JPS63315558A - サーミスタ磁器組成物 - Google Patents
サーミスタ磁器組成物Info
- Publication number
- JPS63315558A JPS63315558A JP62151903A JP15190387A JPS63315558A JP S63315558 A JPS63315558 A JP S63315558A JP 62151903 A JP62151903 A JP 62151903A JP 15190387 A JP15190387 A JP 15190387A JP S63315558 A JPS63315558 A JP S63315558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- resistance value
- present
- porcelain composition
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、)J、n、Cu、Zrを主成分とする酸化物
系、いわゆるスピネル系サーミスタは一40〜150°
Cの温度検出用、あるいは突入電流防止用素子として、
液温計、スイッチング電源保護用等、近年多くの機器に
用いられるようになってきているサーミスタ磁器組成物
に関するものである。
系、いわゆるスピネル系サーミスタは一40〜150°
Cの温度検出用、あるいは突入電流防止用素子として、
液温計、スイッチング電源保護用等、近年多くの機器に
用いられるようになってきているサーミスタ磁器組成物
に関するものである。
従来の技術
従来、この種のMn −Cu −Zr系サーミスタは、
各々の元素比率を変えることにより比抵抗及びサーミス
タ定数(B定数)を広範囲にコントロールすることがで
き、回路とのマツチングをとりやすいため、広く用いら
れている組成である。
各々の元素比率を変えることにより比抵抗及びサーミス
タ定数(B定数)を広範囲にコントロールすることがで
き、回路とのマツチングをとりやすいため、広く用いら
れている組成である。
発明が解決しようとする問題点
しかし、このサーミスタは製造上の欠点もあり、完成工
程時の特性変動(抵抗値、B定数)が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に200〜3oo℃で3〜7日程
度のエージング匙理を必要としていたが、これでも充分
ではなかった。また、完成品の経時変化も犬きく、高精
度のサーミスタを製造することが困錐であった。
程時の特性変動(抵抗値、B定数)が大きいため、実際
の製造工程では焼結後に200〜3oo℃で3〜7日程
度のエージング匙理を必要としていたが、これでも充分
ではなかった。また、完成品の経時変化も犬きく、高精
度のサーミスタを製造することが困錐であった。
この厚刃は明確ではないが、焼成時における元素成分の
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
飛散、陽イオン分布の安定性、焼結反応性等が複雑に絡
みあって起因しているものと考えられる。
本発明はこのような問題点を解決するもので、Mn 、
Cu及びZrの酸化物固溶体を主成分とするサーミス
タ磁器の抵抗値及びB定数のバラツキ(変動係数)を小
さくシ、また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ
磁器組成物を提供することを目的とするものである。
Cu及びZrの酸化物固溶体を主成分とするサーミス
タ磁器の抵抗値及びB定数のバラツキ(変動係数)を小
さくシ、また抵抗値経時変化の小さい安定なサーミスタ
磁器組成物を提供することを目的とするものである。
問題点を解決するための手段
この問題点を解決するために本発明は、サーミスタ磁器
組成物を以下のようにしたものである。
組成物を以下のようにしたものである。
(1) Mn 、 Cu及びZrの酸化物固溶体を主
成分とし、副成分としてBi酸化物を加える。
成分とし、副成分としてBi酸化物を加える。
(2)上記構成中、主成分にさらに元素成分としてLi
、 B 、 Mg 、 kl 、 Si 、 Ti
、 V 、 Or 、 ZnO内0内柱1種くは2種以
上を添加する。
、 B 、 Mg 、 kl 、 Si 、 Ti
、 V 、 Or 、 ZnO内0内柱1種くは2種以
上を添加する。
作用
上記(1)により、抵抗値及びB定数のバラツキは小さ
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記(2)によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
くなり、また抵抗値経時変化も著しく小さくなる。また
、上記(2)によりさらに経時変化を小さく抑えること
ができ、高精度なサーミスタ磁器を提供することができ
る。以下、バラツキは変動係実施例 以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
まず、市販の酸化マンガン、酸化ニッケル、酸化ジルコ
ニウム、酸化ビスマス等を用い、下記の第1表に示す組
成となるように所定量配合し、ボールミルによって20
時時間式混合した。これを150〜250℃で乾燥させ
た後、700〜800℃で2時間仮焼し、この仮焼物を
ボールミルによって20時時間式粉砕した後、乾燥させ
た。この仮焼粉末に1oチ濃度のpSV、A (ポリビ
ニルアルコール)溶液を10チ加えて混合し、造粒を行
った。そして、この造粒粉を直径10朋、厚さ1.6閣
のディスク状に加圧成形し、1oOo〜1200’Cの
温度で2時間焼成した後、銀電極を設けた。
ニウム、酸化ビスマス等を用い、下記の第1表に示す組
成となるように所定量配合し、ボールミルによって20
時時間式混合した。これを150〜250℃で乾燥させ
た後、700〜800℃で2時間仮焼し、この仮焼物を
ボールミルによって20時時間式粉砕した後、乾燥させ
た。この仮焼粉末に1oチ濃度のpSV、A (ポリビ
ニルアルコール)溶液を10チ加えて混合し、造粒を行
った。そして、この造粒粉を直径10朋、厚さ1.6閣
のディスク状に加圧成形し、1oOo〜1200’Cの
温度で2時間焼成した後、銀電極を設けた。
このようにして得られた各々のディスク状サーミスタ素
子を室温に1日放置した後、26°C及び60℃のオイ
ルバス中で比抵抗値を測定し、この温度間のB定数を算
出した。その結果を下記の第2表に示した。また、これ
らの変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミスタ
素子を160℃空気中に1000時間放置し、抵抗値変
化串間後の抵抗値)を求めた結果を図に示す。
子を室温に1日放置した後、26°C及び60℃のオイ
ルバス中で比抵抗値を測定し、この温度間のB定数を算
出した。その結果を下記の第2表に示した。また、これ
らの変動係数も同時に記載した。さらに、各サーミスタ
素子を160℃空気中に1000時間放置し、抵抗値変
化串間後の抵抗値)を求めた結果を図に示す。
本発明によるサーミスタとの比較のために、従来の組成
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、B定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
物で構成されたサーミスタ素子を同一方法で作製し、抵
抗値、B定数とそれらの変動係数、及び抵抗値変化率を
同様に測定し併記した。
(以下余白)
く第 1 表〉
(*:従来例)
く第 2 表〉
(*:従来例)
ここで、主成分に添加するLi1Mg + Bj Ae
等については、特定の元素の1種もしくは2種の組合せ
についてのみしか記載されていないが、本発明者らu
Li r B 、Mg +人1 、 Si 、Ti 、
V 、 Or 、 Zn元素の内の1種もしくは2種
以上を所定量添加することにより、上記の第2表に示す
特性と同様な効果が得られることを確認した。
等については、特定の元素の1種もしくは2種の組合せ
についてのみしか記載されていないが、本発明者らu
Li r B 、Mg +人1 、 Si 、Ti 、
V 、 Or 、 Zn元素の内の1種もしくは2種
以上を所定量添加することにより、上記の第2表に示す
特性と同様な効果が得られることを確認した。
発明の効果
以上の結果から明らかなように、本発明によるサーミス
タは抵抗値、B定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
タは抵抗値、B定数のバラツキが小さく、製造上安定し
ており、抵抗値経時変化も小さいことから、昨今のサー
ミスタに対する電気特性の高精度化という要望に対して
多大な貢献ができるものである。
なお、本発明において、Bi酸化物が0.1 mo (
J%未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果
が見られず、また10tnOdチを超えた場合には逆に
変動係数が犬きくなるために本発明の請求範囲外とした
。また、特許請求の範囲の第2項に示した519Mg等
の添加元素量において、0.1原子チ未満ではBi酸化
物と同様に効果が見らnず、一方10原子チを超えた場
合には電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明
の請求範囲外とした。
J%未満では電気特性の変動係数及び経時変化への効果
が見られず、また10tnOdチを超えた場合には逆に
変動係数が犬きくなるために本発明の請求範囲外とした
。また、特許請求の範囲の第2項に示した519Mg等
の添加元素量において、0.1原子チ未満ではBi酸化
物と同様に効果が見らnず、一方10原子チを超えた場
合には電気特性の変動係数が大きくなったため、本発明
の請求範囲外とした。
図は本発明の一実施例によるサーミスタ素子及び従来の
サーミスタ素子の150℃・空気中放置における抵抗値
経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名t−
tS一本4#、@ 16〜20− 従来PI
サーミスタ素子の150℃・空気中放置における抵抗値
経時変化率を示す図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名t−
tS一本4#、@ 16〜20− 従来PI
Claims (2)
- (1)金属元素としてMn、Cu及びZrを主成分とし
、副成分としてBi元素を0.1〜10mol%加えた
ことを特徴とするサーミスタ磁器組成物。 - (2)金属元素としてMn、Cu及びZrを主体とし、
これにLi、B、Mg、Al、Si、Ti、V、Cr、
Zn元素の内の1種もしくは2種以上を0.1〜10原
子%含有し、かつこれら主成分に対して副成分としてB
i元素を0.1〜10mol%加えたことを特徴とする
サーミスタ磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151903A JPS63315558A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62151903A JPS63315558A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63315558A true JPS63315558A (ja) | 1988-12-23 |
Family
ID=15528710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62151903A Pending JPS63315558A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | サーミスタ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63315558A (ja) |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP62151903A patent/JPS63315558A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63315560A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315550A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315549A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315554A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315555A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315559A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315552A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315562A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315551A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315561A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JP3201477B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPS63315548A (ja) | サ−ミスタ磁器組成物 | |
| JPS63315557A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS6316601A (ja) | 電圧非直線抵抗体 | |
| JPS63315556A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JPS63312616A (ja) | 半導体磁器組成物 | |
| JPS63315553A (ja) | サーミスタ磁器組成物 | |
| JP2572312B2 (ja) | サーミスタ用組成物 | |
| JPH0552642B2 (ja) | ||
| JPH053103A (ja) | サーミスタ磁器 | |
| JPS6054401A (ja) | チタン酸バリウム系ptoサ−ミスタの製造方法 | |
| JPH0610929B2 (ja) | 多層コンデサの誘電体用セラミツク組成物 | |
| JPH0443603A (ja) | バリスタの製造方法 | |
| JPS6330761B2 (ja) | ||
| JPH0443602A (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物およびバリスタの製造方法 |