JPS6331119A - パタ−ン形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にレジストの
パターン形成に関するものである。

〔従来の技術〕

一般に、半導体基板上に形成された絶縁膜をテーパーを
つけてエツチングする場合、１）レジストと絶縁膜との
密着性を低下させてウェットエツチングする方法や、あ
るいは１１）レジストパターン形成後に熱処理でレジス
トパターンを変形させてからドライエツチングを行なう
方法が用いられていた。

〔発明が解決しようとする問題点〕

近年、半導体装置において、素子の高集積化。

微細化が進み、微小領域での高精度なテーパーエツチン
グが要求されるようになってきた。

しかしながら従来のテーパーエツチング方法では次の様
な問題があった。例えば第２図ｆａ）〜（ｂ）に示すよ
うに密着性を低下させてウェットエツチングを行なう方
法では、サイドエッチ量の制御が困難であり、また第３
図（ｂｌに示すようにレジストパターンを形成した後、
同図（Ｃ）のように熱変形させてから同図（ｄ）に示す
ようにドライエツチングを行なう方法では、熱変形後の
レジストパターンにおいて、１）パターン寸法の変化が
大きい、１１）レジストテーパー角が不安定であり、高
精度なテーパーエツチングが困難であるという欠点があ
った。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の目的は高精度なテーパーエッチを行なえるパタ
ーン形成法を提供することにある。

本発明によれば、半導体基板上に形成された、絶縁膜上
に、レジストを塗布し、所定の領域を露光した後、７０
℃〜１００℃でベークしてから現像することによシ、所
望のテーパー形状を有するレジストパターンを得る。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。

第１図（ａｌ〜（ｄ）は本発明の一実施例の工程断面図
であシ、絶縁膜をテーパーエツチングする場合について
のものである。

第１図（ａ）に示すように半導体基板２１上に形成され
た絶縁膜２２上にレジスト２３をスピン塗布し、所定の
領域のみ紫外線を照射する（′ｎ元する）。

次に同図（ｂ）に示すように熱処理装置（図示しない）
を用いて半導体基板２１を熱処理する。この時の条件は
、７０℃〜１００℃の温度で１５分〜６０分が適当であ
る。

その後、同図（Ｃ）に示すようにアルカリ現像液で現像
を行ない露光領域を溶解する。この時の現像時間は第４
図よυ決められる。この図はレジストテーパー角の現像
時間依存性を示すものであり、現像前にベークを行なう
ことにより、レジストテーパー角のコントロールが容易
になることがわかる。

このようにして所望のテーパー角を有するレジストパタ
ーンを得た後、同図（ｄ）に示すようにレジストと絶縁
膜の選択比が約１になるような条件でドライエッチを行
なう。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、現像前に熱処匪工程を導
入することにより、レジスト断面の角度を容易に制御で
きるようになシ、所望のテーパー角を有するレジストパ
ターンを形成できる。このため、寸法変動、テーパー角
変化の少ない高精度なテーパーエツチングができるとい
う利点がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を工程順に示
す断面図、第２図（ａ）〜（ｂ）および第３図（ａ）〜
（ｄ）は太夫従来の製法の一例を工程順に示す断面図、
第４図は現像時間に対するテーパー角を示すグラフであ
る。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体装置の製造工程のレジストパターンを形成する
   工程において、露光後に熱処理を行なう工程と、その処
   理後に現像を行なう工程とを含むことを特徴とするパタ
   ーン形成法。