JPS6332725B2 - - Google Patents
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- JPS6332725B2 JPS6332725B2 JP8464980A JP8464980A JPS6332725B2 JP S6332725 B2 JPS6332725 B2 JP S6332725B2 JP 8464980 A JP8464980 A JP 8464980A JP 8464980 A JP8464980 A JP 8464980A JP S6332725 B2 JPS6332725 B2 JP S6332725B2
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 74
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 74
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 71
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 33
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 11
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 9
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 7
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 3
- 238000004064 recycling Methods 0.000 claims 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 26
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 8
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 229940104869 fluorosilicate Drugs 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 WZFUQSJFWNHZHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002686 phosphate fertilizer Substances 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Silicon Compounds (AREA)
Description
本発明は高純度のシリコンの製造方法に関する
ものであり、簡単な操作で安価に高純度のシリコ
ンを製造することを目的とする。 最近のエネルギー源の多様化にともない、特に
太陽電池については、各国とも多大な研究費を投
じ、開発を進めている。太陽電池のシリコン基板
は現在ケイ石(SiO2)を原料とし、これを炭素
と混合して電気炉(アーク炉)で還元して金属シ
リコンを製造し、原料としている。このようにし
て造られた金属シリコンはケイ石の還元のために
大なる電力を必要とし、しかも得られるシリコン
の純度は97〜98%程度で低い。従つて太陽電池に
必要なシリコンの純度(不純物濃度が10-9〜
10-11)を得るためには、さらに多くの精製工程
を必要とし、必然的に太陽電池は高価なものとな
る。一方半導体用シリコンもエレクトロニクスの
発展に伴ないその使用量は非常に増大しつゝあ
る。 本発明者等は珪素源として珪弗化アルカリを使
用し、これに金属アルミニウムを加え加熱してシ
リコンを生成せしめ、純精なシリコンを製造する
方法について種々研究した。 従来、珪弗化アルカリとアルミニウムを900℃
程度に加熱反応させ、シリコンとアルミニウムの
合金を製造する方法は古くから知られている。本
発明者等はこの反応に関し原料の組成比、配合比
および反応温度を種々変化し、生成する金属シリ
コンの製造割合、純度などを調査したところ、反
応条件を適当に選択すれば公知の方法に較べ、遥
かに低温度で即ちアルミニウムとシリコンの共融
温度以下の温度で極めて効率的に金属シリコンを
製造することが可能であることを知見した。 次に試薬珪弗化ナトリウム(純度98%以上)と
試薬金属アルミニウム(純度99.99%以上)およ
び試薬弗化ナトリウム(純度98%以上)または試
薬珪弗化カリウムと試薬金属アルミニウムを下記
第1表および第2表に示す割合に混合し、電気炉
中で同様に示す温度で1時間加熱して反応せし
め、生成物を3%塩酸で溶解し不溶物を濾過洗浄
して、第1表および第2表に示す如き結果を得
た。
ものであり、簡単な操作で安価に高純度のシリコ
ンを製造することを目的とする。 最近のエネルギー源の多様化にともない、特に
太陽電池については、各国とも多大な研究費を投
じ、開発を進めている。太陽電池のシリコン基板
は現在ケイ石(SiO2)を原料とし、これを炭素
と混合して電気炉(アーク炉)で還元して金属シ
リコンを製造し、原料としている。このようにし
て造られた金属シリコンはケイ石の還元のために
大なる電力を必要とし、しかも得られるシリコン
の純度は97〜98%程度で低い。従つて太陽電池に
必要なシリコンの純度(不純物濃度が10-9〜
10-11)を得るためには、さらに多くの精製工程
を必要とし、必然的に太陽電池は高価なものとな
る。一方半導体用シリコンもエレクトロニクスの
発展に伴ないその使用量は非常に増大しつゝあ
る。 本発明者等は珪素源として珪弗化アルカリを使
用し、これに金属アルミニウムを加え加熱してシ
リコンを生成せしめ、純精なシリコンを製造する
方法について種々研究した。 従来、珪弗化アルカリとアルミニウムを900℃
程度に加熱反応させ、シリコンとアルミニウムの
合金を製造する方法は古くから知られている。本
発明者等はこの反応に関し原料の組成比、配合比
および反応温度を種々変化し、生成する金属シリ
コンの製造割合、純度などを調査したところ、反
応条件を適当に選択すれば公知の方法に較べ、遥
かに低温度で即ちアルミニウムとシリコンの共融
温度以下の温度で極めて効率的に金属シリコンを
製造することが可能であることを知見した。 次に試薬珪弗化ナトリウム(純度98%以上)と
試薬金属アルミニウム(純度99.99%以上)およ
び試薬弗化ナトリウム(純度98%以上)または試
薬珪弗化カリウムと試薬金属アルミニウムを下記
第1表および第2表に示す割合に混合し、電気炉
中で同様に示す温度で1時間加熱して反応せし
め、生成物を3%塩酸で溶解し不溶物を濾過洗浄
して、第1表および第2表に示す如き結果を得
た。
【表】
【表】
【表】
【表】
第1表および第2表より金属アルミニウムと珪
弗化アルカリに弗化アルカリを添加または添加せ
ずに特定割合に配合し、400℃以上、シリコンと
アルミニウムの共融温度未満に加熱すれば、混合
割合の相違によりシリコンおよびフルオロアルミ
ン酸塩の混合物またはシリコン、フルオロアルミ
ン酸塩およびAlF3混合物を極めて簡単に得られ
ることが認められる。そしてこの際の生成物よ
り、フルオロアルミン酸塩およびまたはAlF3を
除去した後のシリコンは何れも高純度であるが、
その収率は珪弗化アルカリ金属アルミニウムの配
合割合および加熱温度により相違することが認め
られる。 本発明におけるシリコンの生成反応は次式(1)、
(2)および(3)に示す如く原料である珪弗化アルカリ
(R2SiF6、R:Na、K、Li)が弗化アルカリ
(RF)とSiF4(gas)に分解し、このSiF4が金属ア
ルミニウムと置換反応しシリコンと弗化アルミニ
ウムを生じ、弗化アルミニウムは珪弗化アルカリ
が分解してできた弗化アルカリと反応してフルオ
ロアルミン酸塩を生成する反応と考えられる。 R2SiF6→2RF+SiF4 (1) 3SiF4+4Al→3Si+4AlF3 (2) aRF+bAlF3→RcAlFdフルオロアルミン酸
塩 (3) 生成するフルオロアルミン酸塩は(1)式のRFと
(2)式のAlF3の量比によつて決まり、生成してく
るフルオロアルミン酸塩{(RF)n(AlF3)o}(1
種類とは限らない(第3表参照))に対してどち
らかの成分が過剰の場合には弗化アルカリ(RF)
あるいは弗化アルミニウム(AlF3)がフルオロ
アルミン酸塩と共存する。
弗化アルカリに弗化アルカリを添加または添加せ
ずに特定割合に配合し、400℃以上、シリコンと
アルミニウムの共融温度未満に加熱すれば、混合
割合の相違によりシリコンおよびフルオロアルミ
ン酸塩の混合物またはシリコン、フルオロアルミ
ン酸塩およびAlF3混合物を極めて簡単に得られ
ることが認められる。そしてこの際の生成物よ
り、フルオロアルミン酸塩およびまたはAlF3を
除去した後のシリコンは何れも高純度であるが、
その収率は珪弗化アルカリ金属アルミニウムの配
合割合および加熱温度により相違することが認め
られる。 本発明におけるシリコンの生成反応は次式(1)、
(2)および(3)に示す如く原料である珪弗化アルカリ
(R2SiF6、R:Na、K、Li)が弗化アルカリ
(RF)とSiF4(gas)に分解し、このSiF4が金属ア
ルミニウムと置換反応しシリコンと弗化アルミニ
ウムを生じ、弗化アルミニウムは珪弗化アルカリ
が分解してできた弗化アルカリと反応してフルオ
ロアルミン酸塩を生成する反応と考えられる。 R2SiF6→2RF+SiF4 (1) 3SiF4+4Al→3Si+4AlF3 (2) aRF+bAlF3→RcAlFdフルオロアルミン酸
塩 (3) 生成するフルオロアルミン酸塩は(1)式のRFと
(2)式のAlF3の量比によつて決まり、生成してく
るフルオロアルミン酸塩{(RF)n(AlF3)o}(1
種類とは限らない(第3表参照))に対してどち
らかの成分が過剰の場合には弗化アルカリ(RF)
あるいは弗化アルミニウム(AlF3)がフルオロ
アルミン酸塩と共存する。
【表】
(1)式においてR2SiF41モルが分解して生成した
SiF4が完全にアルミニウムと反応すれば生成した
RFとAlF3の比はRF/AlF3=3/2(モル比)であ
り、SiF4が揮散する場合があることを考慮すると
RF/AlF3≧3/2(モル比)となる。 従つてK、Liの場合には第3表のようにRF/AlF3 ≧3/2のフルオロアルミン酸塩が生成するので
AlF3が残つてフルオロアルミン酸塩と共存する
ことはない。RF/AlF3のモル比が3を越えた場合に はRFが余る。 また(2)式において必要な量以上のAlが存在す
る場合にはAlが未反応のまま残存する。 Naの場合にはNaF/AlF3のモル比が5/3以下ではフ ルオロアルミン酸塩とAlF3が共存し、5/3以上で
はAlF3は全量がフルオロアルミン酸塩を形成す
る。NaF/AlF3のモル比が3を越えればNaFがフルオ ロアルミン酸塩と共存する。これをNa2SiF6とAl
の比で考えるとAlF3がフルオロアルミン酸塩と
共存しなくなるのは、NaF/AlF3のモル比が5/3の時 なのでこの場合のNa2SiF6/Alのモル比を計算する と NaSiF6→2NaF+SiF4 SiF4+XAl→XAlF3+YSi+ZSiF4 NaF/AlF3=5/3=2/X X=6/5 Na2SiF6/Alのモル比が5/6の時であり、こ
のモル比が5/6以下ではAlF3がフルオロアル
ミン酸塩と共存する。更にNa2SiF6/Alのモル比
が3/4以下になるとAlが未反応のまま残存す
る。 本発明はこれらの知見に基くものであつて、珪
弗化アルカリと金属アルミニウム粉末の混合物を
400℃以上アルミニウムとシリコンの共融温度
(575℃)未満で反応せしめた後未反応物および副
生物を除去することを特徴とする高純度シリコン
の製造方法である。 本発明に使用する珪弗化アルカリはNa、Kま
たはLi元素の珪弗化物であつて、金属アルミニウ
ムとともにその形状は粉末状、粒状、塊状、はく
状の何れのものも使用可能であるが、粒度が粗な
る場合には未反応の珪弗化アルカリや金属アルミ
ニウムが残るので通常粉末状のものを使用する。 珪弗化アルカリと金属アルミニウムとの混合比
は任意であるが、未反応物を少くするためには、
モル比で3:2〜3:6の範囲が好ましい。3:
2より珪弗化アルカリが多く配合されるとSiF4の
揮散および弗化アルカリの生成が起り、シリコン
の収率が低下する。また3:6よりアルミニウム
の配合が多いとアルミニウムが大量に残り不経済
である。反応温度は400℃以上とシリコンとアル
ミニウムの共融点(575℃)未満の間で行なう。
共融温度以上ではシリコンとアルミニウムの合金
ができ高純度のシリコンは得られない。また400
℃以下ではシリコンの収率が低下するので好まし
くない。 本発明における加熱反応は反応温度が比較的低
いので、どんな雰囲気でも使用可能であるが、大
気中ではアルミニウムや生成するシリコンが酸化
する恐れがあるため、減圧またはアルゴン等の不
活性ガス雰囲気で行なうことが好ましい。また本
発明においては配合原料を成形して加熱反応せし
めることが好ましい。配合原料を粉体のまゝ加熱
処理するときは、粉体の中心部への熱の伝達効率
は悪いが、この配合原料を成形すると粒子間隙に
熱ガスが流通するために熱の伝達効率が良くな
り、加熱に要する時間が短縮される。 本発明における加熱反応時間は数10分以上で充
分である。 本発明においてAlF3が生成しない場合には弗
化アルカリとフルオロアルミン酸塩は酸または塩
溶液例えば塩酸、硫酸、塩化アルミニウム、硫酸
アルミニウムなどで処理すれば、容易に溶解する
から、処理溶液を濾過すれば、シリコンを分離で
きる。一方AlF3が生成する場合には、AlF3は水
に対する溶解度が小さく、酸にも溶け難いので、
シリコンとの分離は困難であるが、この場合は、
生成物を酸または塩類溶液で処理した後の残渣を
AlF3の昇華温度(1200℃)以上に加熱し、AlF3
を揮散せしめることにより高純度のシリコンを得
ることができる。またAlF3の生成の如何に拘ら
ず、本発明における生成物を1000℃以上に加熱す
ることにより、シリコン以外の生成物を昇華、分
解、揮散せしめることができ、高純度のシリコン
を得ることができる。この際加熱を減圧下で行な
うと、上記昇華、分解、揮散処理温度を900℃程
度に下げることができる。さらにまた本発明の生
成物をシリコンの溶融温度以上に加熱して、シリ
コンとシリコン以外のものの溶融層を形成せしめ
た後冷却し、それぞれに分離し、高純度のシリコ
ンを得ることもできる。 次に生成物中にAlF3が副生する場合には原料
混合物中に弗化アルカリを添加して加熱処理する
ことにより生成するAlF3をフルオロアルミン酸
塩に変えることができる。 一例をあげるとNa2SiF63モルとAl4モルの反応
は 15Na2SiF6+20Al→15Si+6Na5Al3F14+2AlF3 となりAlF3を生成するが、これに対し充分な量
のNaFが存在する場合には 3Na2SiF6+4Al+6NaF→3Si+4Na3AlF6 または 9Na2SiF6+12Al+2NaF→9Si+4Na5Al3F14 が生成し、これらの生成物は酸または塩溶液に溶
解するのでシリコンとの分離は容易になる。 このようにしてシリコンを分離したフルオロア
ルミン酸塩溶液にSiO2を加えて煮沸濃縮すると
珪弗化アルカリの沈澱が得られ、これは再度循環
使用することができる。 本発明によれば原料として用いる珪弗化アルカ
リおよび金属アルミニウムは高純度のものが安価
に入手できるので、高純度のシリコンを経済的に
製造することができる。 実施例 1 珪弗化ナトリウム(純度95%)と金属アルミニ
ウム(純度99.9%)の微粉及び粒を第4表のよう
に配合し、メノウ乳鉢でよく混合した後電気炉で
560℃、1時間加熱した。また珪弗化ナトリウム
を金属アルミニウム箔にはさみ560℃、1時間電
気炉で加熱した。その結果第4表に示す生成鉱物
が得られ、この生成物を10%塩酸溶液で処理した
後残渣を分離して得た物はシリコンであり、その
純度は99.9%以上であつた。
SiF4が完全にアルミニウムと反応すれば生成した
RFとAlF3の比はRF/AlF3=3/2(モル比)であ
り、SiF4が揮散する場合があることを考慮すると
RF/AlF3≧3/2(モル比)となる。 従つてK、Liの場合には第3表のようにRF/AlF3 ≧3/2のフルオロアルミン酸塩が生成するので
AlF3が残つてフルオロアルミン酸塩と共存する
ことはない。RF/AlF3のモル比が3を越えた場合に はRFが余る。 また(2)式において必要な量以上のAlが存在す
る場合にはAlが未反応のまま残存する。 Naの場合にはNaF/AlF3のモル比が5/3以下ではフ ルオロアルミン酸塩とAlF3が共存し、5/3以上で
はAlF3は全量がフルオロアルミン酸塩を形成す
る。NaF/AlF3のモル比が3を越えればNaFがフルオ ロアルミン酸塩と共存する。これをNa2SiF6とAl
の比で考えるとAlF3がフルオロアルミン酸塩と
共存しなくなるのは、NaF/AlF3のモル比が5/3の時 なのでこの場合のNa2SiF6/Alのモル比を計算する と NaSiF6→2NaF+SiF4 SiF4+XAl→XAlF3+YSi+ZSiF4 NaF/AlF3=5/3=2/X X=6/5 Na2SiF6/Alのモル比が5/6の時であり、こ
のモル比が5/6以下ではAlF3がフルオロアル
ミン酸塩と共存する。更にNa2SiF6/Alのモル比
が3/4以下になるとAlが未反応のまま残存す
る。 本発明はこれらの知見に基くものであつて、珪
弗化アルカリと金属アルミニウム粉末の混合物を
400℃以上アルミニウムとシリコンの共融温度
(575℃)未満で反応せしめた後未反応物および副
生物を除去することを特徴とする高純度シリコン
の製造方法である。 本発明に使用する珪弗化アルカリはNa、Kま
たはLi元素の珪弗化物であつて、金属アルミニウ
ムとともにその形状は粉末状、粒状、塊状、はく
状の何れのものも使用可能であるが、粒度が粗な
る場合には未反応の珪弗化アルカリや金属アルミ
ニウムが残るので通常粉末状のものを使用する。 珪弗化アルカリと金属アルミニウムとの混合比
は任意であるが、未反応物を少くするためには、
モル比で3:2〜3:6の範囲が好ましい。3:
2より珪弗化アルカリが多く配合されるとSiF4の
揮散および弗化アルカリの生成が起り、シリコン
の収率が低下する。また3:6よりアルミニウム
の配合が多いとアルミニウムが大量に残り不経済
である。反応温度は400℃以上とシリコンとアル
ミニウムの共融点(575℃)未満の間で行なう。
共融温度以上ではシリコンとアルミニウムの合金
ができ高純度のシリコンは得られない。また400
℃以下ではシリコンの収率が低下するので好まし
くない。 本発明における加熱反応は反応温度が比較的低
いので、どんな雰囲気でも使用可能であるが、大
気中ではアルミニウムや生成するシリコンが酸化
する恐れがあるため、減圧またはアルゴン等の不
活性ガス雰囲気で行なうことが好ましい。また本
発明においては配合原料を成形して加熱反応せし
めることが好ましい。配合原料を粉体のまゝ加熱
処理するときは、粉体の中心部への熱の伝達効率
は悪いが、この配合原料を成形すると粒子間隙に
熱ガスが流通するために熱の伝達効率が良くな
り、加熱に要する時間が短縮される。 本発明における加熱反応時間は数10分以上で充
分である。 本発明においてAlF3が生成しない場合には弗
化アルカリとフルオロアルミン酸塩は酸または塩
溶液例えば塩酸、硫酸、塩化アルミニウム、硫酸
アルミニウムなどで処理すれば、容易に溶解する
から、処理溶液を濾過すれば、シリコンを分離で
きる。一方AlF3が生成する場合には、AlF3は水
に対する溶解度が小さく、酸にも溶け難いので、
シリコンとの分離は困難であるが、この場合は、
生成物を酸または塩類溶液で処理した後の残渣を
AlF3の昇華温度(1200℃)以上に加熱し、AlF3
を揮散せしめることにより高純度のシリコンを得
ることができる。またAlF3の生成の如何に拘ら
ず、本発明における生成物を1000℃以上に加熱す
ることにより、シリコン以外の生成物を昇華、分
解、揮散せしめることができ、高純度のシリコン
を得ることができる。この際加熱を減圧下で行な
うと、上記昇華、分解、揮散処理温度を900℃程
度に下げることができる。さらにまた本発明の生
成物をシリコンの溶融温度以上に加熱して、シリ
コンとシリコン以外のものの溶融層を形成せしめ
た後冷却し、それぞれに分離し、高純度のシリコ
ンを得ることもできる。 次に生成物中にAlF3が副生する場合には原料
混合物中に弗化アルカリを添加して加熱処理する
ことにより生成するAlF3をフルオロアルミン酸
塩に変えることができる。 一例をあげるとNa2SiF63モルとAl4モルの反応
は 15Na2SiF6+20Al→15Si+6Na5Al3F14+2AlF3 となりAlF3を生成するが、これに対し充分な量
のNaFが存在する場合には 3Na2SiF6+4Al+6NaF→3Si+4Na3AlF6 または 9Na2SiF6+12Al+2NaF→9Si+4Na5Al3F14 が生成し、これらの生成物は酸または塩溶液に溶
解するのでシリコンとの分離は容易になる。 このようにしてシリコンを分離したフルオロア
ルミン酸塩溶液にSiO2を加えて煮沸濃縮すると
珪弗化アルカリの沈澱が得られ、これは再度循環
使用することができる。 本発明によれば原料として用いる珪弗化アルカ
リおよび金属アルミニウムは高純度のものが安価
に入手できるので、高純度のシリコンを経済的に
製造することができる。 実施例 1 珪弗化ナトリウム(純度95%)と金属アルミニ
ウム(純度99.9%)の微粉及び粒を第4表のよう
に配合し、メノウ乳鉢でよく混合した後電気炉で
560℃、1時間加熱した。また珪弗化ナトリウム
を金属アルミニウム箔にはさみ560℃、1時間電
気炉で加熱した。その結果第4表に示す生成鉱物
が得られ、この生成物を10%塩酸溶液で処理した
後残渣を分離して得た物はシリコンであり、その
純度は99.9%以上であつた。
【表】
を得た。
実施例 2 珪弗化カリウム(純度95%)および金属アルミ
ニウム微粉(<44μ)または珪弗化リチウム(純
度90%)および金属アルミニウム微粉(<44μ)
をそれぞれモル比で3:4の割合で配合し、メノ
ウ乳鉢で混合した後タブレツト状に加圧成形した
ものをアルゴン雰囲気にした電気炉中で500℃、
1時間加熱した。得られた生成物を塩酸で溶解
し、残渣を分離して得たシリコンは純度99.9%以
上、収率99%であつた。 実施例 3 工業規模のリン酸肥料製造工程で回収された
Na2SiF6(純度90%)530gと金属アルミニウム粉
末(粉末度44μ以下)100gおよびNaF(純度98%
以上)の混合物を磁製皿に入れたものを最高温度
550℃のトンネル炉内で1時間処理した。この生
成物はシリコンとチオライトであり、これを1%
塩化アルミニウム水溶液および硫酸で処理し、残
渣を分離して得たシリコンの純度はいずれも99.9
%以上であり、収率はそれぞれ約95%および97%
であつた。 実施例 4 珪弗化ナトリウム(実施例1と同じ)1モル、
珪弗化カリウム(実施例2と同じ)2モルおよび
金属アルミニウム(実施例3と同じ)3モルの割
合で混合したものを窒素雰囲気の電気炉内で500
℃、3時間加熱したところSi、氷晶石、チオライ
ト、K3AlF6、KAlF4の混合物が得られた。これ
を5%の塩酸で処理した残渣は純度99.9%以上の
シリコンであり収率は98%であつた。 実施例 5 実施例1において加熱生成物を塩酸で処理して
残渣を分離して得た濾液に純度97%の無水珪酸を
濾液中のAl成分に対しモル比で約1:1となる
様に加えて煮沸し、冷却後濾過してNa2SiF6を得
た。このNa2SiF6は実施例1の配合原料として循
環使用することができ、実施例1と同様のシリコ
ンを得た。 実施例 6 実施例1で得たNo.1試料及び実施例2で得た試
料(いずれも塩酸処理前)をそれぞれ黒鉛のルツ
ボに入れ電気炉でAr雰囲気中で1500℃に15分加
熱溶融し、冷却した後ルツボから試料を取り出し
たところ、シリコンとシリコン以外の2層に分か
れ冷却後容易にシリコンのみを分離することがで
きた。このシリコンの純度は何れも99.9%以上で
あつた。 実施例 7 実施例1で得たNo.1試料及び実施例2で得た試
料(いずれも塩酸処理前)をそれぞれ黒鉛のルツ
ボに入れ、電気炉で1200℃、3時間加熱したとこ
ろ、いずれもルツボ内にはシリコンのみが残りこ
のシリコンの純度は何れも99.9%以上であつた。 実施例 8 実施例1で得たNo.1試料および実施例2で得た
試料(いずれも塩酸処理前)をそれぞれ黒鉛ルツ
ボに入れ10-2torrの真空中で950℃で3時間加熱
したところ、ルツボ内にはシリコンのみが残り、
このシリコンの純度は何れも99.9%以上であつ
た。
実施例 2 珪弗化カリウム(純度95%)および金属アルミ
ニウム微粉(<44μ)または珪弗化リチウム(純
度90%)および金属アルミニウム微粉(<44μ)
をそれぞれモル比で3:4の割合で配合し、メノ
ウ乳鉢で混合した後タブレツト状に加圧成形した
ものをアルゴン雰囲気にした電気炉中で500℃、
1時間加熱した。得られた生成物を塩酸で溶解
し、残渣を分離して得たシリコンは純度99.9%以
上、収率99%であつた。 実施例 3 工業規模のリン酸肥料製造工程で回収された
Na2SiF6(純度90%)530gと金属アルミニウム粉
末(粉末度44μ以下)100gおよびNaF(純度98%
以上)の混合物を磁製皿に入れたものを最高温度
550℃のトンネル炉内で1時間処理した。この生
成物はシリコンとチオライトであり、これを1%
塩化アルミニウム水溶液および硫酸で処理し、残
渣を分離して得たシリコンの純度はいずれも99.9
%以上であり、収率はそれぞれ約95%および97%
であつた。 実施例 4 珪弗化ナトリウム(実施例1と同じ)1モル、
珪弗化カリウム(実施例2と同じ)2モルおよび
金属アルミニウム(実施例3と同じ)3モルの割
合で混合したものを窒素雰囲気の電気炉内で500
℃、3時間加熱したところSi、氷晶石、チオライ
ト、K3AlF6、KAlF4の混合物が得られた。これ
を5%の塩酸で処理した残渣は純度99.9%以上の
シリコンであり収率は98%であつた。 実施例 5 実施例1において加熱生成物を塩酸で処理して
残渣を分離して得た濾液に純度97%の無水珪酸を
濾液中のAl成分に対しモル比で約1:1となる
様に加えて煮沸し、冷却後濾過してNa2SiF6を得
た。このNa2SiF6は実施例1の配合原料として循
環使用することができ、実施例1と同様のシリコ
ンを得た。 実施例 6 実施例1で得たNo.1試料及び実施例2で得た試
料(いずれも塩酸処理前)をそれぞれ黒鉛のルツ
ボに入れ電気炉でAr雰囲気中で1500℃に15分加
熱溶融し、冷却した後ルツボから試料を取り出し
たところ、シリコンとシリコン以外の2層に分か
れ冷却後容易にシリコンのみを分離することがで
きた。このシリコンの純度は何れも99.9%以上で
あつた。 実施例 7 実施例1で得たNo.1試料及び実施例2で得た試
料(いずれも塩酸処理前)をそれぞれ黒鉛のルツ
ボに入れ、電気炉で1200℃、3時間加熱したとこ
ろ、いずれもルツボ内にはシリコンのみが残りこ
のシリコンの純度は何れも99.9%以上であつた。 実施例 8 実施例1で得たNo.1試料および実施例2で得た
試料(いずれも塩酸処理前)をそれぞれ黒鉛ルツ
ボに入れ10-2torrの真空中で950℃で3時間加熱
したところ、ルツボ内にはシリコンのみが残り、
このシリコンの純度は何れも99.9%以上であつ
た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 珪弗化アルカリおよび金属アルミニウムの混
合物を400℃以上、シリコンとアルミニウムの共
融温度(575℃)未満で加熱処理した後、未反応
物および副生物を除去することを特徴とする高純
度シリコンの製造方法。 2 珪弗化アルカリ:金属アルミニウムをモル比
にて3:2〜3:6の割合に配合することを特徴
とする上記第1項記載の高純度シリコンの製造方
法。 3 珪弗化アルカリ:金属アルミニウムをモル比
にて3:2〜3:6の割合にて配合して加熱処理
した後シリコン以外の生成物(未反応物を含む)
を酸または塩溶液で処理することを特徴とする上
記第1項記載の高純度シリコンの製造方法。 4 珪弗化アルカリ:金属アルミニウムをモル比
にて3:2〜3:6の割合にて配合して加熱処理
した後生成物を900℃以上、シリコンの溶融温度
以下に加熱することを特徴とする上記第1項記載
の高純度シリコンの製造方法。 5 珪弗化アルカリ:金属アルミニウムをモル比
で3:2〜3:6の割合に配合して加熱処理した
後、生成物をシリコンの溶融温度以上に加熱溶融
して、シリコンをシリコン以外の成分から分離す
ることを特徴とする上記第1項記載の高純度シリ
コンの製造方法。 6 珪弗化アルカリのアルカリ元素としてK,
NaまたはLiの何れか一種を使用することを特徴
とする上記第1項記載の高純度シリコンの製造方
法。 7 珪弗化ナトリウム5モルに対し金属アルミニ
ウムが6モルより多い場合、この配合物に、予め
反応により副生する弗化アルミニウムをフルオロ
アルミン酸塩にするに要する量以上の弗化アルカ
リを添加することを特徴とする上記第1項記載の
高純度シリコンの製造方法。 8 珪弗化アルカリおよび金属アルミニウムの混
合物を400℃以上、シリコンとアルミニウムの共
融温度(575℃)未満で加熱処理した後、生成し
たシリコンと副生するフルオロアルミン酸塩を分
離後、フルオロアルミン酸塩とSiO2より珪弗化
アルカリを合成して、これを原料として循環使用
することを特徴とする高純度シリコンの製造方
法。 9 珪弗化アルカリ:金属アルミニウムをモル比
にて3:2〜3:6の割合に配合することを特徴
とする上記第8項記載の高純度シリコンの製造方
法。 10 珪弗化アルカリのアルカリ元素としてK,
NaまたはLiの何れか一種を使用することを特徴
とする上記第8項記載の高純度シリコンの製造方
法。 11 珪弗化ナトリウム5モルに対し金属アルミ
ニウムが6モルより多い場合、この配合物に、予
め反応により副生する弗化アルミニウムをフルオ
ロアルミン酸塩にするに要する量以上の弗化アル
カリを添加することを特徴とする上記第8項記載
の高純度シリコンの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8464980A JPS5711815A (en) | 1980-06-24 | 1980-06-24 | Preparation of high purity silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8464980A JPS5711815A (en) | 1980-06-24 | 1980-06-24 | Preparation of high purity silicon |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5711815A JPS5711815A (en) | 1982-01-21 |
| JPS6332725B2 true JPS6332725B2 (ja) | 1988-07-01 |
Family
ID=13836546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8464980A Granted JPS5711815A (en) | 1980-06-24 | 1980-06-24 | Preparation of high purity silicon |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5711815A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103395785A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-11-20 | 贵州省产品质量监督检验院 | 一种钠还原氟硅酸钠制备多晶硅的方法 |
| US9516068B2 (en) | 2002-07-31 | 2016-12-06 | Sony Interactive Entertainment America Llc | Seamless host migration based on NAT type |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3310828A1 (de) * | 1983-03-24 | 1984-09-27 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Verfahren zur herstellung von silicium |
| JPH0741995B2 (ja) * | 1988-07-06 | 1995-05-10 | 日鉄鉱業株式会社 | ベルトコンベヤ輸送システムにおける粉じん飛散防止方法及び装置 |
-
1980
- 1980-06-24 JP JP8464980A patent/JPS5711815A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9516068B2 (en) | 2002-07-31 | 2016-12-06 | Sony Interactive Entertainment America Llc | Seamless host migration based on NAT type |
| CN103395785A (zh) * | 2013-07-18 | 2013-11-20 | 贵州省产品质量监督检验院 | 一种钠还原氟硅酸钠制备多晶硅的方法 |
| CN103395785B (zh) * | 2013-07-18 | 2014-12-31 | 贵州省产品质量监督检验院 | 一种钠还原氟硅酸钠制备多晶硅的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5711815A (en) | 1982-01-21 |
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