１３のベーキング温度は同一でもよいし
、順次変温し、最後降温し、常温で次工程へ搬送するよ
うにしてもよい。

これらの加熱ステージ１３の処理による排ガスを有効に
排気するためカバーが設けられている。

このカバーは効率的に発生したガスを排気するために複
数に分割されている。

例えば、上記加熱ステージ１３上方には、上述した搬送
アーム１４による搬送が可能な如く所定の間隔を設けて
、それぞれ４つの加熱ステージ１３の上部を覆う妬く　
２つのカバー１５ａ、１５ｂが設けられている。

さらに、加熱ステージ１３の周囲からそれぞれ上記カバ
ー１５ａ、１５ｂによる室内を排気する如くそれぞれ一
つづつ２つの排気機構が設けられている。すなわち、加
熱ステージ１３の側方には、それぞれスリット状の開口
１７ａ、１７ｂが設けられており、これらの開口１７ａ
、１７ｂは、排気計１８ａ、１８ｂおよび排気量調節機
構１９ａ、１９ｂを介して図示しない工場排気系あるい
は真空ポンプおよびトラップ装置等からなる排気装置に
接続されて排気機（ｈが構成されている。

また、上記ベーキング装置１１の両側には、半導体ウェ
ハ１２にレジストを塗布するコーティング装置２０およ
びコーティング装置２０によってレジストを塗布されベ
ーキング装置１１によってベーキング処理された半導体
ウエノ＼１２をウエノ＼カセット２１内に収容するレシ
ーバ２２が設けられている。なお、コーティング装置２
０の側方には、周知のように図示しないベーキング装置
、センダ等の機器が適宜設けられてレジスト処理システ
ム１０が構成されている。また、ベーキング装置１１と
レシーバ２２との間にも、所望により露光装置、現像装
置、他のベーキング装置等の機器か設けられる。

上記構成のこの実施例では、コーティング装置２０によ
ってレジストを塗布された半導体ウェハ１２を、コーテ
ィング装置２０のスルーブツトに応して前述のようにス
テップ状に隣接する加熱ステージ１３に搬送しながら、
この加熱ステージ１３で半導体ウェハ１２を所定温度、
例えば１００〜２００℃に加熱してベーキング処理を行
う。そして、８つの加熱ステージ１３によってベーキン
グ処理を施した半導体ウェハ１２をレシーバ２２によっ
て順次ウェハカセット２１内に収容する。

この時、ベーキング処理（加熱処理）開始直後であって
、半導体ウェハ１２に塗布されたレジストから多量の気
体（例えば揮発した有機系の溶媒等）が発生する部位の
排気機構は、予め排気計１８ａおよび排気量調節機構１
９ａにより、この発生した多量の気体を確実に排気でき
るようその排気量を充分多く設定しておく。一方、ベー
キング処理が進み、半導体ウェハ１２に塗布されたレジ
ストからの気体発生が減少する部位の排気機構は、その
気体発生量に応じ、予め排気計１８ｂおよび排気量調節
機構１９ｂにより、その排気量を少なく設定しておく。

なお、上記気体発生量は、レジストＬ　ｆａ　Ａ’Ｊ　
）の種類、処理条件等によって異なるので、上、；ｉ２
排気量の設定は適宜選択する必要がある。また、例えば
排気量Ｊ！１節機溝機構ａ、１９ｂをオートダンパーと
しておき、処理条件を入力することにより自動的に所定
の排気間に設定するよう（１■成することもてきる。

したがって、半導体ウェハ１２のベーキング処理にとも
なって発生する気体を確実に排気することができるとと
もに、従来に串、：、べて排気系の負担の軽減を図るこ
とができる。

なお、上記実施例では、８つの加熱ステージ１３に対し
て、４つの加熱ステージ１３に対応する２つの排気機構
を設けた例について説明したが、加熱ステージ１３の数
は２以上いくつでもよい。

さらに−列に加熱ステージを配列した例について説明し
たが、複数列にしてもよい。さらにまた、ｉ娶数の加熱
ステージに移送し複数回ベーキングする例について説明
したが、一つの加熱ステージから直接次工程へ搬送する
ようにしてもよい。さらにまた、排気機構の数も２以上
いくつでもよく、排気量の制御という点からすれば、例
えば加熱ステージ１３毎に設けることが好ましい。

［発明の効果］上述のように、本発明の基板のベーキング装置によれば
、基数のベーキング処理にともなって発生する気体を確
実に排気することができるとともに、従来に較べて排気
系の負担の軽減を図ることかできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の基板のベーキング装置を配
置されたレジスト処理システムの要部構成を示す図、第
２図は第１図の加熱ステージを拡大して示す断面図であ
る。１０・・・・・・レジスト処理システム、１１・・・・
・・基板のベーキング装置、１２・・・・・・半導体ウ
ェハ、１３１．、・・・加熱ステージ、１３ａ・・・・
・・溝、１４・・・・・・搬送アーム、１５ａ、１５ｂ
・−・−・・カバー　１７ａ、１７ｂ・・・・・・開口
、１８ａ、１８ｂ・・・・・・排気量、１９ａｓ１９ｂ
・・・・・・排気量調節機構、２０・・・・・・コーチ
インク装置、２１・・・・・・ウェハカセット、２２・
・・・・・レシーバ。出願人　　　　　　チル九州株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板を加熱するための多数の加熱ステージと、こ
れらの加熱ステージ間を複数の分割領域にし、各分割領
域毎に排気系を設定したことを特徴とする基板のベーキ
ング装置。