JPS6334448B2 - - Google Patents
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- JPS6334448B2 JPS6334448B2 JP59010502A JP1050284A JPS6334448B2 JP S6334448 B2 JPS6334448 B2 JP S6334448B2 JP 59010502 A JP59010502 A JP 59010502A JP 1050284 A JP1050284 A JP 1050284A JP S6334448 B2 JPS6334448 B2 JP S6334448B2
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/141—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent using ferroelectric liquid crystals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1339—Gaskets; Spacers; Sealing of cells
- G02F1/13394—Gaskets; Spacers; Sealing of cells spacers regularly patterned on the cell subtrate, e.g. walls, pillars
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- Liquid Crystal (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、液晶表示素子や液晶−光シヤツタ等
で用いる液晶素子に関し、更に詳しくは液晶分子
の初期配向状態を改善することにより、表示なら
びに駆動特性を改善した液晶素子に関するもので
ある。
で用いる液晶素子に関し、更に詳しくは液晶分子
の初期配向状態を改善することにより、表示なら
びに駆動特性を改善した液晶素子に関するもので
ある。
従来より、走査電極群と信号電極群をマトリク
ス状に構成し、その電極間に液晶化合物を充填し
多数の画素を形成して、画像或いは情報の表示を
行う液晶表示素子は、よく知られている。この表
示素子の駆動法としては、走査電極群に順次周期
的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には
所定の情報信号をアドレス信号と同期させて並列
的に選択印加する時分割駆動が採用されている
が、この表示素子及びその駆動法には以下に述べ
る如き致命的とも言える大きな欠点がある。
ス状に構成し、その電極間に液晶化合物を充填し
多数の画素を形成して、画像或いは情報の表示を
行う液晶表示素子は、よく知られている。この表
示素子の駆動法としては、走査電極群に順次周期
的にアドレス信号を選択印加し、信号電極群には
所定の情報信号をアドレス信号と同期させて並列
的に選択印加する時分割駆動が採用されている
が、この表示素子及びその駆動法には以下に述べ
る如き致命的とも言える大きな欠点がある。
即ち、画素密度を高く、或いは画面を大きくす
るのが難しいことである。従来の液晶の中で応答
速度が比較的高く、しかも消費電力が小さいこと
から、表示素子として実用に供されてるのは殆ん
どが、例えばM.SchadtとW.Helfrich著
“Applied Physics Letters”Vo.18、No.４（1971、
２、15）、P.127〜128の“Voltage−Dependent
Optical Activity of ａ Twisted Nematic
Liquid Crystal”に示されたTN（twisted
nematic）型の液晶を用いたものであり、この型
の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶の分子が液晶層厚方向で捩れた構造
（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶
の分子が平行に配列した構造を形成している。一
方、電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶が電界方向に配列し、この結果光学
変調を起すことができる。この型の液晶を用いて
マトリツクス電極構造によつて表示素子を構成し
た場合、走査電極と信号電極が共に選択される領
域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走
査電極と信号電極が共に選択されない領域（非選
択点）には電圧は印加されず、したがつて液晶分
子は電極面に対して並行な安定配列を保つてい
る。このような液晶セルの上下に互いにクロスニ
コル関係にある直線偏光子を配置することによ
り、選択点では光が透過せず、非選択点では光が
透過するため、画像素子とすることが可能とな
る。然し乍ら、マトリツクス電極構造を構成した
場合には、走査電極が選択され、信号電極が選択
されない領域、或いは走査電極が選択されず、信
号電極が選択される領域（所謂“半選択点”）に
も有限に電界がかかつてしまう。選択点にかかる
電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充分に大き
く、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要す
る電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけであるが、走
査線数（Ｎ）を増やして行つた場合、画面全体
（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかつている時間（duty比）が１／
Ｎの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行つた場合の選択点と非選択点にかかる
実効値としての電圧差は、走査線が増えれば増え
る程小さくなり、結果的には画像コントラストの
低下やクロストークが避け難い欠点となつてい
る。このような現像は、双安定性を有さない液晶
（電極面に対し、液晶分子が水平に配向している
のが安定状態であり、電界が有効に印加されてい
る間のみ垂直に配向する）を時間的蓄積効果を利
用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）とき
に生ずる本質的には避け難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動
法や、多重マトリツクス法等が既に提案されてい
るが、いずれの方法でも不充分であり、表示素子
の大画面化や高密度化は、走査線数が充分に増や
せないことによつて頭打ちになつているのが現状
である。
るのが難しいことである。従来の液晶の中で応答
速度が比較的高く、しかも消費電力が小さいこと
から、表示素子として実用に供されてるのは殆ん
どが、例えばM.SchadtとW.Helfrich著
“Applied Physics Letters”Vo.18、No.４（1971、
２、15）、P.127〜128の“Voltage−Dependent
Optical Activity of ａ Twisted Nematic
Liquid Crystal”に示されたTN（twisted
nematic）型の液晶を用いたものであり、この型
の液晶は、無電界状態で正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶の分子が液晶層厚方向で捩れた構造
（ヘリカル構造）を形成し、両電極面でこの液晶
の分子が平行に配列した構造を形成している。一
方、電界印加状態では、正の誘電異方性をもつネ
マチツク液晶が電界方向に配列し、この結果光学
変調を起すことができる。この型の液晶を用いて
マトリツクス電極構造によつて表示素子を構成し
た場合、走査電極と信号電極が共に選択される領
域（選択点）には、液晶分子を電極面に垂直に配
列させるに要する閾値以上の電圧が印加され、走
査電極と信号電極が共に選択されない領域（非選
択点）には電圧は印加されず、したがつて液晶分
子は電極面に対して並行な安定配列を保つてい
る。このような液晶セルの上下に互いにクロスニ
コル関係にある直線偏光子を配置することによ
り、選択点では光が透過せず、非選択点では光が
透過するため、画像素子とすることが可能とな
る。然し乍ら、マトリツクス電極構造を構成した
場合には、走査電極が選択され、信号電極が選択
されない領域、或いは走査電極が選択されず、信
号電極が選択される領域（所謂“半選択点”）に
も有限に電界がかかつてしまう。選択点にかかる
電圧と、半選択点にかかる電圧の差が充分に大き
く、液晶分子を電界に垂直に配列させるのに要す
る電圧閾値がこの中間の電圧値に設定されるなら
ば、表示素子は正常に動作するわけであるが、走
査線数（Ｎ）を増やして行つた場合、画面全体
（１フレーム）を走査する間に一つの選択点に有
効な電界がかかつている時間（duty比）が１／
Ｎの割合で減少してしまう。このために、くり返
し走査を行つた場合の選択点と非選択点にかかる
実効値としての電圧差は、走査線が増えれば増え
る程小さくなり、結果的には画像コントラストの
低下やクロストークが避け難い欠点となつてい
る。このような現像は、双安定性を有さない液晶
（電極面に対し、液晶分子が水平に配向している
のが安定状態であり、電界が有効に印加されてい
る間のみ垂直に配向する）を時間的蓄積効果を利
用して駆動する（即ち、繰り返し走査する）とき
に生ずる本質的には避け難い問題点である。この
点を改良するために、電圧平均化法、２周波駆動
法や、多重マトリツクス法等が既に提案されてい
るが、いずれの方法でも不充分であり、表示素子
の大画面化や高密度化は、走査線数が充分に増や
せないことによつて頭打ちになつているのが現状
である。
一方、プリンタ分野を眺めて見るに、電気信号
を入力としてハードコピーを得る手段として、画
素密度の点からもスピードの点からも電気画像信
号の光の形で電子写真感光体に与えるレーザビー
ムプリンタ（LBP）が現在最も優れている。と
ころがLBPには、 １ プリンタとしての装置が大型になる； ２ ポリゴンスキヤナの様な高速の駆動部分があ
り騒音が発生し、また厳しい機械的精度が要求
される；など の欠点がある。この様な欠点を解消すべく電気
信号を光信号に変換する素子として、液晶シヤツ
ターアレイが提案されている。ところが、液晶シ
ヤツタアレイを用いて画素信号を与える場合、た
とえば210mmの長さの中に画素信号を16dot／mmの
割合で書き込むためには、3000個以上の信号発生
部を有していなければならず、それぞれに独立し
た信号を与えるためには、元来それぞれの信号発
生部全てに信号を送るリード線を配線しなければ
ならず、製作上困難であつた。
を入力としてハードコピーを得る手段として、画
素密度の点からもスピードの点からも電気画像信
号の光の形で電子写真感光体に与えるレーザビー
ムプリンタ（LBP）が現在最も優れている。と
ころがLBPには、 １ プリンタとしての装置が大型になる； ２ ポリゴンスキヤナの様な高速の駆動部分があ
り騒音が発生し、また厳しい機械的精度が要求
される；など の欠点がある。この様な欠点を解消すべく電気
信号を光信号に変換する素子として、液晶シヤツ
ターアレイが提案されている。ところが、液晶シ
ヤツタアレイを用いて画素信号を与える場合、た
とえば210mmの長さの中に画素信号を16dot／mmの
割合で書き込むためには、3000個以上の信号発生
部を有していなければならず、それぞれに独立し
た信号を与えるためには、元来それぞれの信号発
生部全てに信号を送るリード線を配線しなければ
ならず、製作上困難であつた。
そのため、1LINE（ライン）分の画素信号を数
行に分割された信号発生部により、時分割して与
える試みがなされている。この様にすれば、信号
を与える電極を、複数の信号発生部に対して共通
にすることができ、実質配線を大幅に軽減するこ
とができるからである。ところが、この場合通常
行われているように双安定性を有さない液晶を用
いて行数（Ｎ）を増して行くと、信号ONの時間
が実質的に１／Ｎとなり感光体上で得られる光量
が減少してしまつたり、クロストークの問題が生
ずるという難点がある。
行に分割された信号発生部により、時分割して与
える試みがなされている。この様にすれば、信号
を与える電極を、複数の信号発生部に対して共通
にすることができ、実質配線を大幅に軽減するこ
とができるからである。ところが、この場合通常
行われているように双安定性を有さない液晶を用
いて行数（Ｎ）を増して行くと、信号ONの時間
が実質的に１／Ｎとなり感光体上で得られる光量
が減少してしまつたり、クロストークの問題が生
ずるという難点がある。
このような従来型の液晶素子の欠点を改善する
ものとして、双安定性を有する液晶素子の使用
が、ClarkおよびLagerwallにより提案されてい
る（特開昭56−107216号公報、米国特許第
4367924号明細書等）。双安定性液晶としては、一
般に、カイラルスメクテイツクＣ相（SmC*）又
はＨ層（SmH*）を有する強誘電性液晶が用いら
れる。この液晶は電界に対して第１の光学的安定
状態と第２の光学安定状態からなる双安定状態を
有し、従つて前述のTN型の液晶で用いられた光
学変調素子とは異なり、例えば一方の電界ベクト
ルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的
安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶
は、加えられる電界に応答して、極めて速やかに
上記２つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界
の印加のないときはその状態を維持する性質を有
する。このような性質を利用することにより、上
述した従来のTN型素子の問題点の多くに対し
て、かなり本質的な改善が得られる。この点は、
本発明と関連して、以下に、更に詳細に説明す
る。しかしながら、この双安定性を有する液晶を
用いる光学変調素子が所定の駆動特性を発揮する
ためには、一対の平行基板間に配置される液晶
が、電界の印加状態とは無関係に、上記２つの安
定状態の間での変換が効果的に起るような分子配
列状態にあることが必要である。たとえばSmC*
またはSmH*相を有する強誘電性液晶について
は、SmC*またはSmH*相を有する液晶分子層が
基板面に対して垂直で、したがつて、液晶分子軸
が基板面にほぼ平行に配列した領域（モノドメイ
ン）が形成される必要がある。しかしながら、従
来の双安定性を有する液晶を用いる光学変調素子
においては、このようなモノドメイン構造を有す
る液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成されな
かつたために、充分な特性が得られなかつたのが
実情である。
ものとして、双安定性を有する液晶素子の使用
が、ClarkおよびLagerwallにより提案されてい
る（特開昭56−107216号公報、米国特許第
4367924号明細書等）。双安定性液晶としては、一
般に、カイラルスメクテイツクＣ相（SmC*）又
はＨ層（SmH*）を有する強誘電性液晶が用いら
れる。この液晶は電界に対して第１の光学的安定
状態と第２の光学安定状態からなる双安定状態を
有し、従つて前述のTN型の液晶で用いられた光
学変調素子とは異なり、例えば一方の電界ベクト
ルに対して第１の光学的安定状態に液晶が配向
し、他方の電界ベクトルに対しては第２の光学的
安定状態に液晶が配向される。またこの型の液晶
は、加えられる電界に応答して、極めて速やかに
上記２つの安定状態のいずれかを取り、且つ電界
の印加のないときはその状態を維持する性質を有
する。このような性質を利用することにより、上
述した従来のTN型素子の問題点の多くに対し
て、かなり本質的な改善が得られる。この点は、
本発明と関連して、以下に、更に詳細に説明す
る。しかしながら、この双安定性を有する液晶を
用いる光学変調素子が所定の駆動特性を発揮する
ためには、一対の平行基板間に配置される液晶
が、電界の印加状態とは無関係に、上記２つの安
定状態の間での変換が効果的に起るような分子配
列状態にあることが必要である。たとえばSmC*
またはSmH*相を有する強誘電性液晶について
は、SmC*またはSmH*相を有する液晶分子層が
基板面に対して垂直で、したがつて、液晶分子軸
が基板面にほぼ平行に配列した領域（モノドメイ
ン）が形成される必要がある。しかしながら、従
来の双安定性を有する液晶を用いる光学変調素子
においては、このようなモノドメイン構造を有す
る液晶の配向状態が、必ずしも満足に形成されな
かつたために、充分な特性が得られなかつたのが
実情である。
たとえば、このような配向状態を与えるため
に、磁界を印加する方法、せん断力を印加する方
法、あどが提案されている。しかしながら、これ
らは、いずれも必ずしも満足すべき結果を与える
ものではなかつた。たとえば、磁界を印加する方
法は、大規模な装置を要求するとともに作動特性
の良好な薄層セルとは両立しがたいという難点が
あり、また、せん断力を印加する方法は、セルを
作成後に液晶を注入する方法と両立しないという
難点がある。
に、磁界を印加する方法、せん断力を印加する方
法、あどが提案されている。しかしながら、これ
らは、いずれも必ずしも満足すべき結果を与える
ものではなかつた。たとえば、磁界を印加する方
法は、大規模な装置を要求するとともに作動特性
の良好な薄層セルとは両立しがたいという難点が
あり、また、せん断力を印加する方法は、セルを
作成後に液晶を注入する方法と両立しないという
難点がある。
本発明の主要な目的は、上述した事情に鑑み高
速応答性、高密度画素と大面積を有する表示素
子、あるいは高速度のシヤツタスピードを有する
光学シヤツタ等として潜在的な適性を有する双安
定性を有する液晶を使用する光学変調素子におい
て、従来問題であつたモノドメイン形成性ないし
は初期配向性を改善することにより、その特性を
充分に発揮させ得る液晶の配向制御法を提供する
ことにある。
速応答性、高密度画素と大面積を有する表示素
子、あるいは高速度のシヤツタスピードを有する
光学シヤツタ等として潜在的な適性を有する双安
定性を有する液晶を使用する光学変調素子におい
て、従来問題であつたモノドメイン形成性ないし
は初期配向性を改善することにより、その特性を
充分に発揮させ得る液晶の配向制御法を提供する
ことにある。
本発明者らは、上述の目的で更に研究した結
果、とくにコレステリツク相よりスメクテイツク
相例えばSmA（スメクテイツクＡ）等の低温状態
へ移行する降温過程に於ける配向性に着目したと
ころ、高温側のコレステリツク相より、スメクテ
イツク相へ相転移する場合、液晶と界面で接する
基板の面に液晶の分子軸方向を優先して一方向に
配列させる効果を付与することにより、例えば
SmAの液晶分子が一方向に配列したモノドメイ
ンを形成することができ、この結果液晶の双安定
性に基づく素子の作動特性と液晶層のモノドメイ
ン性を両立し得る構造の液晶素子が得られること
を見い出した。
果、とくにコレステリツク相よりスメクテイツク
相例えばSmA（スメクテイツクＡ）等の低温状態
へ移行する降温過程に於ける配向性に着目したと
ころ、高温側のコレステリツク相より、スメクテ
イツク相へ相転移する場合、液晶と界面で接する
基板の面に液晶の分子軸方向を優先して一方向に
配列させる効果を付与することにより、例えば
SmAの液晶分子が一方向に配列したモノドメイ
ンを形成することができ、この結果液晶の双安定
性に基づく素子の作動特性と液晶層のモノドメイ
ン性を両立し得る構造の液晶素子が得られること
を見い出した。
本発明は、前述の知見に基づくものであり、す
なわち本発明の液晶素子は一対の基板間に、スメ
クテイツク相より高温側の時にコレステリツク相
を示すとともに降温過程でコレステリツク相から
スメクテイツク相に相転移を生じる液晶で、且つ
所定温度でカイラルスメクテイツクＣ相
（SmC*）又はＨ相（SmH*）を示す液晶を封入
したセル構造をなし、前記一対の基板のうち少な
くとも一方の基板の面が界面で接する液晶の分子
軸方向を優先して一方向に配列させる効果を有し
ていることを特徴としている。
なわち本発明の液晶素子は一対の基板間に、スメ
クテイツク相より高温側の時にコレステリツク相
を示すとともに降温過程でコレステリツク相から
スメクテイツク相に相転移を生じる液晶で、且つ
所定温度でカイラルスメクテイツクＣ相
（SmC*）又はＨ相（SmH*）を示す液晶を封入
したセル構造をなし、前記一対の基板のうち少な
くとも一方の基板の面が界面で接する液晶の分子
軸方向を優先して一方向に配列させる効果を有し
ていることを特徴としている。
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明
を更に詳細に説明する。
を更に詳細に説明する。
本発明で用いる液晶材料として、特に適したも
のは、カイラルスメクテイツク液晶であつて、強
誘電性を有するものである。具体的にはカイラル
スメクテイツクＣ相（SmC*）又はＨ相
（SmH*）を有する液晶を用いることができる。
しかも、本発明の液晶素子で用いるカイラルスメ
クテイツク液晶は、スメクテイツク相より高温側
でコレステリツク相を示すもので、具体的には これらの材料を用いて素子を構成する場合、液
晶化合物がSmC*相又はSmH*相となるような温
度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒータ
ーが埋め込まれた銅ブロツク等により支持するこ
とができる。
のは、カイラルスメクテイツク液晶であつて、強
誘電性を有するものである。具体的にはカイラル
スメクテイツクＣ相（SmC*）又はＨ相
（SmH*）を有する液晶を用いることができる。
しかも、本発明の液晶素子で用いるカイラルスメ
クテイツク液晶は、スメクテイツク相より高温側
でコレステリツク相を示すもので、具体的には これらの材料を用いて素子を構成する場合、液
晶化合物がSmC*相又はSmH*相となるような温
度状態に保持する為、必要に応じて素子をヒータ
ーが埋め込まれた銅ブロツク等により支持するこ
とができる。
第１図は、強誘電性液晶の動作説明のために、
セルの例を模式的に描いたものである。１１と、
１１′は、In2O3、SnO2あるいはITO（Indium−
Tin Oxide）等の薄膜からなる透明電極で被覆さ
れた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層１２がガラス面に垂直になるよう配向した
SmC*相又はSmH*相の液晶が封入されている。
太線で示した線１３が液晶分子を表わしており、
この液晶分子１３はその分子に直交した方向に双
極子モーメント（Ｐ⊥）１４を有している。基板
１１と１１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧
を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（Ｐ⊥）１４がすべて電界
方向に向くよう、液晶分子１３は配向方向を変え
ることができる。液晶分子１３は、細長い形状を
有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異
方性を示し、従つて例えばガラス面の上下に互い
にクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性
によつて光学特性が変わる液晶光学変調素子とな
ることは、容易に理解される。
セルの例を模式的に描いたものである。１１と、
１１′は、In2O3、SnO2あるいはITO（Indium−
Tin Oxide）等の薄膜からなる透明電極で被覆さ
れた基板（ガラス板）であり、その間に液晶分子
層１２がガラス面に垂直になるよう配向した
SmC*相又はSmH*相の液晶が封入されている。
太線で示した線１３が液晶分子を表わしており、
この液晶分子１３はその分子に直交した方向に双
極子モーメント（Ｐ⊥）１４を有している。基板
１１と１１′上の電極間に一定の閾値以上の電圧
を印加すると、液晶分子１３のらせん構造がほど
け、双極子モーメント（Ｐ⊥）１４がすべて電界
方向に向くよう、液晶分子１３は配向方向を変え
ることができる。液晶分子１３は、細長い形状を
有しており、その長軸方向と短軸方向で屈折率異
方性を示し、従つて例えばガラス面の上下に互い
にクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極性
によつて光学特性が変わる液晶光学変調素子とな
ることは、容易に理解される。
本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液
晶セルは、その厚さを充分に薄く（例えば10μ以
下）することができる。このように液晶層が薄く
なるにしたがい、第２図に示すように電界を印加
していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、非らせん構造となり、その双極子モーメント
ＰまたはP′は上向き２４又は下向き２４′のどち
らかの状態をとる。このようなセルに、第２図に
示す如く一定の閾値以上の極性を異る電界Ｅ又は
E′を電圧印加手段２１と２１′により付与すると、
双極子モーメントは、電界Ｅ又はE′の電界ベクト
ルに対応して上向き２４又は下向き２４′と向き
を変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状
態２３かあるいは第２の安定状態２３′の何れか
一方に配向する。
晶セルは、その厚さを充分に薄く（例えば10μ以
下）することができる。このように液晶層が薄く
なるにしたがい、第２図に示すように電界を印加
していない状態でも液晶分子のらせん構造がほど
け、非らせん構造となり、その双極子モーメント
ＰまたはP′は上向き２４又は下向き２４′のどち
らかの状態をとる。このようなセルに、第２図に
示す如く一定の閾値以上の極性を異る電界Ｅ又は
E′を電圧印加手段２１と２１′により付与すると、
双極子モーメントは、電界Ｅ又はE′の電界ベクト
ルに対応して上向き２４又は下向き２４′と向き
を変え、それに応じて液晶分子は、第１の安定状
態２３かあるいは第２の安定状態２３′の何れか
一方に配向する。
このような強誘電性を光学変調素子として用い
ることの利点は、先にも述べたが２つある。その
第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２
は液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第２図によつて更に説明
すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安
定状態２３に配向するが、この状態は電界を切つ
ても安定である。又、逆向きの電界E′を印加する
と、液晶分子は第２の安定状態２３′に配向して
その分子の向きを変えるが、やはり電界を切つて
もこの状態に留つている。又、与える電界Ｅが一
定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速
さと、双安定性が有効に実現されるにはセルとし
ては出来るだけ薄い方が好ましい。
ることの利点は、先にも述べたが２つある。その
第１は、応答速度が極めて速いことであり、第２
は液晶分子の配向が双安定性を有することであ
る。第２の点を、例えば第２図によつて更に説明
すると、電界Ｅを印加すると液晶分子は第１の安
定状態２３に配向するが、この状態は電界を切つ
ても安定である。又、逆向きの電界E′を印加する
と、液晶分子は第２の安定状態２３′に配向して
その分子の向きを変えるが、やはり電界を切つて
もこの状態に留つている。又、与える電界Ｅが一
定の閾値を越えない限り、それぞれの配向状態に
やはり維持されている。このような応答速度の速
さと、双安定性が有効に実現されるにはセルとし
ては出来るだけ薄い方が好ましい。
この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成す
るに当たつて最も問題となるのは、先にも述べた
ように、SmC*相又はSmH*相を有する層が基板
面に対して垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に
略平行に配向した、モノドメイン性の高いセルを
形成することが困難なことであり、この点に解決
を与えることが本発明の主要な目的である。
るに当たつて最も問題となるのは、先にも述べた
ように、SmC*相又はSmH*相を有する層が基板
面に対して垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に
略平行に配向した、モノドメイン性の高いセルを
形成することが困難なことであり、この点に解決
を与えることが本発明の主要な目的である。
第３図ＡとＢは、本発明の液晶素子の一実施例
を示している。第３図Ａは、本発明の液晶素子の
平面図で、第３図ＢはそのＡ−A′断面図である。
を示している。第３図Ａは、本発明の液晶素子の
平面図で、第３図ＢはそのＡ−A′断面図である。
第３図で示すセル構造体１００は、ガラス板又
はプラスチツク板などからなる一対の基板１０１
と１０１′とスペーサ１０４で所定の間隔に保持
され、この一対の基板をシーリングするために接
着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さ
らに基板１０１の上には複数の透明電極１０２か
らなる電極群（例えば、マトリツクス電極構造の
うちの走査電圧印加用電極群）が例えば帯状パタ
ーンなどの所定パターンで形成されている。基板
１０１′の上には前述の透明電極１０２と交差さ
せた複数の透明電極１０２′からなる電極群（例
えば、マトリツクス電極構造のうちの信号電圧印
加用電極群）が形成されている。
はプラスチツク板などからなる一対の基板１０１
と１０１′とスペーサ１０４で所定の間隔に保持
され、この一対の基板をシーリングするために接
着剤１０６で接着したセル構造を有しており、さ
らに基板１０１の上には複数の透明電極１０２か
らなる電極群（例えば、マトリツクス電極構造の
うちの走査電圧印加用電極群）が例えば帯状パタ
ーンなどの所定パターンで形成されている。基板
１０１′の上には前述の透明電極１０２と交差さ
せた複数の透明電極１０２′からなる電極群（例
えば、マトリツクス電極構造のうちの信号電圧印
加用電極群）が形成されている。
この様な透明電極１０２′を設けた基板１０
１′には、例えば、一酸化硅素、二酸化硅素、酸
化アルミニウム、ジルコニア、フツ化マグネシウ
ム、酸化セリウム、フツ化セリウム、シリコン窒
化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの無機
絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド、
ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパ
ラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポ
リアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
ミン樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機
絶縁物質を用いて被膜形成した配向制御膜１０５
を設けることができる。
１′には、例えば、一酸化硅素、二酸化硅素、酸
化アルミニウム、ジルコニア、フツ化マグネシウ
ム、酸化セリウム、フツ化セリウム、シリコン窒
化物、シリコン炭化物、ホウ素窒化物などの無機
絶縁物質やポリビニルアルコール、ポリイミド、
ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリパ
ラキシレリン、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポ
リアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラ
ミン樹脂、ユリア樹脂やアクリル樹脂などの有機
絶縁物質を用いて被膜形成した配向制御膜１０５
を設けることができる。
この配向制御膜１０５は、前述の如き無機絶縁
物質又は有機絶縁物質を被膜形成した後に、その
表面をビロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビン
グ）することによつて得られる。
物質又は有機絶縁物質を被膜形成した後に、その
表面をビロード、布や紙で一方向に摺擦（ラビン
グ）することによつて得られる。
本発明の別の好ましい具体例では、SiOやSiO2
などの無機絶縁物質を基板１０１′の上に斜め蒸
着法によつて被膜形成することによつて、配向制
御膜１０５を得ることができる。
などの無機絶縁物質を基板１０１′の上に斜め蒸
着法によつて被膜形成することによつて、配向制
御膜１０５を得ることができる。
第５図に示された装置に於いてベルジヤー５０
１は吸出口５０５を有する絶縁基板５０３上に載
置され、前記吸出口５０５から伸びる（図示され
ていない）真空ポンプによりベルジヤー５０１が
真空にされる。タングステン製又はモリブデン製
のるつぼ５０７はベルジヤー５０１の内部及び底
部に配置され、るつぼ５０７には数グラムの
SiO、SiO2、MgF2などの結晶５０８が載置され
る。るつぼ５０７は下方の２つのアーム５０７
ａ，５０７ｂを有し、前記アームは夫々導線５０
９，５１０に接続される。電源５０６及びスイツ
チ５０４がベルジヤー５０１の外部導線５０９，
５１０間に直列に接続される。基板５０２はベル
ジヤー５０１の内部でるつぼ５０７の真上にベル
ジヤー５０１の垂直軸に対しθの角度を成して配
置される。
１は吸出口５０５を有する絶縁基板５０３上に載
置され、前記吸出口５０５から伸びる（図示され
ていない）真空ポンプによりベルジヤー５０１が
真空にされる。タングステン製又はモリブデン製
のるつぼ５０７はベルジヤー５０１の内部及び底
部に配置され、るつぼ５０７には数グラムの
SiO、SiO2、MgF2などの結晶５０８が載置され
る。るつぼ５０７は下方の２つのアーム５０７
ａ，５０７ｂを有し、前記アームは夫々導線５０
９，５１０に接続される。電源５０６及びスイツ
チ５０４がベルジヤー５０１の外部導線５０９，
５１０間に直列に接続される。基板５０２はベル
ジヤー５０１の内部でるつぼ５０７の真上にベル
ジヤー５０１の垂直軸に対しθの角度を成して配
置される。
スイツチ５０４が開放されると、ベルジヤー５
０１はまず約10-5mmHg圧の真空状態にされ、次
にスイツチ５０４が閉じられて、るつぼ５０７が
適温で白熱して結晶５０８が蒸発されるまで電源
５０６を調節して電力が供給される適温範囲
（700〜1000℃）に対して必要な電流は約100amps
である。結晶５０８は次に蒸発され図中Ｓで示さ
れた上向きの分子流を形成し、流体Ｓは、基板５
０２に対してθの角度を成して基板５０２上に入
射され、この結果基板５０２が被覆される。角度
θは上記の“入射角”であり、流体Ｓの方向は上
記の“斜め蒸着方向”である。この被膜の膜厚は
基板５０２をベルジヤー５０１に挿入する前に行
なわれる装置の時間に対する厚みのキヤリプレー
シヨンにより決定される。適宜な厚みの被膜が形
成されると電源５０６からの電力を減少させ、ス
イツチ５０４を開放してベルジヤー５０１とその
内部を冷却する。次に圧力を大気圧まで上げ基板
５０２をベルジヤー５０１から取り外す。
０１はまず約10-5mmHg圧の真空状態にされ、次
にスイツチ５０４が閉じられて、るつぼ５０７が
適温で白熱して結晶５０８が蒸発されるまで電源
５０６を調節して電力が供給される適温範囲
（700〜1000℃）に対して必要な電流は約100amps
である。結晶５０８は次に蒸発され図中Ｓで示さ
れた上向きの分子流を形成し、流体Ｓは、基板５
０２に対してθの角度を成して基板５０２上に入
射され、この結果基板５０２が被覆される。角度
θは上記の“入射角”であり、流体Ｓの方向は上
記の“斜め蒸着方向”である。この被膜の膜厚は
基板５０２をベルジヤー５０１に挿入する前に行
なわれる装置の時間に対する厚みのキヤリプレー
シヨンにより決定される。適宜な厚みの被膜が形
成されると電源５０６からの電力を減少させ、ス
イツチ５０４を開放してベルジヤー５０１とその
内部を冷却する。次に圧力を大気圧まで上げ基板
５０２をベルジヤー５０１から取り外す。
また、別の具体例ではガラス又はプラスチツク
からなる基板１０１′の表面あるいは基板１０
１′の上に前述した無機絶縁物質や有機絶縁物質
を被膜形成した後に、該被膜の表面を斜方エツチ
ング法によりエツチングすることにより、その表
面に配向制御効果を付与することができる。
からなる基板１０１′の表面あるいは基板１０
１′の上に前述した無機絶縁物質や有機絶縁物質
を被膜形成した後に、該被膜の表面を斜方エツチ
ング法によりエツチングすることにより、その表
面に配向制御効果を付与することができる。
前述の配向制御膜１０５は、同時に絶縁膜とし
ても機能させることが好ましく、このためにこの
配向制御膜１０５の膜厚は１般に100Å〜1μ、好
ましくは500Å〜5000Åの範囲に設定することが
できる。この絶縁膜は、液晶層１０３に微量に含
有される不純物等のために生ずる電流の発生を防
止できる利点をも有しており、従つて動作を繰り
返し行なつても液晶化合物を劣化させることがな
い。
ても機能させることが好ましく、このためにこの
配向制御膜１０５の膜厚は１般に100Å〜1μ、好
ましくは500Å〜5000Åの範囲に設定することが
できる。この絶縁膜は、液晶層１０３に微量に含
有される不純物等のために生ずる電流の発生を防
止できる利点をも有しており、従つて動作を繰り
返し行なつても液晶化合物を劣化させることがな
い。
また、本発明の液晶素子では前述の配向制御膜
１０５と同様のものをもう一方の基板１０１に設
けることができる。
１０５と同様のものをもう一方の基板１０１に設
けることができる。
第３図に示すセル構造体１００の中の液晶層１
０３は、SmC*又はSmH*とすることができる。
このSmC*又はSmH*を示す液晶層１０３は、ス
メクテイツク相より高温側のコレステリツク相特
にグランジユアン組織のコレステリツク相からの
降温過程でSmA（スメクテイツクＡ相）に相転移
され、さらに降温過程でSmC*又はSmH*に相転
移されることによつて形成されている。
０３は、SmC*又はSmH*とすることができる。
このSmC*又はSmH*を示す液晶層１０３は、ス
メクテイツク相より高温側のコレステリツク相特
にグランジユアン組織のコレステリツク相からの
降温過程でSmA（スメクテイツクＡ相）に相転移
され、さらに降温過程でSmC*又はSmH*に相転
移されることによつて形成されている。
本発明で重要な点は、徐冷による降温過程でグ
ランジユアン組織のコレステリツク相からSmA
に相転移する際、グランジユアン組織のヘリカル
構造がほどけ、SmAに相転移し、この際SmAの
液晶分子軸が配向制御膜１０５に付与された配向
制御方向に沿つて配列し、この結果均一なモノド
メインが形成される点にある。
ランジユアン組織のコレステリツク相からSmA
に相転移する際、グランジユアン組織のヘリカル
構造がほどけ、SmAに相転移し、この際SmAの
液晶分子軸が配向制御膜１０５に付与された配向
制御方向に沿つて配列し、この結果均一なモノド
メインが形成される点にある。
第４図は、本発明の液晶素子の別の具体例を表
わしている。第４図で示す液晶素子は、一対の基
板１０１と１０１′の間に複数のスペーサ部材２
０３が配置されている。このスペーサ部材２０３
は、例えば配向制御膜１０５が設けられていない
基板１０１の上にSiO、SiO2、Al2O3、TiO2など
の無機化合物あるいはポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミ
ド、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレ
ン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹
脂、アクリル樹脂やフオトレジスト樹脂などの樹
脂類を適当な方法で被膜形成した後に、所定の位
置にスペーサ部材２０３が配置される様にエツチ
ングすることによつて得ることができる。
わしている。第４図で示す液晶素子は、一対の基
板１０１と１０１′の間に複数のスペーサ部材２
０３が配置されている。このスペーサ部材２０３
は、例えば配向制御膜１０５が設けられていない
基板１０１の上にSiO、SiO2、Al2O3、TiO2など
の無機化合物あるいはポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミ
ド、ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビ
ニル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレ
ン、セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリヤ樹
脂、アクリル樹脂やフオトレジスト樹脂などの樹
脂類を適当な方法で被膜形成した後に、所定の位
置にスペーサ部材２０３が配置される様にエツチ
ングすることによつて得ることができる。
この様なセル構造体１００は、基板１０１と１
０１′の両側にはクロスニコル状態又はパラレル
ニコル状態とした偏光子１０７と１０８がそれぞ
れ配置されて、電極１０２と１０２′の間に電圧
を印加した時に光学変調を生じることになる。
０１′の両側にはクロスニコル状態又はパラレル
ニコル状態とした偏光子１０７と１０８がそれぞ
れ配置されて、電極１０２と１０２′の間に電圧
を印加した時に光学変調を生じることになる。
次に、本発明の液晶素子の作成法について所定
温度で強誘導電性を示す前述の液晶No.１の液晶材
料にとつて、液晶層１０３の配向制御法について
第３図を用いて具体的に説明する。
温度で強誘導電性を示す前述の液晶No.１の液晶材
料にとつて、液晶層１０３の配向制御法について
第３図を用いて具体的に説明する。
まず、液晶No.１の化合物が封入されているセル
構造体１００は、セル１００全体が均一に加熱さ
れる様な加熱ケース（図示せず）にセツトされ
る。
構造体１００は、セル１００全体が均一に加熱さ
れる様な加熱ケース（図示せず）にセツトされ
る。
次に、セル100中の化合物が等方相となる温度
（約180℃）まで加熱する。しかる後に、加熱ケー
スの温度を降温させて、セル１００中の等方相と
なつている化合物を降温過程に移す。この降温過
程で等方相の化合物は、約174℃でグランジユア
ン組織のコレステリツク相に相転移し、さらに降
温過程を続けると約170℃でコレステリツク相か
らSmAに相転移を生じることができる。この時、
SmAの液晶分子軸は、ラビング方向に揃う。
（約180℃）まで加熱する。しかる後に、加熱ケー
スの温度を降温させて、セル１００中の等方相と
なつている化合物を降温過程に移す。この降温過
程で等方相の化合物は、約174℃でグランジユア
ン組織のコレステリツク相に相転移し、さらに降
温過程を続けると約170℃でコレステリツク相か
らSmAに相転移を生じることができる。この時、
SmAの液晶分子軸は、ラビング方向に揃う。
しかる後に、このSmAより降温過程でSmC*に
相転移することによつて、例えばセル厚を1μｍ
程度とすると非らせん構造をもつモノドメインの
SmC*が得られる。
相転移することによつて、例えばセル厚を1μｍ
程度とすると非らせん構造をもつモノドメインの
SmC*が得られる。
第６図は、中間に強誘電性液晶化合物が挾まれ
たマトリクス電極構造を有するセル４１の模式図
である。４２は走査電極群であり、４３は信号電
極群である。第７図ａとｂは、それぞれ選択され
た走査電極４２ｓに与えられる電気信号とそれ以
外の走査電極（選択されない走査電極）４２ｎに
与えられる電気信号を示し、第６図ｃとｄはそれ
ぞれ選択された信号電極４３ｓに与えられる電気
信号と選択されない信号電極４３ｎに与えられる
電気信号を表わす。第７図ａ〜ｄにおいては、そ
れぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧を表わす。例え
ば、動画を表示するような場合には、走査電極群
４２は逐次、周期的に選択される。今、双安定性
を有する液晶セルの第１の安定状態を与えるため
の閾値電圧をVth1とし、第２の安定状態を与え
るための閾値電圧を−Vth2とすると、選択され
た走査電極４２ｓに与えられる電気信号は、第７
図ａに示される如く、位相（時間）t1ではＶを、
位相（時間）t2では−Ｖとなるような交番する電
圧である。又、それ以外の走査電極４２ｎは、第
７図ｂに示す如くアース状態となつており、電気
信号Ｏである。一方、選択された信号電極４３ｓ
に与えられる電気信号は第７図ｃに示される如く
Ｖであり、又選択されない信号電極４３ｎに与え
られる電気信号は第７図ｄに示される如く−Ｖで
ある。以上に於て、電圧Ｖは Ｖ＜Vth1＜2Vと−Ｖ＞−Vth2＞−2V を満足する所望の値に設定される。このような電
気信号が与えられたときの各画素に印加される電
圧波形を第８図に示す。第８図ａ〜ｄは、それぞ
れ第６図中の画素Ａ、Ｂ、ＣおよびＤと対応して
いる。すなわち第８図より明らかな如く、選択さ
れた走査線上にある画素Ａでは、位相t2に於て閾
値Vth1を越える電圧2Vが印加される又同一走査
線上に存在する画素Ｂでは位相t1で閾値−Vth2を
越える電圧−2Vが印加される。従つて、選択さ
れた走査電極線上に於て信号電極が選択されたか
否かに応じて、選択された場合には液晶分子は第
１の安定状態に配向を揃え、選択されない場合に
は第２の安定状態に配向を揃える。いずれにして
も各画素の前歴には、関係することはない。
たマトリクス電極構造を有するセル４１の模式図
である。４２は走査電極群であり、４３は信号電
極群である。第７図ａとｂは、それぞれ選択され
た走査電極４２ｓに与えられる電気信号とそれ以
外の走査電極（選択されない走査電極）４２ｎに
与えられる電気信号を示し、第６図ｃとｄはそれ
ぞれ選択された信号電極４３ｓに与えられる電気
信号と選択されない信号電極４３ｎに与えられる
電気信号を表わす。第７図ａ〜ｄにおいては、そ
れぞれ横軸が時間を、縦軸が電圧を表わす。例え
ば、動画を表示するような場合には、走査電極群
４２は逐次、周期的に選択される。今、双安定性
を有する液晶セルの第１の安定状態を与えるため
の閾値電圧をVth1とし、第２の安定状態を与え
るための閾値電圧を−Vth2とすると、選択され
た走査電極４２ｓに与えられる電気信号は、第７
図ａに示される如く、位相（時間）t1ではＶを、
位相（時間）t2では−Ｖとなるような交番する電
圧である。又、それ以外の走査電極４２ｎは、第
７図ｂに示す如くアース状態となつており、電気
信号Ｏである。一方、選択された信号電極４３ｓ
に与えられる電気信号は第７図ｃに示される如く
Ｖであり、又選択されない信号電極４３ｎに与え
られる電気信号は第７図ｄに示される如く−Ｖで
ある。以上に於て、電圧Ｖは Ｖ＜Vth1＜2Vと−Ｖ＞−Vth2＞−2V を満足する所望の値に設定される。このような電
気信号が与えられたときの各画素に印加される電
圧波形を第８図に示す。第８図ａ〜ｄは、それぞ
れ第６図中の画素Ａ、Ｂ、ＣおよびＤと対応して
いる。すなわち第８図より明らかな如く、選択さ
れた走査線上にある画素Ａでは、位相t2に於て閾
値Vth1を越える電圧2Vが印加される又同一走査
線上に存在する画素Ｂでは位相t1で閾値−Vth2を
越える電圧−2Vが印加される。従つて、選択さ
れた走査電極線上に於て信号電極が選択されたか
否かに応じて、選択された場合には液晶分子は第
１の安定状態に配向を揃え、選択されない場合に
は第２の安定状態に配向を揃える。いずれにして
も各画素の前歴には、関係することはない。
一方、画素ＣとＤに示される如く、選択されな
い走査線上では、すべての画素ＣとＤに印加され
る電圧は＋Ｖ又は−Ｖであつて、いずれも閾値電
圧を越えない。従つて、各画素ＣとＤにおける液
晶分子は、配向状態を変えることなく前回走査さ
れたときの信号状態に対応した配向を、そのまま
保持している。即ち、走査電極が選択されたとき
にその一ライン分の信号の書き込みが行われ、一
フレームが終了して次回選択されるまでの間は、
その信号状態を保持し得るわけである。従つて、
走査電極数が増えても、実質的なデユーテイ比は
かわらず、コントラストの低下とコロストーク等
は全く生じない。この際、電圧値Ｖの値及び位相
（t1＋t2）＝Ｔの値としては、用いられる液晶材料
やセルの厚さにも依存するが、通常３ボルト〜70
ボルトで0.1μsec〜２ｍsecの範囲が用いられる。
従つて、この場合では選択された走査電極に与え
られる電気信号が第１の安定状態（光信号に変換
されたとき「明」状態であるとする）から第２の
安定状態（光信号に変換されたとき「暗」状態で
あるとする）へ、又はその逆のいずれの変化をも
起すことができる。
い走査線上では、すべての画素ＣとＤに印加され
る電圧は＋Ｖ又は−Ｖであつて、いずれも閾値電
圧を越えない。従つて、各画素ＣとＤにおける液
晶分子は、配向状態を変えることなく前回走査さ
れたときの信号状態に対応した配向を、そのまま
保持している。即ち、走査電極が選択されたとき
にその一ライン分の信号の書き込みが行われ、一
フレームが終了して次回選択されるまでの間は、
その信号状態を保持し得るわけである。従つて、
走査電極数が増えても、実質的なデユーテイ比は
かわらず、コントラストの低下とコロストーク等
は全く生じない。この際、電圧値Ｖの値及び位相
（t1＋t2）＝Ｔの値としては、用いられる液晶材料
やセルの厚さにも依存するが、通常３ボルト〜70
ボルトで0.1μsec〜２ｍsecの範囲が用いられる。
従つて、この場合では選択された走査電極に与え
られる電気信号が第１の安定状態（光信号に変換
されたとき「明」状態であるとする）から第２の
安定状態（光信号に変換されたとき「暗」状態で
あるとする）へ、又はその逆のいずれの変化をも
起すことができる。
スメクテイツク相の高温側にコレステリツク相
を示さない液晶（DOBAMBC；デシロキシベン
ジリデン−P′−アミノ−２−メチルブチルシンナ
メート、HOBACPC；ヘキシルオキシベンジリ
デン−P′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメ
ート）に較べ、本発明で用いるスメクテイツク相
の高温側にコレステリツク相を示す液晶を用いる
と、配向性が良好でしかも配向欠陥が少ない配向
状態が得られる。
を示さない液晶（DOBAMBC；デシロキシベン
ジリデン−P′−アミノ−２−メチルブチルシンナ
メート、HOBACPC；ヘキシルオキシベンジリ
デン−P′−アミノ−２−クロロプロピルシンナメ
ート）に較べ、本発明で用いるスメクテイツク相
の高温側にコレステリツク相を示す液晶を用いる
と、配向性が良好でしかも配向欠陥が少ない配向
状態が得られる。
特に、セル厚が薄い場合、或いは双安定性（メ
モリ性）をもつSmC*又はSmH*の場合には、ス
イツチング特性（応答速度）の点で基板表面の液
晶分子に対する拘束力（基板の配向処理による効
果）は、弱い方が好ましく、従つて一方の基板表
面のみを配向処理する場合の方が、両側の基板表
面を配向処理する場合に較べ速い応答速度が得ら
れる。この際、セル厚が2μｍのセルにおいては、
片側の基板のみを配向処理した場合の方が両側の
基板を配向処理した場合の応答速度に較べ約２倍
もの速い応答速度が得られる。
モリ性）をもつSmC*又はSmH*の場合には、ス
イツチング特性（応答速度）の点で基板表面の液
晶分子に対する拘束力（基板の配向処理による効
果）は、弱い方が好ましく、従つて一方の基板表
面のみを配向処理する場合の方が、両側の基板表
面を配向処理する場合に較べ速い応答速度が得ら
れる。この際、セル厚が2μｍのセルにおいては、
片側の基板のみを配向処理した場合の方が両側の
基板を配向処理した場合の応答速度に較べ約２倍
もの速い応答速度が得られる。
以下、本発明を実施例に従つて説明する。
実施例 １
ピツト100μｍで幅62.5μｍのストライプ状の
ITO膜を電極として設けた正方形状ガラス基板を
用意し、これの電極となるITO膜が設けられてい
る側を下向きにして第５図に示す斜め蒸着装置に
セツトし、次いでモリブデン製るつぼ内にSiO2
の結晶をセツトした。しかる後に蒸着装置内を
10-5Torr程度の真空状態としてから、所定の方
法でガラス基板上にSiO2を斜め蒸着し、800Åの
斜め蒸着膜を形成した（Ａ電極板）。
ITO膜を電極として設けた正方形状ガラス基板を
用意し、これの電極となるITO膜が設けられてい
る側を下向きにして第５図に示す斜め蒸着装置に
セツトし、次いでモリブデン製るつぼ内にSiO2
の結晶をセツトした。しかる後に蒸着装置内を
10-5Torr程度の真空状態としてから、所定の方
法でガラス基板上にSiO2を斜め蒸着し、800Åの
斜め蒸着膜を形成した（Ａ電極板）。
一方、同様のストライプ状のITO膜が形成され
たガラス基板上にポリイミド形成溶液（日立化成
工業(株)製の「PIQ」；不揮発分濃度14.5wt％）を
スピナー塗布機で塗布し、350℃で30分間加熱を
行なつて800Åの被膜を形成した（Ｂ電極板）。
たガラス基板上にポリイミド形成溶液（日立化成
工業(株)製の「PIQ」；不揮発分濃度14.5wt％）を
スピナー塗布機で塗布し、350℃で30分間加熱を
行なつて800Åの被膜を形成した（Ｂ電極板）。
次いでＡ電極板の周辺部に注入口となる個所を
除いて熱硬化型エポキシ接着剤をスクリーン印刷
法によつて塗布した後に、Ａ電極板とＢ電極板の
ストライプ状パターン電極が直交する様に重ね合
せ、２枚の電極板の間隔を2μｍのポリイミドス
ペーサで保持した。
除いて熱硬化型エポキシ接着剤をスクリーン印刷
法によつて塗布した後に、Ａ電極板とＢ電極板の
ストライプ状パターン電極が直交する様に重ね合
せ、２枚の電極板の間隔を2μｍのポリイミドス
ペーサで保持した。
こうして作成したセル内に等方相となつている
前述の液晶No.２の化合物を注入口から注入し、そ
の注入口を封口した。このセルを等方相からの徐
冷によつて降温させ、温度を約120℃で維持させ
た状態で、一対の偏光子をクロスニコル状態で設
けてから顕微鏡観察したところ、非ラセン構造の
SmC*が形成されていることが判明した。
前述の液晶No.２の化合物を注入口から注入し、そ
の注入口を封口した。このセルを等方相からの徐
冷によつて降温させ、温度を約120℃で維持させ
た状態で、一対の偏光子をクロスニコル状態で設
けてから顕微鏡観察したところ、非ラセン構造の
SmC*が形成されていることが判明した。
次にSmC*状態下のセルにおける双安定状態の
コントラストを測定した。
コントラストを測定した。
倍率100倍の偏光顕微鏡（商品名；BH−２；
オリンパス光学工業(株)製）に、SmC*状態下のセ
ルをセツトし、セル内のＡ電極板の電極をグラン
ドに接続し、電極板の電極に正極性パルス（電圧
値＝10ボルト；パルス巾＝１ｍsec）又は負極性
パルス（電圧値＝−10ボルト；パルス巾＝１ｍ
sec）を印加した後の透過光量をフオトマルチプ
レター（浜松ホトニクス(株)社製；商品名フオトマ
ル・チユーブR761）によつて測定し、負極性パ
ルス印加後の出力電圧A2（ｍＶ）に対する正極性
パルス印加後の出力電圧A1（ｍＶ）の比A1／A2
を求めた。この結果を表１に示す。
オリンパス光学工業(株)製）に、SmC*状態下のセ
ルをセツトし、セル内のＡ電極板の電極をグラン
ドに接続し、電極板の電極に正極性パルス（電圧
値＝10ボルト；パルス巾＝１ｍsec）又は負極性
パルス（電圧値＝−10ボルト；パルス巾＝１ｍ
sec）を印加した後の透過光量をフオトマルチプ
レター（浜松ホトニクス(株)社製；商品名フオトマ
ル・チユーブR761）によつて測定し、負極性パ
ルス印加後の出力電圧A2（ｍＶ）に対する正極性
パルス印加後の出力電圧A1（ｍＶ）の比A1／A2
を求めた。この結果を表１に示す。
実施例 ２
前記実施例１における測定を終了した後のセル
を偏光顕微鏡にセツトしたまま、セルの温度を20
℃まで降温させ、セル内に結晶相が現われるのを
確認した。続いて、セルを172℃まで昇温し、コ
レステリツク相の発現を確認した後、セルの温度
を降温させ、120℃におけるSmC*状態で、前記
実施例１における測定法と同様の方法で比A1／
A2を求めた。この結果を表１に示す。
を偏光顕微鏡にセツトしたまま、セルの温度を20
℃まで降温させ、セル内に結晶相が現われるのを
確認した。続いて、セルを172℃まで昇温し、コ
レステリツク相の発現を確認した後、セルの温度
を降温させ、120℃におけるSmC*状態で、前記
実施例１における測定法と同様の方法で比A1／
A2を求めた。この結果を表１に示す。
また、この際の顕微鏡観察によれば、前記実施
例１の場合と同様にモノドメインの非らせん
SmC*であることが確認できた。
例１の場合と同様にモノドメインの非らせん
SmC*であることが確認できた。
比較例 １
比較例として、前記実施例２における測定を終
了した後のセルを再び等方相が生じるまで昇温し
た後、結晶相が現われるまで、セルの温度を降温
し、続いてスメクテイツクＡ相を発現する132℃
の温度までセルの温度を昇温させた後、SmC*を
生じる温度まで降温した。しかる後、前記実施例
１における測定法と同様の方法で比A1／A2を求
めた。この結果を表１に示す。
了した後のセルを再び等方相が生じるまで昇温し
た後、結晶相が現われるまで、セルの温度を降温
し、続いてスメクテイツクＡ相を発現する132℃
の温度までセルの温度を昇温させた後、SmC*を
生じる温度まで降温した。しかる後、前記実施例
１における測定法と同様の方法で比A1／A2を求
めた。この結果を表１に示す。
また、この際の顕微鏡観察によれば、微細なド
メインを多数もつマルチドメインの非らせん
SmC*であることが確認できた。
メインを多数もつマルチドメインの非らせん
SmC*であることが確認できた。
比較例 ２
比較例として、前記実施例１で用いた液晶に代
えて、DOBAMBCを使用したほかは、前記実施
例１と同様の方法でセルを作成してから、70℃の
温度で比A1／A2を求めた。この結果を表１に示
す。但し、DOBAMBCは、降温過程で等方相→
スメテイツクＡ相→カイラルスメクテイツクＣ相
の相転移を生じた。
えて、DOBAMBCを使用したほかは、前記実施
例１と同様の方法でセルを作成してから、70℃の
温度で比A1／A2を求めた。この結果を表１に示
す。但し、DOBAMBCは、降温過程で等方相→
スメテイツクＡ相→カイラルスメクテイツクＣ相
の相転移を生じた。
また、この際の顕微鏡観察によれば、微細なド
メインを多数もつマルチドメインの非らせん
SmC*であることが確認できた。
メインを多数もつマルチドメインの非らせん
SmC*であることが確認できた。
以上、実施例１及び２、並びに比較例１及び２
で測定した結果の数値を表１にまとめて示す。
で測定した結果の数値を表１にまとめて示す。
表 １
双安定状態のコントラスト＝A1／A2
実施例１での測定値 16.2
実施例２での測定値 16.1
比較例１での測定値 1.75
比較例２での測定値 1.94
（但し、表中A1は正極性パルス印加後のフオト
マルチプレター出力電圧（ｍＶ）で、A2は負極
性パルス印加後のフオトマルチプレター出力電圧
（ｍＶ）である。） 上述の双安定状態のコントラストが大きいもの
程、モノドメイン性に基づく良好な双安定状態を
表わしている。
マルチプレター出力電圧（ｍＶ）で、A2は負極
性パルス印加後のフオトマルチプレター出力電圧
（ｍＶ）である。） 上述の双安定状態のコントラストが大きいもの
程、モノドメイン性に基づく良好な双安定状態を
表わしている。
又、前述の実施例１及び２並びに比較例１及び
２で用いた偏光顕微鏡は、負極性パルスを印加し
た時に最暗状態を生じる様に、クロスニコルを設
定させた。
２で用いた偏光顕微鏡は、負極性パルスを印加し
た時に最暗状態を生じる様に、クロスニコルを設
定させた。
第１図および第２図は、本発明で用いる液晶セ
ルを表わす斜視図である。第３図Ａは本発明の液
晶素子を表わす平面図で、第３図ＢはそのＡ−
A′断面図である。第４図は、本発明の液晶素子
の別の具体例を表わす断面図である。第５図は本
発明の液晶素子を作成する際に用いる斜め蒸着装
置を模式的に表わす断面図である。第６図は、本
発明で用いる液晶素子の電極構造を模式的に示す
平面図である。第７図ａ〜ｄは、本発明で用いる
液晶素子を駆動するための信号を示す説明図であ
る。第８図ａ〜ｄは、各画素に印加される電圧波
形を示す説明図である。 １００：セル構造体、１０１，１０１′；基板、
１０２，１０２′；電極、１０３；液晶層、１０
４，２０１；スペーサ部材、１０５；配向制御
膜、１０６；接着剤、１０７，１０８；偏光子、
１０９；発熱体。
ルを表わす斜視図である。第３図Ａは本発明の液
晶素子を表わす平面図で、第３図ＢはそのＡ−
A′断面図である。第４図は、本発明の液晶素子
の別の具体例を表わす断面図である。第５図は本
発明の液晶素子を作成する際に用いる斜め蒸着装
置を模式的に表わす断面図である。第６図は、本
発明で用いる液晶素子の電極構造を模式的に示す
平面図である。第７図ａ〜ｄは、本発明で用いる
液晶素子を駆動するための信号を示す説明図であ
る。第８図ａ〜ｄは、各画素に印加される電圧波
形を示す説明図である。 １００：セル構造体、１０１，１０１′；基板、
１０２，１０２′；電極、１０３；液晶層、１０
４，２０１；スペーサ部材、１０５；配向制御
膜、１０６；接着剤、１０７，１０８；偏光子、
１０９；発熱体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 少なくとも一方の基板に、液晶分子の軸が基
板の投影成分において一方向に配向する配向処理
を施した一対の基板と、降温過程でコレステリツ
ク相からスメクテイツクＡ相を通してカイラルス
メクテイツク相に相転移するカイラルスメクテイ
ツク液晶であつて、前記カイラルスメクテイツク
相でらせんの形成を抑制しうる間隔に設定した前
記一対の基板の間に配置させ、且つ降温過程でコ
レステリツク相から相転移したスメクテイツクＡ
相の状態で液晶分子の軸を基板の投影成分におい
て一方向に配列させ、続いて降温させることによ
りカイラルスメクテイツク相へ相転移させて、無
電界時の２つの異なる安定配向状態のいずれか１
つの状態に配向させたカイラルスメクテイツク液
晶と、基板面に垂直で、前記２つの異なる安定配
向状態の１つの状態から他の１つの状態に転移さ
せるのに十分な強度の電界を印加する手段と を有することを特徴とするカイラルスメクテイツ
ク液晶素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010502A JPS60156043A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | カイラルスメクティック液晶素子 |
| US06/690,896 US4639089A (en) | 1984-01-23 | 1985-01-14 | Liquid crystal device |
| FR8500845A FR2558627B1 (fr) | 1984-01-23 | 1985-01-22 | Dispositif a cristal liquide |
| DE19853502160 DE3502160A1 (de) | 1984-01-23 | 1985-01-23 | Fluessigkristallvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010502A JPS60156043A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | カイラルスメクティック液晶素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60156043A JPS60156043A (ja) | 1985-08-16 |
| JPS6334448B2 true JPS6334448B2 (ja) | 1988-07-11 |
Family
ID=11751975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010502A Granted JPS60156043A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | カイラルスメクティック液晶素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639089A (ja) |
| JP (1) | JPS60156043A (ja) |
| DE (1) | DE3502160A1 (ja) |
| FR (1) | FR2558627B1 (ja) |
Families Citing this family (101)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6120930A (ja) * | 1984-07-10 | 1986-01-29 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| US5311343A (en) * | 1984-07-13 | 1994-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with at least two liquid crystal compounds, one having and one not having a chiral smectic phase |
| US5726460A (en) * | 1984-07-13 | 1998-03-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| US5120466A (en) * | 1984-07-13 | 1992-06-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Fluid crystal device |
| US5301049A (en) * | 1984-07-13 | 1994-04-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with at least two liquid crystal compounds, one having one not having a cholesteric phase |
| JPS61120119A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-07 | Alps Electric Co Ltd | 液晶ライトバルブ |
| JPS61144627A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネル |
| JPS62502147A (ja) * | 1985-03-05 | 1987-08-20 | アメリカン テレフオン アンド テレグラフ カムパニ− | 薄形で均一な電気光学表示装置 |
| GB2173336B (en) * | 1985-04-03 | 1988-04-27 | Stc Plc | Addressing liquid crystal cells |
| JPS61231525A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-15 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶素子とその製造方法 |
| FR2581209B1 (fr) * | 1985-04-26 | 1993-11-05 | Canon Kk | Dispositif optique a cristal liquide |
| JPS61249019A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JPH0644120B2 (ja) * | 1985-05-08 | 1994-06-08 | チッソ株式会社 | 液晶表示素子 |
| DE3650079T2 (de) * | 1985-06-14 | 1995-01-26 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Schreiben und Lesen mit einem einen Flüssigkristall enthaltenden optischen Plattenspeicher. |
| JPH0785144B2 (ja) * | 1985-08-01 | 1995-09-13 | セイコー電子工業株式会社 | スメクテイツク液晶装置の製造方法 |
| JPS6232424A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 液晶装置 |
| JPS6252528A (ja) * | 1985-09-02 | 1987-03-07 | Hitachi Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| DE3630012A1 (de) * | 1985-09-04 | 1987-04-23 | Canon Kk | Ferroelektrische fluessigkristallvorrichtung |
| JPS6262334A (ja) * | 1985-09-13 | 1987-03-19 | Canon Inc | 液晶素子 |
| JP2558447B2 (ja) * | 1985-09-18 | 1996-11-27 | セイコー電子工業株式会社 | 強誘電性液晶電気光学素子 |
| SE8504761D0 (sv) * | 1985-10-14 | 1985-10-14 | Sven Torbjorn Lagerwall | Improvements of ferroelectric liquid crystal devices |
| JPH0799419B2 (ja) * | 1985-10-18 | 1995-10-25 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| CA1258512A (en) * | 1985-10-28 | 1989-08-15 | John W. Goodby | Ferroelectric liquid crystal optical devices |
| JPS62124525A (ja) * | 1985-11-25 | 1987-06-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
| JPS62153827A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Casio Comput Co Ltd | 液晶素子 |
| JPS62161122A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-17 | Citizen Watch Co Ltd | 強誘電性液晶素子 |
| US4802743A (en) * | 1986-03-20 | 1989-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having color filters wherein the color filters formed from a polyamino resin containing coloring materials |
| JP2564514B2 (ja) * | 1986-03-28 | 1996-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶装置 |
| GB8608114D0 (en) | 1986-04-03 | 1986-05-08 | Secr Defence | Smectic liquid crystal devices |
| US5009489A (en) * | 1986-04-04 | 1991-04-23 | Ken Eguchi | Liquid crystal device |
| US4796979A (en) * | 1986-04-07 | 1989-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device having dual laminated alignment films |
| JPH0690375B2 (ja) * | 1986-04-17 | 1994-11-14 | キヤノン株式会社 | 液晶装置 |
| JPS62278540A (ja) * | 1986-05-27 | 1987-12-03 | Canon Inc | 液晶素子、その配向制御法及びその駆動法 |
| JPS6318305A (ja) * | 1986-07-10 | 1988-01-26 | Takashi Mori | 光照射装置 |
| JP2530432B2 (ja) * | 1986-07-22 | 1996-09-04 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| US5963288A (en) * | 1987-08-20 | 1999-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device having sealant and spacers made from the same material |
| US4917471A (en) * | 1986-08-30 | 1990-04-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
| EP0261712A1 (en) * | 1986-09-04 | 1988-03-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Picture display cell, method of forming an orientation layer on a substrate of the picture display cell and monomeric compounds for use in the orientation layer |
| JP2667816B2 (ja) * | 1986-09-20 | 1997-10-27 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| JPH0778581B2 (ja) * | 1986-09-20 | 1995-08-23 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| US4906072A (en) * | 1986-10-09 | 1990-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus and driving method for providing an uniform potential to the electrodes |
| JPS6397917A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 強誘電性液晶パネル |
| DE3752080T2 (de) * | 1986-12-17 | 1998-01-22 | Canon Kk | Einrichtung, Verfahren und Gerät zur optischen Modulation |
| US4790631A (en) * | 1987-01-05 | 1988-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal device with ferroelectric liquid crystal adapted for unipolar driving |
| JPH0769544B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1995-07-31 | 東レ株式会社 | 液晶素子および液晶素子配向膜用コーティング用組成物 |
| US4900132A (en) * | 1987-04-13 | 1990-02-13 | Tektronix, Inc. | Chiral liquid crystal cell |
| US5000545A (en) * | 1987-05-28 | 1991-03-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with metal electrode partially overlying transparent electrode |
| JPS63316885A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-26 | キヤノン株式会社 | 液晶装置及び液晶パネルの接続法 |
| JP2698357B2 (ja) * | 1987-08-17 | 1998-01-19 | キヤノン株式会社 | 電極間の短絡部分離法及び液晶パネルの製造法 |
| US5422749A (en) * | 1987-09-17 | 1995-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric smetic liquid crystal device |
| US5200848A (en) * | 1987-09-17 | 1993-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric smectic liquid crystal device |
| AU606456B2 (en) * | 1987-09-17 | 1991-02-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric smectic liquid crystal device |
| US4923421A (en) * | 1988-07-06 | 1990-05-08 | Innovative Display Development Partners | Method for providing polyimide spacers in a field emission panel display |
| US5063327A (en) * | 1988-07-06 | 1991-11-05 | Coloray Display Corporation | Field emission cathode based flat panel display having polyimide spacers |
| JP2614280B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1997-05-28 | キヤノン株式会社 | 液晶装置 |
| US5212575A (en) * | 1988-08-30 | 1993-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Functional substrate for controlling pixels |
| AU634725B2 (en) * | 1988-10-31 | 1993-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Display system |
| US5896118A (en) * | 1988-10-31 | 1999-04-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Display system |
| US5076671A (en) * | 1988-12-22 | 1991-12-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device having two bistable orientation states in the chiral smectic temperature range |
| US5293544A (en) * | 1989-03-07 | 1994-03-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal apparatus including panel having plural bent layers of liquid crystal molecules |
| JP2623137B2 (ja) * | 1989-03-07 | 1997-06-25 | キヤノン株式会社 | カイラルスメクチック液晶素子ユニットおよびカイラルスメクチック液晶パネルの支持方法 |
| DE3919839A1 (de) * | 1989-06-17 | 1990-12-20 | Hoechst Ag | Fluessigkristall-schalt- und anzeige-element |
| US5138010A (en) * | 1990-06-25 | 1992-08-11 | University Of Colorado Foundation, Inc. | Fast switching polysiloxane ferroelectric liquid crystals |
| JP2775527B2 (ja) * | 1991-02-01 | 1998-07-16 | キヤノン株式会社 | カイラルスメクチック液晶素子 |
| JPH04258924A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-14 | Canon Inc | カイラルスメクチック液晶素子およびその製造方法 |
| JP2826776B2 (ja) * | 1991-02-20 | 1998-11-18 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶装置 |
| JPH05150244A (ja) * | 1991-02-20 | 1993-06-18 | Canon Inc | 強誘電液晶素子 |
| US5420603A (en) * | 1991-02-20 | 1995-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
| JP2835787B2 (ja) * | 1991-03-22 | 1998-12-14 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子 |
| JP2737032B2 (ja) * | 1991-03-28 | 1998-04-08 | キヤノン株式会社 | 液晶セル |
| JP2794226B2 (ja) * | 1991-04-15 | 1998-09-03 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子の駆動装置および駆動方法 |
| EP0509490A3 (en) * | 1991-04-16 | 1993-05-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal apparatus |
| JP2847331B2 (ja) * | 1991-04-23 | 1999-01-20 | キヤノン株式会社 | 液晶表示装置 |
| US5353141A (en) * | 1991-10-08 | 1994-10-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for aligning treatment of liquid crystal device including varying with time the feeding speed of the rubbing roller |
| JP2952122B2 (ja) * | 1991-11-22 | 1999-09-20 | キヤノン株式会社 | 液晶素子、及びこれを用いた表示装置 |
| DE4303236C2 (de) * | 1992-02-05 | 1995-07-27 | Canon Kk | Flüssigkristallvorrichtung mit bistabilem Flüssigkristall und dessen Ausrichtungsschicht(en) |
| US5552911A (en) * | 1992-10-19 | 1996-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Color liquid crystal display device having varying cell thickness and varying pixel areas |
| US5815133A (en) * | 1992-11-17 | 1998-09-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Display apparatus |
| US5657038A (en) * | 1992-12-21 | 1997-08-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus having substantially the same average amount of transmitted light after white reset as after black reset |
| ATE159831T1 (de) * | 1992-12-25 | 1997-11-15 | Canon Kk | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
| EP0605865B1 (en) * | 1992-12-28 | 1998-03-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for liquid crystal display |
| JP2759589B2 (ja) * | 1992-12-28 | 1998-05-28 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶表示素子 |
| US5471229A (en) * | 1993-02-10 | 1995-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for liquid crystal device |
| US5397560A (en) * | 1993-04-06 | 1995-03-14 | The Dow Chemical Company | Microporous crystalline aluminosilicate designated DCM-2 |
| US5539553A (en) * | 1993-04-09 | 1996-07-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with an electrically neutral interface between the liquid crystal and orientation layer |
| US5532713A (en) * | 1993-04-20 | 1996-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for liquid crystal device |
| US5592190A (en) * | 1993-04-28 | 1997-01-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and drive method |
| US5559621A (en) * | 1993-07-22 | 1996-09-24 | Toppan Printing Co., Ltd. | Liquid crystal having a plurality of rectilinear barrier members |
| JPH07128640A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Sharp Corp | 強誘電性液晶表示装置 |
| US5943035A (en) * | 1994-04-20 | 1999-08-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method and apparatus for liquid crystal device |
| EP0701241B1 (en) * | 1994-09-12 | 2001-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Driving method for a ferroelectric liquid crystal device |
| US5933128A (en) * | 1995-05-17 | 1999-08-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Chiral smectic liquid crystal apparatus and driving method therefor |
| GB2347006B (en) * | 1996-07-26 | 2000-10-04 | Sharp Kk | Liquid crystal device |
| JP4069991B2 (ja) * | 1998-08-10 | 2008-04-02 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
| JP3667215B2 (ja) | 1999-08-31 | 2005-07-06 | キヤノン株式会社 | 単結晶性薄膜およびその製造方法 |
| JP4272778B2 (ja) * | 1999-11-04 | 2009-06-03 | キヤノン株式会社 | 結晶薄膜の製造方法 |
| KR100923853B1 (ko) * | 2002-10-30 | 2009-10-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US8199299B2 (en) * | 2007-03-23 | 2012-06-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal panel, liquid crystal display device, and display method of liquid crystal panel |
| JP2009259203A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-11-05 | Epson Imaging Devices Corp | 静電容量型入力装置、入力機能付き表示装置および電子機器 |
| CN102007311B (zh) * | 2008-06-17 | 2013-12-11 | 株式会社捷太格特 | 圆柱滚子轴承 |
| KR102827137B1 (ko) * | 2019-02-07 | 2025-07-01 | 삼성전자주식회사 | 광학 장치 및 이를 포함하는 광신경망 장치 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3703331A (en) * | 1971-11-26 | 1972-11-21 | Rca Corp | Liquid crystal display element having storage |
| GB1592161A (en) * | 1976-08-13 | 1981-07-01 | Secr Defence | Biphenyl carboxylic esters and their use as liquid crystal materials |
| GB1596012A (en) * | 1976-08-16 | 1981-08-19 | Secr Defence | Optically active liquid crystal materials and liquid crystal devices containing them |
| US4097127A (en) * | 1977-03-02 | 1978-06-27 | Xerox Corporation | Mixed liquid crystalline texture formation |
| US4367924A (en) * | 1980-01-08 | 1983-01-11 | Clark Noel A | Chiral smectic C or H liquid crystal electro-optical device |
| KR890000583B1 (ko) * | 1981-04-06 | 1989-03-21 | 도날드 밀러 셀 | 액정표시소자 및 그 사용방법 |
| JPS5893915U (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPS58173719A (ja) * | 1982-04-05 | 1983-10-12 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS58173718A (ja) * | 1982-04-07 | 1983-10-12 | Hitachi Ltd | 液晶光変調素子およびその製造方法 |
| JPS59126492A (ja) * | 1982-12-24 | 1984-07-21 | Fujitsu Ltd | 液晶組成物 |
| JPS59128357A (ja) * | 1983-01-06 | 1984-07-24 | Chisso Corp | 液晶物質及び液晶組成物 |
| JPS59231043A (ja) * | 1983-06-14 | 1984-12-25 | Chisso Corp | 液晶物質及び液晶組成物 |
| US4561726A (en) * | 1983-07-29 | 1985-12-31 | At&T Bell Laboratories | Alignment of ferroelectric LCDs |
| US4781441A (en) * | 1983-11-25 | 1988-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of controlling orientation of liquid crystal, device used therein and liquid crystal device produced thereby |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP59010502A patent/JPS60156043A/ja active Granted
-
1985
- 1985-01-14 US US06/690,896 patent/US4639089A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-01-22 FR FR8500845A patent/FR2558627B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1985-01-23 DE DE19853502160 patent/DE3502160A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2558627B1 (fr) | 1992-12-31 |
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| DE3502160C2 (ja) | 1989-07-27 |
| DE3502160A1 (de) | 1985-07-25 |
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