JPS633444A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS633444A JPS633444A JP61146106A JP14610686A JPS633444A JP S633444 A JPS633444 A JP S633444A JP 61146106 A JP61146106 A JP 61146106A JP 14610686 A JP14610686 A JP 14610686A JP S633444 A JPS633444 A JP S633444A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead
- flux
- semiconductor
- soldering
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/12—Using specific substances
- H05K2203/122—Organic non-polymeric compounds, e.g. oil, wax or thiol
- H05K2203/124—Heterocyclic organic compounds, e.g. azole, furan
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、Ｃｕ系リード材が用いられ、封止された半導
体装置の改良に関し、該装置のアウターリード部の表面
を、以後工程のプリント回路部などへの半田付は作業を
有効に施行できるように表面処理したものであって、し
かも該表面処理は、封止後の半田付は作業までの長期間
に亘って、その効果を高度に保持できる経時的安定性を
得ることでもある。
体装置の改良に関し、該装置のアウターリード部の表面
を、以後工程のプリント回路部などへの半田付は作業を
有効に施行できるように表面処理したものであって、し
かも該表面処理は、封止後の半田付は作業までの長期間
に亘って、その効果を高度に保持できる経時的安定性を
得ることでもある。
トランジスター、ダイオード、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導
体は素子をリードフレームなどにマウントシ、結線し、
エポキシレジンなどにより封止される。リード材として
は電気や熱の伝導性や加工成型性などに優れたＣｕ合金
が多く使用される。
体は素子をリードフレームなどにマウントシ、結線し、
エポキシレジンなどにより封止される。リード材として
は電気や熱の伝導性や加工成型性などに優れたＣｕ合金
が多く使用される。
封止後、封止部より突出するリード部即ちアウターリー
ド部は半田ホットデイツプや半田、スズの電気メツキが
施される。
ド部は半田ホットデイツプや半田、スズの電気メツキが
施される。
レジンモールドなどで封止された半導体のアウターリー
ド部を半田ホットデイツプしたとき、ホットデイツプに
よって生じた熱応力によるヒートショックにより、リー
ド材とレジン間に細隙が発生して、外気水分などの浸入
パスが発生する。このため性能の信頼性は大巾に低下す
る。Ｆｅ−Ｎｉ。
ド部を半田ホットデイツプしたとき、ホットデイツプに
よって生じた熱応力によるヒートショックにより、リー
ド材とレジン間に細隙が発生して、外気水分などの浸入
パスが発生する。このため性能の信頼性は大巾に低下す
る。Ｆｅ−Ｎｉ。
Ｆｅ −Ｎｉ −Ｃｏなどの従来使用されているリード
材に代って電気や熱の伝導性の大きいＣｕ系材を用いる
とき、特にこの信頼性低下のおそれは大きいと云われて
いる。
材に代って電気や熱の伝導性の大きいＣｕ系材を用いる
とき、特にこの信頼性低下のおそれは大きいと云われて
いる。
これに対して、半田、スズの電気メツキはヒートショッ
クの影響はないが、前処理などを含めて処理工程が多（
、高価なプロセスであり、しかも各種の薬液に長時間浸
漬されるので、レジンやリードとレジン境界などへの水
や各種イオンの浸入が進行し、信頼性低下の原因ともな
る。このことは特に小型化、高集積化が進む半導体装置
において益々重視されて（る問題である。
クの影響はないが、前処理などを含めて処理工程が多（
、高価なプロセスであり、しかも各種の薬液に長時間浸
漬されるので、レジンやリードとレジン境界などへの水
や各種イオンの浸入が進行し、信頼性低下の原因ともな
る。このことは特に小型化、高集積化が進む半導体装置
において益々重視されて（る問題である。
上述のようにホットデイツプや電気メツキなどの工程に
よる信頼性低下を解消できる改善されたリードの表面処
理が求められている。しかもこの表面処理はアクタ−リ
ード部における半田付は性を高度に保持できるものであ
り、尚経済的にも安価であることが必要である。
よる信頼性低下を解消できる改善されたリードの表面処
理が求められている。しかもこの表面処理はアクタ−リ
ード部における半田付は性を高度に保持できるものであ
り、尚経済的にも安価であることが必要である。
封止された半導体のＣｕ系リード表面を清浄して活性化
してから、非腐食性の有機質フラックスを塗布すること
である。
してから、非腐食性の有機質フラックスを塗布すること
である。
Ｃｕ系リードとは、Ｃｕ−８ｎ 、 Ｃｕ−Ｆｅ 、
Ｃｕ−８ｎ−Ｃｒ 。
Ｃｕ−８ｎ−Ｃｒ 。
Ｃｕ −Ｎｉ系などのＣｕ合金や純銅の板条からプレス
やエツチングで成型されたリードフレームの外、リード
線も含まれたものである。
やエツチングで成型されたリードフレームの外、リード
線も含まれたものである。
封止直後のリードは、ダイボンド、ワイヤボンド、モー
ルドなどの半導体の製造工程中に生じた表面酸化、又は
モールド工程でのパリの付着などがあるので、通常パリ
取りしたり、又Ｈ！Ｓｏ、 、 ＨＣＩ 。
ルドなどの半導体の製造工程中に生じた表面酸化、又は
モールド工程でのパリの付着などがあるので、通常パリ
取りしたり、又Ｈ！Ｓｏ、 、 ＨＣＩ 。
ＨＮＯ３などの酸性溶液で処理して表面を清浄したりし
て、表面を活性化する。この清浄にはヒドラジンアルコ
ールなどを用いて還元処理やパフ、ホーニングなどのメ
カニカル処理などを施行してもよい。
て、表面を活性化する。この清浄にはヒドラジンアルコ
ールなどを用いて還元処理やパフ、ホーニングなどのメ
カニカル処理などを施行してもよい。
清浄活性化後フラックスが塗布処理される。本発明に用
いるフラックスは有機性の非又は低活性のもので以下に
示すものである。即ち ロジン（通称松ヤニで主有効成分はアビエチレン酸）や
必要に応じてロジンに有機アミン塩２例えばアニリン塩
酸塩、臭化セチルピリジン、シクロヘキシルアミン塩酸
塩、トリエタノールアミン塩酸塩などや有機酸例えばス
テアリル酸、グルメミン酸、乳酸などを添加したもので
、これらをアルコール、ベンゼン、エーテル、゛エステ
ルナトノ溶剤にて液状化したものである。
いるフラックスは有機性の非又は低活性のもので以下に
示すものである。即ち ロジン（通称松ヤニで主有効成分はアビエチレン酸）や
必要に応じてロジンに有機アミン塩２例えばアニリン塩
酸塩、臭化セチルピリジン、シクロヘキシルアミン塩酸
塩、トリエタノールアミン塩酸塩などや有機酸例えばス
テアリル酸、グルメミン酸、乳酸などを添加したもので
、これらをアルコール、ベンゼン、エーテル、゛エステ
ルナトノ溶剤にて液状化したものである。
又ロジンの代りに有機酸例えばオレイン酸、ア碩
とエチレン酸や上記の有機アミン塩欧、グリセリンなど
を主成分とすることも可能であり、これらにパラフィン
、ポリビニルアルコールなどを配合することもできる。
を主成分とすることも可能であり、これらにパラフィン
、ポリビニルアルコールなどを配合することもできる。
以上述べたフラックスは浸漬、スプレー、ロール多塗り
などにより所定リード部に処理してから、乾燥すること
ができる。
などにより所定リード部に処理してから、乾燥すること
ができる。
上記フラックス中理に先立ち、Ｃｕ系リードにインヒビ
ター処理を施すことも有効である。インヒビターとして
は、ベンゾトリアゾール、ドデシルアミン、メルカプト
ベンゾチアゾールやこれらの誘導体であり、水アルコー
ルなどに０．０１％以上溶解して処理できる。
ター処理を施すことも有効である。インヒビターとして
は、ベンゾトリアゾール、ドデシルアミン、メルカプト
ベンゾチアゾールやこれらの誘導体であり、水アルコー
ルなどに０．０１％以上溶解して処理できる。
又インヒビターはフラックス中に混入させることも有効
である。フラックス中のインヒビターがＣｕ Ｉ）−ド
表面に拡散して保護性の被膜を形成すると推される。イ
ンヒビターの添加によりリードの半田付は性は向上し、
長期に亘り改善される。上記作用は０．０５ ％未満で
は不充分であるので、０．０５％以上が有効である。通
常０．０５〜５チが実用的である。
である。フラックス中のインヒビターがＣｕ Ｉ）−ド
表面に拡散して保護性の被膜を形成すると推される。イ
ンヒビターの添加によりリードの半田付は性は向上し、
長期に亘り改善される。上記作用は０．０５ ％未満で
は不充分であるので、０．０５％以上が有効である。通
常０．０５〜５チが実用的である。
本フラックスの塗布膜の厚さは１〜５０μが有効である
。７ラツクスの固形分濃度や塗布方法により厚さは任意
に調整される。
。７ラツクスの固形分濃度や塗布方法により厚さは任意
に調整される。
本発明の処理は常温を中心に必要に応じて高々８０℃以
下で実施されるので従来性われている半田ホットデイツ
プのようなヒートショックによる有害作用は無視できる
。又電気メツキのような高濃度の腐食性薬品を用いず、
且つ溶液に接する時間も短かいので、イオンや水の浸入
も実質的に起らない。電気メツキでは処理に数分以上を
要する罠対し、本発明ではイオンや水分は実質的に無い
か又は少量の有機性溶液であり、処理も数秒乃至１分間
位で充分実施できる。
下で実施されるので従来性われている半田ホットデイツ
プのようなヒートショックによる有害作用は無視できる
。又電気メツキのような高濃度の腐食性薬品を用いず、
且つ溶液に接する時間も短かいので、イオンや水の浸入
も実質的に起らない。電気メツキでは処理に数分以上を
要する罠対し、本発明ではイオンや水分は実質的に無い
か又は少量の有機性溶液であり、処理も数秒乃至１分間
位で充分実施できる。
本発明に用いるフラックスはロジンが最も望ましいが、
使用条件に合せて前記の活性成分を配合して活用できる
。活性成分は多くハロゲンイオンかロジンより活性の強
い有機酸、塩基であるので、その使用量は適宜選定され
ねばならない。
使用条件に合せて前記の活性成分を配合して活用できる
。活性成分は多くハロゲンイオンかロジンより活性の強
い有機酸、塩基であるので、その使用量は適宜選定され
ねばならない。
フラックスの厚さが１μ未満では、外気による酸化防止
や半田時のフラックス作用保持など即ち保護作用が小さ
く実用条件において半田濡れ不足を来たし易い。５０μ
を越えると過剰厚さで半田付は時の障害例えばプリント
板実装のときのポストフラックスの作用の阻害、フラッ
クスのたれ下りやリード寸法変化などの不都合を来たす
。５〜２０μが最も望ましく又経済的である。
や半田時のフラックス作用保持など即ち保護作用が小さ
く実用条件において半田濡れ不足を来たし易い。５０μ
を越えると過剰厚さで半田付は時の障害例えばプリント
板実装のときのポストフラックスの作用の阻害、フラッ
クスのたれ下りやリード寸法変化などの不都合を来たす
。５〜２０μが最も望ましく又経済的である。
フラックス処理に先立ち、清浄化されたリードにインヒ
ビター処理を施すこと或はフラックスにインヒビターを
添加するなどにより、半田付は性の経時安定性を更に向
上できる。インヒビターは分子オーダーの吸着被膜であ
る。
ビター処理を施すこと或はフラックスにインヒビターを
添加するなどにより、半田付は性の経時安定性を更に向
上できる。インヒビターは分子オーダーの吸着被膜であ
る。
Ｃｕ −０，１５Ｃｒ −０，Ｉ Ｓｎ −０，００３
ＰのＣｕ合金をリードフレームに用いた標準ＤｉＰタイ
プの１６ビンＩＣをモールドし、パリ取りし、リード表
面に生じた薄い酸化被膜を５％希硫酸で洗浄してから下
記に示すような１１種（Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ。
ＰのＣｕ合金をリードフレームに用いた標準ＤｉＰタイ
プの１６ビンＩＣをモールドし、パリ取りし、リード表
面に生じた薄い酸化被膜を５％希硫酸で洗浄してから下
記に示すような１１種（Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄ、Ｅ、Ｆ、Ｇ。
Ｈ，Ｉ 、Ｊ 、Ｋ）の処理を行った。即ちＡ：ロジン
を主成分としたフラックス、タムラ化研型ソルダーライ
トＢ１１１Ｒ（４０°Ｃ）にデイツプしてから熱風乾燥
した。リード部に付着したフラックス膜の厚さは１４μ
であった、本発明の実施例である。
を主成分としたフラックス、タムラ化研型ソルダーライ
トＢ１１１Ｒ（４０°Ｃ）にデイツプしてから熱風乾燥
した。リード部に付着したフラックス膜の厚さは１４μ
であった、本発明の実施例である。
Ｂ：Ａに用いたフラックスをイソプロパツールで１／２
に希釈した液中にデイツプしてから熱風乾燥の処理をし
た。フラックス膜の厚さは４．５μであった、本発明の
実施例である。
に希釈した液中にデイツプしてから熱風乾燥の処理をし
た。フラックス膜の厚さは４．５μであった、本発明の
実施例である。
Ｃ：Ａに用いたフラックスをＢに用いたイソプロパツー
ルを使ったが１１５に希釈したのでフラックス膜は厚さ
は１μ未満であって本発明の条件からはずれ、比較例と
なった。
ルを使ったが１１５に希釈したのでフラックス膜は厚さ
は１μ未満であって本発明の条件からはずれ、比較例と
なった。
Ｄ二Ａに準じて処理したが、只Ａと違うところは液の温
度を５℃にして処理を２回行ったがフラックス膜の厚さ
はＡより厚（３６μであったが矢張り本発明による実施
例である。
度を５℃にして処理を２回行ったがフラックス膜の厚さ
はＡより厚（３６μであったが矢張り本発明による実施
例である。
Ｅ：Ｄに準じたが異処理を４回行ったのでフラックス膜
が５６μと厚過ぎて本発明の比較例となった。
が５６μと厚過ぎて本発明の比較例となった。
Ｆ：インヒビター処理を行った実施例である。
即ちフラックス液にデイツプするに先立って１．０％Ｂ
ＴＡ（ベンゾトリアゾール）のエタノール液につげてイ
ンヒビター処理を行った後、Ａと同じ処理をした。
ＴＡ（ベンゾトリアゾール）のエタノール液につげてイ
ンヒビター処理を行った後、Ａと同じ処理をした。
Ｇ：上記例ＦにおいてのＢＴＡに替えて、オクタデシル
メルカプタン０．２％グロパノール溶液でインヒビター
処理したものである。
メルカプタン０．２％グロパノール溶液でインヒビター
処理したものである。
Ｈ：上記例Ｂのフラックスにインヒビターとしてのドデ
シルアミン２．５％を添加して処理した。
シルアミン２．５％を添加して処理した。
工二上記例Ｂにトリルトリアゾール（ＴＴＡ）を０．１
％添加して処理した。
％添加して処理した。
Ｊ：従来の方法、即ちＳｎ −Ｐｂ共晶半田２４６°Ｃ
に３秒間デイツプして半田付けした。
に３秒間デイツプして半田付けした。
Ｋ：無処理の比較例である。
以上１１種の試料について長期のＩＣの信頼性を試みる
加速テストとして、ＰＣＴを用い、１２０℃で７５０時
間処理してから動作テストを行って故障率を求めた。
加速テストとして、ＰＣＴを用い、１２０℃で７５０時
間処理してから動作テストを行って故障率を求めた。
又５０°Ｃ９９５％ＲＨの加湿チャンバー中に１週間保
持してから０゜８ダのスルホールに挿入してフロー半田
付げした。半田付げに際してはタムラ化研製の弱活性フ
ラックスＭＨ８２０を用い、１２０℃で７５０時間処理
後、リードの引抜き試験を行い、リード切断率を求めた
。又フロー半田の濡れ状態を検鏡した。
持してから０゜８ダのスルホールに挿入してフロー半田
付げした。半田付げに際してはタムラ化研製の弱活性フ
ラックスＭＨ８２０を用い、１２０℃で７５０時間処理
後、リードの引抜き試験を行い、リード切断率を求めた
。又フロー半田の濡れ状態を検鏡した。
平滑光沢な連続した濡れの形成を良好とし、部分的部れ
で半田ハジキのあるものを不良とした。
で半田ハジキのあるものを不良とした。
これらの結果を表に示した。
表に依れば、従来の方法によったＪはリード引抜試験で
は１００％リード部で切断して半田付け※ フラックス
塊残る 性の良いことを示したが、□動作テストによる故障が５
．５％あり、透湿故障を起したものであって信頼性のな
いことを示した。
は１００％リード部で切断して半田付け※ フラックス
塊残る 性の良いことを示したが、□動作テストによる故障が５
．５％あり、透湿故障を起したものであって信頼性のな
いことを示した。
これに対して本発明に実施９１ＪＡ、Ｂ、Ｄ、Ｆ。
Ｇ、Ｈ，Ｉは故障な（、半田付は性も良好であった。特
にインヒビター処理をしたＦ及びＧ、Ｈは半田付は性も
従来法によるＪにそん色なき結果であった。
にインヒビター処理をしたＦ及びＧ、Ｈは半田付は性も
従来法によるＪにそん色なき結果であった。
フラックス膜の不足の比較例Ｃ２過犬なＥはリードで切
断せずに半田付は部で切断するもの多（半田付は住方る
ことを示した。又部れの外観も実施例に比べて劣ってい
た。
断せずに半田付は部で切断するもの多（半田付は住方る
ことを示した。又部れの外観も実施例に比べて劣ってい
た。
リード部に無処理のＫは半田付は性不良ですべてが半田
付は部から切断していた。アウターＩＪ−ド部に従来法
のように半田付けするか、本発明のように７ラツクス膜
を形成させるかをしなげればならないことを実証した。
付は部から切断していた。アウターＩＪ−ド部に従来法
のように半田付けするか、本発明のように７ラツクス膜
を形成させるかをしなげればならないことを実証した。
〔効果〕
上述のように本発明は従来の封止された半導体の信頼性
を改善して、リード材がＣｕ系でも信頼性のある半導体
を提供することができた。尚本発明は有機性の非腐食性
のフラックスを保護被膜に用いるので処理工程も容易で
経済的な効果ももたらすものでもある。
を改善して、リード材がＣｕ系でも信頼性のある半導体
を提供することができた。尚本発明は有機性の非腐食性
のフラックスを保護被膜に用いるので処理工程も容易で
経済的な効果ももたらすものでもある。
Claims (3)
- （１）Ｃｕ系リード材を用いて、封止された半導体にお
いて、封止部より突出するリード部を清浄化した後、該
リード部に１〜５０μの厚さのフラックス膜を形成して
なることを特徴とする半導体装置。 - （２）上記のように清浄化されたリード部にインヒビタ
ー処理してからフラックス膜を形成してなる特許請求の
範囲第１項記載の半導体装置。 - （３）上記フラックス膜はフラックス中にＣｕに対する
インヒビターを、フラックス固形分に対し０．０５％以
上添加してなる特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146106A JPS633444A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61146106A JPS633444A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS633444A true JPS633444A (ja) | 1988-01-08 |
Family
ID=15400283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61146106A Pending JPS633444A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS633444A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275659A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Nec Corp | 樹脂モールド型半導体装置 |
| JP2007138239A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Densei Lambda Kk | 電子機器用板金部品 |
| JP2007258490A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リード、リードの製造方法、パッケージ部品、パッケージ部品の製造方法、半導体装置 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP61146106A patent/JPS633444A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02275659A (ja) * | 1989-04-17 | 1990-11-09 | Nec Corp | 樹脂モールド型半導体装置 |
| JP2007138239A (ja) * | 2005-11-17 | 2007-06-07 | Densei Lambda Kk | 電子機器用板金部品 |
| JP2007258490A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リード、リードの製造方法、パッケージ部品、パッケージ部品の製造方法、半導体装置 |
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