JP3280788B2 - 利得制御増幅回路 - Google Patents

利得制御増幅回路

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、テレビジョンチューナ
等に使用して好適な、利得制御増幅回路に関する。
【0002】
【従来の技術】電界効果トランジスタ(以下、FETと
略称する)を用いた利得制御増幅回路としては従来、図
2に示すようなデュアルゲートFET1を用いたソース
接地、リバース利得制御方式が用いられていた。以下図
2に従って、従来の利得制御増幅回路について説明す
る。デュアルゲートFET1の第1ゲート6に入力端子
15より信号が入力されドレイン13から出力端子16
へ出力される。利得制御は、第2ゲート5に利得制御電
圧を印加することで作動させる。回路例からわかるよう
に、ソース接地方式のため入力インピーダンスは高く、
出力インピーダンスも第2ゲート5が第2ゲート接地コ
ンデンサ4で接地されていることから高くなる。図2に
おいて、入力信号は、第1ゲート6に入力されドレイン
13からとり出される。第1ゲート6には電源電圧供給
端子17より供給される電源電圧を第1ゲートバイアス
抵抗7,8により分割して得られるバイアス電圧が印加
され、ソース14はソース接地コンデンサ10を介して
接地され、ソースバイアス抵抗9,11を介してバイア
ス電圧が印加されている。これらの抵抗は利得制御を良
好に行なわせるため必要である。第2ゲート5は、第2
ゲート接地コンデンサ4を介して接地され、利得制御電
圧供給抵抗3を介して利得制御電圧供給端子2より、利
得制御電圧が印加される。また、ドレイン13は、ドレ
イン電圧印加コイル12を介してバイアス電圧が供給さ
れる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】さて上述したように一
般にデュアルゲートFET1では利得制御を行う場合、
第2ゲート5を用いて、ソース電流を減少させて行う
が、大入力信号に対しては、大きく利得を減少させる必
要から、ソース電流を大きく減少させるが、この為に、
デュアルゲートFET1の歪が大きくなるという欠点が
あった。又デュアルゲートFETをソース接地で用いる
と入出力インピーダンスが高くなり、広い周波数範囲に
わたって利得制御を可能とするには、入出力の整合のた
めの回路構成が困難になるという欠点があった。この発
明は上述した事情に鑑みなされたもので、入出力インピ
ーダンスが低く、入出力整合のための回路構成が容易で
あり、大入力信号時も歪みの少い利得制御増幅回路を提
供することを目的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明の利得制
御増幅回路は、増幅回路と、利得制御回路とよりなる利
得制御増幅回路において、前記増幅回路は、ゲート端子
が接地され、ソース端子より入力した信号を増幅して、
ドレイン端子より出力する第1の電界効果トランジスタ
と、該第1の電界効果トランジスタのドレイン端子に接
続される第1の出力端子と、ソース端子が接地され、ゲ
ート端子より入力した信号を増幅して、ドレイン端子よ
り出力する第2の電界効果トランジスタと、該第2の電
界効果トランジスタのゲート端子に接続される第1の入
力端子とを備え、前記利得制御回路は、第2の入力端子
と第2の出力端子とピンダイオードとを備え、前記第2
の入力端子と前記第2の出力端子との間に接続される信
号の伝送経路とアースとの間に、前記ピンダイオードを
接続し、前記第1の出力端子と前記第2の入力端子とを
接続し、前記第2の出力端子と前記第1の入力端子とを
接続し、前記ピンダイオードの有する順方向可変抵抗に
よって、前記第2の入力端子より入力した信号のレベル
を制御ることを特徴とする。請求項2の発明の利得制
御増幅回路は、請求項1に記載の前記利得制御回路にお
いて、前記第2の入力端子と前記第2の出力端子との間
には、コイルと第1のコンデンサと第2のコンデンサと
が直列に接続され、前記第1のコンデンサと前記第2の
コンデンサとの接続点とアースとの間には、カソード側
をアースへの接続端とする前記ピンダイオードが介挿さ
れ、該ピンダイオードのアノード側には、利得制御電圧
が印加されていることを特徴とする。請求項の発明の
利得制御増幅回路は、請求項1又は請求項2に記載の利
得制御増幅回路において、前記第1及び第2の電界効果
トランジスタは、シングルゲートであることを特徴とす
る。請求項の発明の利得制御増幅回路は、請求項1、
請求項2又は請求項3に記載の利得制御増幅回路におい
て、前記増幅回路は、集積回路内に構成されていること
を特徴とする。
【0005】
【作用】請求項1に記載の利得制御増幅回路によれば、
第1の電界効果トランジスタと第2の電界効果トランジ
スタとの間に、利得制御回路を介挿して、利得を制御す
るので、第1、第2の電界効果トランジスタのソース電
流を変える必要がなく更に、第1の電界効果トランジス
タの出力と、第2の電界効果トランジスタの入力との間
に接続されるインピーダンスの高い信号の伝送経路とア
ースとの間にピンダイオードを介挿して利得を制御する
ので、利得制御範囲を大きくとることが出来る。請求項
に記載の利得制御増幅回路によれば、利得制御電圧に
よって、ピンダイオードの順方向可変抵抗が可変する。
請求項に記載の利得制御増幅回路によれば、第1、第
2の電界効果トランジスタはシングルゲートであるの
で、増幅回路の入出力インピーダンスを低くすることが
出来る。請求項に記載の利得制御増幅回路によれば、
増幅回路を集積回路内に構成しているので、利得制御増
幅回路を小型化することが出来る。
【0006】
【実施例】以下図面を参照し、この発明の一実施例によ
る利得制御増幅回路を説明する。図1はこの発明による
利得制御増幅回路を示す回路図である。図1において2
1は第1のFET、22は第2のFETであり、23,
24はそれぞれ第1の出力端子、第1の入力端子を示
す。第1のFET21及び第2のFET22はそれぞれ
のバイアス抵抗37,38,39と共に同一の集積回路
内に構成された増幅回路35内に構成されている。利得
制御回路36はコイル27、第1のコンデンサ28、第
2のコンデンサ29、第1の抵抗30、ピンダイオード
31、第2の抵抗32で構成されている。又、25は第
2の入力端子、26は第2の出力端子である。増幅回路
35と利得制御回路36はそれぞれ23と25及び24
と26とで接続されている。
【0007】電源電圧供給端子34より、第1の抵抗3
0、コイル27を介して、第1のFET21へドレイン
電流が供給され、電源電圧供給端子40より、バイアス
抵抗39を介して、第2のFET22へドレイン電流が
供給される。入力端子15より入力した信号は、第1の
FET21において、所定の値に増幅され、第1の出力
端子23、第2の入力端子25を経て、利得制御回路3
6内に入力する。利得制御回路36内に入力した信号
は、コイル27、第1のコンデンサ28、第2のコンデ
ンサ29を介して、第2の出力端子26より出力される
が、この途中、利得制御電圧供給端子33より入力した
利得制御電圧によるピンダイオード31の順方向抵抗の
可変により、利得制御を受ける。利得制御回路36の第
2の出力端子26より出力した信号は、第1の入力端子
24より第2のFET22へ入力し、ここで再び、所定
の値に増幅され、出力端子16より出力される。
【0008】
【発明の効果】請求項1記載の利得制御増幅回路は、増
幅回路のソース電流を変える必要がないので、歪みを悪
化させることがなく更に、インピーダンスの高い信号の
伝送経路とアースとの間にピンダイオードを介挿して利
得を制御するので、利得制御範囲を大きくとることが出
来る。請求項記載の利得制御増幅回路は、利得制御電
圧によって、ピンダイオードの順方向抵抗を可変して利
得を制御することが出来るので、非常に簡単な回路に
て、利得制御回路を作ることが出来る。請求項記載の
利得制御増幅回路は、第1、第2の電界効果トランジス
タはシングルゲートであるので、利得制御増幅回路の入
出力インピーダンスを低くすることが出来、増幅回路の
前段又は後段に接続させる回路の設計が容易なものとな
る。請求項記載の利得制御増幅回路は、増幅回路を集
積回路内に構成しているので、利得制御増幅回路を小型
化することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による利得制御増幅回路を示
す図である。
【図2】従来の利得制御増幅回路を示す図である。
【符号の説明】
15 入力端子 16 出力端子 21 第1のFET 22 第2のFET 23 第1の出力端子 24 第1の入力端子 25 第2の入力端子 26 第2の出力端子 27 コイル 28 第1のコンデンサ 29 第2のコンデンサ 30 第1の抵抗 31 ピンダイオード 32 第2の抵抗 33 利得制御電圧供給端子 34 電源電圧供給端子 35 増幅回路 36 利得制御回路 37,38,39 バイアス抵抗 40 電源電圧供給端子

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 増幅回路と、利得制御回路とよりなる利
    得制御増幅回路において、 前記増幅回路は、ゲート端子が接地され、ソース端子よ
    り入力した信号を増幅して、ドレイン端子より出力する
    第1の電界効果トランジスタと、該第1の電界効果トラ
    ンジスタのドレイン端子に接続される第1の出力端子
    と、ソース端子が接地され、ゲート端子より入力した信
    号を増幅して、ドレイン端子より出力する第2の電界効
    果トランジスタと、該第2の電界効果トランジスタのゲ
    ート端子に接続される第1の入力端子とを備え、 前記利得制御回路は、第2の入力端子と第2の出力端子
    とピンダイオードとを備え、前記第2の入力端子と前記
    第2の出力端子との間に接続される信号の伝送経路とア
    ースとの間に、前記ピンダイオードを接続し、前記第1
    の出力端子と前記第2の入力端子とを接続し、前記第2
    の出力端子と前記第1の入力端子とを接続し、前記ピン
    ダイオードの有する順方向可変抵抗によって、前記第2
    の入力端子より入力した信号のレベルを制御ることを
    特徴とする利得制御増幅回路。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の利得制御回路におい
    て、前記第2の入力端子と前記第2の出力端子との間に
    は、コイルと第1のコンデンサと第2のコンデンサとが
    直列に接続され、前記第1のコンデンサと前記第2のコ
    ンデンサとの接続点とアースとの間には、カソード側を
    アースへの接続端とする前記ピンダイオードが介挿さ
    れ、該ピンダイオードのアノード側には、利得制御電圧
    が印加されていることを特徴とする利得制御増幅回路。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載の利得制御
    増幅回路において、前記第1及び第2の電界効果トラン
    ジスタは、シングルゲートであることを特徴とする利得
    制御増幅回路。
  4. 【請求項4】 請求項1、請求項2又は請求項3に記載
    の利得制御増幅回路において、前記増幅回路は、集積回
    路内に構成されていることを特徴とする利得制御増幅回
    路。
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