JPS63315550A - サ−ミスタ磁器組成物 - Google Patents
サ−ミスタ磁器組成物Info
- Publication number
- JPS63315550A JPS63315550A JP62151882A JP15188287A JPS63315550A JP S63315550 A JPS63315550 A JP S63315550A JP 62151882 A JP62151882 A JP 62151882A JP 15188287 A JP15188287 A JP 15188287A JP S63315550 A JPS63315550 A JP S63315550A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- resistance value
- oxide
- porcelain composition
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、Mn、Ni、Cu、Go及びZrを主成分と
する酸化物系、いわゆるスピネル系サーミスタは一40
〜15C)Cの温度検出用、あるいは突入電流防止用素
子として、液温計、スイッチング電源保護用等、近年多
くの機器に用いられるようになってきているサーミスタ
磁器組成物に関するものである。
する酸化物系、いわゆるスピネル系サーミスタは一40
〜15C)Cの温度検出用、あるいは突入電流防止用素
子として、液温計、スイッチング電源保護用等、近年多
くの機器に用いられるようになってきているサーミスタ
磁器組成物に関するものである。
従来の技術
従来、この種のMn−Ni−Cu−10−Zr系サーミ
スタは、各々の元素比率を変えることにより比抵抗及び
サーミスタ定数(B定数)を広範囲にコントロールする
ことができ、回路とのマツチングをとりやすいため、広
く用いられている組成である。
スタは、各々の元素比率を変えることにより比抵抗及び
サーミスタ定数(B定数)を広範囲にコントロールする
ことができ、回路とのマツチングをとりやすいため、広
く用いられている組成である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このサーミスタは製造上の欠点もあり、完成工
程時の特性変動(抵抗値、B定数)が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に200〜300℃で3〜7日程
度のエージング処理を必要としていたが、これでも充分
ではなかった。まだ、完成品の経時変化も大きく、高精
度のサーミスタを製造することが困難であった。
程時の特性変動(抵抗値、B定数)が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に200〜300℃で3〜7日程
度のエージング処理を必要としていたが、これでも充分
ではなかった。まだ、完成品の経時変化も大きく、高精
度のサーミスタを製造することが困難であった。
この原因は明確ではないが、焼成時における元素成分の
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
本発明はこのような問題点を解決するもので、Mn、N
i、Cu、Go及びZrの酸化物固溶体を主成分とする
サーミスタ磁器の抵抗値及びB定数のバラツキ(変動係
数)を小さくし、また抵抗値経時変化の小さい安定なサ
ーミスタ磁器組成物を提供することを目的とするもので
ある。
i、Cu、Go及びZrの酸化物固溶体を主成分とする
サーミスタ磁器の抵抗値及びB定数のバラツキ(変動係
数)を小さくし、また抵抗値経時変化の小さい安定なサ
ーミスタ磁器組成物を提供することを目的とするもので
ある。
問題点を解決するだめの手段
この問題点を解決するために本発明は、サーミスタ磁器
組成物を以下のようにしたものである。
組成物を以下のようにしたものである。
(1) Mn、Ni、Cu、Go、Zrの酸化物固溶
体を主成分とし、副成分としてBil’[化物を加える
。
体を主成分とし、副成分としてBil’[化物を加える
。
(2) 上記構成中、主成分に更に元素成分としてL
i、B、Mg、Al、Si、Ti、V’、Cr、Zn
の内の1種もしくは2種以上を添加する。
i、B、Mg、Al、Si、Ti、V’、Cr、Zn
の内の1種もしくは2種以上を添加する。
作用
上記(1)により、抵抗値及びB定数のバラツキは小さ
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記(2)によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記(2)によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
まず、市販の酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化銅、酸
化コバルト、酸化ジルコニウム、酸化ビスマス等を用い
、下記の第1表に示す組成となるように所定量配合し、
ボールミルによって20時時間式混合した。これを15
0〜250℃で乾燥させた後、700〜800℃で2時
間仮焼し、この仮焼物をボールミルによって20時時間
式粉砕した後、乾燥させた。この仮焼粉末に10%濃度
のp、v、ム(ポリビニルアルコール)溶液を10%加
えて混合し、造粒を行った。そして、この造粒粉を直径
10wm、厚さ1.6閣のディスク状に加圧成形し、1
000〜1200℃の温度で2時間焼成した後、銀電極
を設けた。
化コバルト、酸化ジルコニウム、酸化ビスマス等を用い
、下記の第1表に示す組成となるように所定量配合し、
ボールミルによって20時時間式混合した。これを15
0〜250℃で乾燥させた後、700〜800℃で2時
間仮焼し、この仮焼物をボールミルによって20時時間
式粉砕した後、乾燥させた。この仮焼粉末に10%濃度
のp、v、ム(ポリビニルアルコール)溶液を10%加
えて混合し、造粒を行った。そして、この造粒粉を直径
10wm、厚さ1.6閣のディスク状に加圧成形し、1
000〜1200℃の温度で2時間焼成した後、銀電極
を設けた。
このようにして得られた各々のディスク状サーミスタ素
子を室温に1日放置した後、26℃及び60℃のオイル
バス中で比抵抗値を測定し、この温度間のB定数を算出
した。その結果を下記の第2表に示しだ。まだ、これら
の変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミスタ素
子を160℃空気中に1000時間放置し、抵抗値変化
率Rt:を時間後の抵抗値)を求めた結果を図に示す。
子を室温に1日放置した後、26℃及び60℃のオイル
バス中で比抵抗値を測定し、この温度間のB定数を算出
した。その結果を下記の第2表に示しだ。まだ、これら
の変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミスタ素
子を160℃空気中に1000時間放置し、抵抗値変化
率Rt:を時間後の抵抗値)を求めた結果を図に示す。
本発明によるサーミスタとの比較のために、従来の組成
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、B定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、B定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
(以下余 白)
第 2 表
(*:従来例)
ここで、主成分に添加するLi、Mg、B、ムl 等に
ついては、特定の元素の1種もしくは2種の組合せにつ
いてのみしか記載されていないが、本発明者らはLi、
B、Mg、ムd、Si、Ti、V、Cr、Zn元素の内
の1種もしくは2種以上を所定量添加することにより、
上記の第2表に示す特性と同様な効果が得られることを
確認した。
ついては、特定の元素の1種もしくは2種の組合せにつ
いてのみしか記載されていないが、本発明者らはLi、
B、Mg、ムd、Si、Ti、V、Cr、Zn元素の内
の1種もしくは2種以上を所定量添加することにより、
上記の第2表に示す特性と同様な効果が得られることを
確認した。
発明の効果
以上の結果から明らかなように、本発明によるサーミス
タは抵抗値、B定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
タは抵抗値、B定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
なお1本発明において、Bi酸化物がo、 1mol%
未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が見
られず、また10mol% を超えた場合には、逆に変
動係数が大きくなるために本発明の請求範囲外としだ。
未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果が見
られず、また10mol% を超えた場合には、逆に変
動係数が大きくなるために本発明の請求範囲外としだ。
また、特許請求の範囲の第2項に示したLi、Mg等の
添加元素量において、0.1原子%未満ではB1酸化物
と同様に効果が見られず、一方10原子%を超えた場合
は電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明の請
求範囲外とした。
添加元素量において、0.1原子%未満ではB1酸化物
と同様に効果が見られず、一方10原子%を超えた場合
は電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明の請
求範囲外とした。
図は本発明の一実施例によるサーミスタ素子及び従来の
サーミスタ素子の1501:空気中放置における抵抗値
経時変化率を示す図である。
サーミスタ素子の1501:空気中放置における抵抗値
経時変化率を示す図である。
Claims (2)
- (1)金属元素としてMn、Ni、Cu、Co及びZr
を主成分とし、副成分としてBi元素を0.1〜10m
ol%加えたことを特徴とするサーミスタ磁器組成物。 - (2)金属元素としてMn、Ni、Cu、Co及びZr
を主体とし、これにLi、B、Mg、Al、Si、Ti
、V、Cr、Zn元素の内の1種もしくは2種以上を0
.1〜10原子%含有し、かつこれらを主成分に対して
副成分としてBi元素を0.1〜10mol%加えたこ
とを特徴とするサーミスタ磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151882A JPS63315550A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サ−ミスタ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151882A JPS63315550A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サ−ミスタ磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63315550A true JPS63315550A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15528266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62151882A Pending JPS63315550A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サ−ミスタ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63315550A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06231905A (ja) * | 1991-09-24 | 1994-08-19 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
| WO2006085507A1 (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面実装型負特性サーミスタ |
| WO2009119681A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 株式会社 村田製作所 | Ntcサーミスタ磁器、及びntcサーミスタ磁器の製造方法、並びにntcサーミスタ |
| US8115587B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor |
| US8354891B2 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit element |
| CN111116173A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-05-08 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种低温烧结ntc热敏电阻器陶瓷材料及制备方法 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP62151882A patent/JPS63315550A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06231905A (ja) * | 1991-09-24 | 1994-08-19 | Tdk Corp | サーミスタ用組成物 |
| WO2006085507A1 (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 表面実装型負特性サーミスタ |
| JP2008177611A (ja) * | 2005-02-08 | 2008-07-31 | Murata Mfg Co Ltd | 表面実装型負特性サーミスタ |
| KR100894967B1 (ko) * | 2005-02-08 | 2009-04-24 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 표면 실장형 부특성 서미스터 |
| US7548149B2 (en) | 2005-02-08 | 2009-06-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface-mount negative-characteristic thermistor |
| US7948354B2 (en) | 2005-02-08 | 2011-05-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface-mount negative-characteristic thermistor |
| WO2009119681A1 (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-01 | 株式会社 村田製作所 | Ntcサーミスタ磁器、及びntcサーミスタ磁器の製造方法、並びにntcサーミスタ |
| US8115587B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-02-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | NTC thermistor ceramic, method for producing NTC thermistor ceramic, and NTC thermistor |
| JP5083639B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2012-11-28 | 株式会社村田製作所 | Ntcサーミスタ磁器、及びntcサーミスタ磁器の製造方法、並びにntcサーミスタ |
| US8354891B2 (en) | 2010-07-20 | 2013-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonreciprocal circuit element |
| CN111116173A (zh) * | 2019-12-16 | 2020-05-08 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种低温烧结ntc热敏电阻器陶瓷材料及制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10961159B2 (en) | Ceramic material, component, and method for producing the component | |
| JPS63315550A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPH01212264A (ja) | バリスタ材料及びその製法 | |
| JPS63315560A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315554A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPH02143502A (ja) | Ntcサーミスタの製造方法 | |
| JPS63315549A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315548A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPH03214703A (ja) | サーミスタ素子 | |
| JP3201477B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS63315562A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315555A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315552A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315561A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315557A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315551A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315556A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315559A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315553A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315558A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| DE19622112A1 (de) | Indiumhaltiger, oxidkeramischer Thermistor | |
| JP2572312B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP2572313B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JP4850330B2 (ja) | サーミスタ組成物およびその製造方法、サーミスタ素子 | |
| JPH0552642B2 (ja) |