JPS6333910A - Ｆｅｔ増幅器 - Google Patents
Ｆｅｔ増幅器Info
- Publication number
- JPS6333910A JPS6333910A JP17793586A JP17793586A JPS6333910A JP S6333910 A JPS6333910 A JP S6333910A JP 17793586 A JP17793586 A JP 17793586A JP 17793586 A JP17793586 A JP 17793586A JP S6333910 A JPS6333910 A JP S6333910A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amplifier
- phase
- signal
- control circuit
- fet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波信号の位相補償機能を有するＦ
ＥＴ （を弁効果トランジスタ２増幅器に関するもので
ある。
ＥＴ （を弁効果トランジスタ２増幅器に関するもので
ある。
第３図は従来のＩＦ１１ｉＴ増幅器を示す一実施例であ
り１図中＋１）ＩＩｉ？１！：Ｔを用いた単位増幅器を
、（２）（３）は入力信号端子及び出力信号端子でおる
。
り１図中＋１）ＩＩｉ？１！：Ｔを用いた単位増幅器を
、（２）（３）は入力信号端子及び出力信号端子でおる
。
従来の１１！ｔＴの中で、ＷＫ高レベルマイクロ波信号
の増幅を目的としてつくられたｌＦＥＴＦＥＴ増幅器
？１！：Ｔ増幅器と対立する立場を有する進行波管増幅
器などに比較して数々の利点を有するため。
の増幅を目的としてつくられたｌＦＥＴＦＥＴ増幅器
？１！：Ｔ増幅器と対立する立場を有する進行波管増幅
器などに比較して数々の利点を有するため。
その利用度が高まりつつある。
利点としては、低位相変化・低飽和特性による低歪の実
現、固体素子を使用することによる信頼性の向上、小形
・軽量などがめげられ、利用分野として、上記利点を十
分に活用することができるマイクロ波による衛星通信回
線が大きな位置を占めている。
現、固体素子を使用することによる信頼性の向上、小形
・軽量などがめげられ、利用分野として、上記利点を十
分に活用することができるマイクロ波による衛星通信回
線が大きな位置を占めている。
上記のような従来のＦＥＴ増幅器において２次のような
問題点があった。すなわち、上述のような高レベルマイ
クロ波信号を扱う増＠器は、出力信号の電力レベルに応
じて消費電力が決定される。
問題点があった。すなわち、上述のような高レベルマイ
クロ波信号を扱う増＠器は、出力信号の電力レベルに応
じて消費電力が決定される。
ここでＦＦＸＴＦＥＴ増幅器費電力、すなわち効率の高
い状態で動作させることが望ましいが、一方では効率の
上昇と増幅器の直線性とは相反している。この直線性が
効率に反して低下することを原因としてＦＥＴ増幅器の
低歪性を損ない０位相特性をも悪化させるという問題点
を有していた。
い状態で動作させることが望ましいが、一方では効率の
上昇と増幅器の直線性とは相反している。この直線性が
効率に反して低下することを原因としてＦＥＴ増幅器の
低歪性を損ない０位相特性をも悪化させるという問題点
を有していた。
第４図は、上述のＦＥＴ増幅器の相対入力電力レベルに
対する位相特性並びに振＠特性の一例である。振幅特性
は相対入力電力が増加するに従い相対出力電力が飽和す
る特性を示しており、ここで特に位相特性に着目すれば
、ＦＥＴ増幅器の直線性悪化に伴なって１位相変化量が
著しく増加していることがわかる。
対する位相特性並びに振＠特性の一例である。振幅特性
は相対入力電力が増加するに従い相対出力電力が飽和す
る特性を示しており、ここで特に位相特性に着目すれば
、ＦＥＴ増幅器の直線性悪化に伴なって１位相変化量が
著しく増加していることがわかる。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、上記のようなＦＥＴ増幅器の飽和に伴なう位相特性
の悪化を防ぎ９位相変化を抑えた上で効率の良好なＰＫ
’！”増幅器を得ることを目的とする。
で、上記のようなＦＥＴ増幅器の飽和に伴なう位相特性
の悪化を防ぎ９位相変化を抑えた上で効率の良好なＰＫ
’！”増幅器を得ることを目的とする。
この発明に係るＦＥＴ増幅器は、ＦＩＴを用いた従来の
第１の増幅器入力＠に上記第１の増幅器に用いたＦＥＴ
と異なるデュアルゲー）ＦＥＴを用いた第２の増幅器を
続続した上、上記第２の増幅器入力端子と第！の増幅器
の出力端予告々にカプラを接続し、上記２台のカプラか
ら抽出した位相信号を９カプラ側の位相差を検出するた
めの位相検波器を通して上記第２の増幅器の位相を制御
する制御回路に接続後、上記第２の増幅器に印加するも
のである。
第１の増幅器入力＠に上記第１の増幅器に用いたＦＥＴ
と異なるデュアルゲー）ＦＥＴを用いた第２の増幅器を
続続した上、上記第２の増幅器入力端子と第！の増幅器
の出力端予告々にカプラを接続し、上記２台のカプラか
ら抽出した位相信号を９カプラ側の位相差を検出するた
めの位相検波器を通して上記第２の増幅器の位相を制御
する制御回路に接続後、上記第２の増幅器に印加するも
のである。
この発明においては、従来の第１の増幅器に直列接続さ
れる第２の増幅器が、ＰＥＴ増幅器飽和時の位相変化に
応じて位相調節を行う。
れる第２の増幅器が、ＰＥＴ増幅器飽和時の位相変化に
応じて位相調節を行う。
Ｗ、１図はこの発明の一実施例を示す構成図であり１図
中（１）〜（３）は従来の装置と全（同一のものである
。（４）は従来の第１の増幅器に直列に接続され。
中（１）〜（３）は従来の装置と全（同一のものである
。（４）は従来の第１の増幅器に直列に接続され。
かつ上記第１の増幅器に用いられたＦＩＴと異なるデュ
アルゲー）ＩＦＥＴを用いた第２の増幅器。
アルゲー）ＩＦＥＴを用いた第２の増幅器。
（５）は上記第１の増幅器の出力端子と第２の増幅器の
入力端子に接続された２台のカプラ、（６）はカプラの
反射端子終端器、（７１Ｆｉ上記２台のカプラ（５）か
ら取り出される信号を混合し位相差成分を取り出すとこ
ろの位相検波器、（８）は上記位相検波器（７）からの
信号を制御信号に変換し上記デュアルゲートＦＦ１Ｔ増
・福器１４）に印加するための制御回路である。
入力端子に接続された２台のカプラ、（６）はカプラの
反射端子終端器、（７１Ｆｉ上記２台のカプラ（５）か
ら取り出される信号を混合し位相差成分を取り出すとこ
ろの位相検波器、（８）は上記位相検波器（７）からの
信号を制御信号に変換し上記デュアルゲートＦＦ１Ｔ増
・福器１４）に印加するための制御回路である。
第２図は上記の実施例で示した第２の増幅器＋４）の内
部構成例でろり、 ＋２１＋３１１／ｉ従来の装置と相
当のものを、（９）は直流バイアスが必要部外の回路に
流出する事を防ぐブロックコンデンサ、 Ｃ１Ｇはマイ
クロ波信号がバイアス簡に流出することを防ぐチョーク
コイル、（ＩυはデュアルゲートＰＩＴ、（Ｉｒ！Ｊは
デュγルゲー）ＰＥＴｆｌｌｌのドレインバイアス端子
。
部構成例でろり、 ＋２１＋３１１／ｉ従来の装置と相
当のものを、（９）は直流バイアスが必要部外の回路に
流出する事を防ぐブロックコンデンサ、 Ｃ１Ｇはマイ
クロ波信号がバイアス簡に流出することを防ぐチョーク
コイル、（ＩυはデュアルゲートＰＩＴ、（Ｉｒ！Ｊは
デュγルゲー）ＰＥＴｆｌｌｌのドレインバイアス端子
。
（１３１１ｄ第１ゲートバイアス端子、０は制御回路（
５）からの信号をデュアルゲー） Ｆ Ｅ Ｔ Ｃｌ１
ｌの第２ゲートに印加するための制御端子である。
５）からの信号をデュアルゲー） Ｆ Ｅ Ｔ Ｃｌ１
ｌの第２ゲートに印加するための制御端子である。
上記のように構成されたＦ’ＥＴ増幅器において。
＠１図で示した単位増幅器（１）は入力信号端子（２）
のマイクロ波信号電力が増加するに従い次第に後段（１
つ から入力段に向かって飽和する。この際。
のマイクロ波信号電力が増加するに従い次第に後段（１
つ から入力段に向かって飽和する。この際。
振幅の飽和と共に単位増幅器（１）を通過する信号の位
相が変化することは従来回路で説明した通りである。
相が変化することは従来回路で説明した通りである。
カプラ（６１は、入力信号端子（２）及び出力信号端子
（３）の部分のマイクロ波信号を少量抽出するためのも
ので、抽出信号は位相検波器（））に入力されて入出力
端子（２）〜（３）間の位相差を横用する。位相検出信
号はそのままでは第２の増幅器１４）を駆動することが
できないため、制御回路（８）において適当な制御信号
に変換後、第２の増幅器（４）に印加される。
（３）の部分のマイクロ波信号を少量抽出するためのも
ので、抽出信号は位相検波器（））に入力されて入出力
端子（２）〜（３）間の位相差を横用する。位相検出信
号はそのままでは第２の増幅器１４）を駆動することが
できないため、制御回路（８）において適当な制御信号
に変換後、第２の増幅器（４）に印加される。
すなわち、単位増幅器＋１）で発生した位相の変化とい
うものを位相検波器（４）で取出し、その位相の変化量
の極性を逆にしたものを第２の増幅器（４）で作咬田す
よう制御回路（６１で制御するなら、ＦＥＴ増＠器全体
としての位相変化量を零にすることが可能となる。ここ
で第２図は、上記の制御回路（８］の信号を受けて動作
する第２の増幅器（４）の内部である。増幅器（４）は
制御端子α４に印加された電圧に応じ、デュアルゲート
ＦＫＴＱＩＩのゲートーソース間接合容量を変化させる
事によって、デュアルゲートＦＩＴα１１を通過するマ
イクロ波信号の位相を調節することが可能であり、デュ
アルゲート？ＫＴαガの増幅機能と相まって、良好な移
相増幅器を構成する。
うものを位相検波器（４）で取出し、その位相の変化量
の極性を逆にしたものを第２の増幅器（４）で作咬田す
よう制御回路（６１で制御するなら、ＦＥＴ増＠器全体
としての位相変化量を零にすることが可能となる。ここ
で第２図は、上記の制御回路（８］の信号を受けて動作
する第２の増幅器（４）の内部である。増幅器（４）は
制御端子α４に印加された電圧に応じ、デュアルゲート
ＦＫＴＱＩＩのゲートーソース間接合容量を変化させる
事によって、デュアルゲートＦＩＴα１１を通過するマ
イクロ波信号の位相を調節することが可能であり、デュ
アルゲート？ＫＴαガの増幅機能と相まって、良好な移
相増幅器を構成する。
この発明は以上の説明通り、従来の第１の増幅器を通過
するマイクロ波信号の位相を２台のカプラと位相検波器
を用いて検出し、この検出信号を用いて上記従来の増＠
器に使用されたと異なるデュアルゲー）ＦＥＴを用りた
第２の増幅器を駆動する構成によって、ＦＥＴ増幅器全
体の通過位相変化を抑圧するという効果を有する。
するマイクロ波信号の位相を２台のカプラと位相検波器
を用いて検出し、この検出信号を用いて上記従来の増＠
器に使用されたと異なるデュアルゲー）ＦＥＴを用りた
第２の増幅器を駆動する構成によって、ＦＥＴ増幅器全
体の通過位相変化を抑圧するという効果を有する。
第１図はこの発明の一実施例を示す構成図、＠２図は第
１図で示したデュアルゲートＦＥ’！’を用いた第２の
増幅器の内部構成例、第３図、第４図は従来のＦＥＴ増
幅器を示す構成図とその位相・振幅特注例である。 図において、（１）は準位増幅器、 ＋２１ｆ３Ｌｌｄ
入力信号及び出力信号端子、１４）は第２の増幅器、（
５）はカプラ、（６）はｖ！：端器、（７）は位相検波
器、（８）は制御回路。 （９）はブロックコンデンサ、顛はチョークコイル。 αＢはデュアルゲー）ＦＥＴ、α２けドレインバイアス
端子、α９は第１ゲートバイアス端子、（１４は制御端
子である。 尚、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代職人大岩増雄 第１図 １：単位１幅器 ７：壮稽旅表籠 第２Ｅｆ！Ｊ １１：テ）−フルケ―トＦＥ丁 １４：制＠燗子 ＠ ３ 刃 第 ４ 図 −２０−１５−ｄｏ −５０ 相対°入力電力 （ｄＢ）
１図で示したデュアルゲートＦＥ’！’を用いた第２の
増幅器の内部構成例、第３図、第４図は従来のＦＥＴ増
幅器を示す構成図とその位相・振幅特注例である。 図において、（１）は準位増幅器、 ＋２１ｆ３Ｌｌｄ
入力信号及び出力信号端子、１４）は第２の増幅器、（
５）はカプラ、（６）はｖ！：端器、（７）は位相検波
器、（８）は制御回路。 （９）はブロックコンデンサ、顛はチョークコイル。 αＢはデュアルゲー）ＦＥＴ、α２けドレインバイアス
端子、α９は第１ゲートバイアス端子、（１４は制御端
子である。 尚、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代職人大岩増雄 第１図 １：単位１幅器 ７：壮稽旅表籠 第２Ｅｆ！Ｊ １１：テ）−フルケ―トＦＥ丁 １４：制＠燗子 ＠ ３ 刃 第 ４ 図 −２０−１５−ｄｏ −５０ 相対°入力電力 （ｄＢ）
Claims (1)
- ＦＥＴ（電界効果トランジスタ）を用いて構成された多
段の第１の増幅器と、上記第１の増幅器の入力側に直列
接続され、かつ上記第１の増幅器に用いられたＦＥＴと
異なるデュアルゲートＦＥＴを用いた第２の増幅器と、
上記第２の増幅器の入力端子と上記第１の増幅器の出力
端子の各々に接続された２台のカプラと、上記２台のカ
プラに接続されカプラ間の位相差を検出するための位相
検波器と、上記位相検波器と第２の増幅器に接続されか
つ上記第２の増幅器の位相を制御するための制御回路と
を備えたことを特徴とするＦＥＴ増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17793586A JPS6333910A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | Ｆｅｔ増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17793586A JPS6333910A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | Ｆｅｔ増幅器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333910A true JPS6333910A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=16039637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17793586A Pending JPS6333910A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | Ｆｅｔ増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333910A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424015A (en) * | 1992-09-29 | 1995-06-13 | Yamashita Rubber Kabushiki Kaisha | Method and device for manufacturing rubber bend pipe |
| JP2011211410A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujitsu Ltd | 増幅回路及びその増幅回路を含む送信回路 |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP17793586A patent/JPS6333910A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5424015A (en) * | 1992-09-29 | 1995-06-13 | Yamashita Rubber Kabushiki Kaisha | Method and device for manufacturing rubber bend pipe |
| JP2011211410A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Fujitsu Ltd | 増幅回路及びその増幅回路を含む送信回路 |
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